JPH06318626A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06318626A JPH06318626A JP5105791A JP10579193A JPH06318626A JP H06318626 A JPH06318626 A JP H06318626A JP 5105791 A JP5105791 A JP 5105791A JP 10579193 A JP10579193 A JP 10579193A JP H06318626 A JPH06318626 A JP H06318626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- preliminary vacuum
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- prevent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】腐食性ガスを使用する半導体製造装置で、予備
真空室との間でウエーハを搬送する時に、予備真空室内
部に大気が混入し、装置内部に異物が混入することを防
ぎ、装置内部が腐食することを防ぐ。 【構成】予備真空室２と大気側との間でウエーハ５を搬
送する時、予備真空室２と大気側とを同圧力にした後、
バルブ４を開くと同時にバルブ６を開き、不活性ガスを
予備真空室２から大気側へ吹き出す。これにより、予備
真空室と大気側との間に不活性ガスの流れによる障壁を
作り、予備真空室２の内部に大気が混入することを防
ぎ、装置内部に異物が混入することを防ぐほか、装置内
部が腐食することを防ぐ。
真空室との間でウエーハを搬送する時に、予備真空室内
部に大気が混入し、装置内部に異物が混入することを防
ぎ、装置内部が腐食することを防ぐ。 【構成】予備真空室２と大気側との間でウエーハ５を搬
送する時、予備真空室２と大気側とを同圧力にした後、
バルブ４を開くと同時にバルブ６を開き、不活性ガスを
予備真空室２から大気側へ吹き出す。これにより、予備
真空室と大気側との間に不活性ガスの流れによる障壁を
作り、予備真空室２の内部に大気が混入することを防
ぎ、装置内部に異物が混入することを防ぐほか、装置内
部が腐食することを防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に真空室と予備真空室とを有し、腐食性ガスを使用す
る半導体製造装置に関する。
特に真空室と予備真空室とを有し、腐食性ガスを使用す
る半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体製造装置は図４に示
すように、真空室１と予備真空室２と、真空室１と予備
真空室２の間を閉開するバルブ３と、予備真空室と大気
側の間を閉開するバルブ４とを有している。ウエーハ５
を真空室１と予備真空室２との間で搬送する時、図５に
示す様に予備真空室２を真空室１と同圧力にし、バルブ
３を開き、ウエーハ５を移動する。ウエーハ５を予備真
空室２と大気側との間で搬送する時、図６に示すように
予備真空室２を大気側と同圧力にし、バルブ４を開き、
ウエーハ５を移動する。
すように、真空室１と予備真空室２と、真空室１と予備
真空室２の間を閉開するバルブ３と、予備真空室と大気
側の間を閉開するバルブ４とを有している。ウエーハ５
を真空室１と予備真空室２との間で搬送する時、図５に
示す様に予備真空室２を真空室１と同圧力にし、バルブ
３を開き、ウエーハ５を移動する。ウエーハ５を予備真
空室２と大気側との間で搬送する時、図６に示すように
予備真空室２を大気側と同圧力にし、バルブ４を開き、
ウエーハ５を移動する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体製造
装置では、予備真空室と大気側との間でウエーハを搬送
する時に予備真空室と大気側が同圧力となる為、予備真
空室内に大気が混入し、装置内部に異物が混入するほ
か、装置内部が腐食するといる問題点が有った。
装置では、予備真空室と大気側との間でウエーハを搬送
する時に予備真空室と大気側が同圧力となる為、予備真
空室内に大気が混入し、装置内部に異物が混入するほ
か、装置内部が腐食するといる問題点が有った。
【０００４】本発明の目的は、腐食性ガスを使用する半
導体製造装置で、予備真空室と大気側との間でウエーハ
を搬送する時に、予備真空室内部に大気が混入し、装置
内部に異物が混入することを防ぎ、装置内部が腐食する
ことを防ぐことにある。
導体製造装置で、予備真空室と大気側との間でウエーハ
を搬送する時に、予備真空室内部に大気が混入し、装置
内部に異物が混入することを防ぎ、装置内部が腐食する
ことを防ぐことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、予備真空室と大気側との間でウエーハを搬送する時
に予備真空室内に不活性ガスを流し、予備真空室内部を
大気側に対してつねに、高圧に保つ機能を備えている。
は、予備真空室と大気側との間でウエーハを搬送する時
に予備真空室内に不活性ガスを流し、予備真空室内部を
大気側に対してつねに、高圧に保つ機能を備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体製造装置の断面図
である。ウエーハ５を予備真空室２と大気側との間で搬
送する時、予備真空室２を不活性ガスにより大気側と同
圧力にした後、バルブ４を開くと同時にバルブ６を開
き、予備真空室２の内部に不活性ガスを流す。これによ
り、予備真空室２を大気側より高圧にし、予備真空室２
の内部に大気が混入することを防ぐ。
る。図１は本発明の一実施例の半導体製造装置の断面図
である。ウエーハ５を予備真空室２と大気側との間で搬
送する時、予備真空室２を不活性ガスにより大気側と同
圧力にした後、バルブ４を開くと同時にバルブ６を開
き、予備真空室２の内部に不活性ガスを流す。これによ
り、予備真空室２を大気側より高圧にし、予備真空室２
の内部に大気が混入することを防ぐ。
【０００７】図２は本発明の他の実施例の半導体製造装
置の断面図である。図２では予備真空室２の内部に不活
性ガスを流すノズル７、ノズル８を備え、不活性ガスを
