JPS59126774A - 気相金属堆積装置 - Google Patents
気相金属堆積装置Info
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- JPS59126774A JPS59126774A JP186683A JP186683A JPS59126774A JP S59126774 A JPS59126774 A JP S59126774A JP 186683 A JP186683 A JP 186683A JP 186683 A JP186683 A JP 186683A JP S59126774 A JPS59126774 A JP S59126774A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レーザ光を用いて金属化合物気体を照射し
、試料基板上に金属を堆積させるようにした気相金属堆
積装置に関する。
、試料基板上に金属を堆積させるようにした気相金属堆
積装置に関する。
近年、半導体などの電子部品の発達とともに、フォトマ
スクの修正や表示装置への電極形成など、透明基板上の
所望の位置に、金属を局所的に堆積させる技術が太いに
必要とされるようになった。
スクの修正や表示装置への電極形成など、透明基板上の
所望の位置に、金属を局所的に堆積させる技術が太いに
必要とされるようになった。
このため、集光性ならびに高輝度性の優れたレーザ光を
用い、金属化合物を含んだ物質にレーザ光を照射し、気
相ないしは液相で金属化合物を解離せしめ、試料基板上
の所望の位置に金属を堆積させるという方法が各種試み
られるようになった。
用い、金属化合物を含んだ物質にレーザ光を照射し、気
相ないしは液相で金属化合物を解離せしめ、試料基板上
の所望の位置に金属を堆積させるという方法が各種試み
られるようになった。
このうち、液相からの堆積は、堆積速度が速いという利
点云あるが、ウェットプロセスであるためプロセスの清
浄度に難点があシ、またドライエツチングなど他のドラ
イプロセスとのつながシが悪く、このため、オールトラ
イプロセスが望ましいとされている超ＬＳＩ用フォトマ
スクの修正等には適さないという欠点がある。このため
堆積速度はやや遅いものの、ドライプロセスの一種であ
る気相からの金属堆積が超精密・高信頼度な局所堆積技
術として本命祝されている。
点云あるが、ウェットプロセスであるためプロセスの清
浄度に難点があシ、またドライエツチングなど他のドラ
イプロセスとのつながシが悪く、このため、オールトラ
イプロセスが望ましいとされている超ＬＳＩ用フォトマ
スクの修正等には適さないという欠点がある。このため
堆積速度はやや遅いものの、ドライプロセスの一種であ
る気相からの金属堆積が超精密・高信頼度な局所堆積技
術として本命祝されている。
しかしながら、従来の気相金属堆積装置には次のような
欠点があった。
欠点があった。
すなわち、従来の気相金属堆積装置においては、金属化
合物気体を含む原料ガスで満たしたガス槽の大気との隔
壁の一部として試料基板を用いていたために、試料基板
を交換するたびにガス槽内に大気が流入し、これを排気
するのに手間どるため試料基板の交換が非常に不便であ
った。また、通常ガス槽内の気圧は１００ Ｔｏｒｒ以
下という減圧状態で使用されるだめ、試料基板には大気
圧に近い圧力が加わってしまい、１■程度以下の薄い試
料は破損ないしはそシなどの変形が生じる恐れがあるた
め使用できないでいた。
合物気体を含む原料ガスで満たしたガス槽の大気との隔
壁の一部として試料基板を用いていたために、試料基板
を交換するたびにガス槽内に大気が流入し、これを排気
するのに手間どるため試料基板の交換が非常に不便であ
った。また、通常ガス槽内の気圧は１００ Ｔｏｒｒ以
下という減圧状態で使用されるだめ、試料基板には大気
圧に近い圧力が加わってしまい、１■程度以下の薄い試
料は破損ないしはそシなどの変形が生じる恐れがあるた
め使用できないでいた。
また、ドライエツチング装置やイオン注入装置などの他
のドライプロセスとのっながシが悪いため、オールトラ
イプロセスとしての一貫作業ができないでいた。
のドライプロセスとのっながシが悪いため、オールトラ
イプロセスとしての一貫作業ができないでいた。
この発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、連続
作業が可能で高能率・高性能な気相金属堆積装置を提供
することにある。
作業が可能で高能率・高性能な気相金属堆積装置を提供
することにある。
本発明の気相金属堆積装置は、
（１）光源と、光源からの光を試料基板上へ導くための
光学系と、前記光が透過する窓を備えた真空槽とを備え
、さらに、金属化合物気体を含む原料ガスで満たされ、
かつ、試料基板の設置にょシ塞がれる開口部を有するガ
