KR101904802B1 - 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 트레이는 소정 거리를 가지도록 나란하게 배치된 제 1 및 제 2 프레임 부재와, 상기 제 1 및 제 2 프레임 부재 각각의 양 가장자리 부분에 결합된 제 3 및 제 4 프레임 부재를 포함하는 지지 프레임; 및 상기 제 1 및 제 2 프레임 부재 사이에 일정한 간격으로 배치되도록 상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 간에 설치되어 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 대형화가 용이하고 처짐 등에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
태양 전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양 전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양 전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체 쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체 쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 태양 전지는 일반적으로 기판형 태양 전지와 박막형 태양 전지로 구분할 수 있다.
상기 기판형 태양 전지는 실리콘과 같은 반도체 기판을 반도체층으로 하여 태양 전지를 제조한 것으로, 제조 비용이 높은 반면에 광전 변환 효율이 높다는 장점을 갖는다. 상기 박막형 태양 전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체층을 형성하여 태양 전지를 제조한 것으로, 광전 변환 효율이 낮은 반면에 제조 비용이 낮다는 장점이 있다.
전술한 기판형 태양 전지는 반도체 기판을 식각하는 텍스처링(Texturing) 공정, 반도체층 형성 공정, 및 전극 형성 공정 등을 거쳐 제조된다. 이러한 기판형 태양 전지의 각 제조 공정에서는 수십 매의 반도체 기판을 적재할 수 있는 기판 트레이(Tray)를 사용하고 있다. 예를 들어, 기판형 태양 전지의 제조 공정 중 한 공정인 박막 증착 공정(일 예로, 플라즈마 증착 공정)을 수행하기 위한 기판 처리 장치는 반도체 기판들이 일정한 간격으로 적재된 기판 트레이 상에 소정의 박막 물질을 동시에 증착하게 된다.
도 1은 종래의 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 기판 트레이는 지지 프레임(10)과 지지 플레이트(20)로 이루어질 수 있다.
지지 프레임(10)은 사각틀 형태로 형성되어 지지 플레이트(20)의 가장자리 부분에 결합되는 것으로, 금속 재질로 이루어진다.
지지 플레이트(20)는 평판 형태로 형성되어 지지 프레임(10)에 결합된다. 이러한 지지 플레이트(20) 상에는 수십 매의 반도체 기판(S)이 일정한 간격으로 적재된다. 상기 지지 플레이트(20)는 그래파이트(Graphite), 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite), 또는 유리 등의 재질로 이루어질 수 있다.
이와 같은 종래의 기판 트레이는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 지지 플레이트(20)의 대면적화에 한계로 인해 대형화하는데 어려움이 있다.
둘째, 지지 플레이트(20)의 자중에 의한 처짐으로 인하여 반도체 기판의 픽업(Pick up) 불량, 공정 불균일 등의 공정 불량을 유발시킨다.
셋째, 기판 트레이를 이용한 기판 처리 공정시, 기판 트레이들 간의 온도 편차에 따른 공정 편차에 의해 공정 불균일 등의 공정 불량을 유발시킨다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대형화가 용이하고 처짐 등에 의한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 트레이는 소정 거리를 가지도록 나란하게 배치된 제 1 및 제 2 프레임 부재와, 상기 제 1 및 제 2 프레임 부재 각각의 양 가장자리 부분에 결합된 제 3 및 제 4 프레임 부재를 포함하는 지지 프레임; 및 상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 간에 일정한 간격으로 설치되어 탄성력에 의해 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 중 적어도 하나에 설치되어 상기 복수의 스트랩 각각의 장력을 일정하게 유지시키는 복수의 장력 유지 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 지지 프레임은 상기 제 4 프레임 부재의 상면으로부터 오목하게 형성되어 상기 복수의 스트랩 각각의 타측이 통과되는 복수의 스트랩 지지 홈, 또는 상기 제 4 프레임 부재를 관통하도록 형성되어 상기 복수의 스트랩 각각의 타측이 삽입 관통되는 복수의 스트랩 관통 홀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 장력 유지 부재 각각은 상기 제 4 프레임 부재의 외측면에 설치되고, 상기 복수의 장력 유지 부재 각각은 상기 제 4 프레임 부재를 통과하는 상기 스트랩의 타측을 사이에 두고 상기 제 4 프레임 부재의 외측면에 설치된 한 쌍의 가이드 핀; 상기 한 쌍의 가이드 핀 각각에 이동 가능하게 설치되어 상기 스트랩의 타측에 결합된 슬라이딩 브라켓; 및 상기 한 쌍의 가이드 핀 각각에 삽입되어 탄성력에 따라 상기 슬라이딩 브라켓을 이동시켜 상기 스트랩의 장력을 일정하게 유지시키는 탄성 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 트레이는 상기 제 4 프레임 부재를 통과하는 복수의 스트랩과 상기 복수의 장력 유지 부재를 덮도록 상기 제 4 프레임 부재의 상면에 설치된 커버 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 트레이는 개구부를 가지는 지지 프레임; 상기 지지 프레임의 제 1 측에 일정한 간격으로 고정됨과 아울러 상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하도록 배치되어 상기 개구부 상에서 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩; 및 상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하는 복수의 스트랩 각각에 결합되도록 상기 지지 프레임의 제 2 측에 설치되고, 상기 복수의 스트랩 각각의 열팽창 또는 열수축 방향으로 슬라이딩되어 상기 복수의 스트랩 각각의 장력을 일정하게 유지시키는 복수의 장력 유지 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 장력 유지 부재 각각은 상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하는 상기 스트랩의 타측을 사이에 두고 상기 지지 프레임의 제 2 측 외측면에 설치된 한 쌍의 가이드 핀; 상기 한 쌍의 가이드 핀 각각에 이동 가능하게 설치됨과 아울러 상기 스트랩의 타측에 결합된 슬라이딩 브라켓; 및 상기 한 쌍의 가이드 핀 각각에 삽입되어 상기 복수의 스트랩 각각의 열팽창 또는 열수축에 따른 상기 슬라이딩 브라켓을 이동시켜 상기 스트랩의 장력을 일정하게 유지시키는 탄성 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 트레이는 상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하는 복수의 스트랩과 상기 복수의 장력 유지 부재를 덮도록 상기 지지 프레임의 제 2 측 상면에 설치된 커버 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 장력 유지 부재 각각은 탄성력에 따라 상기 스트랩의 장력을 일정하게 유지시키는 탄성 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 스트랩 각각은 알루미늄 재질, 인코넬(Inconel)계 합금 재질, 하스텔로이(Hastelloy) 재질, 하스텔로이계 합금 