KR101232597B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 히터블럭과 트레이의 열팽창 차이로 인해 기판이 히터블럭에서 이탈되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판처리장치는 프레임과, 프레임의 내측면에 대하여 돌출되어 기판이 지지되는 지지부를 구비하여, 지지부에 놓여진 기판의 하면이 하측을 향해 외부로 노출되도록 개구부가 형성되는 트레이와, 트레이가 반입 및 반출되기 위한 게이트와, 트레이에 지지된 기판에 대하여 일정한 공정이 수행되는 공간부가 형성되어 있는 챔버와, 챔버의 공간부에 설치되어 트레이를 지지하며 기판을 가열하는 히터블럭을 구비하며, 히터블럭은 내부에 발열소자가 매설되어 있어, 전원 인가시 발열하는 히팅부재와, 히팅부재와 열팽창율이 상이한 소재로 이루어지며, 열팽창시 히팅부재에 대하여 상대이동가능하도록 히팅부재의 상측에 배치되며, 트레이에 형성된 개구부를 통해 기판과 접촉되어 기판을 가열하는 서셉터부재를 포함한다.

Description

기판처리장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히 태양전지나 LCD와 같이 기판이 트레이 또는 기판거치대에 지지된 상태로 이송되면서 공정이 진행되는 시스템에 채용되는 기판처리장치에 관한 것이다.
화석자원의 고갈과 환경오염에 대처하기 위해 최근 태양력 등의 청정에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지에 대한 연구개발이 활력을 얻고 있다.
태양전지는 PN접합이 형성된 반도체의 내부에서 태양광에 의해 여기된 소수캐리어가 PN접합면을 가로질러 확산되면서 전압차가 생기게 하여 기전력을 발생시키는 소자로서 단결정실리콘, 다결정실리콘, 비정질실리콘, 화합물반도체 등의 반도체 재료를 이용하여 제조된다. 단결정실리콘이나 다결정실리콘을 이용하면 발전효율은 높지만 재료비가 비싸고 공정이 복잡한 단점을 가지기 때문에 최근에는 유리나 플라스틱 등의 값싼 기판에 비정질실리콘이나 화합물반도체 등의 박막을 증착한 박막형 태양전지가 사용되고 있다.
이러한 태양전지를 제조하기 위해서는 기판(실리콘 웨이퍼 또는 유리기판 등을 통칭함)에 P형 또는 N형 반도체층, 반사방지막, 전극 등의 박막을 증착하는 공정과, 에너지 변환효율을 개선하는데 필요한 패턴을 형성하기 위해 증착된 박막을 식각하는 공정 등 다양한 공정을 거쳐야 한다. 상기한 공정, 예컨대 반사방지막을 증착하기 위한 공정을 수행하기 위해서는 기판을 예열시키거나 진공압을 형성하는 등 반사방지막 증착에 앞서 선처리가 필요하며, 증착후에는 기판을 냉각시키는 등의 후처리가 이루어져야 한다. 이에 반사방지막 증착공정을 위한 태양전지 제조시스템은 각 단계들이 효과적으로 수행될 수 있도록 최적의 환경으로 설계된 다수의 챔버를 구비하여 이루어진다.
또한 태양전지 제조시스템에서는 생산성을 높이기 위하여 기판을 낱개 단위로 처리하는 형태보다는 대략 수십 내지 수백 매의 기판을 한꺼번에 처리하는 경우가 일반적이며, 이들 기판을 안치할 수 있는 트레이가 필요하다. 즉, 태양전지 제조시스템에서는 다수의 기판들이 트레이에 지지된 상태로 공정을 수행하며, 기판들이 트레이에 지지된 상태로 챔버들 사이에서 이송된다. 위와 같이 태양전지 시스템에서는 트레이에 의하여 기판이 이송되므로 트레이를 챔버 사이에서 이송할 수 있는 이송수단이 필요한데, 인라인형 제조시스템에서는 롤러를 통해 트레이를 이송시키며, 클러스터형 제조시스템에서는 이송로봇이 트레이를 픽업하여 이송시키는 구성으로 되어 있다.
