JPS5992520A - 気体電気化学反応装置 - Google Patents
気体電気化学反応装置Info
- Publication number
- JPS5992520A JPS5992520A JP20213482A JP20213482A JPS5992520A JP S5992520 A JPS5992520 A JP S5992520A JP 20213482 A JP20213482 A JP 20213482A JP 20213482 A JP20213482 A JP 20213482A JP S5992520 A JPS5992520 A JP S5992520A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- wafer
- reaction
- jar
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プラズマＯＶＤ装雪等のような気体電気化学
反応装置に関する。
反応装置に関する。
従来、プラズマ０ＶＤ装置として、第１図に示すようか
ものが提案されている。
ものが提案されている。
第１図において、反応室１内には平行平板電極２．３が
設けられ、下側の電極３はウェハ４を載許し得るように
構成されている。反応室１の両脇には真空予備室５．６
が隣接してそれぞれ配設嘔れておシ、反応室１と予備室
５．６との隔壁には扉体７および９を有する入口８と出
口ｉｏがそれぞれ開設されている。また、両予備室５．
６の天井壁にけ扉体１１および１３を有する搬入口１２
と排出口１４とがそれぞれ開設されている。なお、１５
け裏側波発振器である。
設けられ、下側の電極３はウェハ４を載許し得るように
構成されている。反応室１の両脇には真空予備室５．６
が隣接してそれぞれ配設嘔れておシ、反応室１と予備室
５．６との隔壁には扉体７および９を有する入口８と出
口ｉｏがそれぞれ開設されている。また、両予備室５．
６の天井壁にけ扉体１１および１３を有する搬入口１２
と排出口１４とがそれぞれ開設されている。なお、１５
け裏側波発振器である。
そして、ウェハ４は搬入口１２から搬入側予備室５に搬
入され、このウェハ４は予備室５が真空・になった後、
反応ｖＩＫ人口Ｂから投入して電極３上に載せられる。
入され、このウェハ４は予備室５が真空・になった後、
反応ｖＩＫ人口Ｂから投入して電極３上に載せられる。
反応ガスと平行平板電極２゜３によるプラズマにより気
体化学電気反応を起し、ウェハ４の表面にＯＶＤ膜が生
成されたら、ウェー・４はあらかじめ真空にな？れた搬
出側予備室６に出口ｌＯから取り出でれ、扉体９が閉塞
された後、搬出口１．４から外部へ搬出でれる。
体化学電気反応を起し、ウェハ４の表面にＯＶＤ膜が生
成されたら、ウェー・４はあらかじめ真空にな？れた搬
出側予備室６に出口ｌＯから取り出でれ、扉体９が閉塞
された後、搬出口１．４から外部へ搬出でれる。
しかしながら、このようなプラズマｏｖ：ｏ装置にあっ
ては、両脇に真空予備室を備えているので、反応室が中
空の直方体形状になり、このため、電極から反応Ｖの内
周までの距離が外周部において異なり、ウェハ上のＯＶ
Ｄ膜の生成が不均一になるという欠点がある。
ては、両脇に真空予備室を備えているので、反応室が中
空の直方体形状になり、このため、電極から反応Ｖの内
周までの距離が外周部において異なり、ウェハ上のＯＶ
Ｄ膜の生成が不均一になるという欠点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解決し、均一な
気体電気化学反応を得ることができる気体電気化学反応
装置を提供するにある。
気体電気化学反応を得ることができる気体電気化学反応
装置を提供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって費明する
。
。
第２図および第３図は本発明をプラズマ０ＶＤ装置に適
用した場合の一実施例を示す平断面図および側断面図で
あり、図中、第１図と回−の符号は同一の構成要素を示
している。
用した場合の一実施例を示す平断面図および側断面図で
あり、図中、第１図と回−の符号は同一の構成要素を示
している。
本実施例において、反応室１の内部には絶縁材料から形
成された筒状のインナベルジャ１６が設けられており、
このインナベルジャ１６は平行平板電極２．３の円形状
と相似形となす円筒形状に形成され、電極２．３と同心
円的に配されてこれを囲繞するようになっている。イン
ナベルジャ１６の下端は反応ｙｔの底壁を貫通して下方
に突出し、駆動装置（不図示）によシ上下動される支持
部材１７に支持これている。し九がって、インナベルジ
ャ１６は反応室１おＩび電極２．３に対し上下動され、
かつ支持部材１７等を介して電気的にアースされている
。
成された筒状のインナベルジャ１６が設けられており、
このインナベルジャ１６は平行平板電極２．３の円形状
と相似形となす円筒形状に形成され、電極２．３と同心
円的に配されてこれを囲繞するようになっている。イン
ナベルジャ１６の下端は反応ｙｔの底壁を貫通して下方
に突出し、駆動装置（不図示）によシ上下動される支持
部材１７に支持これている。し九がって、インナベルジ
ャ１６は反応室１おＩび電極２．３に対し上下動され、
かつ支持部材１７等を介して電気的にアースされている
。
次に作用を駅明する。
搬入側予備室５に搬入されているウニノー４全反応室１
に移し替えるとき、インナベルジャ１６は支持部材１７
を下降されることにニジ下側電極３の高さよりも低く位
置される。同時に、扉体７が下降して入口８が開かれ、
ウェハ４が入口８から反応室１内に移し替えられ、下側
電極３上に同心的に戦前される。
に移し替えるとき、インナベルジャ１６は支持部材１７
を下降されることにニジ下側電極３の高さよりも低く位
