KR102625409B1 - 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

트레이 및 이를 사용한 기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치는, 트레이의 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되었을 때, 트레이의 상면과 접촉하는 기판의 일면 하측 부위까지 식각용 가스가 유입된다. 그러면, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출되므로, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 충분하게 식각된다. 이로 인해, 기판의 표면을 식각하여 미세한 요철 형상을 형성하는 텍스처링(Texturing) 공정과 함께 기판의 에지에 형성된 도핑층을 제거하는 에지 아이솔레이션(Edge Isolation) 공정을 수행하여도, 기판의 테두리면 부위가 충분하게 식각되므로, 전면전극과 후면전극 사이의 누설 전류량이 최소화된다. 따라서, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.

Description

트레이 및 이를 사용한 기판처리장치 {TRAY AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은 기판이 탑재 지지되는 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치에 관한 것이다.
태양전지(Solar Cell), 평판 디스플레이 또는 반도체 소자 등의 제조시에는, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판의 표면에 소정의 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성한다.
기판에 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성하기 위해서는, 기판에 특정물질을 증착하여 박막을 형성하는 증착공정, 감광성 물질을 이용하여 형성된 박막 중 선택된 영역을 노출시키거나 은폐시키는 포토공정, 선택된 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등을 수행하며, 각 공정들은 각 공정에 적합한 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치에서 진행된다.
특히, 태양전지의 제조시에는, 생산성을 향상시키기 위하여, 보트에 복수의 기판을 삽입 보관한 상태에서 한 번의 공정으로 복수의 기판에 박막 등을 증착하는 공정을 수행한다. 이로 인해, 각 기판의 전체 표면에 박막이 증착되므로, 후공정에서 기판에 증착된 박막 중, 불필요한 박막을 플라즈마 등을 이용하여 식각한다. 이때, 기판은 트레이에 탑재 지지되어 식각된다.
도 1은 종래의 트레이의 사시도로서, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 종래의 트레이(10)는 플레이트(11)와 복수의 구획핀(15)을 포함한다. 플레이트(11)의 상면에는 복수의 기판(S)이 탑재 지지되고, 구획핀(15)은 플레이트(11)의 상면을 복수의 구역으로 구획하여 플레이트(11)의 정해진 위치에 기판(S)이 탑재되도록 안내한다.
그리하여, 복수의 기판(S)이 탑재 지지된 트레이(10)를 챔버로 반입한 후, 트레이(10)의 상측 부위에서 플라즈마를 발생하여 식각용 가스를 생성한 다음, 기판(S)에 형성된 불필요한 박막을 식각한다. 이때, 식각하고자 하는 기판(S)의 표면이 외부로 노출되어야 함은 당연하다.
상기와 같은 종래의 트레이(10)에 탑재 지지된 기판(S)은, 트레이(10)의 구조상, 플레이트(11)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각되지 못하는 단점이 있다.
상세히 설명하면, 트레이(10)의 상측에서 발생된 식각용 가스가 기판(S)의 테두리면(ES)과 대응되는 플레이트(11)의 상면과 상면 하측 부위 및 기판(S)의 테두리면(ES) 외측의 플레이트(11)의 상면과 상면 하측 부위까지 충분하게 도달하여야, 플레이트(11)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출되어, 플레이트(11)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각된다.
그런데, 종래의 트레이(10)의 플레이트(11)는 상면 전체 부위가 편평하게 형성되므로, 기판(S)의 테두리면(ES)과 대응되는 플레이트(11)의 상면과 상면 하측 부위 및 기판(S)의 테두리면(ES) 외측의 플레이트(11)의 상면과 상면 하측 부위까지 식각용 가스가 충분하게 도달하지 못한다. 그러므로, 플레이트(11)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각되지 못하는 단점이 있다.
