KR101691066B1 - 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제작 비용을 절감시킬 수 있도록 한 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법에 관한 것으로, 트레이의 제조 방법은 베이스 플레이트를 마련하는 공정; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층을 형성하는 공정; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 기상 증착 공정을 이용하여 제 2 코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법{TRAY, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF TRAY}
본 발명은 트레이 및 이를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 내열 유리 재질로 이루어진 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시 장치 및 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각 공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막 증착 공정 및 식각 공정 등은 진공 상태로 최적화된 기판 처리 장치에서 진행한다.
한편, 대면적의 기판을 사용하는 표시 장치를 가공하는 경우, 기판 처리 장치에서 하나의 기판을 처리하지만, 상대적으로 작은 면적의 기판을 가공하는 태양전지의 경우, 생산성을 높이기 위하여 다수의 기판을 적재한 트레이를 기판 처리 장치의 반응 공간에 반입하여 기판 처리 공정을 일괄적으로 수행한다.
태양전지는 실리콘 웨이퍼를 식각하는 텍스처링(Texturing) 공정, 반도체층 형성 공정, 및 전극 형성 공정 등을 거쳐 제조된다. 이러한, 태양전지의 생산성을 높이기 위해서는 실리콘 웨이퍼가 다수 적재되는 대면적의 트레이와 대면적의 트레이를 수용할 수 있는 기판 처리 장치가 필요하다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 트레이의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(14), 반응 공간에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 분사수단(20), 다수의 기판(12)이 적재되는 트레이(26), 트레이(26)를 반응 공간의 내부 및 외부로 이송시키기 위한 이송 장치(15), 및 반응 공간에 배치되어 트레이(26)를 승강시키는 기판 안치 수단(28)을 포함하여 구성된다.
기판 처리 장치(10)는 트레이(26)가 반응 공간에 반입 또는 반응 공간으로부터 반출되는 게이트 밸브(29), 및 반응 공간의 공정 가스 및 부산물이 배기되는 배기구(30)를 더 포함하여 구성된다.
가스 분사 수단(20)은 공정 가스 또는 세정 가스가 공급되는 가스 공급관(18)에 연결된다. 가스 분사 수단(20)은 플라즈마 소스 전극으로 사용되고, 가스 공급관(18)은 RF 전원(24)에 전기적으로 접속된다.
가스 분사 수단(20)과 RF 전원(24) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(25)가 설치된다.
기판 안치 수단(28)은 기판처리위치로 트레이(26)를 상승시킬 때 트레이(26)를 지지하기 위한 지지판(38), 지지판(38)의 배면 중앙부에 연결되고 지지판(38)을 승강시키는 샤프트(39)를 포함하여 구성된다.
공정 챔버(14)의 내부에는 트레이(26)가 게이트 밸브(29)를 통해 반응 공간으로 반입되는 트레이(26)를 이송시키기 위한 다수의 제 1 롤러(32)가 설치된다.
다수의 제 1 롤러(32)는 게이트 밸브(29)의 양측과 대응되는 공정 챔버(14)의 양측벽에 설치된다.
이송 장치(15)는 공정 챔버(14)의 게이트 밸브(29)와 인접하도록 설치되어 트레이(26)를 반응 공간의 내부 및 외부로 이송시킨다. 이송 장치(15)는 트레이(26)를 지지함과 아울러 이송시키는 컨베이어 벨트(40), 및 컨베이어 벨트(40)를 구동시키는 다수의 제 2 롤러(44)를 포함한다.
기판 처리 장치(10)에서 사용되는 트레이(26)는 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 가지는 재질로 제작된다.
도 1과 같은 기판 처리 장치(10)에서, 박막의 증착 또는 박막의 식각과 같은 기판 처리 공정은 300 내지 500도의 고온에서 이루어지므로, 트레이(26)가 공정 챔버(14)의 내부에서 공정 챔버(14)의 외부로 이송되었을 때, 급격한 온도 변화가 일어난다. 따라서, 트레이(26)는 급격한 온도 변화에 의한 열충격에도 변형 및 파손되지 않는 재질로 제작되어야 한다.