재질, 및 하스텔로이 재질에 알루미늄을 코팅한 금속 재질 중 어느 한 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 양측벽에 설치된 트레이 이송 수단; 상기 공정 공간으로 반입되어 상기 트레이 이송 수단에 지지되는 기판 트레이; 및 상기 공정 챔버에 승강 가능하게 설치되어 상기 트레이 이송 수단에 지지된 기판 트레이를 공정 위치로 상승시키거나 상기 공정 위치에 위치한 기판 트레이를 상기 트레이 이송 수단으로 하강시키는 서셉터를 포함하여 구성되고, 상기 기판 트레이는 소정 거리를 가지도록 나란하게 배치된 제 1 및 제 2 프레임 부재와, 상기 제 1 및 제 2 프레임 부재 각각의 양 가장자리 부분에 결합된 제 3 및 제 4 프레임 부재를 포함하는 지지 프레임; 및 상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 간에 일정한 간격으로 설치되어 탄성력에 의해 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 트레이는 상기 복수의 스트랩을 사이에 두고 서로 마주보도록 상기 지지 프레임의 양측에 설치된 복수의 돌출편을 더 포함하여 구성되고, 상기 서셉터는 상기 복수의 돌출편을 이용해 상기 기판 트레이를 승강시키는 것을 특징으로 한다.
상기 서셉터는 상기 복수의 스트랩에 지지된 기판을 가열하기 위한 가열 수단을 포함하고, 상기 기판 트레이의 승강시, 상기 복수의 스트랩 각각은 상기 서셉터의 상면에 접촉되는 것을 특징으로 한다.
상기 서셉터는 상기 복수의 스트랩에 지지된 기판을 가열하기 위한 가열 수단, 및 상기 복수의 스트랩 각각이 삽입되도록 오목하게 형성된 복수의 스트랩 삽입 홈을 포함하고, 상기 기판 트레이의 승강시, 상기 복수의 스트랩 각각은 상기 복수의 스트랩 삽입 홈 각각에 삽입되고, 상기 복수의 기판 각각은 상기 서셉터의 상면에 접촉되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 기판 트레이의 상면 가장자리 부분을 덮도록 상기 공정 챔버에 설치된 커버 프레임을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 복수의 스트랩을 이용해 복수의 기판을 지지하고, 장력 유지 부재의 탄성 부재를 이용해 스트랩의 장력을 일정하게 유지시킴으로써 처짐에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.
둘째, 복수의 스트랩을 이용해 복수의 기판을 지지함으로써 대형화가 용이하여 보다 많은 기판에 대한 기판 처리 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 기판이 적재되는 부분이 천공 타입이므로 기판의 핸들링이 용이하며, 스트랩의 장력이 일정하게 유지되므로 기판의 픽업시 발생되는 픽업 불량을 방지할 수 있다.
넷째, 복수의 스트랩을 이용해 복수의 기판을 지지함으로써 각 기판의 온도를 균일하게 가열할 수 있어 기판 트레이들 간의 온도 편차에 따른 공정 편차를 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 A 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 B 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 기판 트레이를 나타내는 분해 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 지지 프레임, 스트랩 및 장력 유지 부재의 결합 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 2에 도시된 스트랩의 장력이 일정하게 유지되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이에 더 포함되는 커버 부재를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 제 4 프레임 부재의 측면 일부를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 서셉터와 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 11에 도시된 서셉터의 승강에 따른 기판 트레이의 승강을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 11에 도시된 서셉터의 변형 실시 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 A 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 B 부분을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 기판 트레이를 나타내는 분해 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 지지 프레임, 스트랩 및 장력 유지 부재의 결합 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 2에 도시된 스트랩의 장력이 일정하게 유지되는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이에 더 포함되는 커버 부재를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 제 4 프레임 부재의 측면 일부를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 서셉터와 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 11에 도시된 서셉터의 승강에 따른 기판 트레이의 승강을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 11에 도시된 서셉터의 변형 실시 예를 설명하기 위한 사시도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 A 부분을 확대하여 나타내는 도면이고, 도 4는 도 2에 도시된 B 부분을 확대하여 나타내는 도면이며, 도 5는 도 2에 도시된 기판 트레이를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)는 지지 프레임(110), 복수의 스트랩(Strap)(120), 및 복수의 장력 유지 부재(130)를 포함하여 구성된다.
지지 프레임(110)은 개구부를 가지도록 사각틀 형태로 형성되어 복수의 스트랩(120)을 지지한다. 이를 위해, 지지 프레임(110)은 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113), 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117), 및 복수의 돌출편(119)을 포함하여 구성된다.
제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)는 복수의 스트랩(120)을 사이에 두고 소정 거리로 이격되도록 나란하게 배치된다. 이러한 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각은 기판 처리 장치 내에서 트레이 이송 수단(미도시)에 의해 이송되기 때문에, 트레이 이송 수단, 즉 트레이 이송 롤러와의 접촉에 따라 마모되지 않도록 금속 재질로 이루어진다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각은 알루미늄 재질 또는 알루미늄 물질을 포함하는 금속 재질로 이루어질 수 있다.
제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117)는 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 양 가장자리 부분에 결합된다. 이에 따라, 지지 프레임(110)은 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)와 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117)의 상호 결합에 의해 사각틀 형태를 가지게 된다. 상기 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117)는 세라믹 재질 또는 세라믹 물질을 포함하는 비금속 재질로 이루어진다.
