JPS5984527A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS5984527A JPS5984527A JP19554882A JP19554882A JPS5984527A JP S5984527 A JPS5984527 A JP S5984527A JP 19554882 A JP19554882 A JP 19554882A JP 19554882 A JP19554882 A JP 19554882A JP S5984527 A JPS5984527 A JP S5984527A
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- JP
- Japan
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- cup
- lower electrode
- wafers
- wafer
- etching
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特に半導体製造に使用されるプラズマエツ
チング装置に関するものである。
チング装置に関するものである。
従来、パターンニングが完了し九半導体基板（以下ウェ
ハースと呼ぶ）を数枚１度に選択エツチングするプラズ
マエツチング装置において、電界のかかり方やエツチン
グガスの流れ方等に影響されるエツチングのできばえは
処理室内雰囲気の不均一さのため必ずしも満足のいくも
のではなかった。
ハースと呼ぶ）を数枚１度に選択エツチングするプラズ
マエツチング装置において、電界のかかり方やエツチン
グガスの流れ方等に影響されるエツチングのできばえは
処理室内雰囲気の不均一さのため必ずしも満足のいくも
のではなかった。
具体的にはウェハース周辺部でのエツチング残りや、オ
ーバーエッチ等の不良が発生することがあった。
ーバーエッチ等の不良が発生することがあった。
この発明の目的は、ウェハース内及びウェハース間のエ
ツチングの均一性が良いプラズマエツチング装置を提供
することＫある。
ツチングの均一性が良いプラズマエツチング装置を提供
することＫある。
この発明のプラズマエツチング装置は、具体的にはウェ
ハースを載せる下部電極の内に回転機構を有するウェハ
ースとほぼ同じ大きさの円形のカップを有し、エツチン
グ中にカップに載ったウェハースが各々回転することを
特徴とするものである。
ハースを載せる下部電極の内に回転機構を有するウェハ
ースとほぼ同じ大きさの円形のカップを有し、エツチン
グ中にカップに載ったウェハースが各々回転することを
特徴とするものである。
したがってこの発明のプラズマエツチング装置は回転す
る下部電極の上に載ったウェハースが各々独自に回転す
るので、いわけ自転と公転が同時に起こっているので、
ウェハース内及びウェハース間の均一性が改善されるこ
とが期待される。
る下部電極の上に載ったウェハースが各々独自に回転す
るので、いわけ自転と公転が同時に起こっているので、
ウェハース内及びウェハース間の均一性が改善されるこ
とが期待される。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。第１
図はこの発明の一実施例全説明するための平行平板型プ
ラズマエツチング装置の断面図である。この実施例のプ
ラズマエツチング装置は下部電極３の中に組み込まれた
ウェハース１をセットする回転機能をもったカップ２を
有することを特徴とするものである。上部電極４は処理
室の７り８から数ｃｍの間隔をおいて取り付けられてお
り。
図はこの発明の一実施例全説明するための平行平板型プ
ラズマエツチング装置の断面図である。この実施例のプ
ラズマエツチング装置は下部電極３の中に組み込まれた
ウェハース１をセットする回転機能をもったカップ２を
有することを特徴とするものである。上部電極４は処理
室の７り８から数ｃｍの間隔をおいて取り付けられてお
り。
また上部電極４は接地されている。処理室を密封した後
エツチングガスをガス導入口５より導入し下部電極３に
高周波電界を印加すると１両ＩＩ極間にプラズマが発生
しウェハース１のエツチング行なわれる。この際、下部
電極３が回転するとともに、下部電極３に組み込まれた
カップ２が下部電極と独立に回転する。すなわち、ウェ
ハースｌは自転と公転を同時に行なっていることになる
。カップ２にはそれぞれ冷却水用の配管７が施してあり
ウェハース１０表面温度上昇を抑えるようになっている
。ガス導入口５には数本の配管が施されエツチングガス
ベント用窒素ガス及び処理室内クリーニング用ガスの導
入は同箇所より行なわれる。
エツチングガスをガス導入口５より導入し下部電極３に
高周波電界を印加すると１両ＩＩ極間にプラズマが発生
しウェハース１のエツチング行なわれる。この際、下部
電極３が回転するとともに、下部電極３に組み込まれた
カップ２が下部電極と独立に回転する。すなわち、ウェ
ハースｌは自転と公転を同時に行なっていることになる
。カップ２にはそれぞれ冷却水用の配管７が施してあり
ウェハース１０表面温度上昇を抑えるようになっている
。ガス導入口５には数本の配管が施されエツチングガス
ベント用窒素ガス及び処理室内クリーニング用ガスの導
入は同箇所より行なわれる。
またエツチング前の予備排気及びエツチング後の残留ガ
スの排気は排気口６より行なわれろう第２図は下部電極
３の平面図で、下部電極には数コのウェハースとほぼ同
じ大きさのカップが埋め込まれている。この実施例によ
