KR20110059227A - 트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내열유리로 제작된 트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치에 관한 것으로, 트레이는 내열유리로 구성되고 다수의 기판이 적재되는 플레이트; 및 상기 플레이트의 배면에 형성된 접지전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
트레이, 내열유리, 접지전극, 플라즈마 저항층, 고정장치

Description

트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치{Tray and Apparatus for treatmenting substrate using the same}
본 발명은 내열유리로 제작된 트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
일반적으로, 대면적의 기판을 사용하는 표시장치를 가공하는 경우, 기판처리장치에서 하나의 기판을 처리하지만, 상대적으로 작은 면적에 기판을 가공하는 태양전지의 경우, 생산성을 높이기 위하여 다수의 기판을 적재한 트레이를 기판처리장치의 반응공간에 인입하여 일괄적으로 기판처리공정을 수행한다.
태양전지는 실리콘 웨이퍼를 식각하는 텍스처링(texturing) 공정, 반도체층 형성공정, 실리콘 웨이퍼에 특정한 박막을 증착시키는 반사방지막(anti reflection coating)을 형성하는 공정, 및 전극형성공정 등을 거쳐 제조된다, 태양전지가 높은 생산성을 가지고 제조되기 위해서는, 실리콘 웨이퍼가 다수 적재되는 대면적의 트레이와 대면적의 트레이를 수용할 수 있는 기판처리장치가 필요하다.
도 1은 종래기술에 기판처리장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 종래기술에 따른 트레이의 사시도이다.
도 1과 같이, 기판처리장치(10)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(14), 반응공간에 공정가스를 공급하기 위한 가스분사수단(20), 다수의 기판(112)이 적재되는 트레이(26), 트레이(26)를 반응공간의 내부 및 외부로 이송시키기 위한 이송장치(15), 및 반응공간에 위치하고 트레이(26)를 승강시키는 기판안치수단(28)을 포함하여 구성된다.
기판처리장치(10)는 트레이(26)가 반응공간에 인입 또는 반응공간으로부터 인출되기 위한 게이트 밸브(28) 및 반응공간의 공정가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(30)를 더욱 포함한다.
기판안치수단(28)은 기판처리위치로 트레이(26)를 상승시킬 때 트레이(26)를 지지하기 위한 지지판(38), 지지판(38)의 배면 중앙부에 연결되고 지지판(38)을 승강시키는 샤프트(40)를 포함하여 구성된다. 공정챔버(14)의 내부에는 트레이(26)가 게이트 밸브(28)를 통하여 반응공간으로 인입될 때, 트레이(26)를 이송시키기 위한 다수의 제 1 롤러(32)가 설치된다. 다수의 제 1 롤러(32)는 게이트 밸브(28)의 양측과 대응되는 공정챔버(14)의 양측벽에 설치된다.
이송장치(15)는 공정챔버(14)의 게이트 밸브(28)와 인접하여 위치하고, 트레이(26)를 반응공간의 내부 및 외부로 이동시키는 기능을 한다. 이송장치(15)는 트레이(26)를 지지하고 이송시키는 컨베이어 벨트(40), 및 컨베이어 벨트(40)를 구동시키는 다수의 제 2 롤러(44)를 포함한다.
도 1과 같은 기판처리장치(10)에서 사용되는 트레이(26)는 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 가지는 재질로 제작된다.
도 1과 같은 기판처리장치(10)에서, 박막의 증착 또는 박막의 식각과 같은 기판처리공정은 300 내지 500도의 고온에서 이루어지므로, 트레이(26)가 공정챔버(14)의 내부에서 공정챔버(14)의 외부로 이송되었을 때, 급격한 온도변화가 일어난다. 따라서, 급격한 온도변화에 의한 열충격에도 변형 및 파손되지 않는 재질을 선택해야한다. 또한, 트레이(26)은 다수의 기판(12)이 적재되기 위해 대면적으로 제작되지만, 이송을 고려하여 면적대비 매우 얇은 두께를 제작된다. 따라서, 기판처리과정에서 고온에서 쳐짐이 발생하지 않을 정도의 우수한 기계적 강도를 가져야 한다.
종래기술에서, 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 만족시키는 재질로 그래파이트(graphite)를 사용하여 트레이(26)를 제작한다. 그런데, 그래파이트의 모재는 매우 고가이므로 제작비용을 상승시킨다. 또한, 생산성을 개선을 하기 위하여, 보다 많은 기판(12)을 적재할 수 있는 대면적의 트레이(26)가 필요하게 되었다. 그러나, 그래파이트의 재질로 제공할 수 있는 모재의 크기가 제한되면서, 도 2와 같이, 2 개의 모재를 결합시켜 트레이(26)를 제작한다.
도 2와 같이 종래기술의 트레이(26)는, 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)와 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)를 결합시키는 프레임(50)을 포함하여 구성된다. 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 서로 결합하는 측면에는 각각 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 형성된다. 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 서로 치합되어 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 연결되고, 다수의 볼트(도시하지 않음)에 의해서 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)와 프레임(50)이 결합된다. 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)와 프레임(50)의 표면에는 Al2O3 또는 Y2O3로 코팅을 한다.
일반적으로, 그래파이트 재질의 플레이트는 주변부가 중앙부보다 낮은 온도분포를 가지는 특성을 가진다. 따라서, 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 연결된 트레이(26)가 공정챔버(14)의 내부에서 기판처리공정을 수행할 때, 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)의 연결부분에서 다른 부분보다 낮은 온도분포를 나타나게 된다. 트레이(26)의 불균일한 온도분포는 기판처리공정에 영향을 줄 수 있다.
제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)의 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)의 측면은 상대적으로 상부표면보다 Al2O3 또는 Y2O3가 불완전하게 코팅될 수 있다. Al2O3 또는 Y2O3의 불완전한 코팅은, 기판처리공정시 아킹을 유발할 수 있고, 아킹에 의해 트레이(26)가 손상될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 급격한 온도변화에도 파손되지 않고 제작비용을 절감할 수 있도록 내열유리로 제작한 트레이와 이를 사용하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 트레이는, 다수의 기판을 적재하 고 공정챔버의 내부 및 외부로 이송하는 트레이에 있어서, 내열유리로 구성되고 상기 다수의 기판이 적재되는 플레이트; 및 상기 플레이트의 배면에 형성된 접지전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 플레이트의 전면 및 측면에 형성된 플라즈마 저항층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 플라즈마 저항층은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 플레이트는 하나의 모재로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 다수의 기판을 고정시키는 다수의 고정수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 다수의 고정수단은, 상기 다수의 기판 각각을 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역; 상기 다수의 적재영역의 외곽과 대응되는 상기 플레이트에 설치되는 다수의 삽입홀; 상기 다수의 삽입홀 각각에 삽입되는 다수의 필라;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 다수의 필라 각각은 내열유리로 제작되 는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 다수의 고정수단은, 상기 다수의 기판 각각을 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역; 상기 다수의 적재영역과 대응되는 상기 플레이트에 형성된 다수의 함몰부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 접지전극은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중 하나를 선택하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 트레이에 있어서, 상기 접지전극은 판형 또는 격자형태로 제작되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 반응공간을 제공하는 공정챔버; 상기 반응공간에 위치하고 공정가스를 분사하는 가스분사수단; 내열유리로 구성되는 플레이트 및 상기 플레이트의 배면에 형성된 접지전극을 포함하고, 다수의 기판을 적재하여 상기 공정챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및 상기 트레이를 승강시키는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분사수단과 상기 기판안치수단 각각은 플라즈마 소스전극 및 플라즈마 접지전극으로 기능하고, 상기 기판안치 수단이 상승하여 기판처리위치에 있을 때, 상기 트레이의 상기 접지전극은 상기 기판안치수단과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 반응공간에 상기 트레이를 출입시키기 위한 게이트 밸브; 및 상기 게이트 밸브와 인접하고 상기 공정챔버의 외부에 위치하여, 상기 트레이를 이송시키기 위한 이송장치;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 트레이는 상기 플레이트의 전면 및 측면에 형성된 플라즈마 저항층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 플레이트는 하나의 모재로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 트레이는, 상기 다수의 기판을 고정시키는 다수의 고정수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 고정수단은, 상기 다수의 기판 각각이 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역; 상기 다수의 적재영역의 외곽과 대응되는 상기 플레이트에 설치되는 다수의 삽입홀; 및 상기 다수의 삽입홀 각각에 삽입되는 다수의 필라;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 다수의 고정수단은, 상기 다수의 기판 각각이 적재되기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역; 및 상기 다수의 적재영역과 대응되는 상기 플레이트에 형성된 다수의 함몰부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
낮은 열팽창률을 가지고 있어 급격한 온도변화에 대한 열충격을 잘 견딜 수 있고, 기계적 강도 및 화학적 내구성이 우수하며, 그래파이트와 비교하여 저가인 내열유리로 트레이를 제작함으로써, 트레이 제작비용을 절감할 수 있다.
