JP2010073979A - 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板BとターゲットTとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板B上にターゲットTの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットTの表面から基板B側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の基板Bの面内方向のばらつきを±10V以内に調整して、成膜を行う。ターゲットTの表面から基板20側に2〜3cm離れた位置におけるガス圧力の基板Bの面内方向のばらつきを±1.5%以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。
【選択図】図1A
Description
上記例示したような系では、所望組成を得るために、逆スパッタされやすい元素の濃度を高めに設定したターゲットを用いるなどの工夫がなされている。
本発明は上記成膜方法により成膜され、面内方向の組成等の膜特性が高度に均一化された圧電体膜を提供することを目的とするものである。
前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の前記基板の面内方向のばらつきを±10V以内に調整して、前記成膜を行うことを特徴とするものである。
本発明者は、ガス圧力のばらつきを上記範囲内に調整することにより、プラズマ電位Vs(V)のばらつきを本発明の規定範囲内に調整することができることを見出している。
本発明は、前記膜が圧電体膜である場合に好ましく適用できる。
本発明は、前記膜が下記一般式(P)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電体膜である場合に好ましく適用できる。
一般式ABO3・・・(P)
(A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Mg,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,Ni,Hf,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
O:酸素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
本明細書において、「主成分」とは、含量80モル%以上の成分と定義する。
本発明は、前記膜が下記一般式(S)で表されるZn含有酸化物を含む場合に好ましく適用できる。
InxMyZnzO(x+3y/2+3z/2) ・・・(S)
(式中、MはIn,Fe,Ga,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。x,y,zはいずれも0超の実数である。)
内部に互いに対向配置された基板ホルダ及びターゲットホルダが装着された真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記真空容器内にプラズマ化させるガスを導入するガス導入手段とを備え、
プラズマを用いた気相成長法により基板上にターゲットの構成元素を含む膜を成膜する成膜装置において、
前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の前記基板の面内方向のばらつきが±10V以内に調整されていることを特徴とするものである。
前記真空容器内の前記基板ホルダと前記ターゲットホルダとの間に介挿され、内部に前記ガスが導入可能とされ、前記真空容器内に該ガスを噴出する複数のガス噴出口を有する環状のガス噴出部材と、
前記ガス噴出部材に接続され、前記真空容器の外部から前記ガス噴出部材内に前記ガスを供給するガス供給部材とを有するものが挙げられる。
本発明の圧電素子は、上記の本発明の圧電体膜と、該圧電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とするものである。
本発明によれば、上記成膜方法により成膜され、面内方向の組成等の膜特性が高度に均一化された圧電体膜を提供することができる。
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の成膜装置とこれを用いた成膜方法について説明する。図1Aは装置の全体構成を示す断面図、図1Bは基板B側から見たガス導入手段17等の平面図である。
本発明が適用可能な気相成長法としては、2極スパッタリング法、3極スパッタリング法、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法(RFスパッタリング法)、ECRスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、パルススパッタリング法、及びイオンビームスパッタリング法等のスパッタリング法が挙げられる。本発明が適用可能な気相成長法としては、スパッタリング法の他、イオンプレーティング法、及びプラズマCVD法等が挙げられる。本実施形態では高周波スパッタリング法(RFスパッタリング法)を例として説明する。
前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の前記基板の面内方向のばらつきを±10V以内に調整して、前記成膜を行うことを特徴とするものである。
本発明は、下記一般式(P)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電体膜の成膜に好ましく適用できる。
一般式ABO3・・・(P)
(A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Mg,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,Ni,Hf,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
O:酸素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、亜鉛ニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の鉛含有化合物、及びこれらの混晶系;
