JPS60153128A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS60153128A JPS60153128A JP894984A JP894984A JPS60153128A JP S60153128 A JPS60153128 A JP S60153128A JP 894984 A JP894984 A JP 894984A JP 894984 A JP894984 A JP 894984A JP S60153128 A JPS60153128 A JP S60153128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wafers
- opposite electrodes
- chamber
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野の説明〕
この発明は特に半導体製造に使用されるプラズマエツチ
ング装置に関するものである。
ング装置に関するものである。
従来パターンニングが完了した半導体基板（以下ウェハ
ーという）を選択エツチングするプラズマエツチング装
置は第１図に示すように、円筒形ペルジャー４の中央部
にウェハーを垂直にセットする角柱形の電極１を有し、
その角柱電極１と対向する左右の対向電極がペルジャー
４の内壁となっており、また上下の対向電極がそれぞれ
ペルジャー４の天井６、底部５及び接地リング２となっ
ている。この構造のプラズマエツチング装置において、
電界のかかシ方やエツチングガスの流れ方等に影響され
るエツチングのできばえはチャンバー内雰囲気の不均一
さのために必ずしも満足のいくものではなかった。具体
的には同時に処理されるウェハー間のエツチング速度が
不均一となったり、あるいは均一にエツチングされたと
しても上下方向の電極の非対称性によシ対向電極に近い
位置のウェハーのみが異常な電界集中のだめ、電気的ダ
メージを受けるという不具合を生じ、歩留りの低下を招
いていた。
ーという）を選択エツチングするプラズマエツチング装
置は第１図に示すように、円筒形ペルジャー４の中央部
にウェハーを垂直にセットする角柱形の電極１を有し、
その角柱電極１と対向する左右の対向電極がペルジャー
４の内壁となっており、また上下の対向電極がそれぞれ
ペルジャー４の天井６、底部５及び接地リング２となっ
ている。この構造のプラズマエツチング装置において、
電界のかかシ方やエツチングガスの流れ方等に影響され
るエツチングのできばえはチャンバー内雰囲気の不均一
さのために必ずしも満足のいくものではなかった。具体
的には同時に処理されるウェハー間のエツチング速度が
不均一となったり、あるいは均一にエツチングされたと
しても上下方向の電極の非対称性によシ対向電極に近い
位置のウェハーのみが異常な電界集中のだめ、電気的ダ
メージを受けるという不具合を生じ、歩留りの低下を招
いていた。
この発明の目的はチャンバー内の電界のかかり方を均一
にすることにより、ウェハー間のエツチング速度を均一
にし、かつ電気的ダメージを少なくシタプラズマエッチ
ング装置を提供することにある。
にすることにより、ウェハー間のエツチング速度を均一
にし、かつ電気的ダメージを少なくシタプラズマエッチ
ング装置を提供することにある。
この発明は円筒形ペルジャーの中央部に各面に数枚のウ
ェハーを垂直にセットできる角柱形の電極を有し、該角
柱電極を中心として、該角柱電極と対向する上下及び左
右の対向電極相互間を対称構造としたことを特徴とする
プラズマエツチング装置である。
ェハーを垂直にセットできる角柱形の電極を有し、該角
柱電極を中心として、該角柱電極と対向する上下及び左
右の対向電極相互間を対称構造としたことを特徴とする
プラズマエツチング装置である。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第２図がこの発明の一実施例を説明するだめのプラズマ
エツチング装置の断面図である。
エツチング装置の断面図である。
第２図において、この発明に係るプラズマエツチング装
置は第３図に示すように各面にウエノ・−１０を垂直に
セットしたトレー１１を取付ける角柱電極ｌの下部に上
下方向の′電極関係を対称にするだめのツバ９ＣＬのつ
いた接地リング９を有することを特徴とするものである
。円筒形ペルジャー４の中央に設置する′電極１は正六
角柱になっており、各面にウエノ゛−スとの密着をよく
するだめのトレーの厚さを考慮したウェハーと同型の九
台３が取付けである。八角柱電極１の対向電極はチャン
バーを形成しているペルジャー４の内壁、八角柱電極１
が載っている底板５、ペルジャーの天井部６、八角柱電
極１と底板５の間の接地リング９である。
置は第３図に示すように各面にウエノ・−１０を垂直に
セットしたトレー１１を取付ける角柱電極ｌの下部に上
下方向の′電極関係を対称にするだめのツバ９ＣＬのつ
いた接地リング９を有することを特徴とするものである
。円筒形ペルジャー４の中央に設置する′電極１は正六
角柱になっており、各面にウエノ゛−スとの密着をよく
するだめのトレーの厚さを考慮したウェハーと同型の九
台３が取付けである。八角柱電極１の対向電極はチャン
バーを形成しているペルジャー４の内壁、八角柱電極１
が載っている底板５、ペルジャーの天井部６、八角柱電
極１と底板５の間の接地リング９である。
この発明においては、角柱電極１を中心として、左右の
対向電極、すなわちペルジャー４の内壁は対向構造にな
っており、一方上下方向の対向電極相互間はペルジャー
の天井部６の形状と同形のツバ９αを接地り／グ９に付
加しているから、対称構造になっており、第１図、第２