제 3 프레임 부재(115)의 양 가장자리 부분은, 도 5에 도시된 C 부분의 확대도와 같이, 제 1 체결 부재(115a)에 의해 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 일측 모서리 부분에 마련된 제 1 결합 홈(111a)에 삽입 결합된다. 이때, 제 1 체결 부재(115a)로는 접시 모양의 헤드를 가지는 나사 또는 볼트(Bolt)가 사용될 수 있다.
제 4 프레임 부재(117)의 양 가장자리 부분은, 도 5에 도시된 D 부분의 확대도와 같이, 제 2 체결 부재(115b)에 의해 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 타측 모서리 부분에 마련된 제 2 결합 홈(111b)에 삽입 결합된다. 이때, 제 2 체결 부재(115b)로는 접시 모양의 헤드를 가지는 나사 또는 볼트(Bolt)가 사용될 수 있다.
복수의 돌출편(119) 각각은 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각에 형성되어 돌출편 삽입 홈(119a)에 삽입 설치된다. 이때, 돌출편 삽입 홈(119a) 각각은 길이 방향을 기준으로 스트랩(120)의 측면에 대향되는 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 내측면 상부 모서리 부분의 일부가 제거되어 형성된다.
상기 복수의 돌출편(119) 각각은 복수의 제 2 체결 부재(119b)에 의해 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 돌출편 삽입 홈(119a)에 삽입 결합됨으로써 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 내측면으로부터 소정 길이를 가지도록 스트랩(120)의 측면 쪽으로 돌출된다. 이러한 상기 복수의 돌출편(119) 각각은 기판 처리 장치(미도시)에 반입된 기판 트레이의 승강시, 기판 트레이를 승강시키기 위한 구조물의 역할을 한다.
복수의 스트랩(120) 각각은 지지 프레임(110)에 일정한 간격으로 설치되어 탄성력에 의해 복수의 기판(S)을 지지한다. 즉, 복수의 스트랩(120) 각각은 소정의 폭과 길이를 가지도록 띠 형태로 형성되어 제 3 프레임 부재(115) 및 장력 유지 부재(130)에 결합된다. 구체적으로, 복수의 스트랩(120) 각각의 일측은 지지 프레임(110)의 제 1 측, 즉 제 3 프레임 부재(115)에 고정된다. 그리고, 복수의 스트랩(120) 각각의 타측은 지지 프레임(110)의 제 2 측, 즉 제 4 프레임 부재(117)를 통과하여 제 4 프레임 부재(117)의 외측면에 설치된 장력 유지 부재(130)에 고정된다.
복수의 스트랩(120) 각각은 복수의 기판(S)을 지지하는 것으로, 복수의 기판(S)은 복수의 스트랩(120)에 의해 격자 형태를 가지도록 정렬되어 적재된다. 한편, 도 2에서는 복수의 기판(S)이 복수의 스트랩(120) 상에 4×4 형태를 가지도록 적재된 것을 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 복수의 스트랩(120) 상에는 수십 ~ 수백 개의 기판(S)이 N×M(단, N 및 M은 서로 같거나 상이한 2 이상의 자연수) 형태를 가지도록 적재될 수 있다.
하나의 기판(S)은 상하로 인접한 3개의 스트랩(120)에 의해 지지될 수 있다. 이 경우, 복수의 스트랩(120) 중 홀수번째 스트랩(120o)은 각 기판(S)의 제 1 및 제 2 측 배면 가장자리 부분을 지지하고, 복수의 스트랩(120) 중 홀수번째 스트랩(120o)은 각 기판(S)의 배면 중심 부분을 지지한다. 이에 따라, 인접한 3개의 스트랩(120)에는 각 기판(S)이 지지되는 기판 지지 영역(122)이 마련된다.
상기 기판 지지 영역(122) 각각의 주변에 대응되는 스트랩(120) 상에는 제 1 및 제 2 기판 정렬 부재(124, 126)가 형성된다.
제 1 기판 정렬 부재(124)는 상기 기판 지지 영역(122)의 제 1 및 제 2 측면 각각에 대응되도록 상기 홀수번째 스트랩(120o)의 길이 방향 중심선 상으로부터 소정 높이를 가지도록 돌출된다. 이때, 제 1 기판 정렬 부재(124)는 펀칭(Punching) 가공에 의해 "∩"자 형태의 단면을 가지도록 스트랩(120)의 상면으로부터 소정 높이로 돌출될 수 있다.
제 2 기판 정렬 부재(126)는 상기 기판 지지 영역(122)의 제 3 및 제 4 측면 각각에 대응되도록 상기 짝수번째 스트랩(120e)의 길이 방향 중심선 상으로부터 소정 높이를 가지도록 돌출된다. 이때, 제 2 기판 정렬 부재(126) 역시 펀칭(Punching) 가공에 의해 "∩"자 형태의 단면을 가지도록 스트랩(120)의 상면으로부터 소정 높이로 돌출될 수 있다.
상기 복수의 스트랩(120) 각각은 낮은 열팽창 계수 및 높은 열전도율을 가지는 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 스트랩(120) 각각은 알루미늄 재질, 인코넬(Inconel)계 합금 재질, 하스텔로이(Hastelloy) 재질, 하스텔로이계 합금 재질, 및 하스텔로이 재질에 알루미늄을 코팅한 금속 재질 중 어느 한 재질로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 스트랩(120) 각각은 소정의 두께(t)와 소정의 폭(w)을 가지도록 띠 형태로 형성될 수 있다.
상기 복수의 스트랩(120) 각각은 0.1mm ~ 1mm 범위의 두께(t)를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 복수의 스트랩(120) 각각이 0.1mm 이하의 두께(t)를 가질 경우, 열팽창에 의해 휘어지거나, 오그라질 수 있으며, 가공에 어려움이 있다. 그리고, 복수의 스트랩(120) 각각이 1mm 이상의 두께(t)를 가질 경우, 재료 비용이 증가하고, 공정시 기판(S)의 온도 편차를 유발시켜 공정 불량을 유발시킬 수 있다.