れば第１図において処理するべきウェハース１を下部電
極３に組み込まれたカップ２の上に載せ５反応室４封す
るためにフタ８を閉める。反応室が密封されると所定の
真空度になるまで排気され、しかる後にエツチングガス
が導入口５よす入る。下部電極３に高周波電界が印加さ
れ目的のガスプラズマが上部電極４との間に発生しフォ
トレジストパターンニングが完了したウェハース１が選
択エツチングさｉする。高周波電界が印加されると同時
に下部電極３それ自体が回転し、かつウェハース１を載
せたカップ２が回転するという２重の回転運動が行なわ
れることにより、ウニノ・−ス内の均一性、及びウェハ
ース間の均一性が従来Ｊ：９改善されることが期待でさ
る。所定の時間が経過し、エツチングが終了すると同時
に回転運動も停止する。反応ガス金排気口６より排気し
た後にベント用窒素ガスが導入口５よす入れられ処理室
が大気圧にもどると７タ８が開く。
スの排気は排気口６より行なわれろう第２図は下部電極
３の平面図で、下部電極には数コのウェハースとほぼ同
じ大きさのカップが埋め込まれている。この実施例によ
れば第１図において処理するべきウェハース１を下部電
極３に組み込まれたカップ２の上に載せ５反応室４封す
るためにフタ８を閉める。反応室が密封されると所定の
真空度になるまで排気され、しかる後にエツチングガス
が導入口５よす入る。下部電極３に高周波電界が印加さ
れ目的のガスプラズマが上部電極４との間に発生しフォ
トレジストパターンニングが完了したウェハース１が選
択エツチングさｉする。高周波電界が印加されると同時
に下部電極３それ自体が回転し、かつウェハース１を載
せたカップ２が回転するという２重の回転運動が行なわ
れることにより、ウニノ・−ス内の均一性、及びウェハ
ース間の均一性が従来Ｊ：９改善されることが期待でさ
る。所定の時間が経過し、エツチングが終了すると同時
に回転運動も停止する。反応ガス金排気口６より排気し
た後にベント用窒素ガスが導入口５よす入れられ処理室
が大気圧にもどると７タ８が開く。
上述の実施例において下部電極２に組み込まれたカップ
２に静電チャックあるいは真空チャック等の工夫を加え
ればウェハース１とカップ２の密着度を高めることも可
能である。また逆にウェハース冷却の必要がなければカ
ップ２各々に施された冷却水配管を省略し、その機構を
簡便にすることもできる。カップ２の材質としては下部
１１Ｌ極と同一の材質を用いれば特別な障害はないと考
えられる。
２に静電チャックあるいは真空チャック等の工夫を加え
ればウェハース１とカップ２の密着度を高めることも可
能である。また逆にウェハース冷却の必要がなければカ
ップ２各々に施された冷却水配管を省略し、その機構を
簡便にすることもできる。カップ２の材質としては下部
１１Ｌ極と同一の材質を用いれば特別な障害はないと考
えられる。
第１図は平行平板型プラズマエツチング装置の断面図で
ある。第２図は下部電極の平面図である。 図中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・回転
機構を有するカップ、３・・・・・・下部電極、４・・
・・・・上部電極。 ５・・・・・・ガス導入０．６・・・・・・排気口、７
・山・・冷却水配管、８・・・・・・処理室のふた。で
ある。
ある。第２図は下部電極の平面図である。 図中、１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・回転
機構を有するカップ、３・・・・・・下部電極、４・・
・・・・上部電極。 ５・・・・・・ガス導入０．６・・・・・・排気口、７
・山・・冷却水配管、８・・・・・・処理室のふた。で
ある。
Claims (1)
- １度に数枚の半導体基板を上部電極と下部η■極の間に
両電極と平行に設置して処理する平行平板型プラズマエ
ツチング装置において、前記下部電極上に設置された前
記半導体基板が処理中に１枚１枚回転する手段を有する
ことを特徴とするプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554882A JPS5984527A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19554882A JPS5984527A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984527A true JPS5984527A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16342925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19554882A Pending JPS5984527A (ja) | 1982-11-08 | 1982-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
-
1982
- 1982-11-08 JP JP19554882A patent/JPS5984527A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110739250A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 刻蚀反应设备及刻蚀方法 |
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