또한, 트레이(26)는 다수의 기판(12)이 적재되기 위해 대면적으로 제작되지만, 이송을 고려하여 면적대비 매우 얇은 두께를 제작된다. 결과적으로, 트레이(26)는 기판 처리 과정에서 고온에서 처짐이 발생하지 않을 정도의 우수한 기계적 강도를 가져야 한다.
종래 기술에서는 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 만족시키는 재질로 그래파이트(Graphite)를 사용하여 트레이(26)를 제작한다. 그런데, 그래파이트의 모재는 매우 고가이므로 제작 비용을 상승시킨다. 또한, 생산성 개선을 위하여, 보다 많은 기판(12)을 적재할 수 있는 대면적의 트레이(26)가 필요하게 되었다.
그러나, 그래파이트의 재질로 가공할 수 있는 모재의 크기가 제한되면서, 대면적의 트레이(26)는, 도 2와 같이, 2개의 모재가 결합되어 제작된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 트레이(26)는 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b), 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)를 결합시키는 프레임(50)을 포함하여 구성된다.
제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 서로 결합하는 측면에는 각각 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 형성된다. 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 서로 치합되어 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 연결되고, 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)와 프레임(50)은 다수의 볼트(미도시)에 의해 결합된다.
상술한 종래 기술의 트레이 및 이를 이용한 기판 처리 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 그래파이트 재질로 트레이를 제작함으로써 트레이의 제작 비용이 높다는 문제점이 있다.
둘째, 대면적의 트레이를 제작하기 위해서는 그래파이트 재질로 이루어진 다수의 플레이트를 결합시켜야만 한다는 문제점이 있다.
셋째, 세정 가스를 이용한 공정 챔버의 세정시 세정 가스에 의해 트레이가 손상됨으로써 트레이의 수명이 단축되어 생산성이 저하된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제작 비용을 절감시킬 수 있도록 한 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
또한, 공정 챔버의 세정 공정시 세정 가스에 의해 손상되지 않고 긴 수명을 가지는 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 트레이의 제조 방법은 베이스 플레이트를 마련하는 공정; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층을 형성하는 공정; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 기상 증착 공정을 이용하여 제 2 코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접한 상기 베이스 플레이트에 다수의 핀 삽입 홈을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 코팅층 및 상기 제 2 코팅층은 상기 요철 패턴 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이의 제조 방법은 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입하여 고정시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 트레이는 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이는 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이는 상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 트레이는 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태, 계단 형태, 및 경사면을 가지는 계단 형태 중 어느 한 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 핀 삽입 홈에 대응되는 형태를 가지도록 형성되어 상기 핀 삽입 홈에 삽입되는 삽입부; 및 상기 삽입부의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 가이더는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 가이더의 아랫변은 상기 핀 삽입 홈을 덮는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 1 홈과, 상기 제 1 홈의 양측에 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 2 홈을 포함하며, 상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 제 1 홈에 삽입되는 제 1 삽입부, 상기 제 2 홈에 삽입되는 제 2 삽입부, 상기 제 1 및 제 2 삽입부 각각의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 코팅층은 기상 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 한다.
상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 반응 공간에 위치하고 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사 수단; 다수의 기판을 적재하여 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및 상기 트레이를 승강시키는 기판 안치 수단을 포함하여 구성되며, 상기 트레이는 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 기판 안치 수단을 사이에 두고 상기 공정 챔버의 양측벽에 설치되어 상기 트레이를 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송시키는 다수의 트레이 이송 롤러를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 내열 유리를 이용함으로써 낮은 제작 비용과 대면적화를 가능한 트레이를 제공할 수 있다.
둘째, 내열 유리 재질의 베이스 플레이트의 가장자리에 제 1 코팅층을 형성하고, 제 1 코팅층과 베이스 플레이트에 제 2 코팅층을 형성함으로써 인-시츄(In-Situ) 세정 공정시 세정 가스에 대한 트레이의 내구성을 향상시키고, 수명을 연장시킬 수 있다.
셋째, 트레이의 낮은 제작 비용, 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 트레이의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도로써 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 13은 도 4 내지 도 6에 도시된 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 14는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 공정 챔버(210), 가스 분사 수단(220), 트레이(230), 다수의 트레이 이송 롤러(240), 및 기판 안치 수단(250)을 포함하여 구성된다.