予備真空室２から大気側へ吹き出す。これにより予備真
空室２と大気側との間に不活性ガスの流れによる障壁を
作り、予備真空室２の内部に大気が混入することを防
ぐ。
置の断面図である。図２では予備真空室２の内部に不活
性ガスを流すノズル７、ノズル８を備え、不活性ガスを
予備真空室２から大気側へ吹き出す。これにより予備真
空室２と大気側との間に不活性ガスの流れによる障壁を
作り、予備真空室２の内部に大気が混入することを防
ぐ。
【０００８】図３は本発明の実施例と従来の装置を実用
したとき装置内部の腐食の発生する期間を示したもの
で、本実施例では大幅に改善されていることを示してい
る。
したとき装置内部の腐食の発生する期間を示したもの
で、本実施例では大幅に改善されていることを示してい
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明による半導体
製造装置は予備真空室内に不活性ガスを流す機能を備え
ている。これにより、予備真空室と大気側との間でウエ
ーハを搬送する時に予備真空室内に大気が混入すること
を防ぎ、装置内部が腐食することを防ぐという効果を有
する。
製造装置は予備真空室内に不活性ガスを流す機能を備え
ている。これにより、予備真空室と大気側との間でウエ
ーハを搬送する時に予備真空室内に大気が混入すること
を防ぎ、装置内部が腐食することを防ぐという効果を有
する。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の断面図である。
【図３】本発明の効果を示すグラフである。
【図４】従来の半導体製造装置の一例の断面図である。
【図５】図４に示す従来の半導体製造装置で真空室と予
備真空室との間でウエーハを搬送する時の断面図であ
る。
備真空室との間でウエーハを搬送する時の断面図であ
る。
【図６】図４に示す従来の半導体製造装置で予備真空室
と大気側との間でウエーハを搬送する時の断面図であ
る。
と大気側との間でウエーハを搬送する時の断面図であ
る。
１ 真空室 ２ 予備真空室 ３，４ バルブ ５ ウエーハ ６，７ ノズル
Claims (2)
- 【請求項１】 真空室と予備真空室とを有し、腐食性ガ
スを使用する半導体製造装置において、予備真空室と大
気側との間でウェーハを搬送する時に、予備真空室内部
に不活性ガスを流し、予備真空室内部を大気側に対して
恒に高圧に保つ機能を備えることを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項２】 前記予備真空室が、不活性ガスを予備真
空室内部から外側に向かって流すノズルを備えたことを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5105791A JPH06318626A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5105791A JPH06318626A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318626A true JPH06318626A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14416962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5105791A Withdrawn JPH06318626A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223719A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 |
| JPH11345859A (ja) * | 1998-04-04 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| WO2001073825A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, appareil et procede servant a transferer une tranche, puce et son procede de fabrication |
| CN109560010A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP5105791A patent/JPH06318626A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223719A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-08-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 |
| JPH11345859A (ja) * | 1998-04-04 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| JP4533462B2 (ja) * | 1998-04-04 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
| WO2001073825A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | Dispositif d'alignement, appareil et procede servant a transferer une tranche, puce et son procede de fabrication |
| CN109560010A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
| JP2019062194A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム |
| CN109560010B (zh) * | 2017-09-26 | 2022-12-16 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |