JPS6072278A - シ−ト状物体へのマスク成膜方法 - Google Patents
シ−ト状物体へのマスク成膜方法Info
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- JPS6072278A JPS6072278A JP58181041A JP18104183A JPS6072278A JP S6072278 A JPS6072278 A JP S6072278A JP 58181041 A JP58181041 A JP 58181041A JP 18104183 A JP18104183 A JP 18104183A JP S6072278 A JPS6072278 A JP S6072278A
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- film
- sheet
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- mask film
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば太陽電池におけるアモルファ従来例の
構成とその問題点 従来、例えば太陽電池製造におけるシート状４１体への
ａ−８ｉ膜の成膜工程は、第１図にその概念図を示すよ
うにステンレスやポリイミドからなるシート状物体１の
上悌１図−ａ）に、ａ −Ｓ ｉ膜２を化学気相蒸着（
Ｃ，Ｖ、Ｄ ）などにより、成膜した（第１図−ｂ）後
、スクリーン印刷やレジスト塗布、露光、現像といった
フォトリン工程により、レジスト膜３をパターンニング
したく第１図−ｃ）後、エツチング工程で必要のない膜
をエツチングしく第１図−ｄ）、その後レジスト除去工
程でレジスト膜３を取り去り（第１図−ｅ）、膜のパタ
ーンが形成されるのであり、このように、工程が多く、
それぞれの工程に設備が必要であり、コストがかさむ、
また生産リードタイムが多い、生産性が悪いなどの欠点
を有していた。
構成とその問題点 従来、例えば太陽電池製造におけるシート状４１体への
ａ−８ｉ膜の成膜工程は、第１図にその概念図を示すよ
うにステンレスやポリイミドからなるシート状物体１の
上悌１図−ａ）に、ａ −Ｓ ｉ膜２を化学気相蒸着（
Ｃ，Ｖ、Ｄ ）などにより、成膜した（第１図−ｂ）後
、スクリーン印刷やレジスト塗布、露光、現像といった
フォトリン工程により、レジスト膜３をパターンニング
したく第１図−ｃ）後、エツチング工程で必要のない膜
をエツチングしく第１図−ｄ）、その後レジスト除去工
程でレジスト膜３を取り去り（第１図−ｅ）、膜のパタ
ーンが形成されるのであり、このように、工程が多く、
それぞれの工程に設備が必要であり、コストがかさむ、
また生産リードタイムが多い、生産性が悪いなどの欠点
を有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するものであり、発明の
構成 本発明は、成膜すべき形状の穴アキパターンを形成した
マスクフィルムと、成膜すべきシート状物体とをドラム
状のヒータ電極に密着させながら、ドラム状ヒータ電極
に対向した電極よシガスを流しながら、シート状物体へ
マスク成膜を行なうことで、レジスト塗布、パターンニ
ング、レジスト除去といった一連の工程を省き、−挙に
パターン成膜形成が可能であるといった特有の効果を発
揮するものである。
構成 本発明は、成膜すべき形状の穴アキパターンを形成した
マスクフィルムと、成膜すべきシート状物体とをドラム
状のヒータ電極に密着させながら、ドラム状ヒータ電極
に対向した電極よシガスを流しながら、シート状物体へ
マスク成膜を行なうことで、レジスト塗布、パターンニ
ング、レジスト除去といった一連の工程を省き、−挙に
パターン成膜形成が可能であるといった特有の効果を発
揮するものである。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例について第２図及び第３図にも
とづいて説明する。第２図及び第３図において、４はス
テンレスやポリイミドからなる成膜すべきシート状物体
で、巻出軸５−（１）から送り出され、反応室６及び予
備加熱￥７を経て巻取軸５−（２）から送り出され、反
応室６及び予備加熱室７を経て巻取軸５−（２）に巻取
られる。１１はドラム状のヒータ電極で、これに対向し
て多数のガス供給口１２を有した電極１３が配置され、
反応室６を構成している。１４は予熱ドラムで反応室６
と反応室ｅ−（１）の間に配置し、予備加熱室γを構成
している。以上のような構成であり、以下動作について
説明する。成膜すべきシート状物体４は巻出軸６−（１
）より送り出され、同時に成膜すべき形状の穴アキパタ
ーン１ｏを形成したマスクフィルム９が巻出軸５−（２
）より送り出される１１反応室６に送シ出されたシート