공정 챔버(210)는 플라즈마 처리(증착, 식각, 또는 세정)를 위한 밀폐된 반응 공간을 제공한다. 이러한, 공정 챔버(210)는 트레이(230)가 반응 공간에 반입되거나 반응 공간으로부터 외부로 반출되는 게이트 밸브(212), 및 반응 공간의 공정 가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(214)를 더 포함하여 구성된다.
한편, 공정 챔버(110)는 하부 챔버, 및 상부 챔버로 분리될 수 있다. 하부 챔버는 기판 안치 수단(250)을 지지한다. 이러한, 하부 챔버는 반응 공간의 공정 잔류 가스를 배기시키기 위한 배기구(214)를 포함하며, 상부 챔버는 절연재질로 이루어져 하부 챔버의 상면을 덮도록 설치된다.
가스 분사 수단(220)은 공정 가스 또는 세정 가스가 공급되는 가스 공급관(222)에 연결된다. 가스 분사 수단(220)은 플라즈마 소스 전극으로 사용되고, 가스 공급관(222)은 RF 전원(224)에 전기적으로 접속된다.
한편, 가스 공급관(222)과 RF 전원(224) 사이에는 매처(226)가 설치된다. 메처(226)는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키는 역할을 한다.
트레이(230)는 외부의 트레이 이송 장치(미도시)의 구동에 의해 게이트 밸브(212)를 통해 반응 공간으로 반입되어 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착되거나, 다수의 트레이 이송 롤러(240)의 구동에 의해 공정 챔버(210)로부터 외부의 트레이 이송 장치로 반출된다. 이러한, 트레이(230)에는 외부의 기판 적재 장치에 의해 다수의 기판(S)이 일정한 간격으로 적재된다. 이와 같은, 트레이(230)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
트레이 이송 장치는 공정 챔버(210)의 게이트 밸브(212)에 인접하도록 설치되어 트레이(230)를 반응 공간으로 반입시키거나 반응 공간으로부터 외부로 반출시킨다. 이를 위해, 일 실시 예에 따른 트레이 이송 장치는 트레이(230)를 지지함과 아울러 이송시키는 다수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따른 트레이 이송 장치는 트레이(230)를 지지함과 아울러 이송시키는 컨베이어 벨트(미도시), 및 컨베이어 벨트(미도시)를 회전시키기 위한 다수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수도 있다.
다수의 트레이 이송 롤러(240) 각각은 공정 챔버(210)의 마련된 게이트 밸브(212)에 대응되는 공정 챔버(210)의 양측벽에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 다수의 트레이 이송 롤러(240) 각각은 트레이 이송 장치(미도시)의 구동에 의해 게이트 밸브(212)를 통해 반응 공간으로 반입되는 트레이(230)를 지지하고, 기판 처리 공정이 완료되면, 롤러 구동 장치(미도시)에 의해 구동되어 지지된 트레이(230)를 트레이 이송 장치, 다른 공정 챔버, 또는 로드락 챔버로 반출시킨다.
기판 안치 수단(250)은 지지판(252), 및 샤프트(254)를 포함하여 구성되는 것으로, 플라즈마 접지전극으로 사용된다.
지지판(252)은 다수의 트레이 이송 롤러(240) 사이에 배치된다.
샤프트(254)의 일측은 지지판(252)을 지지하고, 타측은 공정 챔버(210)의 바닥면을 관통하여 외부의 승강 장치(미도시)에 접속된다. 상기의 샤프트(254)는 벨로우즈(Bellows)(256)에 의해 감싸여진다. 한편, 샤프트(254)는 승강 장치의 구동에 따라 지지판(252)을 승강시킨다.
이러한, 기판 안치 수단(250)은 샤프트(254)의 승강에 따라 지지판(252)을 승강시킴으로써 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착된 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시키거나, 기판 처리 위치에 있는 트레이(230)를 하강시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨다.
