JPS62106628A

JPS62106628A - 真空処理装置

Info

Publication number: JPS62106628A
Application number: JP24665785A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kobayashi; 孝一小林
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1985-11-01
Filing date: 1985-11-01
Publication date: 1987-05-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［概要コ真空処理装置の内部で、被処理体が非処理状態にある場
合は、絶えずカバーが被覆されるように構成する。そう
すると、被処理体の表面を清浄に保てる。

［産業上の利用分野］本発明は真空処理装置に係り、真空中あるいは減圧中に
おいてウェハーやマスク基板などを処理する真空処理装
置の改善に関する。

ＩＣなどの半導体装置を製造する際、ウェハーやマスク
基板の表面に化学気相成長（ＣＶＤ）法や蒸着法、スパ
ッタ法で被膜を被着したり、ウェハーの表面をドライエ
ツチング法でエツチングしたり、あるいは、電子ビーム
露光やイオン注入をおこなう場合には、真空処理装置が
使用されている。

従って、この真空処理装置による処理はＩＣの品質や歩
留に極めて大きな影響を与えており、その改善には絶え
ず留意しなければならない。

［従来の技術］第４図は従来の真空処理装置の一例として、イオン注入
装置の処理部の概要断面図を示しており、周知のように
、イオン注入は半導体基板（ウェハー）に不純物イオン
を注入して、異種導電型領域などを形成する方法で、ｒ
ｃの製造には極めて重要な処理工程である。

第４図において、１は主処理室（メインチャンバ）、２
は予（ｆａ室（ハソファチャンバ）、３．４ハ開閉バル
ブ（ロートロック）、５はウェハーＷを保持したトレイ
である。図にはイオン注入の主機構部を示していないが
、それは主処理室１の上部に設けられている。

今、トレイ５上のウェハーＷを１枚ずつイオン注入処理
をする場合、開閉バルブ３を開けて予備室２のホルダー
２１の上にウェハーＷを載せ、開閉バルブ３を閉じる。

次いで、排気弁２２を開いて真空排気すると、予備室２
が真空状態になる。一方、主処理室１は絶えず排気弁１
１を開けて排気し、真空状態（真空度１Ｏ−６Ｔｏｒｒ
以上）に維持されている。

従って、予備室２が所定の真空度に達すると、開閉バル
ブ４を開けて主処理室１のステージ１２の上にホルダー
２１と共にウェハーＷを送入する。　しかる後、主処理
室１においてイオン注入処理を行い、その処理を終える
と、開閉バルブ４を開けて予備室２にホルダー２１と共
にウェハーＷを送出する。次いで、開閉バルブ４を閉じ
た後、予備室２にはリーク弁２３を開いて、ガス（また
は空気）を流入して大気圧にする。そしＣ１開閉バルブ
３を開いてトレイ５にウェハーＷを戻す。

このよう、な操作を繰り換えして、従来はウェハーＷの
イオン注入処理がおこなわれている。

［発明が解決しよ・うとする問題点コところで、上記のように、真空処理装置にウェハー（被
処理体）を出入させる場合は、通常、予備室を設けて、
その室内を大気圧にしたり、真空にしたりする状態を繰
り換えしている。そのため、その予備室内の状態変化に
ウェハー表面は直接曝されことになる。

従って、排気の初期やリークの初期に、室内や排気系、
リーク系のゴミが舞い上がって、肝心のウェハー表面に
ゴミが付着すると云う不具合が起こり、ＩＣの品質や歩
留に著しい悪影響を与える。

本発明はこのような欠点を軽減させて、ＩＣの品質・歩
留を良くする真空処理装置を提案するものである。

［問題点を解決するだめの手段Ｊその問題は、真空中または減圧中で被処理体を処理する
真空処理装置の内部において、前記被処理体が非処理状
態にある時、絶えず該被処理体にカバーが被覆されるよ
うに構成した真空処理装置によって解決される。

［作用」即ち、本発明は、真空処理装置の内部において、できる
だけ被処理体（ウェハー）にカバーが被覆されるように
構成する。そうすると、被処理体の表面に付着するゴミ
が減少して、品質や歩留が改善される。

［実施例コ以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。

第１図は本発明にかかる真空処理装置の一例として、第
４図と同じく、イオン注入装置の処理部の概要断面図を
示している。第４図と同じ部材には同じ記号が付けてあ
り、その他の部材のうち、６はカバー、７はカバーの上
下機構である。そうして、排気の初期やリークの初期時
には、図示のように、カバー６をウェハーＷの上に被覆
しておく。

