JPH05160041A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH05160041A JPH05160041A JP32328091A JP32328091A JPH05160041A JP H05160041 A JPH05160041 A JP H05160041A JP 32328091 A JP32328091 A JP 32328091A JP 32328091 A JP32328091 A JP 32328091A JP H05160041 A JPH05160041 A JP H05160041A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- flakes
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の反応室内で発生したフレーク
が当該反応室内の一部分のみに集中して付着することを
防止すると共に、パーティクルの発生を防止した半導体
製造装置を提供する。 【構成】半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置２０
の反応室１の半導体基板入口３及び出口４の反応室側の
周辺部に、丸みを設けるか、又は面取りした。
が当該反応室内の一部分のみに集中して付着することを
防止すると共に、パーティクルの発生を防止した半導体
製造装置を提供する。 【構成】半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置２０
の反応室１の半導体基板入口３及び出口４の反応室側の
周辺部に、丸みを設けるか、又は面取りした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特に、成膜時の半導体基板上にパーティクルが付着
することを防止する半導体製造装置に関する。
り、特に、成膜時の半導体基板上にパーティクルが付着
することを防止する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、半導体基板上に成膜を行
うＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置、真空蒸着装置、スパッタ装置等の半
導体製造装置内には、成膜時に常に白いフレークが発生
する。このフレークは、前記半導体製造装置の反応室の
半導体基板入口及び出口の角ばった周辺（四隅）部分に
多く付着する。このように、前記フレークが一部分に大
量に付着すると、この部分から当該フレークが剥がれ、
成膜時の半導体基板上に落下するという問題があった。
うＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）装置、真空蒸着装置、スパッタ装置等の半
導体製造装置内には、成膜時に常に白いフレークが発生
する。このフレークは、前記半導体製造装置の反応室の
半導体基板入口及び出口の角ばった周辺（四隅）部分に
多く付着する。このように、前記フレークが一部分に大
量に付着すると、この部分から当該フレークが剥がれ、
成膜時の半導体基板上に落下するという問題があった。
【０００３】また、特に、前記半導体製造装置、例え
ば、常圧ＣＶＤ装置の反応室に半導体基板を搬入又は搬
出する際、半導体基板出入口のゲート部を開くが、前記
反応室内部では、成膜に際して例えば、Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ
3 等の毒ガスを使用しているため、当該反応室内部の気
圧を大気圧より負圧にしている。従って、前記ゲートを
開いた際に、大気が前記反応室内部に流入するため、こ
の流入した大気が、流体力学的に前記半導体基板出入口
の角ばった周辺部分で急激な拡大流を起こし、大気の渦
が発生する。このため、前記角ばった周辺部分に付着し
ていたフレークが舞い上がり、パーティクルとして半導
体基板上に付着するという問題があった。
ば、常圧ＣＶＤ装置の反応室に半導体基板を搬入又は搬
出する際、半導体基板出入口のゲート部を開くが、前記
反応室内部では、成膜に際して例えば、Ｂ2 Ｈ6 ，ＰＨ
3 等の毒ガスを使用しているため、当該反応室内部の気
圧を大気圧より負圧にしている。従って、前記ゲートを
開いた際に、大気が前記反応室内部に流入するため、こ
の流入した大気が、流体力学的に前記半導体基板出入口
の角ばった周辺部分で急激な拡大流を起こし、大気の渦
が発生する。このため、前記角ばった周辺部分に付着し
ていたフレークが舞い上がり、パーティクルとして半導
体基板上に付着するという問題があった。
【０００４】そして、成膜時の半導体基板上に前記パー
ティクルが付着すると必要な成膜が行えず、半導体装置
の信頼性が低下し、また、当該パーティクルが付着した
まま成膜されると、この部分の膜が剥がれてピンホール
等が発生し、半導体装置に支承を来すという問題があっ
た。
ティクルが付着すると必要な成膜が行えず、半導体装置
の信頼性が低下し、また、当該パーティクルが付着した
まま成膜されると、この部分の膜が剥がれてピンホール
等が発生し、半導体装置に支承を来すという問題があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記入口及び出口の反
応室側の周辺部の角ばった部分は、フレークが付着し易
く、且つ、剥離し易いが、従来の半導体製造装置は、前
記問題を解決するための考慮が何もなされていなかっ
た。本発明は、このような問題を解決することを課題と
するものであり、前記半導体製造装置の反応室内で発生
したフレークが当該反応室内の一部分のみに集中して付
着することを防止すると共に、パーティクルの発生を防
止した半導体製造装置を提供することを目的とするもの
である。
応室側の周辺部の角ばった部分は、フレークが付着し易
く、且つ、剥離し易いが、従来の半導体製造装置は、前
記問題を解決するための考慮が何もなされていなかっ