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 다수의 기판(S)이 적재된 트레이(230)를 공정 챔버(210)의 반응 공간에 반입시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨 다음, 기판 안치 수단(250)의 구동에 의해 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시킨 후, 반응 공간에 공정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사 수단(220)에 RF 전력을 공급함으로써 반응 공간에 플라즈마를 형성하여 기판(S)에 대한 기판 처리 공정을 수행한다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판(S)에 대한 기판 처리 공정을 반복적으로 수행할 경우, 공정 챔버(210)의 내벽 및 트레이(230) 등에 원하지 않는 박막 등이 증착되므로 이를 제거하기 위해 주기적으로 세정 가스를 이용한 인-시츄(In-Situ) 세정 공정을 수행하게 된다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판(S)이 적재되지 않은 트레이(230)를 공정 챔버(210)의 반응 공간에 반입시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨 다음, 기판 안치 수단(250)의 구동에 의해 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시킨 후, 반응 공간에 세정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사 수단(220)에 RF 전력을 공급함으로써 반응 공간에 플라즈마를 형성하여 트레이(230) 및 공정 챔버(210)의 내부를 세정한다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 베이스 플레이트(231), 다수의 핀 삽입 홈(233), 제 1 코팅층(235), 제 2 코팅층(237), 및 다수의 가이드 핀(239)을 포함하여 구성된다.
베이스 플레이트(231)는 내열 유리로 제작된다. 이때, 베이스 플레이트(231)는 3 내지 10mm 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판 처리 공정 및/또는 크기에 따라 변경될 수 있다. 상기의 내열 유리는 일반 유리에 비하여 다음과 같은 특징이 있다.
첫째, 일반 규산염 유리는 SiO2-CaO-Na2O 재질로 이루어져 1400 내지 1500℃에서 유리화하지만, 내열 유리는 산화붕소(B3O3)를 다량 포함하도록 이루어져 1600℃ 정도에서 유리화한다.
둘째, 내열 유리는 그래파이트와 비교하여 매우 저가이고, 대면적화에 유리한다.
셋째, 일반 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.0009% 증가하지만, 내열 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.00007% 증가한다. 따라서, 내열 유리는 일반 유리에 비교하여 열팽창율이 극히 낮아 큰 온도차에 위한 열충격에서 잘 견딜 수 있는 소재이다.
따라서, 내열 유리는 일반 유리보다 월등하게 높은 기계적 강도, 화학적 내구성 및 낮은 열팽창률을 가지기 때문에, 트레이(230)의 모재로써 매우 적합하다.
한편, 상기의 베이스 플레이트(231)는 내열 유리 이외에도 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어질 수도 있다.
다수의 핀 삽입 홈(233) 각각은 다수의 기판(S) 각각이 적재되는 베이스 플레이트(231)의 기판 적재 영역(SLA)의 각 모서리 부분의 각 변에 인접하도록 형성된다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각은 원통 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 핀 삽입 홈(233)의 다양한 형태에 대해서는 후술하기로 한다.
제 1 코팅층(235)은 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 코팅된다.
상기 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. Al2O3 또는 Y2O3 재질은 다른 재질보다 가스에 의한 식각이나 오랜 사용에 의한 마모, 트레이 이동에 의한 긁힘 등의 외부 자극에 강한 특징을 갖는다. 이에 따라, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 제 1 코팅층(235)의 두께가 50㎛ 이하일 경우에는 가스에 의한 식각이나 트레이 이동 시에 긁힘 현상에 의한 마모가 될 수 있고, 200㎛이상이 될 경우에는 코팅층이 너무 두껍고 코팅층의 접착력이 낮아져서 쉽게 벗겨지는 현상이 발생된다.
한편, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
상술한 제 1 코팅층(235)은 반응 공간에 형성되는 플라즈마에 의한 베이스 플레이트(231)의 손상을 방지하는 플라즈마 저항층의 역할을 수행함과 동시에, 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉되는 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분의 내구성을 향상시킨다.
제 2 코팅층(237)은 다수의 핀 삽입 홈(233)과 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 또는 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 형성된다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.
화학 기상 증착 공정과 스퍼터링 증착 공정을 사용하여 제 2 코팅층(237)을 형성할 경우에는 기존에 사용하였던 용사 코팅 방법보다 트레이 전체에 균일하고 얇은 막을 형성할 수 있고, 홈의 내부에도 균일하고 얇은 막을 형성할 수 있다.