기판(S)의 표면을 식각하여 미세한 요철 형상을 형성하는 텍스처링(Texturing) 공정과 함께 기판(S)의 에지에 형성된 도핑층을 제거하는 에지 아이솔레이션(Edge Isolation) 공정을 수행하기도 한다. 그런데, 기판(S)의 테두리면(ES)이 충분하게 식각되지 않으면, 전면전극과 후면전극 사이의 누설 전류량이 증가하므로, 제품의 신뢰성이 저하된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 트레이의 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되었을 때, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출될 수 있도록 구성하여, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 충분하게 식각될 수 있도록 함으로써, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 트레이는, 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되는 플레이트; 상기 플레이트의 상면에 설치되어 상기 플레이트의 상면을 기판이 탑재되는 구역으로 구획하는 복수의 구획핀을 포함하며, 기판의 테두리면과 대응되는 상기 플레이트의 상면에서부터 기판의 테두리면 외측의 상기 플레이트의 상면에는 상기 기판을 감싸는 형태로 하측으로 함몰 형성된 수용로가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 트레이는, 플레이트; 상기 플레이트의 상면에 설치되어 상기 플레이트의 상면을 기판이 탑재되는 구역으로 구획하는 복수의 구획핀; 상기 구획핀에 의하여 구획된 상기 플레이트의 상면에 설치되며 기판의 일면 테두리부측이 탑재 지지되는 지지프레임을 포함하며, 상기 지지프레임의 외면은 기판의 테두리면과 접하는 가상의 연장면 상에 위치되거나, 가상의 연장면 내측에 위치될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에 출입구가 형성된 챔버; 상기 출입구를 출입하는 트레이; 상기 챔버에 승강가능하게 설치되고, 상기 챔버로 반입된 상기 트레이를 승강시키는 서셉터를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 트레이는 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되는 플레이트; 및 기판의 테두리면과 대응되는 상기 플레이트의 상면에서부터 기판의 테두리면 외측의 상기 플레이트의 상면에는 상기 기판을 감싸는 형태로 하측으로 함몰 형성된 수용로가 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 트레이는 상호 인접하면서 상호 대향하는 어느 하나의 기판의 테두리면과 다른 하나의 기판의 테두리면 사이의 상기 플레이트의 상면에는 상기 수용로를 공유할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 복수의 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에 출입구가 형성된 챔버; 상기 출입구를 출입하는 트레이; 및 상기 챔버에 승강가능하게 설치되고, 상기 챔버로 반입된 상기 트레이를 승강시키는 서셉터를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에 출입구가 형성된 챔버; 및 상기 출입구를 출입하는 트레이를 포함할 수 있다. 상기 트레이의 플레이트의 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되었을 때, 상기 플레이트의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 식각용 가스에 노출될 수 있다.
본 실시예에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치는, 트레이의 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되었을 때, 트레이의 상면과 접촉하는 기판의 일면 하측 부위까지 식각용 가스가 유입된다. 그러면, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출되므로, 트레이의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 충분하게 식각된다. 이로 인해, 기판의 표면을 식각하여 미세한 요철 형상을 형성하는 텍스처링(Texturing) 공정과 함께 기판의 에지에 형성된 도핑층을 제거하는 에지 아이솔레이션(Edge Isolation) 공정을 수행하여도, 기판의 테두리면 부위가 충분하게 식각되므로, 전면전극과 후면전극 사이의 누설 전류량이 최소화된다. 따라서, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.
도 1은 종래의 트레이의 사시도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 트레이가 설치된 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3a는 도 2에 도시된 트레이의 사시도.
도 3b는 도 3a의 "A-A"선 단면도.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 트레이의 단면도.
도 5a는 본 발명의 제3실시예에 따른 트레이의 사시도.
도 5b는 도 5a의 "B-B"선 단면도.
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 트레이의 단면도.
도 7a는 본 발명의 제5실시예에 따른 트레이의 사시도.
도 7b는 도 7a의 "C-C"선 단면도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1실시예
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 트레이가 설치된 기판처리장치의 개략 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 내부에 기판(S)이 반입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 상면이 개방되며 접지된 챔버 월(Wall)(111)과 챔버 월(111)의 개방된 상면에 결합되며 챔버 월(111)과 절연된 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다. 챔버 월(111)과 리드(115)에 의하여 형성되는 공간이 기판(S)이 반입되어 처리되는 챔버(110)의 공간이다.
챔버(110)의 챔버 월(111)의 일측면에는 기판(S)이 탑재 지지되는 후술할 트레이(160)가 출입하는 출입구(111a) 가 형성될 수 있고, 하면측에는 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(111b)가 형성될 수 있다.
챔버(110)의 상면인 리드(115)의 상면에는 가스공급부로부터 공정가스를 공급받는 가스공급관(117)이 설치될 수 있고, 챔버(110)의 내부 상측인 리드(115)의 하면에는 챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하측 부위로 공정가스를 균일하게 분사하는 샤워헤드(120)가 설치될 수 있다. 이때, 샤워헤드(120)는 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 전극의 기능을 할 수 있다.
챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하면측에는 서셉터(130)가 지지축(140)에 지지 설치될 수 있다. 지지축(140)은 모터 또는 실린더 등과 같은 구동부에 연결되어 승강 및 회전할 수 있으며, 이로 인해 서셉터(130)가 승강 및 회전할 수 있다.