置される。同時に、扉体７が下降して入口８が開かれ、
ウェハ４が入口８から反応室１内に移し替えられ、下側
電極３上に同心的に戦前される。
ウェハ４が電極３に保持されると、インナベルジャ１６
は支持部材１７を上昇されることによシ両電極２．３の
外方を同心的に囲繞するように移動される。この状態で
、反応室１内に反応ガス（不図示）が導入され、かつ高
周波発振器１５によシ両電極２．３間に高周波電圧が印
加されると、両電極２．３間にプラズマが形成され、反
応ガスによるＯＶＤ反応が引き起されて、ウェハ４上に
ＣＶＤ膜が生成される。
は支持部材１７を上昇されることによシ両電極２．３の
外方を同心的に囲繞するように移動される。この状態で
、反応室１内に反応ガス（不図示）が導入され、かつ高
周波発振器１５によシ両電極２．３間に高周波電圧が印
加されると、両電極２．３間にプラズマが形成され、反
応ガスによるＯＶＤ反応が引き起されて、ウェハ４上に
ＣＶＤ膜が生成される。
このとき、反応室１の内部形状が中空直方体になってい
ても、両電極２．３の外方は円筒形状のインナベルジャ
１６で同心的に囲繞されているので、プラズマはウェハ
４の外周部において均等に発生する。円筒形状のインナ
ベルジャ１６が設備されない従来例の如き反応室の場合
、電極２または３における放電が反応室の内壁に影響さ
れるため、プラズマの形成は不均一になシ、その結果、
ウェハ上における０ＶＤＩＩ！ｉＩが不均一に生成これ
る。
ても、両電極２．３の外方は円筒形状のインナベルジャ
１６で同心的に囲繞されているので、プラズマはウェハ
４の外周部において均等に発生する。円筒形状のインナ
ベルジャ１６が設備されない従来例の如き反応室の場合
、電極２または３における放電が反応室の内壁に影響さ
れるため、プラズマの形成は不均一になシ、その結果、
ウェハ上における０ＶＤＩＩ！ｉＩが不均一に生成これ
る。
すなわち、中空直方体の反応室における４側管に対向す
る電極の外周部分は内壁に近いので、当該箇所の放電は
内壁の影響を強く少けるが、同反応♀における４隅に対
向する電極部分は内壁から遠くなるので、この箇所の放
電は内壁の影響が弱くなり、当該影響の相違によってプ
ラズマの形成が不均一になる。これに対し、本実施例で
は、電極２．３はインナベルジャ１６に囲繞嘔れて直方
体の反応ｖ１の内壁による放電への影響ヲ蓮断され、か
つ、インナベルジャ１６に同心円的に囲繞づれているた
め、電極２．３の円周部において放電は均等に起り均一
なプラズマが作り出づれる。
る電極の外周部分は内壁に近いので、当該箇所の放電は
内壁の影響を強く少けるが、同反応♀における４隅に対
向する電極部分は内壁から遠くなるので、この箇所の放
電は内壁の影響が弱くなり、当該影響の相違によってプ
ラズマの形成が不均一になる。これに対し、本実施例で
は、電極２．３はインナベルジャ１６に囲繞嘔れて直方
体の反応ｖ１の内壁による放電への影響ヲ蓮断され、か
つ、インナベルジャ１６に同心円的に囲繞づれているた
め、電極２．３の円周部において放電は均等に起り均一
なプラズマが作り出づれる。
ＣＶＤ膜が生成された後、ウェハ４を搬出側予備室６に
移し替えるとき、インナベルジャ１６は支持部材１７を
下降されることによシ下側電極３の高さよりも低く位置
される。同時に、扉体９が下降して出口１０が開かれ、
処理済ウニ・・４が出口１０から予備室６に移し替えら
れる。
移し替えるとき、インナベルジャ１６は支持部材１７を
下降されることによシ下側電極３の高さよりも低く位置
される。同時に、扉体９が下降して出口１０が開かれ、
処理済ウニ・・４が出口１０から予備室６に移し替えら
れる。
以降、前記作業を繰シ返えしてＣＶＤ膜生成処理が実施
される。がお、予備室の真空引きと反応室のＯＶＤ生成
、予備室から反応室への搬入と反応室から予備室への搬
出等は同時進行的如実施され、全体として一貫流れ処理
されるようになりでいる。
される。がお、予備室の真空引きと反応室のＯＶＤ生成
、予備室から反応室への搬入と反応室から予備室への搬
出等は同時進行的如実施され、全体として一貫流れ処理
されるようになりでいる。
本実施例によれば、平行平板電極によるプラズマはウェ
ハの外周部において全体的に均等に形成されるので、Ｏ
ＶＤ反応が全体的に均一に引き起され、ＣＶＤ膜がウェ
ハ上に均一に生成される。
ハの外周部において全体的に均等に形成されるので、Ｏ
ＶＤ反応が全体的に均一に引き起され、ＣＶＤ膜がウェ
ハ上に均一に生成される。
また、プラズマＣｖＤ反応はインナベルジャの内部での
み発生するから、反応室の内周壁にけＣＶＤ膜が生成さ
れず、それによる汚染が発生しない。インナベルジャは
円筒形状着脱が容易な構造であるため、汚染されて本清
浄化作業全容易、かつ確実に実旋することができる。こ
れに対し、従来のＩうに直方体の反応宰の清浄化作業は
困難であり、しかも４隅に汚染箇所が残り易く、事後の
ＯＶＤ生成に悪影響が生じる。
み発生するから、反応室の内周壁にけＣＶＤ膜が生成さ
れず、それによる汚染が発生しない。インナベルジャは
円筒形状着脱が容易な構造であるため、汚染されて本清
浄化作業全容易、かつ確実に実旋することができる。こ
れに対し、従来のＩうに直方体の反応宰の清浄化作業は
困難であり、しかも４隅に汚染箇所が残り易く、事後の
ＯＶＤ生成に悪影響が生じる。
真空予備室を備えているので、枚葉処理による一貫自動
化を同時進行処理により実乍的に実現することができる
。
化を同時進行処理により実乍的に実現することができる
。
力お、前記実施例では、真空予価Ｖを備えた場合につき
費明したが、本発明はこれを備えない反応室にも適用す
ることができる。（ｑし、予備室金偏えた反応基は中空
直方体に構築されるので、本発明による効果が皿著であ
る。
費明したが、本発明はこれを備えない反応室にも適用す
ることができる。（ｑし、予備室金偏えた反応基は中空