예를 들어, 다수의 핀 삽입 홈(233) 내부와 제 1 코팅층(235)의 전면 가장자리를 포함하도록 베이스 플레이트(231)의 전면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 5㎛ 정도의 두께를 가질 수 있으며, 제 1 코팅층(235)의 전면 가장자리를 포함하도록 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 2㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다. 이때, 제 2 코팅층(237)이 2㎛ 미만의 두께를 가질 경우에는 플라즈마에 의한 손상 또는 외부적인 충격을 받아 쉽게 벗겨질 수 있고, 제 2 코팅층(237)이 50㎛ 이상의 두께를 가질 경우에는 너무 두꺼워서 불투명 재질에 가깝게 되어 트레이로부터 기판으로 전달되는 열전도율이 낮아져서 기판의 열균일도가 떨어질 수 있다. 이에 따라, 제 2 코팅층(237)은 기판의 열전도율을 원활하게 하기 위하여, 제 1 코팅층(235)에 비해 얇은 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
상술한 제 2 코팅층(237)은 반응 공간에 형성되는 플라즈마에 의한 베이스 플레이트(231)의 손상을 방지하는 플라즈마 저항층의 역할을 수행함으로써 트레이(230)의 수명을 연장시킨다.
한편, 트레이(230)가 기판(S)을 기판 처리 온도 이상 또는 기판 처리 온도에 대응되는 온도로 가열하는 히팅 챔버(미도시)에 반입되고, 히팅 챔버에 마련된 램프 히터(미도시)가 트레이(230)의 하부에 설치된 경우, 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 램프 히터로부터의 광이 기판(S)이 원활하게 전달될 수 있도록 투명 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기의 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 트레이(230)에 축적된 전하가 플라즈마 접지전극으로 기능하는 기판 안치 수단(250)을 통해 배출되도록 하는 접지 전극의 역할을 수행한다.
다수의 가이드 핀(239) 각각은 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 삽입되어 트레이(230)의 기판 적재 영역(SLA)의 각 변에 수직하게 설치된다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 여기서, 가이드 핀(239)은 핀 삽입 홈(233)의 형태에 대응되는 형태를 가질 수 있으며, 가이드 핀(239)의 형태에 대해서는 후술하기로 한다.
상기 다수의 가이드 핀(239) 각각은 기판 적재 영역(SLA)에 적재된 기판(S)의 위치를 정렬시킴과 아울러 트레이(230)의 이송의 기판(S)이 인접한 적재 영역으로 슬라이딩되는 것을 방지한다.
한편, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 기판(S)이 기판 적재 영역(SLA)에 원활하게 적재될 수 있도록 기판(S)의 적재시 기판(S)을 기판 적재 영역(SLA)으로 슬라이딩시키는 경사면(239t)을 포함하여 구성될 수 있다. 경사면(239t)은 베이스 플레이트(231)의 전면으로 노출된 가이드 핀(239)의 외부면에 소정의 기울기를 가지도록 형성된다.
한편, 상술한 트레이(230)에서 제 2 코팅층(237)을 상기의 증착 공정 대신에 용사 코팅 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면에 제 1 코팅층(235)을 형성할 수도 있다. 그러나, 용사 코팅 공정에 의해 다수의 핀 삽입 홈(233) 주변에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅 공정의 한계로 인하여 균일도가 치밀하지 못하기 때문에 세정 가스에 의한 손상되거나 박리된다는 문제점이 있다.
또한, 상술한 트레이(230)에서 제 1 코팅층(235)을 생략하고, 증착 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면에 제 2 코팅층(237)만을 형성할 경우, 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분에 형성되는 제 2 코팅층(237)이 불균일하기 때문에 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분에 형성된 제 2 코팅층(237)이 세정 가스에 의해 손상된다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 용사 코팅 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층(235), 및 증착 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면과 배면 전체에 형성된 제 2 코팅층(237)을 포함하여 구성된다. 이에 따라, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 세정 가스에 의한 손상이 방지됨과 아울러 내구성이 향상됨으로써 긴 수명을 가지게 되고, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)로 인하여 낮은 제작 비용으로 대면적화를 가능하게 한다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 상술한 제 1 실시 예의 트레이(230)의 낮은 제작 비용, 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 6은 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도로써 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 도 5와 결부하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 베이스 플레이트(231), 다수의 핀 삽입 홈(233), 요철 패턴(234), 제 1 코팅층(235), 제 2 코팅층(237), 및 다수의 가이드 핀(239)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 요철 패턴(234)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)와 동일한 구성을 갖는다. 이에 따라, 요철 패턴(234)과 관련된 구성을 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.