상기 복수의 스트랩(120) 각각은 15 ~ 30mm 범위의 폭(w)을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 복수의 스트랩(120) 각각이 15mm 이하의 폭(w)을 가질 경우, 기판(S)을 지지하는데 어려움이 있다. 그리고, 복수의 스트랩(120) 각각이 30mm 이상의 폭(w)을 가질 경우, 재료 비용이 증가하고, 면적 증가로 인해 열팽창 량이 증가될 수 있다.
이와 같은, 복수의 스트랩(120) 각각의 일측은, 도 3, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 스트랩 체결 부재(129)에 의해 제 3 프레임 부재(115)에 형성된 제 1 스트랩 고정 홈(116)에 삽입 고정된다. 이때, 복수의 스트랩(120) 각각의 하면은 전술한 지지 프레임(110)에 설치된 복수의 돌출편(119) 각각의 하면과 동일 선상에 위치한다.
제 1 스트랩 고정 홈(116)은 제 3 프레임 부재(115)의 내측면 상부 모서리 부분의 일부가 제거되어 형성된다. 이때, 제 1 스트랩 고정 홈(116)은 제 3 프레임 부재(115)의 상면 전체로부터 소정 깊이를 가지도록 오목하게 형성될 수도 있지만, 제 3 프레임 부재(115)의 강도(또는 강성)를 증가시키기 위해 제 3 프레임 부재(115)의 내측면 모서리 부분의 일부가 제거되어 형성되는 것이 바람직하다.
제 1 스트랩 고정 홈(116)에 삽입된 복수의 스트랩(120) 각각의 일측은 제 1 스트랩 고정 블록(128)에 의해 은폐된다. 제 1 스트랩 고정 블록(128)은 알루미늄 재질 또는 알루미늄 물질을 포함하는 금속 재질로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 스트랩 체결 부재(129)는 상기 제 1 스트랩 고정 블록(128)과 스트랩(120)의 제 1 체결 부재 관통 홀(127a)을 통해 제 1 스트랩 고정 홈(116)에 체결됨으로써 복수의 스트랩(120) 각각의 일측 가장자리 부분을 제 3 프레임 부재(115)에 고정한다. 상기 제 1 스트랩 체결 부재(129)로는 접시 모양의 헤드를 가지는 볼트(Bolt)가 사용될 수 있다.
복수의 스트랩(120) 각각의 타측은, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제 4 프레임 부재(117)에 형성된 스트랩 지지 홈(118)에 삽입 지지되어 장력 유지 부재(130)에 고정된다. 이때, 복수의 스트랩(120) 각각의 타측 끝단은 제 4 프레임 부재(117)의 외측면으로부터 소정 길이를 가지도록 돌출된다.
스트랩 지지 홈(118)은 제 4 프레임 부재(117)의 상면 전체로부터 소정 깊이를 가지도록 오목하게 형성된다.
한편, 전술한 설명에서는 복수의 스트랩(120) 각각이 소정 간격을 가지도록 개별적으로 지지 프레임(110)에 설치되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 다수개의 스트랩(120)이 하나의 스트랩 그룹으로 설정되어 지지 프레임(110)에 설치될 수 있다. 예를 들어, 3개의 스트랩(120)이 하나의 스트랩 그룹으로 설정될 수 있다. 이 경우, 하나의 스트랩 그룹은 3개의 스트랩(120)의 일측이 하나로 일체화되어 평면적으로 "E"자 형태로 형성됨으로써 일체화된 스트랩 그룹의 일측은 제 3 프레임 부재(115)에 결합되고, 스트랩 그룹의 타측은 제 4 프레임 부재(117)를 통과하여 장력 유지 부재(130) 각각에 개별적으로 고정될 수 있다.
복수의 장력 유지 부재(130) 각각은, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 프레임(110)의 제 2 측, 즉 제 4 프레임 부재(117)의 외측면에 설치되어 스트랩(120)의 장력을 일정하게 유지시킨다. 이를 위해, 복수의 장력 유지 부재(130) 각각은 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b), 슬라이딩 브라켓(133), 한 쌍의 탄성 부재(135a. 135b), 제 2 스트랩 고정 블록(138), 및 제 2 스트랩 체결 부재(139)를 포함하여 구성된다.
한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각은 지지 프레임(110)의 스트랩 지지 홈(118)에 지지된 스트랩(120)의 타측을 사이에 두고 제 4 프레임 부재(117)의 외측면에 설치된다. 즉, 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각은 전술한 스트랩 지지 홈(118)에 인접하도록 제 4 프레임 부재(117)의 외측면에 형성된 한 쌍의 체결 홀(130a, 130b) 각각에 체결됨으로써 제 4 프레임 부재(117)의 외측면으로부터 소정 길이를 가지도록 돌출된다.
상기 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각의 중심부는 상기 스트랩(120)의 두께 방향의 중심부와 동일 선상에 위치하게 된다. 이때, 상기 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각의 중심부와 스트랩(120)의 두께 중심부가 동일 선상에 위치하지 않을 경우, 장력 유지 부재(130)에 의한 스트랩(120)의 장력 조절이 용이하지 않게 된다.
슬라이딩 브라켓(133)은 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각에 이동 가능하게 설치된다. 이를 위해, 슬라이딩 브라켓(133)은 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각이 이동 가능하게 삽입되는 한 쌍의 핀 슬라이딩 홀(133a, 133b), 및 스트랩(120)의 타측에 결합되도록 오목하게 형성된 제 2 스트랩 고정 홈(133c)을 포함하여 구성된다. 이러한 슬라이딩 브라켓(1330)은 제 2 스트랩 체결 부재(139)에 의해 제 4 프레임 부재(117)의 스트랩 지지 홈(118)에 지지되어 제 4 프레임 부재(117)의 외측면으로 돌출된 스트랩(120)의 타측에 결합된다.
