JPH06346234A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH06346234A JPH06346234A JP5164127A JP16412793A JPH06346234A JP H06346234 A JPH06346234 A JP H06346234A JP 5164127 A JP5164127 A JP 5164127A JP 16412793 A JP16412793 A JP 16412793A JP H06346234 A JPH06346234 A JP H06346234A
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- gas
- substrate
- plasma discharge
- sputtering apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体量産用スパッタリング装置において、
安定な膜質の薄膜を基板に堆積させる。 【構成】 真空中でプラズマ放電を発生し基板２の上に
薄膜を堆積するスパッタリング装置であって、プラズマ
放電の発生空間１６を囲む筒型シールド６を設け、この
筒型シールドの内周面にガス吹出し口を備えるプロセス
ガス導入機構１２を設ける。筒型シールド６の内部にプ
ラズマ放電空間１６を囲むリング状または筒状の通路１
４，１７を設け、この通路１４，１７をプロセスガス導
入機構１２に接続し、かつ当該通路に複数のガス吹出し
口１４ａ，１７ａを形成することもできる。またガス吹
出し口の前面にガス拡散手段１５を設けることもでき
る。またシールド６の内周面に導入孔を有する圧力測定
器１３を設ける。
安定な膜質の薄膜を基板に堆積させる。 【構成】 真空中でプラズマ放電を発生し基板２の上に
薄膜を堆積するスパッタリング装置であって、プラズマ
放電の発生空間１６を囲む筒型シールド６を設け、この
筒型シールドの内周面にガス吹出し口を備えるプロセス
ガス導入機構１２を設ける。筒型シールド６の内部にプ
ラズマ放電空間１６を囲むリング状または筒状の通路１
４，１７を設け、この通路１４，１７をプロセスガス導
入機構１２に接続し、かつ当該通路に複数のガス吹出し
口１４ａ，１７ａを形成することもできる。またガス吹
出し口の前面にガス拡散手段１５を設けることもでき
る。またシールド６の内周面に導入孔を有する圧力測定
器１３を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置に関
し、特に、基板に堆積される薄膜の膜質を安定化するの
に適したスパッタリング装置に関する。
し、特に、基板に堆積される薄膜の膜質を安定化するの
に適したスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置の処理チャン
バ内の構成を説明する。
バ内の構成を説明する。
【０００３】図７は第１の構成例を示す。このスパッタ
リング装置では、フェースダウン方式とサイドスパッタ
方式の構成を備え、パーティクルの影響を減少させてい
る。５１は処理チャンバ、５２はターゲット、５３はタ
ーゲット押え、５４はリング形状のターゲットシール
ド、５５は基板、５６は基板ホルダ、５７はリング形状
の基板ホルダシールド、５８は円筒型の周囲シールドで
ある。基板５５の表面に薄膜を堆積する場合には、図７
で実線で示されるように基板ホルダ５６を縦置き姿勢と
し、基板５５とターゲット５２との間にプラズマ放電５
９を発生させ堆積を行う。基板５５を搬送させるときに
は基板ホルダ５６を横置き姿勢（破線で示す）とし、基
板５５の処理表面を下方に向けて基板５５を図示しない
搬送機構で搬送する。従って基板ホルダ５６は薄膜堆積
の場合と基板搬送の場合に対応して矢印６０に示される
ごとく姿勢を変更する。フェースダウン方式によれば搬
送時に基板５５の処理表面が下方を向いているので、パ
ーティクルが処理表面に付着するのを防止でき、またサ
イドスパッタ方式によれば重力の作用でパーティクルが
基板およびターゲットに付着しずらくなる。従ってパー
ティクルの影響を減少することができる。なお、６１は
プロセスガス６２を処理チャンバ５１に導入するための
ガス導入機構、６３はその他のシールドである。
リング装置では、フェースダウン方式とサイドスパッタ
方式の構成を備え、パーティクルの影響を減少させてい
る。５１は処理チャンバ、５２はターゲット、５３はタ
ーゲット押え、５４はリング形状のターゲットシール
ド、５５は基板、５６は基板ホルダ、５７はリング形状
の基板ホルダシールド、５８は円筒型の周囲シールドで