요철 패턴(234)은 다수의 핀 삽입 홈(233)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 전체에 형성되거나, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 형성된다. 이때, 요철 패턴(234)은 비드(Bead) 또는 샌드(Sand) 등을 이용한 블래스터(Blaster) 공정에 의해 3 ~ 6㎛ 정도의 표면 조도(Surface Roughness)를 가지도록 형성된다. 이러한, 요철 패턴(234)은 상술한 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237) 각각과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력을 향상시킨다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 상술한 요철 패턴(234)에 의해 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237) 각각과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력이 향상됨으로써 내구성이 더욱 향상되고, 더 긴 수명을 갖게 된다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 상술한 제 2 실시 예의 트레이(230)로 인하여 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 7 내지 도 13은 도 4 내지 도 6에 도시된 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 사각 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다.
다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(239a), 및 기판 가이더(239b)를 포함하여 구성된다.
삽입부(239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.
기판 가이더(239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(239a)의 상부에 일체화된다. 이러한, 기판 가이더(239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.
도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 홈(1233a)과, 베이스 플레이트(231)의 표면과 사각 단면의 홈(1233a)의 상부에 의한 모서리 부분에 소정의 기울기를 가지도록 형성된 경사면(1233b)를 포함하여 구성된다. 즉, 핀 삽입 홈(233)은 "Y"자 형태 또는 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 핀 삽입 홈(233)의 사면(1233b)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.
또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(1239a), 및 기판 가이더(1239b)를 포함하여 구성된다.
삽입부(1239a)는 핀 삽입 홈(1233)에 대응되는 "Y"자 형태 또는 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.
기판 가이더(1239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(1239a)의 상부에 일체화된다. 이러한, 기판 가이더(1239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.
도 9를 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 제 1 홈(2233a)과, 사각 단면의 제 1 홈(2233a)의 중앙부로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 제 2 홈(2233b)을 포함하여 구성된다. 즉, 핀 삽입 홈(233)은 "T"자 형태 또는 계단 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 사각 단면의 제 1 홈(2233a)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.
또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(2239a), 및 기판 가이더(2239b)를 포함하여 구성된다.
삽입부(2239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 "T"자 형태 또는 계단 형태의 단면을 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.
기판 가이더(2239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(2239a)의 상부에 일체화된다. 이때, 기판 가이더(2239b)의 아랫변은 삽입부(2239a)의 상면과 동일한 크기로 형성되거나, 도 10에 도시된 바와 같이, 삽입부(2239a)의 상면보다 넓은 크기로 형성될 수 있다. 기판 가이더(2239b)의 아랫변이 삽입부(2239a)의 상면보다 넓을 경우, 기판 가이더(2239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.
도 11을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a), 및 사각 단면의 제 2 홈(3233b)을 포함하여 구성된다. 즉, 상기 핀 삽입 홈(233)은 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 형성된다.
역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a)은 아랫변이 윗변보다 좁은 역사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이러한, 역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.
사각 단면의 제 2 홈(3233b)은 사다리꼴 단면을 가지는 제 1 홈(3233a)의 중앙부로부터 소정 깊이로 가지도록 형성된다.
또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(3239a), 및 기판 가이더(3239b)를 포함하여 구성된다.
삽입부(3239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.
기판 가이더(3239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(3239a)의 상부에 일체화된다. 이때, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 삽입부(3239a)의 상면과 동일한 크기로 형성되거나, 도 12에 도시된 바와 같이, 삽입부(3239a)의 상면보다 넓은 크기로 형성될 수 있다. 기판 가이더(3239b)의 아랫변이 삽입부(3239a)의 상면보다 넓을 경우, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.