내열유리는 그래파이트와 비교하여 대면적의 모재를 제공할 수 있어, 여러 조각으로 조립하지 않고 하나의 모재로 트레이를 제작하여, 트레이의 온도를 분포를 균일하게 할 수 있어, 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치을 제 1 방향으로 절단한 개략적인 단면도이고, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치를 제 2 방향으로 절단한 개략적인 단면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 트레이의 사시도이고, 도 7은 도 6의 A에 대한 확대 사시도이고, 도 8은 본 발명의 변형 실시예에 따른 트레이의 부분 단면도이다.
도 3은 제 1 방향으로 기판처리장치(110)를 절단한 단면도이고, 도 4 및 도 5는 제 1 방향과 수직으로 교차하는 제 2 방향으로 기판처리장치(110)를 절단한 단면도이다. 도 3 내지 도 5와 같이, 기판처리장치(110)는 반응공간을 제공하는 공정챔버(114), 반응공간에 공정가스를 공급하기 위한 가스분사수단(120), 내열유리로 제작되고 다수의 기판(112)이 적재되는 트레이(126), 트레이(126)를 반응공간의 내부 및 외부로 이송시키기 위한 이송장치(115), 및 반응공간에 위치하고 트레이(126)를 승강시키는 기판안치수단(128)을 포함하여 구성된다.
가스분사수단(120)은 공정가스를 공급되는 가스공급관(118)과 연결된다. 가스분사수단(120)은 플라즈마 소스전극으로 사용되고, 가스분사수단(20)과 전기적으로 연결된 가스공급관(18)은 RF전원(24)과 연결된다. 가스분사수단(120)과 RF전원(124) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(126)가 설치된다. 기판처리장치(110)는 트레이(126)가 반응공간에 인입 또는 반응공간으로부터 인출되기 위한 게이트 밸브(128) 및 반응공간의 공정가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(130)를 더 욱 포함한다.
기판안치수단(128)은 기판처리위치로 트레이(126)를 상승시킬 때 트레이(126)를 지지하기 위한 지지판(138), 지지판(138)의 배면 중앙부에 연결되고 지지판(138)을 승강시키는 샤프트(140)를 포함하여 구성된다. 기판안치수단(128)은 플라즈마 접지전극으로 사용된다. 공정챔버(114)의 내부에는 트레이(126)가 게이트 밸브(128)를 통하여 반응공간으로 인입될 때, 트레이(126)를 이송시키기 위한 다수의 제 1 롤러(132)가 설치된다.
다수의 제 1 롤러(132)는 게이트 밸브(128)의 양측과 대응되는 공정챔버(114)의 양측벽에 설치된다. 도 4 및 도 5와 같이 공정챔버(114)의 양측벽에 설치되는 다수의 제 1 롤러(132) 사이에, 기판안치수단(128)이 위치한다.
이송장치(115)는 공정챔버(114)의 게이트 밸브(128)와 인접하여 위치하고, 트레이(126)를 반응공간의 내부 및 외부로 이동시키는 기능을 한다. 이송장치(115)는 트레이(126)를 지지하고 이송시키는 컨베이어 벨트(140), 및 컨베이어 벨트(140)를 구동시키는 다수의 제 2 롤러(44)를 포함한다.
도 6과 같이, 트레이(126)는 내열유리로 제작되고, 전면, 측면 및 배면을 가지는 플레이트(150), 플레이트의 전면 및 측면 상의 플라즈마 저항층(152), 및 플 레이트(150)의 배면에 형성된 접지전극(154), 플레이트(150)의 전면에 설치되고 기판(112)의 이탈을 방지하는 고정수단(158)을 포함하여 구성된다.