ある。基板５５の表面に薄膜を堆積する場合には、図７
で実線で示されるように基板ホルダ５６を縦置き姿勢と
し、基板５５とターゲット５２との間にプラズマ放電５
９を発生させ堆積を行う。基板５５を搬送させるときに
は基板ホルダ５６を横置き姿勢（破線で示す）とし、基
板５５の処理表面を下方に向けて基板５５を図示しない
搬送機構で搬送する。従って基板ホルダ５６は薄膜堆積
の場合と基板搬送の場合に対応して矢印６０に示される
ごとく姿勢を変更する。フェースダウン方式によれば搬
送時に基板５５の処理表面が下方を向いているので、パ
ーティクルが処理表面に付着するのを防止でき、またサ
イドスパッタ方式によれば重力の作用でパーティクルが
基板およびターゲットに付着しずらくなる。従ってパー
ティクルの影響を減少することができる。なお、６１は
プロセスガス６２を処理チャンバ５１に導入するための
ガス導入機構、６３はその他のシールドである。
【０００４】図８に第２の構成例を示す。このスパッタ
リング装置では、技術の改善でパーティクルを低減する
ことができるようになったので、基板搬送および薄膜堆
積の際にフェースアップ方式が採用される。図８におい
て、図７で説明した要素と実質的に同じ要素には同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。またこのスパッタリ
ング装置の処理チャンバでは、例えば２種類のプロセス
ガス６２Ａ，６２Ｂが導入され、２つのガス導入機構６
１Ａ，６１Ｂが設けられると共に、処理チャンバ内の圧
力を測定する真空ゲージ６５が付設されている。
リング装置では、技術の改善でパーティクルを低減する
ことができるようになったので、基板搬送および薄膜堆
積の際にフェースアップ方式が採用される。図８におい
て、図７で説明した要素と実質的に同じ要素には同じ符
号を付し、詳細な説明は省略する。またこのスパッタリ
ング装置の処理チャンバでは、例えば２種類のプロセス
ガス６２Ａ，６２Ｂが導入され、２つのガス導入機構６
１Ａ，６１Ｂが設けられると共に、処理チャンバ内の圧
力を測定する真空ゲージ６５が付設されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記第１の構成例を有
する従来のスパッタリング装置では、パーティクル対策
としてフェースダウン搬送およびサイドスパッタを採用
しているために、搬送系が複雑となり、かつ処理チャン
バの容積が必然的に大きくなるという不具合を有してい
る。また膜の回り込みを防ぐ目的で膜が付着するおそれ
のある箇所にシールドを設けるようにしたため、シール
ドが多くなって部品点数が全体として多くなり、メンテ
ナンスの工数が増すという不具合を有する。さらに、処
理チャンバの容積が大きいため排気時間が長くなるとい
う欠点を有する。
する従来のスパッタリング装置では、パーティクル対策
としてフェースダウン搬送およびサイドスパッタを採用
しているために、搬送系が複雑となり、かつ処理チャン
バの容積が必然的に大きくなるという不具合を有してい
る。また膜の回り込みを防ぐ目的で膜が付着するおそれ
のある箇所にシールドを設けるようにしたため、シール
ドが多くなって部品点数が全体として多くなり、メンテ
ナンスの工数が増すという不具合を有する。さらに、処
理チャンバの容積が大きいため排気時間が長くなるとい
う欠点を有する。
【０００６】前記第２の構成を有するスパッタリング装
置では、処理チャンバの容積および表面積を小さくする
ことができるので排気時間が短くなると共に、シールド
を一体型としシールドの数を少なくできるので、メンテ
ナンス時間を短縮できるという利点を有する。しかし、
膜の回り込みを防止しかつシールドを一体型としたため
筒型の周囲シールド５８が実質的に密閉構造となり、さ
らにガス導入機構の配設位置が処理チャンバ側と基板ホ
ルダ側に限定されるので、プラズマ放電空間にプロセス
ガスを十分に導入できないという不具合を有する。また
真空ゲージ６５は構造上処理チャンバの壁部に取り付け
ざるを得ないので、プラズマ放電空間についての正確な
圧力を測定することができない。以上のことから第２の
構成によれば、スパッタリング中のガス圧力が安定せ
ず、基板上に堆積される薄膜において安定な膜質を得る
ことができないという問題を有していた。
置では、処理チャンバの容積および表面積を小さくする
ことができるので排気時間が短くなると共に、シールド
を一体型としシールドの数を少なくできるので、メンテ
ナンス時間を短縮できるという利点を有する。しかし、
膜の回り込みを防止しかつシールドを一体型としたため
筒型の周囲シールド５８が実質的に密閉構造となり、さ
らにガス導入機構の配設位置が処理チャンバ側と基板ホ
ルダ側に限定されるので、プラズマ放電空間にプロセス
ガスを十分に導入できないという不具合を有する。また
真空ゲージ６５は構造上処理チャンバの壁部に取り付け
ざるを得ないので、プラズマ放電空間についての正確な
圧力を測定することができない。以上のことから第２の
構成によれば、スパッタリング中のガス圧力が安定せ
ず、基板上に堆積される薄膜において安定な膜質を得る
ことができないという問題を有していた。
【０００７】本発明の目的は、安定な膜質の薄膜を基板
に堆積できるスパッタリング装置を提供することにあ
る。
に堆積できるスパッタリング装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング装置は、真空中でプラズマ放電を発生し基板の上に
薄膜を堆積するスパッタリング装置であって、プラズマ
放電の発生空間を囲む筒型シールドを設け、この筒型シ
ールドの内周面にガス吹出し口を備えるプロセスガス導
入機構を設けた構成を有する。
ング装置は、真空中でプラズマ放電を発生し基板の上に
薄膜を堆積するスパッタリング装置であって、プラズマ
放電の発生空間を囲む筒型シールドを設け、この筒型シ
ールドの内周面にガス吹出し口を備えるプロセスガス導
入機構を設けた構成を有する。
【０００９】前記の構成において、好ましくは、筒型シ
ールドの内部にプラズマ放電空間を囲むリング状または
筒状の通路を設け、この通路をプロセスガス導入機構に
接続し、かつ当核通路に複数のガス吹出し口を形成す
る。
ールドの内部にプラズマ放電空間を囲むリング状または
筒状の通路を設け、この通路をプロセスガス導入機構に
接続し、かつ当核通路に複数のガス吹出し口を形成す
る。
【００１０】前記の構成において、好ましくは、ガス吹
出し口の前面にガス拡散手段を設ける。
出し口の前面にガス拡散手段を設ける。
【００１１】前記の構成において、好ましくは、シール
ドの内周面に導入孔を有する圧力測定器を設ける。
ドの内周面に導入孔を有する圧力測定器を設ける。
【００１２】
【作用】本発明では、プラズマ放電が発生する空間を囲
む筒型のシールドを設け、このシールドにプロセスガス
導入機構の先端を組み込み、シールド内周面にガス吹出
し口を形成するようにしたため、プラズマ放電空間に直
接にプロセスガスを導入することができ、十分なプロセ
スガスを供給できるので、膜質を安定化できる。またガ
ス吹出し口の数を複数箇所形成することにより、分散さ
せてプロセスガスを供給でき、さらに膜質の安定化に寄
与する。またガス吹出し口の前面に拡散板を配置するこ
とにより、プラズマ放電空間でプロセスガスを拡散させ
ることも望ましい。また真空ゲージ等の圧力測定器の導
入孔をシールド内周面に設け、直接にプラズマ放電空間
の圧力を測定するように構成したため、スパッタリング
中の圧力変動を正確に測定することができる。
む筒型のシールドを設け、このシールドにプロセスガス
導入機構の先端を組み込み、シールド内周面にガス吹出
し口を形成するようにしたため、プラズマ放電空間に直
接にプロセスガスを導入することができ、十分なプロセ
スガスを供給できるので、膜質を安定化できる。またガ
ス吹出し口の数を複数箇所形成することにより、分散さ
せてプロセスガスを供給でき、さらに膜質の安定化に寄
与する。またガス吹出し口の前面に拡散板を配置するこ
とにより、プラズマ放電空間でプロセスガスを拡散させ
ることも望ましい。また真空ゲージ等の圧力測定器の導
入孔をシールド内周面に設け、直接にプラズマ放電空間
の圧力を測定するように構成したため、スパッタリング
中の圧力変動を正確に測定することができる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の好適実施例を添付図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
【００１４】図１に本発明に係るスパッタリング装置の
処理チャンバの内部構造を略図で示す。図１において、
１は処理チャンバで、気密構造を有する真空容器であ
る。処理チャンバ１は、処理対象である基板を出入れす
るための出入り口部および基板を搬送させるための搬送
機構を備えるが、図１ではその図示が省略されている。
また基板を処理するときに、処理チャンバ１は所要の真
空状態に保持される。そのために内部空間を排気するた
めの排気機構８が備えられる。
処理チャンバの内部構造を略図で示す。図１において、
１は処理チャンバで、気密構造を有する真空容器であ
る。処理チャンバ１は、処理対象である基板を出入れす