한편, 태양전지 제조공정에서는 기판을 고온의 상태로 유지하면서 공정을 진행하는 경우가 많은데, 기판을 가열하기 위한 히터로는 챔버의 상부에 부착되는 램프 또는 트레이를 지지 및 가열하는 히터블럭이 사용된다. 램프 타입의 히터는 수명이 매우 짧아 잦은 교체가 필요할 뿐만 아니라, 교체시에는 챔버의 진공 분위기를 모두 해제시켜야 하므로 생산성이 저하되는 문제가 있다. 또한, 램프 타입의 히터는 온도균일도가 떨어진다는 단점이 있다.
히터블럭은 온도균일도가 우수하여 램프 타입 히터의 문제점은 해소할 수 있으나, 트레이가 히터블럭에 놓여진 상태에서 공정이 이루어지므로 열은 트레이를 통해 기판에 전달되어 열전달 효율이 저하되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해소하기 위하여, 본 출원인은 트레이에 개구부를 형성하여 기판과 히터블럭이 직접 접촉하도록 구성한 공개특허 2010-0113774호를 출원한 바 있다.
도 1은 종래의 트레이 및 히터블럭의 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 트레이(1)에는 개구부가 형성되어 있으며, 각 개구부 위에 기판(s)이 안착된다. 그리고, 히터블럭(2)의 상며에는 접촉부(3)가 돌출 형성되어 있으며, 이 접촉부(3)가 트레이의 개구부에 삽입되면 기판(s)이 접촉부(3) 위에 안착되도록 구성된다.
하지만, 종래의 경우 히터블럭(2)은 알루미늄과 같이 열팽창율이 큰 소재로 이루어져 있고, 트레이(1)는 상대적으로 열팽창율이 작은 소재로 구성된다. 따라서, 히터블럭의 가열시 히터블럭(2)은 열팽창이 많이 발생하고, 상대적으로 트레이(1)는 적게 열팽창하기 때문에, 트레이 및 히터블럭의 가장자리 부분에서는 개구부와 접촉부(3)의 위치가 틀어지게 된다. 따라서, 기판이 접촉부에 완전히 밀착되지 않고 부분적으로 이탈되게 되며, 그 결과 기판의 불균일하게 가열되는 문제가 발생하며, 이러한 문제는 트레이가 대형화되는 최근 추세를 감안할 때 더더욱 심각해진다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 히터블럭과 트레이의 열팽창 차이로 인해 기판이 히터블럭에서 이탈되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 프레임과, 상기 프레임의 내측면에 대하여 돌출되어 기판이 지지되는 지지부를 구비하여, 상기 지지부에 놓여진 기판의 하면이 하측을 향해 외부로 노출되도록 개구부가 형성되는 트레이와, 상기 트레이가 반입 및 반출되기 위한 게이트와, 상기 트레이에 지지된 기판에 대하여 일정한 공정이 수행되는 공간부가 형성되어 있는 챔버와, 상기 챔버의 공간부에 설치되어 상기 트레이를 지지하며 상기 기판을 가열하는 히터블럭을 구비하며, 상기 히터블럭은, 내부에 발열소자가 매설되어 있어, 전원 인가시 발열하는 히팅부재와, 상기 히팅부재와 열팽창율이 상이한 소재로 이루어지며, 열팽창시 상기 히팅부재에 대하여 상대이동가능하도록 상기 히팅부재의 상측에 배치되며, 상기 트레이에 형성된 개구부를 통해 기판과 접촉되어 상기 기판을 가열하는 서셉터부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 서셉터부재는 상기 히팅부재 보다 열팽창계수가 작은 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 서셉터부재는 상기 트레이와 열팽창계수가 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 히팅부재의 상면 및 상기 서셉터부재의 하면 중 어느 하나에는 오목하게 형성된 끼움홈이 형성되며, 상기 히팅부재의 상면 및 상기 서셉터부재의 하면 중 다른 하나에는 상기 끼움홈에 삽입되는 돌기부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 끼움홈에 상기 돌기부가 삽입된 상태에서 상기 돌기부가 이동될 수 있도록, 상기 끼움홈의 면적은 상기 돌기부의 단면적 보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 서셉터부재의 상면에는 상기 트레이의 프레임이 놓여져 지지되는 오목한 지지홈부와, 상기 지지홈부의 사이에 배치되어 상기 트레이에 놓여진 기판과 접촉되는 접촉부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 히터블럭과 트레이의 열팽창 차이로 인해 기판이 히터블럭에서 이탈되는 것이 방지되므로 기판을 균일하게 가열할 수 있으며, 그 결과 우수한 품질로 기판을 처리할 수 있다.
도 1은 종래의 트레이 및 히터블럭의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 기판처리장치의 트레이와 히터블럭의 개략적 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 히터블럭의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치에 관하여 설명한다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 태양전지를 포함하여 반도체 소자의 제조장비, LCD와 같은 디스플레이 제조장비 등 기판을 처리하는 다양한 장치에 적용될 수 있으며 또한 트레이의 이송형식면에서 롤러 등의 구동수단에 의하여 트레이를 이송시키는 장치는 물론 로봇에 의하여 트레이를 이송시키는 장치에 모두 적용가능하다. 이하에서는 태양전지 제조용 증착장비를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치의 개략적 구성도이며, 도 3은 도 2에 도시된 기판처리장치의 트레이와 히터블럭의 개략적 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 챔버(10), 히터블럭(40), 가스공급장치(60) 및 트레이(50)를 구비한다.
챔버(10)는 기판(s)에 대한 공정이 수행되는 곳으로서, 그 내부에 일정한 공간부(11)가 형성된다. 챔버(10)의 일측에는 게이트밸브(12)가 마련되며, 이 게이트밸브(12)는 챔버(10)의 공간부(11)를 개폐함으로써 기판(s)을 탑재한 트레이(50)가 공간부(11)로 반입 및 반출될 수 있도록 한다. 본 실시예에서는 하나의 게이트밸브(12)를 통해 트레이(50)가 반입 및 반출되지만, 인라인형 장치에서는 챔버의 양측에 각각 게이트밸브가 형성되어, 일측으로 트레이가 반입되어 타측으로 반출되는 형태로 구성된다. 또한 챔버(10)의 하측에는 후술할 승강축(31)이 삽입되기 위한 삽입공(13)이 형성된다.
그리고 박막증착장비 등에서는 진공 상태로 기판을 처리하는 경우가 대부분이므로, 챔버(10)의 공간부(11)에 있는 공기를 배출시키기 위한 펌핑라인(미도시)이 챔버(10)의 하측에 마련되며, 펌핑라인은 챔버(10) 외측에 구비된 펌프(미도시)에 연결된다.
본 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 태양전지 제조용 박막증착장치를 예시하고 있는 바, 챔버(10)의 상부에는 기판(s)을 향해 소스가스, 반응가스 등을 공급하기 위한 가스공급장치(60)가 마련된다. 본 실시예에서는 박막의 균일도를 향상시키는데 유용한 샤워헤드 형태의 가스공급장치(60)가 마련된다.
다만, 본 실시예는 박막증착장비를 예시하고 있으므로 가스공급장치가 구비되어 있지만, 로드락 챔버, 예열챔버 및 냉각챔버 등 가스공급이 요청되지 않는 기판처리장치에서는 이러한 샤워헤드가 구비되지 않을 수 있다.
히터블럭(40)은 챔버(10)의 공간부(11)에 승강가능하게 설치되어, 기판(s)이 안착된 트레이(50)를 지지하며, 기판(s)을 공정온도로 가열한다. 히터블럭(40)은 히팅부재(30)와, 서셉터부재(20)를 포함한다.
히팅부재(30)는 평판 형상으로 형성되며, 알루미늄 등의 소재로 이루어진다. 히팅부재(30)의 내부에는 발열소자가 매설되어 있으며, 전원 인가시 열을 방출한다. 그리고, 히팅부재(30)에는 승강축(31)이 결합된다. 히팅부재(30)는 챔버(10)의 공간부(11)에 수평하게 배치되며, 승강축(31)은 히팅부재(30)의 하면으로부터 챔버(10)의 삽입공(13)을 통해 외부로 수직하게 연장형성되어 리니어 액츄에이터(32)에 연결된다.