한 쌍의 탄성 부재(135a. 135b) 각각은 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각을 감싸도록 제 4 프레임 부재(117)의 외측면과 슬라이딩 브라켓(133)의 내측면 사이에 설치된다. 이러한 한 쌍의 탄성 부재(135a. 135b) 각각은 소정의 힘으로 압축된 상태에서 온도에 의한 스트랩(120)의 열팽창시 탄성 복원력에 따라 슬라이딩 브라켓(133)을 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b)에서 슬라이딩시킴으로써 스트랩(120)의 장력을 일정하게 유지시킨다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 고온에 의한 스트랩(120)의 열팽창에 따라 스트랩(120)의 길이가 늘어날 경우, 한 쌍의 탄성 부재(135a. 135b) 각각은 탄성 복원력에 따라 초기 상태로 복원되어 슬라이딩 브라켓(133)을 제 4 프레임 부재(117)의 외부 쪽으로 슬라이딩시킴으로써 스트랩(120)의 장력을 일정하게 유지시킨다. 그리고, 저온에 의한 스트랩(120)의 열수축에 따라 스트랩(120)의 길이가 줄어들 경우, 한 쌍의 탄성 부재(135a. 135b) 각각은 스트랩(120)의 수축에 따라 압축되어 슬라이딩 브라켓(133)을 제 4 프레임 부재(117) 쪽으로 슬라이딩시킴으로써 스트랩(120)의 장력을 일정하게 유지시킨다.
제 2 스트랩 고정 블록(138)은 슬라이딩 브라켓(133)의 제 2 스트랩 고정 홈(133c)에 지지된 스트랩(120)의 타측을 덮도록 제 2 스트랩 고정 홈(133c) 상에 설치된다. 제 2 스트랩 고정 블록(138)은 알루미늄 재질 또는 알루미늄 물질을 포함하는 금속 재질로 이루어질 수 있다.
제 2 스트랩 체결 부재(139)는 상기 제 2 스트랩 고정 블록(138)과 스트랩(120)의 제 2 체결 부재 관통 홀(127b)을 통해 제 2 스트랩 고정 홈(133c)에 체결됨으로써 복수의 스트랩(120) 각각의 타측 가장자리 부분을 슬라이딩 브라켓(133)에 고정한다. 상기 제 2 스트랩 체결 부재(139)로는 접시 모양의 헤드를 가지는 볼트(Bolt)가 사용될 수 있다.
전술한 설명에서는 복수의 장력 유지 부재(130) 각각이 지지 프레임(110)의 제 4 프레임 부재(117)에만 설치되어 스트랩(120)의 타측에 결합되는 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 제 3 프레임 부재(115)의 외측면에도 동일하게 설치되어 스트랩(120)의 일측에 결합될 수도 있다.
한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)는, 도 8에 도시된 바와 같이, 커버 부재(140)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
커버 부재(140)는 지지 프레임(110), 즉 제 4 프레임 부재(117)의 상면에 설치되어 복수의 장력 유지 부재(130) 각각을 덮는다. 이러한 커버 부재(140)는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)를 이용한 기판 처리 공정시, 금속 재질로 이루어진 복수의 장력 유지 부재(130) 각각에서 발생되는 아킹(Arcking)을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 커버 부재(140)는 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 세라믹 재질 또는 세라믹 물질을 포함하는 비금속 재질로 이루어질 수 있다. 상기 커버 부재(140)는 일정한 간격으로 이격되어 복수의 장력 유지 부재(130) 각각을 덮도록 복수로 이루어지거나, 하나의 몸체로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 커버 부재(140)는 전술한 복수의 제 1 스트랩 고정 블록(128) 각각을 덮도록 지지 프레임(110), 즉 제 3 프레임 부재(115)의 상면에도 설치될 수도 있다. 이때, 상기 커버 부재(140)는 일정한 간격으로 이격되어 복수의 제 1 스트랩 고정 블록(128) 각각을 덮도록 복수로 이루어지거나, 하나의 몸체로 이루어질 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)는 복수의 스트랩(120)을 이용해 복수의 기판(S)을 지지하고, 장력 유지 부재(130)의 탄성 부재(135a, 135b)를 이용해 스트랩(120)의 장력을 일정하게 유지시킴으로써 대형화가 용이하고, 처짐에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)는 금속 재질의 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)와 비금속 재질의 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117)를 이용해 지지 프레임을 형성하고, 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117) 간에 복수의 스트랩(120)을 설치함으로써 온도에 따른 지지 프레임(110)의 변형을 최소화할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 제 4 프레임 부재의 측면 일부를 나타내는 단면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이(200)는 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)와 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117)를 포함하는 지지 프레임(110), 제 3 및 제 4 프레임 부재(115, 117) 간에 설치된 복수의 스트랩(120), 및 제 4 프레임 부재(117)의 통과하는 복수의 스트랩(120) 각각의 타측에 결합되도록 제 4 프레임 부재(117)에 설치되어 복수의 스크랩(120)의 장력을 유지하는 복수의 장력 유지 부재(130)를 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이(200)는 복수의 스트랩(120) 각각의 타측이 지지 프레임(110)의 제 4 프레임 부재(117)를 통과하여 장력 유지 부재(130)에 결합되는 것을 제외하고는 모두 동일하다. 이에 따라, 제 4 프레임 부재(117)를 제외한 나머지 구성들은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 트레이(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 하고, 동일 구성들에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
제 4 프레임 부재(117)는 제 2 체결 부재(115b)에 의해 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113) 각각의 타측 모서리 부분에 삽입 결합된다. 이러한 제 4 프레임 부재(117)에는 복수의 스트랩(120) 각각의 타측이 관통하게 된다. 이를 위해, 제 4 프레임 부재(117)는 복수의 스트랩 관통 홀(117a)을 포함하여 구성된다.
복수의 스트랩 관통 홀(117a) 각각은 상기 제 4 프레임 부재(117)의 내측면과 외측면에 관통하도록 형성된다. 즉, 상기 복수의 스트랩 관통 홀(117a) 각각은 제 4 프레임 부재(117)의 외측면에 형성된 한 쌍의 체결 홀(130a, 130b) 사이에 대응되는 제 4 프레임 부재(117)를 관통하도록 형성된다. 이때, 상기 스트랩(120)의 두께 방향의 중심부는 상기 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각의 중심부와 동일 선상(CL)에 위치하게 된다. 만약, 상기 스트랩(120)의 두께 중심부가 상기 한 쌍의 가이드 핀(131a, 131b) 각각의 중심부와 동일 선상에 위치하지 않을 경우, 장력 유지 부재(130)에 의한 스트랩(120)의 장력 조절이 용이하지 않게 된다.