플레이트(150)은 내열유리로 구성된다. 플레이트(150)는 3 내지 10mm 정도의 두께를 가질 수 있고, 필요에 따라 조절 가능하다. SiO2-CaO-Na2O가 주성분이고 1400 내지 1500도에서 유리화하는 일반 규산염 유리와 달리, 내열유리는 산화붕소(B3O3)를 다량 포함하고 1600도 정도에서 유리화한다. 따라서, 내열유리는 일반유리보다 월등하게 높은 기계적 강도, 화학적 내구성 및 낮은 열팽창률을 가지기 때문에, 트레이(126)의 소재로서 매우 적합하다.
또한, 내열유리는 그래파이트와 비교하여 매우 저가이고, 대면적을 만족시킬 수 있는 모재를 제공할 수 있다. 따라서, 플레이트(150)는 다수의 조각으로 조립하지 않고, 하나의 모재로 형성할 수 있다.
일반유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.0009 % 증가하지만, 내열유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.00007 % 증가한다. 따라서, 내열유리는 일반유리에 비교하여 열팽창율이 극히 낮아 큰 온도차에 위한 열충격에서 잘 견딜 수 있는 소재이다.
공정챔버(114)의 내부를 불소(F)를 포함한 원격 플라즈마 소스를 이용하여 세정할 때, 트레이(126)이 플라즈마에 의해 손상되지 않도록, 플레이트(150)의 전면 및 측면에 Al2O3 또는 Y2O3을 사용하여 플라즈마 저항층(152)을 형성한다.
내열유리로 구성되는 플레이트(126)는 절연물질이므로, 도 5와 같이, 트레이(126)가 안치된 기판안치수단(128)이 상승하여 기판처리위치에 있을 때, 트레이(126)에 축적된 전하가 트레이(126)의 하부에 위치하고 플라즈마 접지전극으로 기능하는 기판안치수단(128)을 통하여 배출되기 쉽도록, 플레이트(150)의 배면에 접지전극(154)을 형성할 수 있다. 그러나, 플라즈마를 사용하지 않는 기판처리장치(110)에서 사용되는 트레이(126)는 접지전극(154)을 설치하지 않을 수 있다.
접지전극(154)은 금속재질 예를 들면 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 및 텅스텐(W) 중 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 그리고, 접지전극(154)은 고온대응 및 화학적 내구성을 고려하여 니켈(Ni)을 사용하는 것이 바람직하다.
접지전극(154)은 플레이트(150)의 배면 전체를 복개하는 판형 형태 또는 플레이트(150)의 배면 일부를 노출시키는 격자 형태로 제작할 수 있다. 접지전극(154)이 금속재질로 형성되고, 접지전극(154)을 포함하는 트레이(126)가 고온공정에 대응해야 하므로, 열팽창을 고려하여 격자 형태로 제작하는 것이 바람직하다.
플레이트(150)의 전면에 기판(112)이 위치하는 적재영역(156)을 정의하고, 적재영역(156)에서 트레이(1260의 이동 또는 승강시에 기판(122)이 이탈하지 않도록 고정수단(158)이 설치된다.
도 7과 같이, 기판(112)이 평면이 사각형 형태로 제작되는 경우, 기판(112)의 4 개의 모서리와 인접한 변에 고정수단을 설치한다. 고정수단(158)은 플레이트(150)의 전면에 다수의 삽입홀(160)을 설치하고, 다수의 삽입홀(160) 각각에 내열유리로 제작된 다수의 필라(162)를 삽입하여 고정시킨다. 삽입홀(160)의 직경을 필라(162)의 직경과 거의 동일하게 제작하여, 필라(162)를 삽입홀(160)에 억지 끼워 맞춤 형태로 결합시킨다. 따라서, 필라(162)는 삽입홀(160)에 유격없이 고정될 수 있다. 또한, 플레이트(150)과 필라(162)가 동일 물질이므로 열팽창율 차이에 기인한 문제가 발생하지 않는다.
고정수단(158)은 기판(112)이 사각형인 경우, 4 개의 모서리 각각와 인접한 두 개의 변에 고정수단(158)을 설치한다. 따라서, 하나의 기판(112)을 고정시키기 위하여 8 개의 필라(162)가 필요하다.