状物体４と穴アキパターン１０を形成したマスクフィル
ム９はドラム状のヒータ電極１１上で互いに密着した状
態とカリ、この状態でプラズマ反応が行なわれる。すな
わち、反応室６は図示されていない真空排気装置で真空
に引かれ（例えばＩ Ｔｏｒｒ程度）この状態でシラン
を主成分とした反応ガスが多数のガス供給口１２より導
入され、電極１３とヒータ電極１１の間に高周波電源を
印加することによりプラズマ反応を引き起こし、ヒータ
電極１１で熱せられたノート状物体４上にａ −Ｓ ｉ
膜１５を堆積する。さらにマスクフィルム９を密着した
状態のシート状物体４は予備加熱室７の予熱ドラム１４
で一定の温度に保ちつつ、次の反応室ｅ−（１）で前記
したと同様のプラズマ反応によりシート状物体４上に不
純物をドーピングしたａ −Ｓ ｉ膜１５を堆積するこ
とが可能である。ａ −Ｓ ｉ膜１５を少なくとも１層
堆積したシート状物体４は巻取軸８−（１）に巻取られ
、この時点でマスクフィルム９は巻取軸８−（２）に巻
取られ分離する。以上のように本実施例によれば、成膜
すべきシート状物体に、成膜すべき形成の穴アキパター
ンを形成したマスクフィルムをドラム状のヒータ電極及
び予熱ドラム上で密着せしめ、プラズマ反応により、ａ
−３ｉ膜を少くとも１層以上成膜することにより、シー
ト状物体上にパターン形成しだ成膜を行なうことができ
る。
とづいて説明する。第２図及び第３図において、４はス
テンレスやポリイミドからなる成膜すべきシート状物体
で、巻出軸５−（１）から送り出され、反応室６及び予
備加熱￥７を経て巻取軸５−（２）から送り出され、反
応室６及び予備加熱室７を経て巻取軸５−（２）に巻取
られる。１１はドラム状のヒータ電極で、これに対向し
て多数のガス供給口１２を有した電極１３が配置され、
反応室６を構成している。１４は予熱ドラムで反応室６
と反応室ｅ−（１）の間に配置し、予備加熱室γを構成
している。以上のような構成であり、以下動作について
説明する。成膜すべきシート状物体４は巻出軸６−（１
）より送り出され、同時に成膜すべき形状の穴アキパタ
ーン１ｏを形成したマスクフィルム９が巻出軸５−（２
）より送り出される１１反応室６に送シ出されたシート
状物体４と穴アキパターン１０を形成したマスクフィル
ム９はドラム状のヒータ電極１１上で互いに密着した状
態とカリ、この状態でプラズマ反応が行なわれる。すな
わち、反応室６は図示されていない真空排気装置で真空
に引かれ（例えばＩ Ｔｏｒｒ程度）この状態でシラン
を主成分とした反応ガスが多数のガス供給口１２より導
入され、電極１３とヒータ電極１１の間に高周波電源を
印加することによりプラズマ反応を引き起こし、ヒータ
電極１１で熱せられたノート状物体４上にａ −Ｓ ｉ
膜１５を堆積する。さらにマスクフィルム９を密着した
状態のシート状物体４は予備加熱室７の予熱ドラム１４
で一定の温度に保ちつつ、次の反応室ｅ−（１）で前記
したと同様のプラズマ反応によりシート状物体４上に不
純物をドーピングしたａ −Ｓ ｉ膜１５を堆積するこ
とが可能である。ａ −Ｓ ｉ膜１５を少なくとも１層
堆積したシート状物体４は巻取軸８−（１）に巻取られ
、この時点でマスクフィルム９は巻取軸８−（２）に巻
取られ分離する。以上のように本実施例によれば、成膜
すべきシート状物体に、成膜すべき形成の穴アキパター
ンを形成したマスクフィルムをドラム状のヒータ電極及
び予熱ドラム上で密着せしめ、プラズマ反応により、ａ
−３ｉ膜を少くとも１層以上成膜することにより、シー
ト状物体上にパターン形成しだ成膜を行なうことができ
る。
なお実施例で形成する膜はａ −Ｓ ｉ膜としたが、Ｓ
１膜、ＳｉＮ膜、ｐｏｌｙｓｉ膜、５ＩＱ２膜々どの膜
でもよく、また膜の形成法はプラズマＣ，Ｖ、Ｄとしだ
が、常−圧Ｃ８Ｖ、Ｄや減圧Ｃ，Ｖ、Ｄなどの方法をと
ってもよいことは言うまでもない。
１膜、ＳｉＮ膜、ｐｏｌｙｓｉ膜、５ＩＱ２膜々どの膜
でもよく、また膜の形成法はプラズマＣ，Ｖ、Ｄとしだ
が、常−圧Ｃ８Ｖ、Ｄや減圧Ｃ，Ｖ、Ｄなどの方法をと
ってもよいことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、成膜すべき形状の穴アキパター
ンを形成したマスクフィルムと、成膜すべきシート状物
体とをドラム状のヒータ電極上で密着させなから成膜を
行なうことで、レジスト塗布、パターンニング、レジス
ト除去といった一連の工程を省き、−挙にパターン成膜
が可能で、工程短縮、リードタイム短縮と共に生産性が
上がるという効果を発揮するものである。
ンを形成したマスクフィルムと、成膜すべきシート状物
体とをドラム状のヒータ電極上で密着させなから成膜を
行なうことで、レジスト塗布、パターンニング、レジス
ト除去といった一連の工程を省き、−挙にパターン成膜
が可能で、工程短縮、リードタイム短縮と共に生産性が
上がるという効果を発揮するものである。