전술한 복수의 스트랩(120) 각각의 타측은 제 4 프레임 부재(117)에 형성된 스트랩 지지 홀(117a)에 삽입 관통되어 장력 유지 부재(130)에 고정된다.
한편, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 트레이(200)는 제 4 프레임 부재(117)의 상면에 설치되어 제 4 프레임 부재(117)의 외측면으로 돌출된 각 스트랩(120)의 타측 끝단과 각 장력 유지 부재(130)를 덮는 전술한 커버 플레이트(140; 도 8 참조)를 더 포함하여 구성될 수도 있다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 12는 도 11에 도시된 서셉터와 기판 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(310), 챔버 리드(320), 가스 분사 수단(330), 기판 트레이(340), 트레이 이송 수단(350), 및 서셉터(360)를 포함하여 구성된다.
공정 챔버(310)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 등)을 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 공정 챔버(310)는 기판 트레이(340)가 공정 공간으로 반입되거나 공정 공간으로부터 외부로 반출되는 게이트 밸브(미도시), 및 공정 공간의 공정 가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(312)를 더 포함하여 구성된다.
챔버 리드(320)는 공정 챔버(310)의 상부를 덮도록 공정 챔버(310)의 상부에 설치되어 가스 분사 수단(330)를 지지한다. 이러한 공정 챔버(310)의 상부와 챔버 리드(320) 사이에는 절연체(315)가 설치됨으로써 챔버 리드(320)와 공정 챔버(310)는 전기적으로 서로 절연된다.
가스 분사 수단(330)은 서셉터(360)에 대향되도록 챔버 리드(320)의 하부에 설치되어 챔버 리드(320)에 관통하는 가스 공급관(322)에 연결된다. 이러한 가스 분사 수단(330)은 외부의 가스 공급 수단(미도시)으로부터 공급되는 가스(예를 들어, 공정 가스, 세정 가스, 또는 증착용 소스 가스)를 서셉터(360) 상에 분사한다. 이를 위해, 가스 분사 수단(330)은 가스 공급관(322)으로부터 공급되는 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(미도시), 및 가스 확산 공간에 연통되도록 형성되어 상기 가스를 서셉터(360) 상의 전영역 걸쳐 균일하게 분사하는 복수의 가스 분사 홀(미도시)을 포함하여 구성된다.
한편, 상기 기판 처리 장치가 공정 공간에 플라즈마를 형성하여 기판 처리 공정을 수행할 경우, 상기 가스 분사 수단(330)은 외부의 플라즈마 전원 공급 수단(미도시)에 전기적으로 접속되거나, 가스 공급관(332)을 통해 상기 플라즈마 전원 공급 수단(미도시)에 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 가스 분사 수단(330)은 플라즈마 전극으로 사용된다.
기판 트레이(340)는 트레이 공급 수단(미도시)의 구동에 의해 게이트 밸브를 통해 공정 공간으로 반입되어 트레이 이송 수단(350)에 안착되거나, 트레이 이송 수단(350)의 구동에 의해 공정 챔버(310)로부터 상기 트레이 공급 수단으로 반출된다. 이러한, 기판 트레이(340)에는 외부의 기판 적재 장치에 의해 복수의 기판(S)이 일정한 간격으로 적재된다. 이와 같은, 기판 트레이(340)는 도 2 내지 도 10에 도시된 본 발명의 제 1 또는 제 2 실시 예에 따른 트레이(100, 200)와 동일하게 구성되므로 이에 대한 상세한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 하고, 이하 동일한 도면 부호를 부여하기로 한다.
상기 트레이 공급 수단은 공정 챔버(310)의 게이트 밸브에 인접하도록 설치되어 기판 트레이(340)를 공정 공간으로 반입시키거나 공정 공간으로부터 외부로 반출시킨다. 이를 위해, 일 실시 예에 따른 트레이 공급 수단은 기판 트레이(340)를 지지함과 아울러 이송시키는 복수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따른 트레이 공급 수단은 기판 트레이(340)를 지지함과 아울러 이송시키는 컨베이어 벨트(미도시), 및 컨베이어 벨트(미도시)를 회전시키기 위한 복수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수도 있다.
트레이 이송 수단(350)은 공정 챔버(310)의 마련된 게이트 밸브에 대응되는 공정 챔버(310)의 양측벽에 나란하게 설치된 복수의 트레이 이송 롤러(352)를 포함하여 구성된다.
복수의 트레이 이송 롤러(352) 각각은 트레이 공급 장치의 구동에 의해 게이트 밸브를 통해 공정 공간으로 반입되는 기판 트레이(340)를 지지하고, 기판 처리 공정이 완료되면, 롤러 구동 장치(미도시)에 의해 구동되어 지지된 기판 트레이(340)를 트레이 공급 장치, 다른 공정 챔버, 또는 로드락 챔버로 반출한다.
서셉터(360)는 공정 챔버(310)의 바닥면을 관통하는 승강축(362)에 지지된다. 이때, 승강축(362)은 벨로우즈(Bellows)(364)에 의해 감싸여진다. 이러한 상기 서셉터(360)는, 도 13에 도시된 바와 같이, 승강축 구동 장치(미도시)의 구동에 따라 승강됨으로써 트레이 이송 수단(350)에 지지된 기판 트레이(340)를 공정 위치로 상승시키거나, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 공정 위치에 위치한 기판 트레이(340)를 트레이 반입/반출 위치로 하강시켜 상기 트레이 이송 수단(350)의 트레이 이송 롤러(352) 상에 안착시킨다.
상기 승강축 구동 장치의 구동에 따라 서셉터(360)가 승강될 경우, 서셉터(360)는 기판 트레이(340)에 설치된 복수의 돌출편(119) 각각을 통해 기판 트레이(340)를 승강시킨다. 이때, 기판 트레이(340)의 각 스트랩(120)은 서셉터(360)의 상면에 안착된다.