서셉터(130)는 플라즈마 전극인 샤워헤드(120)의 상대 전극의 기능을 할 수 있고, 내부에는 히터 등과 같은 가열모듈이 설치될 수 있으며, 지지축(140)을 통하여 접지될 수 있다. 챔버(110)의 외측에는 샤워헤드(120)와 접속되어 샤워헤드(120)에 RF(Radio Frequency) 전원 등을 인가하기 위한 전원장치(151) 및 임피던스를 정합하기 위한 매처(155)가 설치될 수 있다.
트레이(160)는 플레이트(161)와 복수의 구획핀(165)을 포함할 수 있으며, 출입구(111a)를 출입하면서 기판(S)을 챔버(110)에 반입하거나, 챔버(110)로부터 반출할 수 있다. 플레이트(161)의 상면에는 기판(S)의 일면이 탑재 지지되고, 구획핀(165)은 플레이트(161)의 상면을 구획하여 플레이트(161)의 정해진 위치에 기판(S)이 탑재되도록 안내한다. 챔버(110)에 반입된 기판(S)을 지지하기 위하여 챔버(110)의 내면에는 복수의 롤러(170)가 설치될 수 있다.
그리하여, 기판(S)이 탑재 지지된 트레이(160)가 챔버(110)에 반입되면, 서셉터(130)가 상승하여 트레이(160)를 상승시키고, 트레이(160)의 상승에 의하여 기판(S)은 처리되기 위한 위치에 위치된다. 그 후, 샤워헤드(120)를 통하여 공정가스를 기판(S)측으로 분사하면서 샤워헤드(120)에 RF 전원을 인가하면, 샤워헤드(120)와 서셉터(130) 사이에서 플라즈마 생성되고, 플라즈마에 의하여 식각용 가스가 생성되어, 플레이트(161)의 상면과 접촉하지 않는 기판(S)의 타면과 기판(S)의 테두리면(ES)(도 3a 및 도 3b 참조)을 식각한다.
식각하고자 하는 기판(S)의 표면이 식각용 가스에 충분하게 노출되어야 식각하고자 하는 기판(S)의 표면이 충분하게 식각된다. 그런데, 식각용 가스가 기판(S)의 상측에서 발생되므로, 챔버(110)의 상측을 향하는 기판(S)의 타면은 식각용 가스에 충분히 노출되나, 기판(S)의 테두리면(ES)은 식각용 가스에 충분하게 노출되기 어렵다. 특히, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위는 더욱 식각용 가스에 노출되기 어려우므로, 더욱 식각되지 못할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치는 트레이(160)의 플레이트(161)의 상면에 기판(S)의 일면이 탑재 지지되었을 때, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출될 수 있도록 구성하여, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각되게 할 수 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 트레이에 대하여 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a는 도 2에 도시된 트레이의 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 "A-A"선 단면도이다.
도시된 바와 같이, 트레이(160)의 플레이트(161)의 상면은 구획핀(165)에 의하여 복수의 구역으로 구획될 수 있고, 각 구획된 구역에 기판(S)이 각각 탑재 지지될 수 있다.
이때, 기판(S)의 테두리면(ES)과 대응되는 플레이트(161)의 상면에서부터 기판(S)의 테두리면(ES) 외측의 플레이트(161)의 상면에는 하측으로 함몰 형성된 수용로(163)가 형성될 수 있고, 수용로(163)는 기판(S)의 테두리면(ES)을 감쌀 수 있다. 그러면, 식각용 가스가 수용로(163)에 유입되어 수용되므로, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES)도 식각용 가스에 충분하게 노출될 수 있다. 따라서, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위도 충분하게 식각될 수 있다.
트레이(160)의 플레이트(161)의 상면에는 복수의 기판(S)이 구획되어 탑재 지지된다. 이때, 상호 인접하는 기판(S)들 중, 상호 대향하는 어느 하나의 기판(S)의 테두리면(ES)과 다른 하나의 기판(S)의 테두리면(ES) 사이의 플레이트(161)의 상면에는 수용로(163)가 1개 형성될 수 있다. 즉, 상호 인접하는 기판(S)들 중, 상호 대향하는 어느 하나의 기판(S)의 테두리면(ES)과 다른 하나의 기판(S)의 테두리면(ES)은 1개의 수용로(163)를 공유할 수 있다.