直方体に構築されるので、本発明による効果が皿著であ
る。
また、インナベルジャは円筒形状に形成するに限らず、
平行平板電極の外周形状と相似形の内周形状を有する筒
状に形成すればよい。さらに、インナベルジャは電極上
へのウェハ装置作業の妨げに力らない場合（例えば、ウ
ェハを天井壁から電極に＊置する場合）等には、電極お
よび反応室に相対的に上下動するように設けずに固定的
に設けてもよい。
平行平板電極の外周形状と相似形の内周形状を有する筒
状に形成すればよい。さらに、インナベルジャは電極上
へのウェハ装置作業の妨げに力らない場合（例えば、ウ
ェハを天井壁から電極に＊置する場合）等には、電極お
よび反応室に相対的に上下動するように設けずに固定的
に設けてもよい。
本発明はプラズマｏｗｎ装置に限らず、例えば、ドライ
エツチング装置等のような他の気体電気化学反応装置全
般に適用することができる。
エツチング装置等のような他の気体電気化学反応装置全
般に適用することができる。
以上Ｎ’Ｊ明したように、本発明によれば、全体に渡っ
て均一な気体電気化学反応を得ることができる。
て均一な気体電気化学反応を得ることができる。
第１図は従来例を示す側視図、
第２図および第３図は本発明の一実施例を示す平断面図
および正断面図である。 １・・・反応室、２．３・・・電極、４・・・ウェハ、
５゜６・・・真空予備室、８・・・入口、１ｏ・・・出
口、１６・・・インナベルジャ、１７・・・支持部材。 第 １ 図 第 ３ １
および正断面図である。 １・・・反応室、２．３・・・電極、４・・・ウェハ、
５゜６・・・真空予備室、８・・・入口、１ｏ・・・出
口、１６・・・インナベルジャ、１７・・・支持部材。 第 １ 図 第 ３ １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応室内に電極を備えた気体電気化学反応装置にお
いて、前記反応室内に前記電極の外形形状とほぼ相（Ｊ
、Ｉ形状の内周形状を持った筒状のインナベルジャ管設
けたことを特徴とする気体電気化学反応装置。 ２、 インナベルジャが、電極に対し筒心方向に相対移
動自在であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の気体電気化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20213482A JPS5992520A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 気体電気化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20213482A JPS5992520A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 気体電気化学反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992520A true JPS5992520A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16452519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20213482A Pending JPS5992520A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 気体電気化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125430A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| EP0878823A2 (en) * | 1997-04-02 | 1998-11-18 | Nec Corporation | Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method M |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20213482A patent/JPS5992520A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02125430A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| EP0878823A2 (en) * | 1997-04-02 | 1998-11-18 | Nec Corporation | Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method M |
| EP0878823A3 (en) * | 1997-04-02 | 2000-10-04 | Nec Corporation | Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method M |
| US6167836B1 (en) | 1997-04-02 | 2001-01-02 | Nec Corporation | Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus |
| US6432493B1 (en) | 1997-04-02 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| CN1117889C (zh) * | 1997-04-02 | 2003-08-13 | 日本电气株式会社 | 等离子体增强化学汽相淀积装置 |
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