상기 서셉터(360)는 기판 트레이(340)에 적재된 각 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열하는 역할도 수행한다. 이를 위해, 상기 서셉터(360)는 내장된 가열 수단(370)을 더 포함하여 구성된다.
가열 수단(370)은 서셉터(360)를 소정 온도로 가열함으로써 기판 트레이(340)에 적재된 각 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열한다. 이러한 가열 수단(370)은 저항 히터, 열선 히터, 또는 램프 히터 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 이에 따라, 기판 트레이(340)에 정렬 적재된 복수의 기판(S)은 서셉터(360)의 온도에 의해 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열된다.
한편, 상기 서셉터(360)는, 도 14의 확대도와 같이, 기판 트레이(340)의 상승시, 복수의 스트랩(120) 각각이 삽입 안착되는 복수의 스트랩 삽입 홈(366)을 더 포함하여 구성될 수 있다.
상기 복수의 스트랩 삽입 홈(366)은 복수의 스트랩(120) 각각이 삽입 가능하도록 서셉터(360)의 상면(361)으로부터 오목하게 형성된다. 이때, 상기 복수의 스트랩 삽입 홈(366)의 깊이는 스트랩(120)의 두께와 동일하게 설정되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 서셉터(360)의 상승시, 복수의 스트랩(120) 각각이 서셉터(360)에 접촉됨과 아울러 각 기판(S)이 서셉터(360)의 상면(361)에 접촉됨으로써 서셉터(360)의 온도를 이용해 각 기판(S)을 균일한 온도로 가열할 수 있다.
다른 한편, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(310)의 내벽에 설치되어 기판 트레이(340)의 상면 가장자리 부분을 덮는 커버 프레임(380)을 더 포함하여 구성될 수 있다.
커버 프레임(380)은 공정 위치로 상승된 기판 트레이(340)의 상면 가장자리 부분을 덮음으로써 기판 처리 공정시 기판 트레이(340)에 발생되는 아킹(Arcking)을 방지한다. 이러한 커버 프레임(380)은 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 세라믹 재질 또는 세라믹 물질을 포함하는 비금속 재질로 이루어진다.
전술한 기판 처리 장치가 상기 커버 프레임(380)을 포함하여 구성될 경우, 전술한 기판 트레이(340)에 설치되는 커버 플레이트(140; 도 8 참조)는 생략될 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 스트랩(120) 상에 복수의 기판(S)이 정렬 적재된 기판 트레이(340)를 공정 챔버(310)의 내부로 반입하여 트레이 이송 수단(350)의 트레이 이송 롤러(352)에 안착시킨다.
그런 다음, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 승강축 구동 장치를 구동하여 서셉터(360)를 상승시킴으로써 기판 트레이(340)에 적재된 복수의 기판(S)을 공정 위치에 위치시킨다.
상기 서셉터(360)가 상승하는 구간 동안, 또는 상기 각 기판(S)이 공정 위치로 상승된 이후, 서셉터(360)에 내장된 가열 수단(370)을 구동시켜 서셉터(360)를 가열하고, 가열되는 서셉터(360)의 온도를 통해 기판 트레이(340)에 적재된 복수의 기판(S)을 기판 처리 공정에 적합한 온도로 가열한다.
상기 기판(S)의 가열시, 서셉터(360)의 온도 또는 공정 공간의 온도에 따라 기판 트레이(340)의 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)와 각 스트랩(120)이 열팽창하여 각 스트랩(120)의 길이가 늘어나게 되고, 이로 인해 각 스트랩(120)에 결합된 슬라이딩 브라켓(133)이 각 장력 유지 부재(130)의 탄성 부재(135a, 135b)의 탄성 복원력에 따라 기판 트레이(340)의 외부 쪽으로 슬라이딩된다. 따라서, 각 스트랩(120)의 장력은 탄성 부재(135a, 135b)의 탄성 복원력에 따른 슬라이딩 브라켓(133)의 슬라이딩에 의해 일정하게 유지됨으로써 각 스트랩(120)의 열팽창에 따른 각 스트랩(120)의 처짐으로 인한 공정 불량이 방지된다.
그런 다음, 복수의 기판(S)이 공정 위치에 위치되면, 가스 분사 수단(330)을 통해 각 기판(S) 상에 가스를 분사함으로써 기판 처리 공정을 수행한다. 상기 기판 처리 공정은 상기 가스 분사 수단(330)에 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 가스 분사 수단(330)과 기판(S) 사이에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 공정(예를 들어, 증착, 식각, 또는 세정)이 될 수 있다.
그런 다음, 기판 처리 공정이 완료되면, 서셉터(360)를 하강시켜 서셉터(360)에 안착된 기판 트레이(340)를 트레이 이송 롤러(352)에 안착시킨다.
그런 다음, 트레이 이송 롤러(352)의 구동에 따라 기판 트레이(340)를 공정 챔버(310)의 외부로 반출한다.
상기 공정 챔버(310)로 반출된 기판 트레이(340)의 제 1 및 제 2 프레임 부재(111, 113)와 각 스트랩(120)은 공정 챔버(310)의 외부 온도에 의해 수축되게 되고, 이로 인해 각 스트랩(120)에 결합된 슬라이딩 브라켓(133)이 각 스트랩(120)의 열수축과 탄성 부재(135a, 135b)의 압축에 따라 기판 트레이(340)의 내부 쪽으로 슬라이딩된다. 따라서, 각 스트랩(120)의 장력은 각 스트랩(120)의 열수축과 탄성 부재(135a, 135b)의 압축에 따른 슬라이딩 브라켓(133)의 슬라이딩에 의해 일정하게 유지됨으로써 각 스트랩(120)의 열수축에 따른 각 스트랩(120)의 처짐으로 인한 공정 불량이 방지된다.