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム等の非鉛含有化合物、及びこれらの混晶系が挙げられる。
本発明は、下記一般式(S)で表されるZn含有酸化物を含む膜の成膜に好ましく適用できる。
InxMyZnzO(x+3y/2+3z/2) ・・・(S)
(式中、MはIn,Fe,Ga,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。x,y,zはいずれも0超の実数である。)
本発明者は、3インチφ以上、さらには6インチφ以上の基板に、逆スパッタリングが起こりやすい組成系の膜を成膜する場合にも、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化できることを確認している(後記実施例1,2を参照)。
図5を参照して、本発明に係る一実施形態の圧電素子及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図5はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
図6及び図7を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド4を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図6は装置全体図であり、図7は部分上面図である。
印字部102をなすヘッド4K,4C,4M,4Yが、各々上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド4である。
ロール紙を使用する装置では、図6のように、デカール処理部120の後段に裁断用のカッター128が設けられ、このカッターによってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター128は、記録紙116の搬送路幅以上の長さを有する固定刃128Aと、該固定刃128Aに沿って移動する丸刃128Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃128Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃128Bが配置される。カット紙を使用する装置では、カッター128は不要である。
吸着ベルト搬送部122により形成される用紙搬送路上において印字部102の上流側に、加熱ファン140が設けられている。加熱ファン140は、印字前の記録紙116に加熱空気を吹き付け、記録紙116を加熱する。印字直前に記録紙116を加熱しておくことにより、インクが着弾後に乾きやすくなる。
印字検出部124は、印字部102の打滴結果を撮像するラインセンサ等からなり、ラインセンサによって読み取った打滴画像からノズルの目詰まり等の吐出不良を検出する。
後乾燥部142の後段には、画像表面の光沢度を制御するために、加熱・加圧部144が設けられている。加熱・加圧部144では、画像面を加熱しながら、所定の表面凹凸形状を有する加圧ローラ145で画像面を加圧し、画像面に凹凸形状を転写する。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、適宜設計変更可能である。
3インチφのSOI基板上にスパッタリング法により、基板温度350℃の条件で20nm厚のTi膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。得られた基板上に、図1A及び図1Bに示した成膜装置を用いて、RFスパッタリング法により4μm厚のPZT圧電体膜を成膜した。真空容器10は内面が絶縁膜で覆われており、真空容器10の最内壁面10Sは電気的に絶縁状態であった。
ターゲット:Pb1.3(Zr0.52Ti0.48)O3(150mmφ)、
基板温度:475℃、
RFパワー:500W。
中心:Vs=35(V)、
中心から±4cmの位置:Vs=36(V)、
中心から±7cmの位置:Vs=37(V)。
実施例1と同様にして、3インチφのSOI基板上に20nm厚のTi膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。次いで、図2A及び図2Bに示した成膜装置を用いた以外は実施例1と同条件にて、PZT圧電体膜を成膜した。
中心:Vs=35(V)、
中心から±4cmの位置:Vs=36(V)、
中心から±7cmの位置:Vs=38(V)。
実施例1と同様にして、3インチφのSOI基板上に20nm厚のTi膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。次いで、ガス噴出部材15に対して単数のガス供給部材16が接続され、ガス噴出部材15に4個のガス噴出口15aが均等間隔に設けられた成膜装置を用いた以外は実施例1と同条件にて、PZT圧電体膜を成膜した。
中心:Vs=30(V)、
中心からガス供給部材16側に4cmの位置:Vs=26(V)、
中心からガス供給部材16の反対側に7cmの位置:Vs=42(V)。
実施例1と同様にして、3インチφのSOI基板上に20nm厚のTi膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。次いで、ガス噴出部材15に対して単数のガス供給部材16が接続され、ガス噴出部材15に8個のガス噴出口15aが均等間隔に設けられた成膜装置を用いた以外は実施例2と同条件にて、PZT圧電体膜を成膜した。
中心:Vs=32(V)、
中心からガス供給部材16側に4cmの位置:Vs=28(V)、
中心からガス供給部材16の反対側に7cmの位置:Vs=44(V)。
実施例1と同様にして、3インチφのSOI基板上に20nm厚のTi膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。次いで、真空容器の内面を接地電位とした成膜装置を用いた以外は実施例1と同条件にて、PZT圧電体膜を成膜した。
中心:Vs=36(V)、
中心から±10cmの位置:Vs=42(V)、
中心から±14cmの位置:Vs=48(V)。
10 真空容器