도 8과 같이, 트레이(126) 상에 적재된 기판(114)의 이탈을 방지하기 위하여, 기판(114)이 적재되는 적재영역(156)과 대응되는 플레이트(150)에 함몰부(recess portion)(164)를 형성할 수 있다. 함몰부(164)의 주변부에는 경사 면(166)을 형성한다.
도 1은 종래기술에 기판처리장치의 개략적인 단면도
도 2는 종래기술에 따른 트레이의 사시도
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치을 제 1 방향으로 절단한 개략적인 단면도
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판처리장치를 제 2 방향으로 절단한 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 따른 트레이의 사시도
도 7은 도 6의 A에 대한 확대 사시도
도 8은 본 발명의 변형 실시예에 따른 트레이의 부분 단면도

Claims (18)

  1. 다수의 기판을 적재하고 공정챔버의 내부 및 외부로 이송하는 트레이에 있어서,
    내열유리로 구성되고 상기 다수의 기판이 적재되는 플레이트; 및
    상기 플레이트의 배면에 형성된 접지전극;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 전면 및 측면에 형성된 플라즈마 저항층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플라즈마 저항층은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 하는 트레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 하나의 모재로 형성하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 기판을 고정시키는 다수의 고정수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 고정수단은,
    상기 다수의 기판 각각을 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역;
    상기 다수의 적재영역의 외곽과 대응되는 상기 플레이트에 설치되는 다수의 삽입홀;
    상기 다수의 삽입홀 각각에 삽입되는 다수의 필라;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 다수의 필라 각각은 내열유리로 제작되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 고정수단은,
    상기 다수의 기판 각각을 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역;
    상기 다수의 적재영역과 대응되는 상기 플레이트에 형성된 다수의 함몰부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지전극은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중 하나를 선택하여 형성하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지전극은 판형 또는 격자형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  11. 반응공간을 제공하는 공정챔버;
    상기 반응공간에 위치하고 공정가스를 분사하는 가스분사수단;
    내열유리로 구성되는 플레이트 및 상기 플레이트의 배면에 형성된 접지전극을 포함하고, 다수의 기판을 적재하여 상기 공정챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및
    상기 트레이를 승강시키는 기판안치수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 가스분사수단과 상기 기판안치수단 각각은 플라즈마 소스전극 및 플라즈마 접지전극으로 기능하고, 상기 기판안치수단이 상승하여 기판처리위치에 있을 때, 상기 트레이의 상기 접지전극은 상기 기판안치수단과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 반응공간에 상기 트레이를 출입시키기 위한 게이트 밸브; 및
    상기 게이트 밸브와 인접하고 상기 공정챔버의 외부에 위치하여, 상기 트레이를 이송시키기 위한 이송장치;
    를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 트레이는 상기 플레이트의 전면 및 측면에 형성된 플라즈마 저항층을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 플레이트는 하나의 모재로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 트레이는,
    상기 다수의 기판을 고정시키는 다수의 고정수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 다수의 고정수단은,
    상기 다수의 기판 각각이 적재하기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역;
    상기 다수의 적재영역의 외곽과 대응되는 상기 플레이트에 설치되는 다수의 삽입홀; 및
    상기 다수의 삽입홀 각각에 삽입되는 다수의 필라;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 다수의 고정수단은,
    상기 다수의 기판 각각이 적재되기 위해 상기 플레이트의 전면에 정의되는 다수의 적재영역; 및
    상기 다수의 적재영역과 대응되는 상기 플레이트에 형성된 다수의 함몰부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101435868B1 (ko) * 2013-01-02 2014-09-01 주식회사 케이씨텍 기판 거치대 및 이를 구비한 기판 코터 장치
KR20170130750A (ko) * 2016-05-19 2017-11-29 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치
WO2018118488A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die tray with channels

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100192554B1 (ko) * 1996-03-06 1999-06-15 구본준 웨이퍼 운반용 캐리어의 정전기 자동 제거장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101435868B1 (ko) * 2013-01-02 2014-09-01 주식회사 케이씨텍 기판 거치대 및 이를 구비한 기판 코터 장치
KR20170130750A (ko) * 2016-05-19 2017-11-29 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치
WO2018118488A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die tray with channels
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