た。本発明は、このような問題を解決することを課題と
するものであり、前記半導体製造装置の反応室内で発生
したフレークが当該反応室内の一部分のみに集中して付
着することを防止すると共に、パーティクルの発生を防
止した半導体製造装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上に成膜を行う半導体製造装
置において、半導体基板の入口及び出口の反応室側の周
辺部の形状に、丸みを設けるか又は面取りしたことを特
徴とする半導体製造装置を提供するものである。
に、本発明は、半導体基板上に成膜を行う半導体製造装
置において、半導体基板の入口及び出口の反応室側の周
辺部の形状に、丸みを設けるか又は面取りしたことを特
徴とする半導体製造装置を提供するものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、半導体製造装置の半導体基板
の入口及び出口の反応室側の周辺部の形状に、丸みを設
けるか、又は面取りしたことで、当該半導体製造装置の
反応室内で発生したフレークが付着し易く剥がれやすい
角ばった部分を無くすことができる。従って、前記反応
室内の特定な一部分に、前記フレークが集中して付着す
ることがないため、当該反応室内に付着しているフレー
クが、半導体基板上に剥がれ落ちる確率を低下すること
ができる。また、前記出入口の角ばった部分を無くすこ
とで、前記半導体基板の出入口のゲート部を開いた際に
流入する大気により生じる急激な拡大流の発生を防止す
ることができるため、パーティクルの発生を防止するこ
ともできる。
の入口及び出口の反応室側の周辺部の形状に、丸みを設
けるか、又は面取りしたことで、当該半導体製造装置の
反応室内で発生したフレークが付着し易く剥がれやすい
角ばった部分を無くすことができる。従って、前記反応
室内の特定な一部分に、前記フレークが集中して付着す
ることがないため、当該反応室内に付着しているフレー
クが、半導体基板上に剥がれ落ちる確率を低下すること
ができる。また、前記出入口の角ばった部分を無くすこ
とで、前記半導体基板の出入口のゲート部を開いた際に
流入する大気により生じる急激な拡大流の発生を防止す
ることができるため、パーティクルの発生を防止するこ
ともできる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明に係る実施例について、図面を
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体製造装置（常圧ＣＶＤ装置）の構成図、図２は、図１
に示す半導体製造装置の半導体基板入口付近の一部拡大
断面図である。
参照して説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導
体製造装置（常圧ＣＶＤ装置）の構成図、図２は、図１
に示す半導体製造装置の半導体基板入口付近の一部拡大
断面図である。
【０００９】図１ないし図３に、２０で示す半導体製造
装置の反応室１は、その内部に半導体基板を載置する試
料台２が設置され、一方の側面に半導体基板入口３が、
他方の側面に半導体基板出口４が開口されている。この
半導体基板入口３及び半導体基板出口４の形状は、特に
図２に示すように、反応室側の入口及び出口の周辺部
は、丸みが設けられている。
装置の反応室１は、その内部に半導体基板を載置する試
料台２が設置され、一方の側面に半導体基板入口３が、
他方の側面に半導体基板出口４が開口されている。この
半導体基板入口３及び半導体基板出口４の形状は、特に
図２に示すように、反応室側の入口及び出口の周辺部
は、丸みが設けられている。
【００１０】そして、前記反応室１の半導体基板入口３
に、ゲート弁５が設置されている。また、半導体製造装
置２０の入口側には、当該半導体製造装置に半導体基板
を搬入する公知のセンダー７が並設されている。一方、
前記反応室１の半導体基板出口４にも前記半導体基板入
口３と同様に、ゲート弁６が設置されている。また、半
導体製造装置２０の出口側には、当該半導体製造装置２
０から搬出された半導体基板を受け取る公知のレシーバ
ー８が並設されている。
に、ゲート弁５が設置されている。また、半導体製造装
置２０の入口側には、当該半導体製造装置に半導体基板
を搬入する公知のセンダー７が並設されている。一方、
前記反応室１の半導体基板出口４にも前記半導体基板入
口３と同様に、ゲート弁６が設置されている。また、半
導体製造装置２０の出口側には、当該半導体製造装置２
０から搬出された半導体基板を受け取る公知のレシーバ
ー８が並設されている。
【００１１】次に、本発明の実施例に係る半導体製造装
置２０を使用して、半導体基板上に成膜を行う方法につ
いて説明する。先ず、半導体製造装置２０の入口側のゲ
ート弁５を開け、センダー７から搬出された半導体基板
を反応室１内の試料台２上に半導体基板を搬送し、ゲー
ト弁５を閉めた後、反応室１内に所望のガスを導入して
半導体基板上に成膜を行う。この時、反応室１内には、
白いフレークが発生する。このフレークは、通常、半導
体基板入口３及び出口４の反応室１側の角ばった周辺部
分に集中的に多く付着する性質を有しているが、本実施
例に係る半導体製造装置２０の半導体基板入口３及び出
口４の周辺部分は、丸みが設けられているため、この部
分にフレークが集中して付着することがない。従って、
この部分から当該フレークが剥がれ、成膜時の半導体基
板上に落下することを防ぐことができる。
置２０を使用して、半導体基板上に成膜を行う方法につ
いて説明する。先ず、半導体製造装置２０の入口側のゲ
ート弁５を開け、センダー７から搬出された半導体基板
を反応室１内の試料台２上に半導体基板を搬送し、ゲー
ト弁５を閉めた後、反応室１内に所望のガスを導入して
半導体基板上に成膜を行う。この時、反応室１内には、
白いフレークが発生する。このフレークは、通常、半導
体基板入口３及び出口４の反応室１側の角ばった周辺部