ス槽を前記真空槽内に備えた構成となっている。
光学系と、前記光が透過する窓を備えた真空槽とを備え
、さらに、金属化合物気体を含む原料ガスで満たされ、
かつ、試料基板の設置にょシ塞がれる開口部を有するガ
ス槽を前記真空槽内に備えた構成となっている。
この発明によれば、例えば真空槽内にあらかじめ複数の
試料基板を蓄えておくことができるので、気密を破って
大気を流入させることなく連続的に試料基板を交換する
ことが可能になシ、生産性が向上する。また、真空槽を
通じて他のドライプロセス装置との間で試料基板の交換
ができるようになるので、一貫作業かやシやすくな多能
率も向上する。また、厚さの薄い試料基板にも金属堆積
を行うことができる利点が得られる。従来は真空槽が無
かったため上述のようなことは不可能であった。
試料基板を蓄えておくことができるので、気密を破って
大気を流入させることなく連続的に試料基板を交換する
ことが可能になシ、生産性が向上する。また、真空槽を
通じて他のドライプロセス装置との間で試料基板の交換
ができるようになるので、一貫作業かやシやすくな多能
率も向上する。また、厚さの薄い試料基板にも金属堆積
を行うことができる利点が得られる。従来は真空槽が無
かったため上述のようなことは不可能であった。
次に、この発明について図面を参照して詳しく説明する
。図は、この発明の一実施例の構成を示す概略図である
。図において、金属堆積工程中の試料基板１゛はクラン
プ２とプランジャー３にょ択オーリング４を介してガス
槽５の開口部６に押しあてられておル、該試料基板ｌは
、該ガス槽５から真空槽７への通気を遮断している。
。図は、この発明の一実施例の構成を示す概略図である
。図において、金属堆積工程中の試料基板１゛はクラン
プ２とプランジャー３にょ択オーリング４を介してガス
槽５の開口部６に押しあてられておル、該試料基板ｌは
、該ガス槽５から真空槽７への通気を遮断している。
前記ガス槽５には、ガス供給口８よシ、金属化合物気体
を含む原料ガスが供給されている。また、前記ガス槽５
よシ吸引排気口９を介してガスを排気することによシ、
ガス槽内には常に新鮮な原料ガスを供給するようにして
いる。
を含む原料ガスが供給されている。また、前記ガス槽５
よシ吸引排気口９を介してガスを排気することによシ、
ガス槽内には常に新鮮な原料ガスを供給するようにして
いる。
１０はレーザ光照射装置の一部分を示している。
レーザ光１１は、集光光学部１２を檜〕２てレーザ光照
射装置よシ出射し、真空＃７に設けられた石英窓１８よ
）真空槽７内に入射し、前記試料基板１のガス槽５内に
面する表面上に集光されている。
射装置よシ出射し、真空＃７に設けられた石英窓１８よ
）真空槽７内に入射し、前記試料基板１のガス槽５内に
面する表面上に集光されている。
試料基板１の材質としては、石英ガラスやパイレックス
ガラスなどの透明な材質が用いられるので、レーザ光１
１は試料基板１を透過し、前記ガス槽５内に入射する。
ガラスなどの透明な材質が用いられるので、レーザ光１
１は試料基板１を透過し、前記ガス槽５内に入射する。
ガス槽５内には、レーザ光１１を吸収して解離する金属
化合物気体が含まれているので、試料基板１の、ガス槽
５内に面する表面上のレーザ光出射部近傍に解離によシ
生成した金属が堆積する。
化合物気体が含まれているので、試料基板１の、ガス槽
５内に面する表面上のレーザ光出射部近傍に解離によシ
生成した金属が堆積する。
試料基板１の表面は、顕微観察光学系１３を用いて観察
できるようになっておシ、集光光学部１２ないしは試料
基板ｌを駆動して、集光光学部１２と試料基板１との相
対位置を制御することＫよシ該試料基板上の所望の位置
に金属を堆積させることができる。
できるようになっておシ、集光光学部１２ないしは試料
基板ｌを駆動して、集光光学部１２と試料基板１との相
対位置を制御することＫよシ該試料基板上の所望の位置
に金属を堆積させることができる。
レーザ光を用いた金属堆積用の金属化合物気体としては
、トリメチルアルミニウム、ジメチルカドミニウムなど
のような有機金属化合物やビスベンゼンクロム、ビスベ
ンゼンモリブデンのよウナ有機金属錯体が用いられる。
、トリメチルアルミニウム、ジメチルカドミニウムなど
のような有機金属化合物やビスベンゼンクロム、ビスベ
ンゼンモリブデンのよウナ有機金属錯体が用いられる。
前者の有機金属化合物を用いる場合、一般にこれらの吸
収帯は紫外部にあるので、ＫｒＦエキシマ−レーザやＡ
ｒＦ ｊ： キシマーレーザなどから出射する紫外レー
ザ光を用いて金属堆積を行うことが望ましい。一方、ビ
スベンゼンクロムやビスベンゼンモリブデンのような有
機金属錯体は吸収帯域が可視域にも広がっているため、
例えば５１５ｎｒｎや４８８ｎｍのアルゴンレーザ光を
使用することも可能である。しかし、−般に有機金属錯
体の蒸気圧は常温では非常に小さいので、堆積速度をは