るための出入り口部および基板を搬送させるための搬送
機構を備えるが、図１ではその図示が省略されている。
また基板を処理するときに、処理チャンバ１は所要の真
空状態に保持される。そのために内部空間を排気するた
めの排気機構８が備えられる。
【００１５】図１において、２は基板ホルダ、３は基板
ホルダ２の上面にフェースアップの状態で配置された基
板である。基板ホルダ２および基板３の上方位置にター
ゲット４が配置される。ターゲット４は基板３の処理表
面に対しほぼ平行で対向して配置される。５はターゲッ
ト押えである。基板３とターゲット４との間に形成され
る空間１６は、プラズマ放電を発生させるための空間で
あり、当該空間１６の周囲には例えば円筒形状の周囲シ
ールド６が配置される。周囲シールド６は固定状態にあ
るが、周囲シールド６を支持する構造の図示は省略して
いる。また７はリング形状のターゲットシールドであ
る。周囲シールド６とターゲットシールド７の間の隙間
は比較的に狭く、また周囲シールドと基板ホルダ２の間
の隙間も狭くなるように形成されており、その結果、周
囲シールドは実質的に密閉された構造を有する。
ホルダ２の上面にフェースアップの状態で配置された基
板である。基板ホルダ２および基板３の上方位置にター
ゲット４が配置される。ターゲット４は基板３の処理表
面に対しほぼ平行で対向して配置される。５はターゲッ
ト押えである。基板３とターゲット４との間に形成され
る空間１６は、プラズマ放電を発生させるための空間で
あり、当該空間１６の周囲には例えば円筒形状の周囲シ
ールド６が配置される。周囲シールド６は固定状態にあ
るが、周囲シールド６を支持する構造の図示は省略して
いる。また７はリング形状のターゲットシールドであ
る。周囲シールド６とターゲットシールド７の間の隙間
は比較的に狭く、また周囲シールドと基板ホルダ２の間
の隙間も狭くなるように形成されており、その結果、周
囲シールドは実質的に密閉された構造を有する。
【００１６】処理チャンバ１に対してはスパッタリング
処理を行うためのプロセスガス（例えばＡr ，Ｎ2 ）を
導入するための機構が例えば２つ設けられる。第１のプ
ロセスガス９は、基板ホルダ２の下側空間にガスを導入
するガス導入機構１０によって導入され、第２のプロセ
スガス１１はガス導入機構１２によって導入される。基
板ホルダ２の下側空間に導入された第１のプロセスガス
９は、図１中破線で示すように周囲の導入孔（図示せ
ず）を通って基板３の上方のプラズマ放電空間１６に導
かれる。またガス導入機構１２の先部の導入パイプ１２
ａは、処理チャンバ壁を貫通し、さらに周囲シールド６
の内部まで延設され、周囲シールド６の内周面にそのガ
ス吹出し口が形成される。この基本的な構造によってガ
ス導入機構１２によって導入された第２のプロセスガス
は、図１中破線で示されるように周囲シールド６の内部
空間、すなわち基板とターゲットの間のプラズマ放電空
間１６に直接的に導入される。ガス導入機構１２の周囲
シールド６におけるガス吹出し部の具体的な構造につい
ては後述する。また周囲シールド６の内周面には、さら
に、圧力を測定するための真空ゲージ１３の導入孔を設
け、当該導入孔は周囲シールド６の内側空間すなわちプ
ラズマ放電空間に臨んで設けられる。この真空ゲージ１
３は、例えば０．１ mTorr〜２０ mTorr程度の圧力範囲
を正確に測定するための隔膜型真空計である。
処理を行うためのプロセスガス（例えばＡr ，Ｎ2 ）を
導入するための機構が例えば２つ設けられる。第１のプ
ロセスガス９は、基板ホルダ２の下側空間にガスを導入
するガス導入機構１０によって導入され、第２のプロセ
スガス１１はガス導入機構１２によって導入される。基
板ホルダ２の下側空間に導入された第１のプロセスガス
９は、図１中破線で示すように周囲の導入孔（図示せ
ず）を通って基板３の上方のプラズマ放電空間１６に導
かれる。またガス導入機構１２の先部の導入パイプ１２
ａは、処理チャンバ壁を貫通し、さらに周囲シールド６
の内部まで延設され、周囲シールド６の内周面にそのガ
ス吹出し口が形成される。この基本的な構造によってガ
ス導入機構１２によって導入された第２のプロセスガス
は、図１中破線で示されるように周囲シールド６の内部
空間、すなわち基板とターゲットの間のプラズマ放電空
間１６に直接的に導入される。ガス導入機構１２の周囲
シールド６におけるガス吹出し部の具体的な構造につい
ては後述する。また周囲シールド６の内周面には、さら
に、圧力を測定するための真空ゲージ１３の導入孔を設
け、当該導入孔は周囲シールド６の内側空間すなわちプ
ラズマ放電空間に臨んで設けられる。この真空ゲージ１
３は、例えば０．１ mTorr〜２０ mTorr程度の圧力範囲