리니어 액츄에이터(32)는 수직왕복이동되어 히터부재(30)를 승강시킨다. 또한, 승강축(31)와 챔버(10)의 삽입공(13) 사이의 틈을 통해 챔버(10)의 기밀이 해제되는 것을 방지하고자, 삽입공(13)과 승강축(31)을 둘러싸고 벨로우즈(33)가 끼워져 결합된다. 벨로우즈(33)는 챔버(10)의 하면과 리니어 엑츄에이터(32) 사이에 끼워져, 히팅부재(30)의 상승시 압축되고 하강시 신장된다.
서셉터부재(20)는 히팅부재(30)와 열팽창율이 상이한 소재로 이루어지는데, 이때 히팅부재(30) 보다 열팽창율이 작은 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 서셉터부재와 트레이는 그 열팽창계수의 차이가 10-6/℃ 이하인 것이 바람직하며, 나아가 서셉터부재와 트레이가 동일한 소재(즉, 열팽창계수가 동일)인 것이 가장 바람직하다.
그리고, 이와 같이 서셉터부재(20)와 트레이의 열팽창계수가 동일하다면, 후술하는 바와 같이 열팽창시 서셉터부재와 트레이가 동일하게 열팽창되므로 서셉터부재의 접촉부(28)와 트레이의 개구부(56)의 위치는 그대로 대응되게 된다. 따라서, 기판이 접촉부(28)로부터 이탈되는 것이 더욱더 방지된다.
또한, 서셉터부재(20)와 트레이의 열팽창계수가 동일하지 않더라도, 그 차이가 10-6/℃ 이하라면, 서셉터와 트레이의 크기를 감안할 때 열팽창량 차이가 크지않으므로 기판이 접촉부(28)로부터 이탈되는 것이 방지된다.
아래의 [표 1]은 서셉터부재 및 트레이로 활용가능한 몇 가지 소재의 열팽창계수를 기재한 것이며, 이 중 열팽창계수의 차이가 10-6/℃ 인 조합(예를 들어, QUARTZ와 cc 조합)으로, 트레이 및 서셉터부재를 구성할 수 있을 것이다.
　소재 열팽창계수
(10-6/°C)
Graphite 5.5
cc 1
QUARTZ 0.5
cc(non-woven fabric) 0.6
Al2o3 8.1
Zirconia 9.5
SiC 4.5
티타늄 8.4
Si 4.15
이 서셉터부재(20)는 히팅부재(30)에 대응되는 평판 형상으로 형성되며, 히팅부재(30)의 상측에 배치된다. 이때, 서셉터부재(20)를 히팅부재(30) 위에 배치함에 있어서, 서셉터부재(20)와 히팅부재(30)를 상호 구속되도록 결합시키지 않으며, 따라서 히팅부재(30) 및 서셉터부재(20)의 열팽창시 서셉터부재(30)와 히팅부재(20)가 서로에 구속되지 않고 자유롭게 상대이동(즉, 슬라이딩) 가능하다. 본 실시예의 경우에는, 서셉터부재(20)는 히팅부재(30) 위에 얹어지며, 자중에 의해 히팅부재(30)에 밀착된다.
또한, 서셉터부재(20)의 상면에는 후술하는 트레이(50)의 개구부(56)와 대응되는 형상의 접촉부(28)가 볼록하게 형성되며, 접촉부(28)의 둘레에는 트레이(50)의 프레임(51)이 지지되도록 오목한 지지홈부(27)가 형성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터부재(20)의 상부에서 보았을 때, 지지홈부(27)는 트레이(50)의 프레임(51)과 대응되도록 격자형으로 배치되며, 접촉부(28)도 트레이(50)의 개구부(56)와 완전히 대응되는 형상으로 이루어진다.