図を比較すると、本発明の接地リング９を取刊けだもの
においては電極構造が電気的に上下対称になっているこ
とがわかる。
対向電極、すなわちペルジャー４の内壁は対向構造にな
っており、一方上下方向の対向電極相互間はペルジャー
の天井部６の形状と同形のツバ９αを接地り／グ９に付
加しているから、対称構造になっており、第１図、第２
図を比較すると、本発明の接地リング９を取刊けだもの
においては電極構造が電気的に上下対称になっているこ
とがわかる。
ペルジャー４の内壁にはガス導入管７が取付けられ、該
導入管７には多数の小孔が１列に開けられ、エツチング
ガス、ベント用窒素ガス及びクリーニング用ガスの導入
が該小孔を通して行なわれる。また、エツチング前の予
備排気及びエツチング後の残留ガスの排気は排気口８よ
り行なわれる。
導入管７には多数の小孔が１列に開けられ、エツチング
ガス、ベント用窒素ガス及びクリーニング用ガスの導入
が該小孔を通して行なわれる。また、エツチング前の予
備排気及びエツチング後の残留ガスの排気は排気口８よ
り行なわれる。
この実施例によれば、第３図に示しだような処理すべき
ウェハーＩＯをあらかじめセットしたトレー１１を６牧
人角柱電極１に取付けた後に、チャンバーを封するため
に上部に持ち上げられたペルジャー４を下降させる。チ
ャンバーが密封されると、所定の真空度になるまで排気
され、しかる後にエツチングガスが導入管７よシチャン
バー内に入る。
ウェハーＩＯをあらかじめセットしたトレー１１を６牧
人角柱電極１に取付けた後に、チャンバーを封するため
に上部に持ち上げられたペルジャー４を下降させる。チ
ャンバーが密封されると、所定の真空度になるまで排気
され、しかる後にエツチングガスが導入管７よシチャン
バー内に入る。
六角柱電極１に高周波電界が印加され、目的のガスプラ
ズマがまわシの対向電極との間に発生し、フォトレジス
トパターンニングが完了したウニ２、−１０が選択エツ
チングされる。この時、第１図に示した従来のエツチン
グ装置のチャンバー内の′電界分布は不均一となり、特
に下段部の電界強度が強いため、下段にセットしたウエ
ノ・−が電気的ダメージをうけるという不都合が生じて
いた。
ズマがまわシの対向電極との間に発生し、フォトレジス
トパターンニングが完了したウニ２、−１０が選択エツ
チングされる。この時、第１図に示した従来のエツチン
グ装置のチャンバー内の′電界分布は不均一となり、特
に下段部の電界強度が強いため、下段にセットしたウエ
ノ・−が電気的ダメージをうけるという不都合が生じて
いた。
第２図に示したこの発明に係るプラズマエツチング装置
の場合、チャンバー内の電界分布は電極構造が対称であ
るために均一になることが期待できる。所定の時間が経
過しエツチングが終了すると、反応ガスが排気口８より
排気され、その後ベント用窒素ガスが導入管７より入れ
られチャンバー内が大気圧にもどる。ウェハーを取出す
には、ペルジャー４を八角柱電極１の上まで上昇させト
レー１１ごと取出すことになる。
の場合、チャンバー内の電界分布は電極構造が対称であ
るために均一になることが期待できる。所定の時間が経
過しエツチングが終了すると、反応ガスが排気口８より
排気され、その後ベント用窒素ガスが導入管７より入れ
られチャンバー内が大気圧にもどる。ウェハーを取出す
には、ペルジャー４を八角柱電極１の上まで上昇させト
レー１１ごと取出すことになる。
上述の実施例において、中央の′電極を六角柱としたが
装置の大きさ、ウェハーの大きさの関係によシ、四角柱
、五角柱、八角柱も可能である。八角柱電極の内部に温
水あるいは冷水の配管を施こシ、エツチング中のウエノ
・一温度ヲコントロールすることにより一層の性能向上
も期待できる。
装置の大きさ、ウェハーの大きさの関係によシ、四角柱
、五角柱、八角柱も可能である。八角柱電極の内部に温
水あるいは冷水の配管を施こシ、エツチング中のウエノ
・一温度ヲコントロールすることにより一層の性能向上
も期待できる。
〔発明の詳細な説明〕
この発明は相対する電極が左右、上下方向に対称になっ
ているため、電界のかかり方が均一になり、ウェハー間
のエツチング速度の均一性の改善や局所的なウェハーの
電気的ダメージの回避が期待できるものである。
ているため、電界のかかり方が均一になり、ウェハー間
のエツチング速度の均一性の改善や局所的なウェハーの
電気的ダメージの回避が期待できるものである。
第１図は従来のシリンダー型プラズマエツチング装置の
断面図、第２図はこの発明の一実施例を示す断面図、第
３図はウエノ・−を取付けたトレーを示す図である。 １・・・六角柱電極、２・・接地リング、３・・・丸台
、４・・・ペルジャー、５・・・チャンバー底板、６・
・・チャンバー天井、７・・・ガス導入管、８・・排気
口、９・・・接地リング 特許出願人 九州日本電気株式会社
断面図、第２図はこの発明の一実施例を示す断面図、第
３図はウエノ・−を取付けたトレーを示す図である。 １・・・六角柱電極、２・・接地リング、３・・・丸台
、４・・・ペルジャー、５・・・チャンバー底板、６・
・・チャンバー天井、７・・・ガス導入管、８・・排気
口、９・・・接地リング 特許出願人 九州日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）円筒形のペルジャーを有し、その中心にウェハー
を垂直にセットする角柱形の電極を設置したシリンダー
型のプラズマエツチング装置において、前記角柱電極を
中心として、該角柱電極と対向する上下及び左右の対向
電極相互間を対称構造としたことを特徴とするプラズマ
エツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP894984A JPS60153128A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP894984A JPS60153128A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153128A true JPS60153128A (ja) | 1985-08-12 |
Family
ID=11706920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP894984A Pending JPS60153128A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007175084A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sadao Shinohara | 浴槽用ゲルマニュウム容器 |
| EP2246170A1 (en) * | 2008-01-25 | 2010-11-03 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for seamless mold |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP894984A patent/JPS60153128A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007175084A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sadao Shinohara | 浴槽用ゲルマニュウム容器 |
| EP2246170A1 (en) * | 2008-01-25 | 2010-11-03 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for seamless mold |
| EP2246170A4 (en) * | 2008-01-25 | 2012-02-29 | Asahi Chemical Ind | METHOD OF MANUFACTURING A SEAMLESS MOLDING TOOL |
| US10399254B2 (en) | 2008-01-25 | 2019-09-03 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Seamless mold manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100234661B1 (ko) | 이방성 에칭장치 | |
| TW201921580A (zh) | 具有冷卻和傳導銷的基板支撐件 | |
| EP0047395B1 (en) | System for reactive ion etching | |
| WO2006036753A2 (en) | Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps | |
| JPH09129612A (ja) | エッチングガス及びエッチング方法 | |
| CN102568992A (zh) | 等离子体处理装置 | |
| JP4286576B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3583294B2 (ja) | プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置 | |
| JPS60153128A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP2005217240A (ja) | ドライエッチング装置およびドライエッチング方法 | |
| JP3002496B2 (ja) | 半導体ウェハのドライエッチング方法 | |
| JP2734908B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS5856339A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS6032972B2 (ja) | エツチング装置 | |
| JPS63227021A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| KR20150116003A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 | |
| JPH0476495B2 (ja) | ||
| JPS63260033A (ja) | プラズマ反応処理装置 | |
| JPH0845858A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR20010044058A (ko) | 유리기판 또는 웨이퍼 처리용 에슁장치 | |
| JPH0437126A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JPS60142520A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH0992642A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6246525A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 |