やめる必要がある場合にはガス槽５を加熱して用いるこ
とが好ましい。
収帯は紫外部にあるので、ＫｒＦエキシマ−レーザやＡ
ｒＦ ｊ： キシマーレーザなどから出射する紫外レー
ザ光を用いて金属堆積を行うことが望ましい。一方、ビ
スベンゼンクロムやビスベンゼンモリブデンのような有
機金属錯体は吸収帯域が可視域にも広がっているため、
例えば５１５ｎｒｎや４８８ｎｍのアルゴンレーザ光を
使用することも可能である。しかし、−般に有機金属錯
体の蒸気圧は常温では非常に小さいので、堆積速度をは
やめる必要がある場合にはガス槽５を加熱して用いるこ
とが好ましい。
ガス槽５に供給される原料ガスには、前述した金属化合
物気体のほかに、アルゴンやヘリウムなどのバッファー
ガスを用いることができる。バッファガスの分圧を制御
することによシ金属堆積によシ生成する金属被覆の膜質
を制御することができる。しかし、バッファガスの分圧
が太きすぎると好い結果は得られないので、せいぜい１
００Ｔｏｒｒ以下で用いるようにすることが好ましい。
物気体のほかに、アルゴンやヘリウムなどのバッファー
ガスを用いることができる。バッファガスの分圧を制御
することによシ金属堆積によシ生成する金属被覆の膜質
を制御することができる。しかし、バッファガスの分圧
が太きすぎると好い結果は得られないので、せいぜい１
００Ｔｏｒｒ以下で用いるようにすることが好ましい。
゛再び図面を参照して、試料基板１の交換について説明
する。真空４７内には交換用試料基板１４ａ。
する。真空４７内には交換用試料基板１４ａ。
ク ｄ
１４ｂ、１４〆、１４７がストックされている。このう
ち、交換用試料基板１４ａは既に金属堆積を終えたもの
である。これらの交換用試料基板はマニービレータを内
蔵した試料基板搬送ロボット１５によシ、順次試料基板
１が置かれている位置に搬送され、該試料基板１と交換
される。この交換の際には、あらかじめ電磁弁１６を閉
じてガス僧５内を真空排気しておき、しかるのち電磁弁
１７を閉じてガスの逆流を阻止した上で、プシンジャー
３を駆動してクランプ２をゆるめる。金属堆積を終了し
た試料基板ｌは前記試料基板搬送ロボット１５につかま
れて所定のストック位置に搬送され、そこにストックさ
れる。そして、新たな試料基板１４ｂが開口部６に搬送
され、定位置にセットされ、プランジャー３を駆動して
気密にホールドされる。
ち、交換用試料基板１４ａは既に金属堆積を終えたもの
である。これらの交換用試料基板はマニービレータを内
蔵した試料基板搬送ロボット１５によシ、順次試料基板
１が置かれている位置に搬送され、該試料基板１と交換
される。この交換の際には、あらかじめ電磁弁１６を閉
じてガス僧５内を真空排気しておき、しかるのち電磁弁
１７を閉じてガスの逆流を阻止した上で、プシンジャー
３を駆動してクランプ２をゆるめる。金属堆積を終了し
た試料基板ｌは前記試料基板搬送ロボット１５につかま
れて所定のストック位置に搬送され、そこにストックさ
れる。そして、新たな試料基板１４ｂが開口部６に搬送
され、定位置にセットされ、プランジャー３を駆動して
気密にホールドされる。
再び電磁弁１７．１６を開いて、金属堆積が続けら咀
れる。真空槽７は真！排気口１８を通じて常に清浄な真
空壁面が得られるように真空排気されている。
空壁面が得られるように真空排気されている。
以上、本発明の一実施例の構成につき説明したが、本発
明の目的を逸脱することなく、各種の変形をしうろこと
はいうまでもない。
明の目的を逸脱することなく、各種の変形をしうろこと
はいうまでもない。
例えば、上述した実施例では、試料基板１のレーザ光出
射面側でシーリングを行うようにしたが、このかわりに
、試料基板１のレーザ光入射面側でシーリングを行なう
ようにしても差しつがえない。
射面側でシーリングを行うようにしたが、このかわりに
、試料基板１のレーザ光入射面側でシーリングを行なう
ようにしても差しつがえない。
Claims (2)
- （１）光源と、光源からの光を試料基板上へ導くための
光学系と、励記光が透過する窓を備えた真空槽とを備え
、さらに、金属化合物気体を含む原料ガスで満たされ、
かつ試料基板の設置によシ塞がれる開口部を有するガス
槽を前記真空槽内に備えていることを特徴とする気相金
属堆積装置。 - （２）前記真空槽内に、交換用試料基を保持する試料基