分に集中的に多く付着する性質を有しているが、本実施
例に係る半導体製造装置２０の半導体基板入口３及び出
口４の周辺部分は、丸みが設けられているため、この部
分にフレークが集中して付着することがない。従って、
この部分から当該フレークが剥がれ、成膜時の半導体基
板上に落下することを防ぐことができる。
【００１２】前記成膜終了後、半導体基板出口４のゲー
ト弁６を開け、反応室１から半導体基板を搬出し、当該
ゲート弁６を閉める。ここで、半導体基板出口４の周辺
部分は、丸みが設けられているため、大気が反応室１の
内部に流入し、当該大気により生じる急激な流入の発生
が生じても、フレークの剥離を防止することができる。
従って、パーティクルの発生を防止することができる。
ト弁６を開け、反応室１から半導体基板を搬出し、当該
ゲート弁６を閉める。ここで、半導体基板出口４の周辺
部分は、丸みが設けられているため、大気が反応室１の
内部に流入し、当該大気により生じる急激な流入の発生
が生じても、フレークの剥離を防止することができる。
従って、パーティクルの発生を防止することができる。
【００１３】次いで、ゲート弁６を開け、レシーバー８
に半導体基板を搬出する。このようにして、ピンホール
や成膜むらが無く、信頼性の高い膜を形成することがで
きた。尚、本実施例では、半導体基板入口３及び出口４
の周辺部に丸みを設けたが、これに限らず、図３に示す
ように、前記周辺部に面取りを行ってもよい。
に半導体基板を搬出する。このようにして、ピンホール
や成膜むらが無く、信頼性の高い膜を形成することがで
きた。尚、本実施例では、半導体基板入口３及び出口４
の周辺部に丸みを設けたが、これに限らず、図３に示す
ように、前記周辺部に面取りを行ってもよい。
【００１４】また、本発明に係る半導体基板入口３及び
出口４の形状は、本実施例では、常圧ＣＶＤ装置で示し
たが、例えば、減圧ＣＶＤ装置、真空蒸着装置、スパッ
タ装置等、半導体基板上に成膜を行うための半導体製造
装置であれば応用可能であることは勿論である。
出口４の形状は、本実施例では、常圧ＣＶＤ装置で示し
たが、例えば、減圧ＣＶＤ装置、真空蒸着装置、スパッ
タ装置等、半導体基板上に成膜を行うための半導体製造
装置であれば応用可能であることは勿論である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置の半導体基板の入口及び出口の反応室側
の周辺部の形状に、丸みを設けるか、又は面取りしたこ
とで、前記反応室内の特定な一部分にフレークが集中し
て付着したり、当該反応室内に付着しているフレーク
が、半導体基板上に剥がれ落ちる確率を低下することが
できる。さらに、前記半導体基板の出入口のゲート部を
開いた際に流入する大気により生じる急激な拡大流の発
生を防止することもできるため、パーティクルの発生を
防止することができる。従って、ピンホールや成膜むら
が無く、信頼性の高い膜を簡単に形成することができ
る。
半導体製造装置の半導体基板の入口及び出口の反応室側
の周辺部の形状に、丸みを設けるか、又は面取りしたこ
とで、前記反応室内の特定な一部分にフレークが集中し
て付着したり、当該反応室内に付着しているフレーク
が、半導体基板上に剥がれ落ちる確率を低下することが
できる。さらに、前記半導体基板の出入口のゲート部を
開いた際に流入する大気により生じる急激な拡大流の発
生を防止することもできるため、パーティクルの発生を
防止することができる。従って、ピンホールや成膜むら
が無く、信頼性の高い膜を簡単に形成することができ
る。
【図１】本発明の実施例に係る半導体製造装置の構成図
である。
である。
【図２】図１に示す半導体製造装置の半導体基板入口付
近の一部拡大断面図である。
近の一部拡大断面図である。
【図３】本発明の他実施例に係る半導体基板入口及び出
口の形状を示す図である。
口の形状を示す図である。
１ 反応室 ２ 試料台 ３ 半導体基板入口 ４ 半導体基板出口 ５ ゲート弁 ６ ゲート弁 ７ センダー ８ レシーバー ２０ 半導体製造装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に成膜を行う半導体製造装
置において、 半導体基板の入口及び出口の反応室側の周辺部の形状
に、丸みを設けるか又は面取りしたことを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32328091A JPH05160041A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32328091A JPH05160041A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160041A true JPH05160041A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18153028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32328091A Pending JPH05160041A (ja) | 1991-12-06 | 1991-12-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09160255A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化装置 |
-
1991
- 1991-12-06 JP JP32328091A patent/JPH05160041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09160255A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 密着強化装置 |
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