수용로(163)에 너무 적은 양의 식각용 가스가 수용되면 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각되지 않을 수 있고, 너무 많은 양의 식각용 가스가 수용되면 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 너무 많이 식각될 수 있으므로, 플레이트(161)에 수직하는 수용로(163)의 높이(H1)는 0.2㎜ ∼ 1.0㎜인 것이 바람직하다.
본 발명의 제1실시예에 따른 트레이 및 이를 사용한 기판처리장치는 트레이(160)의 플레이트(161)의 상면에 기판(S)의 일면이 탑재 지지되었을 때, 기판(S)의 테두리면(ES)에서부터 기판(S)의 테두리면(ES) 외측까지의 플레이트(161)의 상면에는 식각용 가스가 유입되어 수용되는 수용로(163)가 형성된다. 그러면, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출되므로, 플레이트(161)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각된다. 따라서, 기판(S)의 표면을 식각하여 미세한 요철 형상을 형성하는 텍스처링(Texturing) 공정과 함께 기판(S)의 에지에 형성된 도핑층을 제거하는 에지 아이솔레이션(Edge Isolation) 공정을 수행하여도, 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각되므로, 전면전극과 후면전극 사이의 누설 전류량이 최소되어, 제품의 신뢰성이 향상된다.
제2실시예
도 4는 본 발명의 다른 제2실시예에 따른 트레이의 단면도로서, 도 3a 및 도 3b와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 트레이(260)의 플레이트(261)에 형성된 수용로(263)는 기판(S)의 테두리면(ES) 내측까지 확장될 수 있다. 그러면, 플레이트(216)의 상면과 접촉하는 기판(S)의 일면과 기판(S)의 테두리면(ES)의 경계 부위인 기판(S)의 모서리부가 수용로(263)에 수용된 식각용 가스에 충분하게 노출되므로, 플레이트(261)와 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 더욱 충분하게 식각될 수 있다.
플레이트(261)에 평행하는 기판(S)의 테두리면(ES) 내측으로 확장된 수용로(263) 부위(263a)의 폭(W1)이 너무 좁으면 적은 양의 식각용 가스가 수용되고, 너무 넓으면 많은 양의 식각용 가스가 수용되므로, 플레이트(261)에 평행하는 기판(S)의 테두리면(ES) 내측으로 확장된 수용로(263) 부위(263a)의 폭(W1)은 1.0㎜ ∼ 3.0㎜인 것이 바람직하다.
제3실시예
도 5a는 본 발명의 제3실시예에 따른 트레이의 사시도이고, 도 5b는 도 5a의 "B-B"선 단면도서, 이를 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 트레이(360)는 플레이트(361), 플레이트(361)의 상면에 설치되어 플레이트(361)의 상면을 복수의 구역으로 구획하는 복수의 구획핀(365) 및 구획핀(365)에 의하여 구획된 플레이트(361)의 상면에 각각 설치되는 지지프레임(368)을 포함할 수 있다.
이때, 지지프레임(368)의 외면(368a)은 기판(S)의 테두리면(ES)과 접하는 가상의 연장면(VES) 상에 위치될 수 있다. 그러면, 지지프레임(368)의 상면에 기판(S)의 일면이 탑재 지지되었을 때, 지지프레임(368)의 외면(368a) 외측으로 식각용 가스가 유입될 수 있으므로, 지지프레임(368)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 식각용 가스에 충분하게 노출된다. 따라서, 지지프레임(368)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위가 충분하게 식각된다.
플레이트(361)에 수직하는 지지프레임(368)의 높이(H2)도 수용로(163)(도 3b 참조)의 높이(H1)와 동일하게 0.2㎜ ∼ 1.0㎜로 형성되는 것이 바람직하다.
제4실시예
도 6은 본 발명의 제4실시예에 따른 트레이의 단면도로서, 제3실시예와의 차이점만에 대하여 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 트레이(460)의 지지프레임(468)의 외면(468a)은 기판(S)의 테두리면(ES)과 접하는 가상의 연장면(VES) 내측에 위치될 수 있고, 플레이트(461)에 평행하는 지지프레임(468)의 외면(468a)과 기판(S)의 테두리면(ES)의 사이의 폭(W2)은 확장된 수용로(263)(도 4 참조) 부위(263a)의 폭(W1)과 동일하게 1.0㎜ ∼ 3.0㎜로 형성되는 것이 바람직하다.