트레이(50)는 공정중에 기판(s)을 지지하며, 챔버와 챔버 사이를 이송하는 것으로서, 프레임(51), 지지부(55) 및 개구부(56)를 구비한다. 특히, 본 실시예에 채용된 트레이(50)는 수십 매의 태양전지용 기판(s)을 함께 지지한다.
본 실시예에서 프레임(51)은 격자형으로 배치된다. 즉, 프레임(51)은 가로방향과 세로방향으로 상호 수직하게 교차되게 배치되어, 프레임(51)들 사이에는 기판(s)이 안착가능한 복수의 공간이 구획된다. 각 공간에는 기판(s)을 지지하기 위하여 프레임(51)에 대하여 돌출된 지지부(55)가 형성된다. 본 실시에에서 지지부는 각 공간의 둘레방향을 따라 연속적으로 형성되어 사각의 고리형상으로 배치되는 지지대(55)이다. 상기한 바와 같이, 지지대(55)가 고리형으로 배치되는 바, 지지대(55)의 내측에는 상하로 뚫려 있는 개구부(56)가 형성된다.
기판(s)은 위 지지대(55) 위에 얹어져 트레이(50)에 안착된다. 기판(s)이 트레이(50)에 안착되면, 기판(s)의 하면은 개구부(56)에 의하여 하측을 향해 외부로 노출된다. 이에 트레이(50)가 히터블럭(40)에 로딩되면, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(s)들은 각각 서셉터부재(20)의 각 접촉부(28)에 접촉되어 지지된다.
상술한 바와 같이 구성된 기판처리장치에 있어서, 트레이(50)가 히터블럭(40)에 로딩되면 복수의 기판(s)들은 각각 서셉터부재(20)의 각 접촉부(28)에 접촉되어 지지된다. 그리고, 히팅부재(30)에서 방출된 열은 서셉터부재(20)를 통해 기판(s)으로 전달되고, 이에 따라 기판(s)이 균일하게 가열된다.
한편, 기판의 가열시 히팅부재(30), 서셉터부재(20) 및 트레이(50) 모두 다 열팽창을 하게 된다. 본 실시예의 경우, 서셉터부재(20)와 히팅부재(30)는 상대이동(슬라이딩) 가능하기 때문에, 서셉터부재(20)는 히팅부재(30)에 구속되지 않고 서셉터부재(20)의 열팽창계수에 따라서 열팽창한다.
이때, 서셉터부재(20)는 히팅부재(30) 보다 열팽창계수가 작은 소재로 이루어지기 때문에, 기본적으로 서셉터부재(20)의 열팽창량은 크지 않으며, 따라서 열팽창에 의해 서셉터부재 접촉부(28)의 위치가 변경되는 변위 역시 종래의 히터블럭에 비하여 훨씬 감소되며, 따라서 기판이 접촉부(28)로부터 이탈되는 것이 방지된다.
특히, 본 실시예의 경우에는 서셉터부재(20)와 트레이(50)의 열팽창계수가 동일하거나 그 차이가 크지 않으므로, 서셉터부재(20)와 트레이(50)가 열팽창되는 정도가 동일하거나 그 차이가 미미하다. 따라서, 서셉터부재가 어느 정도 열팽창 되더라도 트레이 역시 동일하게 열팽창되며, 따라서 열팽창이 일어나더라도 서셉터부재의 접촉부(28)와 트레이의 개구부(56)의 위치는 그대로 대응되게 된다. 따라서, 기판이 접촉부(28)로부터 이탈되는 것이 더욱더 방지된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에서는 램프 타입의 히터에 비하여 온도균일도와 유지보수에 있어 이점이 있는 히터블럭을 사용하면서도, 기판과 히터를 직접 접촉시켜 열효율을 상승시킬 수 있다.