第１図は従来の成膜工程を示す工程概念図、第２図は本
発明の一実施例における成膜装置の概略図、第３図は本
発明の一実施例における成膜工程を示す工程概念図であ
る。 １．４・・・・・・シート状物体、１３・・・・・・電
極、２゜１５・・・・・ａ−３ｉ膜、１４・・・・・・
予熱ドラム、３・・・・・・レジスト膜、５・・・・・
・巻出軸、６・・・・・・反応室、７・・・・・・予備
加熱室、８・・・・・・巻取軸、９・・・・・・マスク
フィルム、１０・・・・・・穴アキパターン、１１・・
・・・・ドラム状ヒータ電極、１２・・・・・・ガス供
給口。
発明の一実施例における成膜装置の概略図、第３図は本
発明の一実施例における成膜工程を示す工程概念図であ
る。 １．４・・・・・・シート状物体、１３・・・・・・電
極、２゜１５・・・・・ａ−３ｉ膜、１４・・・・・・
予熱ドラム、３・・・・・・レジスト膜、５・・・・・
・巻出軸、６・・・・・・反応室、７・・・・・・予備
加熱室、８・・・・・・巻取軸、９・・・・・・マスク
フィルム、１０・・・・・・穴アキパターン、１１・・
・・・・ドラム状ヒータ電極、１２・・・・・・ガス供
給口。
Claims (2)
- （１）成膜すべき形状の穴アキパターンを形成したマス
クフィルムと、成膜すべきシート状物体とをドラム状の
ヒータ電極に密着させながら、前記ドラム状のヒータ電
極に対向して配置した多数のガス供給孔を有する電極と
前記ドラム状ヒータ電極間で、成膜を行なうシート状物
体へのマスク成膜方法。 - （２） ドラム状ヒータ電極及びガス供給孔を有する電
極とで構成された反応室を少なくとも２つ以上有し、前
記反応室と反応室との間に予熱ドラムを有し、シート状
物体に多層の成膜形成をするようにした特許請求の範囲
第１項記載のシート状物体へのマスク成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181041A JPS6072278A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | シ−ト状物体へのマスク成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181041A JPS6072278A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | シ−ト状物体へのマスク成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072278A true JPS6072278A (ja) | 1985-04-24 |
Family
ID=16093727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181041A Pending JPS6072278A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | シ−ト状物体へのマスク成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072278A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259427A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Teijin Ltd | アモルフアスシリコン膜の製造装置 |
| JPH01173710A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
| US7223040B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-05-29 | Kokuyo Co., Ltd. | Binder |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58181041A patent/JPS6072278A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259427A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Teijin Ltd | アモルフアスシリコン膜の製造装置 |
| JPH01173710A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
| US7223040B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-05-29 | Kokuyo Co., Ltd. | Binder |
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