도 13을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
도 13의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 사각 단면의 제 1 및 제 2 홈(4233a, 4233b)을 포함하여 구성된다.
사각 단면의 제 1 홈(4233a)은 사각 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다.
사각 단면의 제 2 홈(4233b)은 사각 형태의 단면을 가지도록 사각 단면의 제 1 홈(4233a)의 양측에 인접한 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 사각 단면의 제 2 홈(4233b)의 단면 넓이는 사각 단면의 제 1 홈(4233a)보다 좁으며, 사각 단면의 제 2 홈(4233b)의 단면 높이는 사각 단면의 제 1 홈(4233a)보다 낮게 형성된다.
또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 제 1 및 제 2 삽입부(4239a1, 4239a2), 및 기판 가이더(4239b)를 포함하여 구성된다.
제 1 삽입부(4239a1)는 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 1 홈(4233a)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 1 홈(4233a)에 삽입된다.
제 2 삽입부(4239a2)는 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 2 홈(4233b)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 2 홈(4233b)에 삽입된다.
기판 가이더(4239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 제 1 및 제 2 삽입부(4239a1, 4239a2)의 상부에 일체화된다. 이때, 제 1 삽입부(4239a1)는 기판 가이더(4239b)의 배면 중앙 부분을 지지하고, 제 2 삽입부(4239a2)는 기판 가이더(4239b)의 배면 가장자리 부분을 지지한다. 이러한, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.
도 14는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)에 다수의 핀 삽입 홈(233)을 형성한다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 제작시 형성될 수도 있다. 이러한, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각의 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가지도록 형성될 수 있다.
그런 다음, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 용사 코팅 공정을 이용하여 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층(235)을 형성한다. 이때, 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다. 여기서, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.
그런 다음, 도 14의 (c)에 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)과 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 제 2 코팅층(237)을 형성한다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.
그런 다음, 도 14의 (d)에 도시된 바와 같이, 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 가이드 핀(239)을 삽입한다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지며, 그 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가질 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법은 내열 유리를 이용함으로써 트레이(230)의 제작 비용을 절감할 수 있으며, 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 통해 트레이(230)의 내구성을 향상시킬 수 있으며, 수명을 길게 연장시킬 수 있다.
도 15는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 15를 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 15의 (a)에 도시된 바와 같이, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)에 다수의 핀 삽입 홈(233)을 형성한다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 제작시 형성될 수도 있다. 이러한, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각의 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가지도록 형성될 수 있다.
그런 다음, 도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 비드(Bead) 또는 샌드(Sand) 등을 이용한 블래스터(Blaster) 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 전체에 요철 패턴(234)을 형성하거나, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 요철 패턴(234)을 형성된다. 이때, 요철 패턴(234)은 3 ~ 6㎛ 정도의 표면 조도(Surface Roughness)를 가지도록 형성된다.
그런 다음, 도 15의 (c)에 도시된 바와 같이, 용사 코팅 공정을 이용하여 요철 패턴(234)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층(235)을 형성한다. 이때, 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다. 여기서, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 제 1 코팅층(235)과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력은 요철 패턴(234)에 의해 향상된다.
그런 다음, 도 15의 (d)에 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)과 요철 패턴(234) 및 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 제 2 코팅층(237)을 형성한다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.
한편, 제 2 코팅층(237)과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력은 요철 패턴(234)에 의해 향상된다.
그런 다음, 도 15의 (e)에 도시된 바와 같이, 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 가이드 핀(239)을 삽입한다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지며, 그 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가질 수 있다.
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법은 내열 유리를 이용함으로써 트레이(230)의 제작 비용을 절감할 수 있으며, 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 통해 트레이(230)의 내구성을 향상시킬 수 있으며, 수명을 길게 연장시킬 수 있고, 요철 패턴(234)을 통해 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 접착력을 향상시켜 트레이(230)의 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
200: 기판 처리 장치 210: 공정 챔버
220: 가스 분사 수단 230: 트레이
231: 베이스 플레이트 233: 핀 삽입 홈
234: 요철 패턴 235: 제 1 코팅층
237: 제 2 코팅층 239: 가이드 핀
240: 트레이 이송 롤러 250: 기판 안치 수단

Claims (41)

  1. 베이스 플레이트를 마련하는 공정;
    기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접한 상기 베이스 플레이트에 다수의 핀 삽입 홈을 형성하는 공정;
    상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층을 형성하는 공정;
    상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 기상 증착 공정을 이용하여 제 2 코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 베이스 플레이트의 전면 전체 또는 상기 베이스 플레이트의 전면 및 배면 전체에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층은 투명 재질인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층 및 상기 제 2 코팅층은 상기 요철 패턴 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  15. 제 1 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입하여 고정시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.