を正確に測定するための隔膜型真空計である。
【００１７】上記の構成に基づけば、プロセスガス１１
をガス導入機構１２によって密閉構造を有する周囲シー
ルド６の内側のプラズマ放電空間に直接に導入できるた
め、プロセスガス１１を安定して十分な量を供給するこ
とができる。また真空ゲージ１３によって周囲シールド
６の内側のプラズマ放電空間の圧力を直接的に測定する
ことができるので、正確な圧力を測定することができ
る。
をガス導入機構１２によって密閉構造を有する周囲シー
ルド６の内側のプラズマ放電空間に直接に導入できるた
め、プロセスガス１１を安定して十分な量を供給するこ
とができる。また真空ゲージ１３によって周囲シールド
６の内側のプラズマ放電空間の圧力を直接的に測定する
ことができるので、正確な圧力を測定することができ
る。
【００１８】次にガス導入機構１２の周囲シールド６に
おける構造を具体的に説明する。
おける構造を具体的に説明する。
【００１９】図２に示される構造は図１に示した構造を
示すものであり、ガス導入機構１２の導入パイプ１２ａ
の先端のガス吹出し口が、周囲シールド６の内周面に１
箇所だけ形成され、そのガス吹出し口から周囲シールド
６の内側空間にプロセスガス１１が吹出される。なお、
導入パイプの数を増すことによりガス吹出し口の数を増
すことができる。
示すものであり、ガス導入機構１２の導入パイプ１２ａ
の先端のガス吹出し口が、周囲シールド６の内周面に１
箇所だけ形成され、そのガス吹出し口から周囲シールド
６の内側空間にプロセスガス１１が吹出される。なお、
導入パイプの数を増すことによりガス吹出し口の数を増
すことができる。
【００２０】また図３と図４に示すように、周囲シール
ド６の内部に、導入パイプ１２ａに接続されたリング状
の通路１４を設け、かつ通路１４の内周面側に、周囲シ
ールド６の内側空間に通じる複数の小孔１４ａを形成す
ることもできる。複数の小孔１４ａは、等間隔または適
当な間隔で形成される。複数の小孔１４ａはそれぞれガ
ス吹出し口となる。かかる構造によれば、ガス導入パイ
プ１２ａで導入されたプロセスガス１１はリング状通路
１４を通り各小孔１４ａから周囲シールド６の内側空間
へ導入される。従って周囲シールド６の内側のプラズマ
放電空間においてプロセスガス１１を均一に分散させて
導入することができる。
ド６の内部に、導入パイプ１２ａに接続されたリング状
の通路１４を設け、かつ通路１４の内周面側に、周囲シ
ールド６の内側空間に通じる複数の小孔１４ａを形成す
ることもできる。複数の小孔１４ａは、等間隔または適
当な間隔で形成される。複数の小孔１４ａはそれぞれガ
ス吹出し口となる。かかる構造によれば、ガス導入パイ
プ１２ａで導入されたプロセスガス１１はリング状通路
１４を通り各小孔１４ａから周囲シールド６の内側空間
へ導入される。従って周囲シールド６の内側のプラズマ
放電空間においてプロセスガス１１を均一に分散させて
導入することができる。
【００２１】図５に示す構成では、図２に示した構造に
おいて、ガス導入パイプ１２ａのガス吹出し口の前面に
拡散板１５を配置する。この拡散板１５を設けることに
よって、周囲シールド６の内側空間にプロセスガスを拡
散させて導入することができる。この拡散板１５は、同
時にシールド部材としても機能する。
おいて、ガス導入パイプ１２ａのガス吹出し口の前面に
拡散板１５を配置する。この拡散板１５を設けることに
よって、周囲シールド６の内側空間にプロセスガスを拡
散させて導入することができる。この拡散板１５は、同
時にシールド部材としても機能する。
【００２２】図６に示すように、周囲シールドにおい
て、図４で示したリング状通路１４の代わりに筒状の通
路１７と小孔１７ａが形成することもできる。
て、図４で示したリング状通路１４の代わりに筒状の通
路１７と小孔１７ａが形成することもできる。
【００２３】前記の各実施例において、周囲シールド６
は一体的加工で作ることもできるし、分離組立て式で作
ることもできる。
は一体的加工で作ることもできるし、分離組立て式で作
ることもできる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、プラズマ放電空間を囲むシールドの内周面にガス
吹出し口が形成されるようにプロセスガス導入機構を設
けたため、プロセスガスの導入が安定し導入量が十分に
なり、基板上に堆積する薄膜の膜質が安定化する。また
プラズマ放電空間内で導入されるプロセスガスをガス吹
出し口の数を増すことにより分散させ、または拡散手段
を設けることで拡散させることにより、膜質の安定化を
いっそう高めることができる。さらに真空ゲージ等の圧