또한, 열팽창 차이에 의해 히터블럭의 접촉부(28)의 위치와 트레이의 개구부(56)의 위치가 틀어짐에 따라 기판이 히터블럭의 접촉부로부터 이탈되는 것이 방지되며, 따라서 기판을 균일하게 가열할 수 있으므로 기판을 우수한 품질 수준으로 처리할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 히터블럭의 개략적인 단면도이며, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선의 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 히터블럭(40A)은 히팅부재(30A)와 서셉터부재(20A)를 포함한다. 그리고, 히팅부재(30A)와 서셉터부재(30A)에는 상호 체결을 위한 끼움홈(201) 및 돌기부(301)가 마련된다. 즉, 히팅부재의 상면 및 서셉터부재의 하면 중 어느 하나에는 끼움홈이 형성되고, 다른 하나에는 돌기부가 형성되는데, 본 실시예의 경우에는 서셉터부재(20A)의 하면에 끼움홈(201)이 형성되며, 히팅부재(30A)의 상면에 돌기부(301)가 형성된다.
끼움홈(201)은 서셉터부재의 하면에 상방으로 오목하게 형성된다. 돌기부(301)는 히팅부재의 상면에 상방으로 돌출되게 형성되며, 끼움홈(201)에 삽입된다.
이와 같이, 히팅부재(30A)와 서셉터부재(20A)를 결합하면, 앞서 설명한 실시예에서처럼 단순히 서셉터부재를 히팅부재에 얹어만 놓았을 때보다 보다 안정적인 상태를 유지할 수 있다.
이때, 도 5에 도시된 바와 같이 끼움홈(201)의 면적을 돌기부(301)의 단면적 보다 어느 정도 더 크게 형성함으로써 열팽창시 서셉터부재(20A)와 히팅부재(30A)가 상대이동 할 수 있는 공간을 확보하면, 앞서 설명한 실시예보다 안정적인 결합상태를 유지하면서 동시에 서셉터부재와 히팅부재가 자유롭게 상대이동되는 효과를 확보할 수 있다.
한편, 본 실시예와 달리 히팅부재의 상면에 끼움홈을 형성하고, 서셉터부재의 하면에 돌기부를 형성할 수도 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
100...기판처리장치 10...챔버
40...히터블럭 20...서셉터부재
30...히팅부재 27...접촉부
50...트레이 51...프레임
55...지지부 56...개구부
60...가스공급장치

Claims (7)

  1. 프레임과, 상기 프레임의 내측면에 대하여 돌출되어 기판이 지지되는 지지부를 구비하여, 상기 지지부에 놓여진 기판의 하면이 하측을 향해 외부로 노출되도록 개구부가 형성되는 트레이;
    상기 트레이가 반입 및 반출되기 위한 게이트와, 상기 트레이에 지지된 기판에 대하여 일정한 공정이 수행되는 공간부가 형성되어 있는 챔버; 및
    상기 챔버의 공간부에 설치되어 상기 트레이를 지지하며 상기 기판을 가열하는 히터블럭;을 구비하며,
    상기 히터블럭은,
    내부에 발열소자가 매설되어 있어, 전원 인가시 발열하는 히팅부재와,
    상기 히팅부재와 열팽창율이 상이한 소재로 이루어지며, 열팽창시 상기 히팅부재에 대하여 상대이동가능하도록 상기 히팅부재의 상측에 배치되며, 상기 트레이에 형성된 개구부를 통해 기판과 접촉되어 상기 기판을 가열하는 서셉터부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터부재는 상기 히팅부재 보다 열팽창계수가 작은 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터부재의 열팽창계수와 상기 트레이의 열팽창계수의 차이는 10-6/℃ 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터부재는 상기 트레이와 동일한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 히팅부재의 상면 및 상기 서셉터부재의 하면 중 어느 하나에는 오목하게 형성된 끼움홈이 형성되며,
    상기 히팅부재의 상면 및 상기 서셉터부재의 하면 중 다른 하나에는 상기 끼움홈에 삽입되는 돌기부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 끼움홈에 상기 돌기부가 삽입된 상태에서 상기 돌기부가 이동될 수 있도록, 상기 끼움홈의 면적은 상기 돌기부의 단면적 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터부재의 상면에는 상기 트레이의 프레임이 놓여져 지지되는 오목한 지지홈부와, 상기 지지홈부의 사이에 배치되어 상기 트레이에 놓여진 기판과 접촉되는 접촉부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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