10S 真空容器の最内壁面
11 基板ホルダ
12 ターゲットホルダ(プラズマ電極)
13 高周波電源
14 プラズマ発生手段
15 環状のガス噴出部材
15a ガス噴出口
16 ガス供給部材
17 ガス導入手段
B 基板
T ターゲット
G ガス
2 圧電素子
4,4K,4C,4M,4Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
20 基板
30,50 電極
40 圧電体膜
Claims (17)
- 基板とターゲットとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により前記基板上に前記ターゲットの構成元素を含む膜を成膜する成膜方法において、
前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の前記基板の面内方向のばらつきを±10V以内に調整して、前記成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置におけるガス圧力の前記基板の面内方向のばらつきを±1.5%以内に調整して、前記成膜を行うことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記気相成長法はスパッタリング法であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記膜は圧電体膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記膜は下記一般式(P)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
一般式ABO3・・・(P)
(A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Mg,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,Ni,Hf,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含む。
O:酸素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。) - 前記膜は、前記一般式(P)で表され、かつAサイトがPb,Bi,及びBaからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素を含む1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物を含むことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記膜はZn含有化合物を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記膜は下記一般式(S)で表されるZn含有酸化物を含むことを特徴とする請求項7に記載の成膜方法。
InxMyZnzO(x+3y/2+3z/2) ・・・(S)
(式中、MはIn,Fe,Ga,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。x,y,zはいずれも0超の実数である。) - 内部に互いに対向配置された基板ホルダ及びターゲットホルダが装着された真空容器と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記真空容器内にプラズマ化させるガスを導入するガス導入手段とを備え、
プラズマを用いた気相成長法により基板上にターゲットの構成元素を含む膜を成膜する成膜装置において、
前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Vs(V)の前記基板の面内方向のばらつきが±10V以内に調整されていることを特徴とする成膜装置。 - 前記ターゲットの表面から前記基板側に2〜3cm離れた位置におけるガス圧力の前記基板の面内方向のばらつきが±1.5%以内に調整されていることを特徴とする請求項9に記載の成膜装置。
- 前記ガス導入手段は、
前記真空容器内の前記基板ホルダと前記ターゲットホルダとの間に介挿され、内部に前記ガスが導入可能とされ、前記真空容器内に該ガスを噴出する複数のガス噴出口を有する環状のガス噴出部材と、
前記ガス噴出部材に接続され、前記真空容器の外部から前記ガス噴出部材内に前記ガスを供給するガス供給部材とを有することを特徴とする請求項9又は10に記載の成膜装置。 - 前記ガス噴出部材に対して複数の前記ガス供給部材が均等間隔に接続されており、
かつ、前記ガス噴出部材に前記複数のガス噴出口が均等間隔に設けられていることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。 - 前記ガス噴出部材に対して単数の前記ガス供給部材が接続されており、
かつ、前記ガス噴出部材には、前記ガス供給部材から近い側は前記ガス噴出口の数が相対的に少なく、前記ガス供給部材から遠い側は前記ガス噴出口の数が相対的に多く設けられていることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。 - 前記真空容器の最内壁面が電気的に絶縁状態又はフローティング状態とされていることを特徴とする請求項9〜13のいずれかに記載の成膜装置。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたものであることを特徴とする圧電体膜。
- 請求項15に記載の圧電体膜と、該圧電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
- 請求項16に記載の圧電素子と、該圧電素子に隣接して設けられた液体吐出部材とを備え、該液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記圧電体膜に対する前記電界の印加に応じて該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口とを有することを特徴とする液体吐出装置。
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