이와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 본 발명에 따른 기판 트레이(100, 200)와 동일하게 구성되는 기판 트레이(340)를 포함하여 구성됨으로써 보다 많은 기판(S)에 대한 기판 처리 공정을 수행하여 생산성을 향상시킬 수 있으며, 기판 트레이(340)의 장력 유지 부재(130)에 의해 스트랩(120)의 장력이 일정하게 유지됨으로써 기판 트레이(340)의 처짐에 의한 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 서셉터(360)를 통해 기판 트레이(340)에 적재된 복수의 기판(S)을 가열함으로써, 공정 챔버(310)의 외부에서 기판(S)을 예열하거나 기판(S)을 예열하는 별도의 예열 챔버를 필요로 하지 않는다.
상과 같이 전술한 본 발명의 실시 예에 따른 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 반도체 소자, 표시 장치 또는 기판형 태양 전지를 제조하는데 적용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100, 200, 340: 기판 트레이 110: 지지 프레임
111: 제 1 프레임 부재 113: 제 2 프레임 부재
115: 제 3 프레임 부재 117: 제 4 프레임 부재
119: 돌출편 120: 스트랩
130: 장력 유지 부재 131a, 131b: 가이드 핀
133: 슬라이딩 브라켓 135a, 135b: 탄성 부재
310: 공정 챔버 320: 챔버 리드
330: 가스 분사 수단 350: 트레이 이송 수단
360: 서셉터 370: 가열 수단
111: 제 1 프레임 부재 113: 제 2 프레임 부재
115: 제 3 프레임 부재 117: 제 4 프레임 부재
119: 돌출편 120: 스트랩
130: 장력 유지 부재 131a, 131b: 가이드 핀
133: 슬라이딩 브라켓 135a, 135b: 탄성 부재
310: 공정 챔버 320: 챔버 리드
330: 가스 분사 수단 350: 트레이 이송 수단
360: 서셉터 370: 가열 수단
Claims (23)
- 소정 거리를 가지도록 나란하게 배치된 제 1 및 제 2 프레임 부재와, 상기 제 1 및 제 2 프레임 부재 각각의 양 가장자리 부분에 결합된 제 3 및 제 4 프레임 부재를 포함하는 지지 프레임;
상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 간에 일정한 간격으로 설치되어 탄성력에 의해 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩; 및
상기 제 3 및 제 4 프레임 부재 중 적어도 하나에 설치되어 상기 복수의 스트랩 각각의 장력을 일정하게 유지시키는 복수의 장력 유지 부재를 포함하며,
상기 복수의 장력 유지 부재는 상기 제 4 프레임 부재의 외측면에 설치되고,
상기 복수의 장력 유지 부재는,
상기 제 4 프레임 부재에 설치된 가이드 핀;
상기 가이드 핀에 이동 가능하게 설치되어 상기 스트랩의 타측에 결합된 슬라이딩 브라켓; 및
상기 슬라이딩 브라켓을 이동시켜 상기 스트랩의 장력을 일정하게 유지시키는 탄성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 지지 프레임은,
상기 제 4 프레임 부재의 상면으로부터 오목하게 형성되어 상기 복수의 스트랩 각각의 타측이 통과되는 복수의 스트랩 지지 홈, 또는 상기 제 4 프레임 부재를 관통하도록 형성되어 상기 복수의 스트랩 각각의 타측이 삽입 관통되는 복수의 스트랩 관통 홀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 삭제
- 삭제
- 개구부를 가지는 지지 프레임;
상기 지지 프레임의 제 1 측에 일정한 간격으로 고정됨과 아울러 상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하도록 배치되어 상기 개구부 상에서 복수의 기판을 지지하는 복수의 스트랩; 및
상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하는 복수의 스트랩 각각에 결합되도록 상기 지지 프레임의 제 2 측에 설치되고, 상기 복수의 스트랩 각각의 열팽창 또는 열수축 방향으로 상기 복수의 스트랩 각각의 장력을 일정하게 유지시키는 복수의 장력 유지 부재를 포함하며,
상기 복수의 장력 유지 부재 각각은,
상기 지지 프레임에 설치된 가이드 핀;
상기 가이드 핀에 이동 가능하게 설치됨과 아울러 상기 스트랩의 타측에 결합된 슬라이딩 브라켓; 및
상기 슬라이딩 브라켓을 이동시켜 상기 스트랩의 장력을 일정하게 유지시키는 탄성 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 삭제
- 제 8 항에 있어서,
상기 지지 프레임의 제 2 측을 통과하는 복수의 스트랩과 상기 복수의 장력 유지 부재를 덮도록 상기 지지 프레임의 제 2 측 상면에 설치된 커버 부재를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항, 제5항, 제8항 및 제10항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 스트랩 각각은 15 ~ 30mm 범위의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 제1항, 제5항, 제8항 및 제10항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 스트랩 각각은 0.1mm ~ 1mm 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 트레이. - 공정 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 공정 챔버의 양측벽에 설치된 트레이 이송 수단;
상기 공정 공간으로 반입되어 상기 트레이 이송 수단에 지지된 제1항, 제5항, 제8항 및 제10항 중, 어느 한 항에 기재된 기판 트레이; 및
상기 공정 챔버에 승강 가능하게 설치되어 상기 트레이 이송 수단에 지지된 기판 트레이를 공정 위치로 상승시키거나 상기 공정 위치에 위치한 기판 트레이를 상기 트레이 이송 수단으로 하강시키는 서셉터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 18 항에 있어서,
상기 서셉터는 상기 복수의 스트랩에 지지된 기판을 가열하기 위한 가열 수단, 및 상기 복수의 스트랩 각각이 삽입되도록 오목하게 형성된 복수의 스트랩 삽입 홈을 포함하고,
상기 기판 트레이의 승강시, 상기 복수의 스트랩 각각은 상기 복수의 스트랩 삽입 홈 각각에 삽입되고, 상기 복수의 기판 각각은 상기 서셉터의 상면에 접촉되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
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Patent Citations (3)
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| JP2005066911A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Nissei Plastics Ind Co | ラミネート装置用ワークトレー |
| JP2006045663A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-02-16 | Ulvac Japan Ltd | 基板への蒸着被膜の形成方法および搬送トレイ |
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