板保持部を備えていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の気相金属堆積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP186683A JPS59126774A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 気相金属堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP186683A JPS59126774A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 気相金属堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126774A true JPS59126774A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11513466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP186683A Pending JPS59126774A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 気相金属堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126774A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113771A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化アルミニユ−ム作製方法 |
| JPS61213376A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学成膜装置 |
| US4693207A (en) * | 1984-12-07 | 1987-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for the growth of semiconductor crystals |
| FR2639567A1 (fr) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | France Etat | Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif |
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
-
1983
- 1983-01-10 JP JP186683A patent/JPS59126774A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113771A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化アルミニユ−ム作製方法 |
| JPH0416547B2 (ja) * | 1984-11-07 | 1992-03-24 | Handotai Energy Kenkyusho | |
| US4693207A (en) * | 1984-12-07 | 1987-09-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for the growth of semiconductor crystals |
| JPS61213376A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学成膜装置 |
| JPH0461074B2 (ja) * | 1985-03-19 | 1992-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | |
| FR2639567A1 (fr) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | France Etat | Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif |
| WO1990006206A1 (fr) * | 1988-11-25 | 1990-06-14 | Bertin & Cie | Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif |
| US4964940A (en) * | 1988-11-25 | 1990-10-23 | Etat Fracais | Laser microbeam machine for acting on thin film objects, in particular for chemically etching or depositing substance in the presence of a reactive gas |
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
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