  16. 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및
    상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하고,
    상기 요철 패턴은 상기 베이스 플레이트의 전면 전체 또는 상기 베이스 플레이트의 전면 및 배면 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이.
  20. 삭제
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 하는 트레이.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이.
  23. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 트레이.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층은 기상 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 하는 트레이.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 트레이.
  27. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이.
  28. 제 16 항에 있어서,
    상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및
    상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  30. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,
    상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태, 계단 형태, 및 경사면을 가지는 계단 형태 중 어느 한 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 트레이.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 다수의 가이드 핀 각각은,
    상기 핀 삽입 홈에 대응되는 형태를 가지도록 형성되어 상기 핀 삽입 홈에 삽입되는 삽입부; 및
    상기 삽입부의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 기판 가이더는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 트레이.
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 기판 가이더의 아랫변은 상기 핀 삽입 홈을 덮는 것을 특징으로 하는 트레이.
  34. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,
    상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 1 홈과, 상기 제 1 홈의 양측에 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 2 홈을 포함하며,
    상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 제 1 홈에 삽입되는 제 1 삽입부, 상기 제 2 홈에 삽입되는 제 2 삽입부, 상기 제 1 및 제 2 삽입부 각각의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.
  35. 반응 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 반응 공간에 위치하고 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사 수단;
    다수의 기판을 적재하여 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및
    상기 트레이를 승강시키는 기판 안치 수단을 포함하여 구성되며,
    상기 트레이는,
    다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및
    상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 기판 안치 수단을 사이에 두고 상기 공정 챔버의 양측벽에 설치되어 상기 트레이를 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송시키는 다수의 트레이 이송 롤러를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 트레이는 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하고,
    상기 요철 패턴은 상기 베이스 플레이트의 전면 전체 또는 상기 베이스 플레이트의 전면 및 배면 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  38. 삭제
  39. 제 35 항 또는 제 37 항에 있어서,
    상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  40. 제 35 항에 있어서,
    상기 트레이는,
    상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및
    상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 트레이는 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하고,
    상기 요철 패턴은 상기 다수의 핀 삽입 홈이 형성된 베이스 플레이트의 전면 전체 또는 상기 다수의 핀 삽입 홈이 형성된 베이스 플레이트의 전면 및 배면 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170130750A (ko) * 2016-05-19 2017-11-29 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치
EP4199051A1 (fr) * 2021-12-16 2023-06-21 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Plateau de support de substrat pour depot de matériau sur des bords d'une face du substrat

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102080706B1 (ko) * 2017-11-24 2020-02-24 주성엔지니어링(주) 기판 이송용 트레이 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100297A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の搬送方法および半導体装置の製造方法
JP2006179687A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Murata Mach Ltd 枚葉搬送用トレイおよび搬送システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030094493A (ko) * 2002-06-04 2003-12-12 삼성전자주식회사 기판을 지지하기 위한 척
ATE514801T1 (de) * 2003-08-01 2011-07-15 Sgl Carbon Se Halter zum tragen von wafern während der halbleiterherstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100297A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の搬送方法および半導体装置の製造方法
JP2006179687A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Murata Mach Ltd 枚葉搬送用トレイおよび搬送システム

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170130750A (ko) * 2016-05-19 2017-11-29 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치
KR102625409B1 (ko) 2016-05-19 2024-01-16 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치
EP4199051A1 (fr) * 2021-12-16 2023-06-21 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Plateau de support de substrat pour depot de matériau sur des bords d'une face du substrat
FR3131078A1 (fr) * 2021-12-16 2023-06-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Plateau de support de substrat pour depot de matériau sur des bords d’une face du substrat

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