力測定器でプラズマ放電空間の圧力を直接に測定するよ
うにしたため、正確な圧力情報を得ることができる。従
って、主に半導体量産用スパッタリング装置において安
定稼働、歩留まり向上に大きく寄与する。
れば、プラズマ放電空間を囲むシールドの内周面にガス
吹出し口が形成されるようにプロセスガス導入機構を設
けたため、プロセスガスの導入が安定し導入量が十分に
なり、基板上に堆積する薄膜の膜質が安定化する。また
プラズマ放電空間内で導入されるプロセスガスをガス吹
出し口の数を増すことにより分散させ、または拡散手段
を設けることで拡散させることにより、膜質の安定化を
いっそう高めることができる。さらに真空ゲージ等の圧
力測定器でプラズマ放電空間の圧力を直接に測定するよ
うにしたため、正確な圧力情報を得ることができる。従
って、主に半導体量産用スパッタリング装置において安
定稼働、歩留まり向上に大きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の内部構造を
概略的に示す図である。
概略的に示す図である。
【図２】周囲シールドを示す斜視図である。
【図３】周囲シールドの他の実施例を示す横断面図であ
る。
る。
【図４】図３に示した周囲シールドの縦断面図である。
【図５】周囲シールドの他の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図６】周囲シールドの他の実施例を示す縦断面図であ
る。
る。
【図７】従来のスパッタリング装置の内部構造を示す図
である。
である。
【図８】従来の他のスパッタリング装置の内部構造を示
す図である。
す図である。
１ 処理チャンバ ２ 基板ホルダ ３ 基板 ４ ターゲット ６ 周囲シールド ８ 排気機構 ９，１１ プロセスガス １０，１２ ガス導入機構 １３ 真空ゲージ １４ リング状通路 １４ａ，１７ａ 小孔 １５ 拡散板 １６ プラズマ放電空間 １７ 筒状通路
Claims (4)
- 【請求項１】 真空中でプラズマ放電を発生し基板の上
に薄膜を堆積するスパッタリング装置において、前記プ
ラズマ放電の発生空間を囲む筒型シールドを設け、この
筒型シールドの内周面にガス吹出し口を備えるプロセス
ガス導入機構を設けたことを特徴とするスパッタリング
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記筒型シールドの内部に前記プラズマ放電空間
を囲むリング状または筒状の通路を設け、この通路を前
記プロセスガス導入機構に接続しかつ前記通路に複数の
前記ガス吹出し口を形成したことを特徴とするスパッタ
リング装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記ガス吹出し口の前面にガス拡散手段を設けた
ことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のス
パッタリング装置において、前記シールドの内周面に導
入孔を有する圧力測定器を設けたことを特徴とするスパ
ッタリング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164127A JPH06346234A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | スパッタリング装置 |
| US08/249,271 US5470451A (en) | 1993-06-08 | 1994-05-25 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164127A JPH06346234A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06346234A true JPH06346234A (ja) | 1994-12-20 |
Family
ID=15787265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164127A Pending JPH06346234A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | スパッタリング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5470451A (ja) |
| JP (1) | JPH06346234A (ja) |
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