제5실시예
도 7a는 본 발명의 제5실시예에 따른 트레이의 사시도이고, 도 7b는 도 7a의 "C-C"선 단면도로서, 제4실시예와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제5실시예에 따른 트레이(560)의 지지프레임(568)은 플레이트(561)의 상면에 착탈 가능하게 결합될 수 있다. 지지프레임(568)을 플레이트(561)에 착탈할 수 있도록, 플레이트(561)의 상면에는 지지프레임(568)과 대응되게 형성되어 지지프레임(568)의 하측 부위가 분리 가능하게 삽입되는 삽입로(561a)가 형성될 수 있다.
플레이트(561)에 수직하는 플레이트(561)의 상면에서 지지프레임(568)의 상면까지의 높이(H3) 및 플레이트(561)에 평행하는 지지프레임(568)의 외면(568a)과 기판(S)의 테두리면(ES)의 사이의 폭(W3)은 본 발명의 제1실시예 내지 제4실시예 따른 트레이(160, 260, 360, 460)와 동일하게 각각 0.2㎜ ∼ 1.0㎜ 및 1.0㎜ ∼ 3.0㎜로 형성되는 것이 바람직하다.
플레이트(561)의 상면에서 지지프레임(568)의 상면까지의 높이(H3)는 조절할 수 있다. 플레이트(561)의 상면에서 지지프레임(568)의 상면까지의 높이(H3)를 조절하기 위하여, 삽입로(561a)에는 박판이 폐루프를 이루는 형태로 형성된 높이조절부재(569)가 삽입 설치될 수 있다.
플레이트(561)의 상면에서 지지프레임(568)의 상면까지의 높이(H3)에 해당하는 지지프레임(568)의 외측 공간에 식각용 가스가 유입된다. 그러므로, 플레이트(561)의 상면에서 지지프레임(568)의 상면까지의 높이(H3)를 조절할 수 있으면, 기판(S)의 하측으로 유입되는 식각용 가스의 양을 조절할 수 있으므로, 지지프레임(368)의 상면과 인접하는 기판(S)의 테두리면(ES) 부위의 식각 정도를 정밀하게 조절할 수 있다.
본 발명의 제5실시예에 따른 트레이(560)의 지지프레임(568)의 외면(568a)은 제4실시예와 동일하게 기판(S)의 테두리면(ES)에 접하는 가상의 연장면(VES)(도 6 참조) 상에 위치될 수 있음은 당연하다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110: 챔버
130: 서셉터
160: 트레이
161: 플레이트
163: 수용로
165: 구획핀
268: 지지프레임

Claims (9)

  1. 복수개의 기판이 탑재되는 플레이트; 및
    상기 플레이트에 형성된 수용로를 포함하고,
    상기 수용로는 상기 기판의 테두리면을 감싸도록 상기 플레이트의 상면에서 하측으로 함몰 형성되며,
    상기 기판들 중에서 어느 하나의 기판의 테투리면과 상기 기판들 중에서 다른 하나의 기판의 테두리면은 상호 인접하여 마주보게 배치되고,
    서로 인접하는 플레이트의 상면은 적어도 하나의 상기 수용로를 공유하며,
    상기 플레이트의 상면에 상기 기판이 탑재되도록 안내하는 복수의 구획핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 트레이.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수용로는 기판의 테두리면 내측까지 확장된 것을 특징으로 하는 트레이.
  4. 삭제
  5. 복수의 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에 출입구가 형성된 챔버;
    상기 출입구를 출입하며, 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 따른 트레이; 및
    상기 챔버에 승강가능하게 설치되고, 상기 챔버로 반입된 상기 트레이를 승강시키는 서셉터를 포함하는 기판처리장치.
  6. 기판이 반입되어 처리되는 공간을 제공하며, 일측면에 출입구가 형성된 챔버; 및
    상기 출입구를 출입하며. 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 따른 트레이를 포함하고,
    상기 트레이의 플레이트의 상면에 기판의 일면이 탑재 지지되었을 때, 상기 플레이트의 상면과 인접하는 기판의 테두리면 부위가 식각용 가스에 노출되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158963A (ja) * 2009-01-30 2009-07-16 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2012012042A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Toyota Motor Corp チップデバイスを収納する収納容器
KR101691066B1 (ko) 2010-11-17 2016-12-29 주성엔지니어링(주) 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101669913B1 (ko) * 2009-11-27 2016-10-31 주성엔지니어링(주) 트레이 및 이를 사용하는 기판처리장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009158963A (ja) * 2009-01-30 2009-07-16 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2012012042A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Toyota Motor Corp チップデバイスを収納する収納容器
KR101691066B1 (ko) 2010-11-17 2016-12-29 주성엔지니어링(주) 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법

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