次に、この処理装置の操作を順を追って説明すると、ま
ず、開閉バルブ３を開けて予備室２のホルダー２１の上
にウェハーＷを載せ、開閉バルブ３を閉じる。次いで、
上下機構７を動作させて、カバー６をウェハーＷの上に
被覆した後、排気弁２２を開いて真空排気する。次いで
、予備室２が真空状態になると、再び上下機構７を動作
させて、カバー６をウェハーＷの上から取り除き、次に
、開閉バルブ４を開けて主処理室１のステージ１２の上
にホルダー２１と共にウェハーＷを送入する。

そうして、主処理室１においてイオン注入処理を終える
と、開閉バルブ４を開けて予備室２にホルダー２１と共
にウェハーＷを送出する。次いで、上下機構７を動作さ
せて、カバー６をウェハーＷの上に被覆し、開閉バルブ
４を閉じた後、予備室２のリーク弁２３を開いて、ガス
（または空気）を予備室２に流入させて、その内部を大
気圧にする。

そうした後、上下機構７を動作させて、カバー６をウェ
ハーＷの上から取り除き、次に、開閉バルブ３を開いて
トレイ５にウェハーＷを戻す。尚、これらのウェハーＷ
の移動動作は移動ベルト（図示せず）などによって、自
動的に行なわれる。

このような操作をすれば、排気の初期やリークの初期に
は、常時、カバー６がウェハーＷ上に被覆されており、
ウェハー表面へのゴミの付着を著しく減少させることか
できる。

上記は一実施例であるが、その他、トレイ５から予備室
２にウェハーＷを送入する前に、ホルダー２１上のウェ
ハーＷにカバー６を被覆しておいて、それを予備室２に
送入する方法を採ってもよい。

即ち、常にホルダー２１と一緒にウェハーＷを動かすも
ので、予備室の上下機構は一回の着脱だけを行なう方法
である。尚、予備室の設けてない処理装置では、主処理
室において上記のようなカバーの着脱が必要である。

次に、第２図（ａｌおよび（ｌ〕）は本発明にかかるカ
バーの一実施例の斜視図と断面図である。カバー６の底
面にはバッキング６１を貼付しており、６２はガスを流
出入させるフィルタである。

第３図（ａｌ、　（ｂｌは他の実施例のカバーの断面図
を示しており、同図（ａ）はバッキング６１の代わりに
０リング６３を用いており、又、フィルタ６２の代わり
に細孔６４を設けたものである。このようなフィルタ６
２や細孔６３はカバーの上面に設けても良い。第３図（
ｂ）はフィルタ６２と排気弁６５を併用したカバーを示
し、カバー内部の排気が迅速に行われる構造である。

カバー材料はニッケルやステンレス鋼のような金属を使
用し、絶縁体はゴミを付着し易いから好ましくない。且
つ、ニッケルのような強磁性体は上下機構に磁力が利用
できるから好都合である。

また、電子ビーム露光やイオンビーム露光のように磁界
の影響を避けたい場合には、非磁性体が望ましい。

尚、上記の例は円形のカバーで説明しているが、マスク
基板のカバーには方形カバーが良く、また、被処理体の
上面にカバーを載置する、所謂、被処理体の主要面のみ
カバーで覆う方法を採っても良い。

［発明の効果］以上の実施例の説明から明らかなように、本発明にかか
る真空処理装置によれば、ＩＣの品質・歩留が向上する
大きな効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる一実施例の真空処理装置の概要
断面図、第２図（ａｌ、　（ｂ）はそのカバーの斜視図と断面図
、第３図（ａ）、　（ｂ）は他の例のカバーの断面図、
第４図は従来の真空処理装置の概要断面図である。図において、１は主処理室、　　　　　２は予備室、３．４は開閉バ
ルブ、　　５はトレイ、６はカバー、　　　　　　７は
その上下機構、２１はホルダー、　　　　１１．２２は
排気弁、２３はリーク弁、　　　　Ｗはウェハー６１は
カバーのバッキング、６２はカバーのフィルタ、６３はカバーの０リング、６
４はカバーの細孔、　　６５はカバーの排気弁を示して
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Claims

【特許請求の範囲】

真空中または減圧中で被処理体を処理する真空処理装置
の内部において、前記被処理体が非処理状態にある時、
絶えず該被処理体にカバーが被覆されるように構成した
ことを特徴とする真空処理装置。