JPWO2013133101A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを載置するカセット載置部と、
前記処理基板もしくは前記ダミー基板、又は前記処理基板及び前記ダミー基板を複数枚処理する処理室と、
前記処理室内に設けられ、複数枚の前記基板を載置する基板載置面をそれぞれ有する複数の基板載置部が円周上に配列された基板支持部と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記カセット載置部と前記処理室との間で、前記基板を搬送する搬送部と、
少なくとも前記処理室内で行われる基板処理及び前記搬送部による前記基板の搬送処理を制御する制御部と、を備える
基板処理装置が提供される。
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する
基板処理方法が提供される。
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の横断面図である。本実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の搬送装置は、真空側と大気側とに分かれている。本明細書中における「真空」とは工業的真空を意味する。
クラスタ型の基板処理装置100は、内部を真空状態などの大気圧未満の圧力(例えば100Pa)に減圧可能なロードロックチャンバ構造に構成された第1搬送室としての真空搬送室103を備えている。真空搬送室103の筐体101は、平面視が例えば六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
基板処理装置100の大気側には、略大気圧下で用いられる、第2搬送室としての大気搬送室121が設けられている。すなわち、ロードロック室122,123の前側には、ゲートバルブ128,129を介して、大気搬送室121が設けられている。なお、大気搬送室121は、ロードロック室122,123と連通可能に設けられている。
次に、本実施形態に係る基板処理装置100内における処理ウエハ200a及びダミーウエハ200bの搬送動作、すなわちウエハ200の搬送動作を説明する。なお、基板処理装置100の搬送部の各構成の動作は、後述する制御部221によって制御される。
続いて、本実施形態に係る処理室としてのプロセスチャンバ202aの構成について、主に図2〜図5を用いて説明する。図2は、本実施形態に係る処理室が備える反応容器の概略斜視図である。図3は、本実施形態に係る処理室の縦断面概略図である。図4は、本実施形態に係る処理室の横断面概略図である。図5は、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。なお、プロセスチャンバ202b〜202dについては、プロセスチャンバ202aと同様に構成されているため、説明を省略する。
図2〜図4に示すように、処理室としてのプロセスチャンバ202aは、円筒状の気密容器である反応容器203を備えている。反応容器203内には、処理ウエハ200a又はダミーウエハ200bの少なくともいずれかのウエハ200を処理する処理空間が形成されている。反応容器203内の処理空間の上側、即ち天井側には、中心部から放射状に延びる4枚の仕切板205が設けられている。4枚の仕切板205は、反応容器203内の処理空間を、第1の処理領域201a、第1のパージ領域204a、第2の処理領域201b、第2のパージ領域204bに仕切るように構成されている。なお、第1の処理領域201a、第1のパージ領域204a、第2の処理領域201b、第2のパージ領域204bは、後述するサセプタ217の回転方向に沿って、この順番に配列するように構成されている。
図2〜図4に示すように、仕切板205の下側、すなわち反応容器203内の底側中央には、反応容器203の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板支持部としてのサセプタ217が設けられている。サセプタ217は、ウエハ200の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。なお、サセプタ217は、反応容器203とは電気的に絶縁されている。
サセプタ217の内部には、加熱部としてのヒータ218が一体的に埋め込まれており、ウエハ200を加熱できるように構成されている。ヒータ218に電力が供給されると、ウエハ200表面が所定温度(例えば室温〜1000℃程度)にまで加熱されるようになっている。なお、ヒータ218は、サセプタ217に載置されたそれぞれのウエハ200を個別に加熱するように、同一面上に複数(例えば5つ)設けてもよい。
図3及び図4に示すように、反応容器203の上側には、第1の処理ガス導入部251と、第2の処理ガス導入部252と、不活性ガス導入部253と、後述する各ガス導入部にガスを供給する処理ガス供給系及び不活性ガス供給系とを備えるガス供給部250が設けられている。ガス供給部250は、反応容器203の上側に開設された開口に気密に設けられている。第1の処理ガス導入部251の側壁には、第1のガス噴出口254が設けられている。第2の処理ガス導入部252の側壁には、第2のガス噴出口255が設けられている。不活性ガス導入部253の側壁には、第1の不活性ガス噴出口256及び第2の不活性ガス噴出口257がそれぞれ対向するように設けられている。ガス供給部250は、第1の処理ガス導入部251から第1の処理領域201a内に第1の処理ガスを供給し、第2の処理ガス導入部252から第2の処理領域201b内に第2の処理ガスを供給し、不活性ガス導入部253から第1のパージ領域204a内及び第2のパージ領域204b内に不活性ガスを供給するように構成されている。ガス供給部250は、各処理ガス及び不活性ガスを混合させずに個別に供給することができ、また、各処理ガス及び不活性ガスを同時に供給することができるように構成されている。
第1の処理ガス導入部251の上流側には、第1のガス供給管232aが接続されている。第1のガス供給管232aの上流側には、上流方向から順に、原料ガス供給源233a、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)234a、及び開閉弁であるバルブ235aが設けられている。
不活性ガス導入部253の上流側には、第1の不活性ガス供給管232cが接続されている。第1の不活性ガス供給管232cの上流側には、上流方向から順に、不活性ガス供給源233c、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)234c、及び開閉弁であるバルブ235cが設けられている。
反応容器203には、処理領域201a,201b内及びパージ領域204a,204b内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には、反応容器203内(処理領域201a,201b内及びパージ領域204a,204b内)の雰囲気を排出する際に流量を調整する流量調整バルブ245、及び圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ243を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、反応容器203内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ243は、弁を開閉して反応容器203内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ243、及び流量調整バルブ245により排気部が構成される。なお、真空ポンプ246を排気部に含めて考えてもよい。
図5に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ221は、中央処理装置(CPU)221aと、内部にメモリ領域を有するメモリ(RAM)221bと、記憶装置(例えば、フラッシュメモリ、HDD等)221cと、I/Oポート221dと、を備えたコンピュータとして構成されている。RAM221b、記憶装置221c、I/Oポート221dは、内部バス221eを介して、CPU221aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ221には、例えばタッチパネル等として構成された操作部である入出力装置222が接続されている。
続いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器203を備えるプロセスチャンバ202aを用いて実施される基板処理工程を含むロット処理工程について、図6及び図7を用いて説明する。図6は、本実施形態に係る基板処理工程を含むロット処理工程を示すフロー図であり、図7は、本実施形態に係る基板処理工程における成膜工程での基板としてのウエハ200への処理を示すフロー図である。なお、本実施形態では、処理ウエハ200a及びダミーウエハ200bはそれぞれ、カセット毎のロットで管理される。また、以下の説明において、基板処理装置100のプロセスチャンバ202aの各構成の動作は、コントローラ221により制御される。
まず、上述したように、例えば、未処理の処理ウエハ200aを収容した処理基板用カセット109a、処理済みの処理ウエハ200aを収容する処理基板用カセット109b、及びダミーウエハ200bを収容したダミー基板用カセット109cが、図示しない搬送装置によって基板処理装置100に搬入されてくる。搬入されてきたカセット109a〜109cは、ロードポート105上に載置される。
基板搬送工程(S20)では、少なくとも以下のダミー基板割当工程(S21)、ダミー基板選択工程(S22)、第一の閾値・第二の閾値判定工程、基板搬入工程(S23)を順に行う。
基板処理の要求を受け付けて、処理基板用カセット109aに収容された、未処理の処理ウエハ200aの枚数を検出し、処理室(反応容器203)内に搬入するダミーウエハ200bの枚数を決定する。
後述する基板処理工程(S30)を行う際、処理室(反応容器203)内へのダミーウエハ200bの搬入が必要と判断された場合、ダミー基板用カセット109cに収容されたダミーウエハ200bから、処理室内に搬入する所定枚数のダミーウエハ200bを選択する。このとき、上述の算出部により算出したダミーウエハ200bの累積膜厚値に基づいて、処理室内に搬入するダミーウエハ200bを選択する。具体的には、ダミー基板用カセット109cに収容されたダミーウエハ200bのうち、もっとも累積膜厚値の少ないダミーウエハ200bを優先的に選択する。
次に、ダミー基板選択工程(S22)で選択したダミーウエハ200bの累積膜厚値が第一の閾値を超えていないかを判定する。第一の閾値を超えていないと判定した場合、基板処理の実行を許可し、後述する基板搬入工程(S23)を行う。
まず、ウエハ200の搬送位置までウエハ突き上げピンを上昇させ、サセプタ217の貫通孔にウエハ突き上げピンを貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピンが、サセプタ217表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ244aを開き、真空搬送ロボット112を用いて、反応容器203内に所定枚数(例えば5枚)のウエハ200を搬入する。ここでは、処理ウエハ200a又はダミーウエハ200bの少なくともいずれかを搬入する。そして、サセプタ217の図示しない回転軸を中心として、各ウエハ200が重ならないように、サセプタ217の同一面上に載置する。これにより、ウエハ200は、サセプタ217の表面から突出したウエハ突き上げピン上に水平姿勢で支持される。
基板処理工程(S30)では、少なくとも以下の昇温・圧力調整工程(S31)、成膜工程(S32)、パージ工程(S33)、圧力調整・基板搬出工程(S34)を順に行う。
続いて、サセプタ217の内部に埋め込まれたヒータ218に電力を供給し、ウエハ200の表面が所定の温度(例えば200℃以上であって400℃以下)となるように加熱する。この際、ヒータ218の温度は、温度センサ274により検出された温度情報に基づいてヒータ218への供給電力を制御することによって調整される。
次に、第1の処理領域201a内に第1の処理ガスとしてのTSAガスを供給し、第2の処理領域201b内に第2の処理ガスとしての酸素ガスを供給することによりウエハ200上にSiO膜を成膜する工程を行う場合を例に説明する。なお、以下の説明では、TSAガスの供給、酸素ガスの供給、不活性ガスの供給を併行して行う。
第1の処理領域201a内へのTSAガスの供給及び第2の処理領域201b内への酸素ガスの供給を停止した後、バルブ235d及びバルブ235eを開けて、第1の処理領域201a及び第2の処理領域201b内へのN2ガスの供給を行う。これにより、第1の処理領域201a及び第2の処理領域201b内をN2ガスによりパージし、第1の処理領域201a及び第2の処理領域201b内に残留している残留ガス等を除去する。
パージが完了したら、APCバルブ243の開度を調整して反応容器203内の圧力を所定の圧力にする。成膜工程(S32)が終了した後、ウエハ突き上げピンを上昇させ、サセプタ217の表面から突出させたウエハ突き上げピン上にウエハ200を支持させる。そして、ゲートバルブ244aを開き、真空搬送ロボット112を用いてウエハ200を反応容器203の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程(S30)を終了する。なお、上記の基板処理工程(S30)において、ウエハ200の温度、反応容器203内の圧力、各ガスの流量、プラズマ生成部206が備える電極に印加する電力、処理時間等の条件等は、膜厚等によって任意に調整する。
基板処理工程(S30)が終了した後、算出部により、各ダミーウエハ200bの累積膜厚値がそれぞれ更新される。
処理基板用カセット109aに収容された全ての処理ウエハ200aの処理が終了した後、すなわち、1ロットの処理が終了した後、ダミー基板用カセット109cに収容されたダミーウエハ200bの累積膜厚値の平均値が、第三の閾値を超えていないかを判定する。具体的には、本実施形態では、全ての処理ウエハ200aの処理が終了した処理基板用カセット109aが、ロードポート105上から次の工程へ搬送され、新たな未処理の処理ウエハ200aが収容された処理基板用カセット109aがロードポート105上に載置された後(上述のカセット載置工程(S10)が終了した後)に、ダミーウエハ200bの累積膜厚値の平均値が、第三の閾値を超えていないかを判定する。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを載置するカセット載置部と、
前記処理基板もしくは前記ダミー基板、又は前記処理基板及び前記ダミー基板を複数枚処理する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置面をそれぞれ有する複数の基板載置部が円周上に配列された基板支持部と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記カセット載置部と前記処理室との間で、前記基板を搬送する搬送部と、
少なくとも前記処理室内で行われる基板処理及び前記搬送部による前記基板の搬送処理を制御する制御部と、を備える
基板処理装置が提供される。
前記制御部は、
前記ダミー基板毎の累積膜厚値をそれぞれ算出する算出部を備え、
前記算出部により算出された前記ダミー基板の累積膜厚値に基づいて、前記搬送部による前記基板の搬送処理の制御、又は前記処理室内で行われる基板処理の実行可否の判定の少なくともいずれかを行なうよう制御する。
次の基板処理を行う際、前記処理室内への前記ダミー基板の搬入が必要と判断された場合、
前記制御部は、
前記基板の搬送処理を行うとき、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、もっとも累積膜厚値の少ない前記ダミー基板を優先的に選択し、前記搬送部により前記処理室内に搬入するように制御する。
前記制御部には、前記ダミー基板に設定された累積膜厚値の第一の閾値が予め格納されており、
前記制御部は、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第一の閾値を超えた場合、基板処理を実行しつつ、前記ダミー基板用カセットの交換を促す警告を、操作部又は上位装置に通知するよう制御する。
前記制御部には、前記ダミー基板に設定された累積膜厚値の第二の閾値が予め格納されており、
前記制御部は、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第二の閾値を超えた場合、基板処理を実行せずに、前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第二の閾値を超えている旨を示す警告を、操作部又は上位装置に通知するよう制御する。
前記制御部には、前記ダミー基板に設定された累積膜厚値の第三の閾値が予め格納されており、
前記制御部は、
前記処理基板用カセットに収容された全ての前記処理基板の処理が終了した後、前記ダミー基板用カセットに収容された全ての前記ダミー基板の累積膜厚値の平均値が第三の閾値を超えている場合、次に処理が行われる予定の前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の処理を実行せずに、前記ダミー基板の累積膜厚値の平均値が、前記第三の閾値を超えている旨を示す警告を、操作部又は上位装置に通知するよう制御する。
前記基板支持部は回転自在に構成され、
前記基板載置部は、
前記基板支持部の回転方向に沿って前記基板支持部の表面に円周上に配列され、
前記基板支持部の表面から窪んだ底部を前記基板載置面とする凹部として構成される。
前記基板支持部は回転自在に構成され、
前記基板載置部は、
前記基板支持部の表面から窪んだ底部を前記基板載置面とする凹部として構成されることで、前記処理室内で基板処理が行われるとき、前記基板支持部の回転により遠心力を受けて前記基板載置面上を滑った前記基板が前記凹部内に留まるよう構成されている。
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
前記ダミー基板選択工程では、
制御部が備える算出部により算出された前記ダミー基板毎の累積膜厚値に基づいて、前記処理室内に搬入する前記ダミー基板を選択し、
前記基板搬入工程では、
前記基板を前記処理室内に搬送する前に、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値に基づいて、基板処理の実行可否を判定する。
複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する基板処理方法が提供される。
105 ロードポート(カセット載置台)
109a,109b 処理基板用カセット
109c ダミー基板用カセット
200a 処理ウエハ(処理基板)
200b ダミーウエハ(ダミー基板)
221 コントローラ(制御部)
231 排気管
250 ガス供給部
Claims (8)
- 複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを載置するカセット載置部と、
前記処理基板もしくは前記ダミー基板、又は前記処理基板及び前記ダミー基板を複数枚処理する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記基板を載置する基板載置面をそれぞれ有する複数の基板載置部が円周上に配列された基板支持部と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記カセット載置部と前記処理室との間で、前記基板を搬送する搬送部と、
少なくとも前記処理室内で行われる基板処理及び前記搬送部による前記基板の搬送処理を制御する制御部と、を備える
基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記ダミー基板毎の累積膜厚値をそれぞれ算出する算出部を備え、
前記算出部により算出された前記ダミー基板の累積膜厚値に基づいて、前記搬送部による前記基板の搬送処理の制御、又は前記処理室内で行われる基板処理の実行可否の判定の少なくともいずれかを行うよう制御する
請求項1に記載の基板処理装置。 - 次の基板処理を行う際、前記処理室内への前記ダミー基板の搬入が必要と判断された場合、
前記制御部は、
前記基板の搬送処理を行うとき、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、もっとも累積膜厚値の少ない前記ダミー基板を優先的に選択し、前記搬送部により前記処理室内に搬入するように制御する
請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部には、前記ダミー基板に設定された累積膜厚値の第一の閾値が予め格納されており、
前記制御部は、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第一の閾値を超えた場合、基板処理を実行しつつ、前記ダミー基板用カセットの交換を促す警告を、操作部又は上位装置に通知するよう制御する
請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記制御部には、前記ダミー基板に設定された累積膜厚値の第二の閾値が予め格納されており、
前記制御部は、
前記ダミー基板用カセットに収容された前記ダミー基板のうち、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第二の閾値を超えた場合、基板処理を実行せずに、前記ダミー基板の累積膜厚値が、前記第二の閾値を超えている旨を示す警告を、操作部又は上位装置に通知するよう制御する
請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面上に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する
半導体装置の製造方法。 - 前記ダミー基板選択工程では、
制御部が備える算出部により算出された前記ダミー基板毎の累積膜厚値に基づいて、前記処理室内に搬入する前記ダミー基板を選択し、
前記基板搬入工程では、
前記基板を前記処理室内に搬送する前に、前記処理室内に搬入される前記ダミー基板の累積膜厚値に基づいて、基板処理の実行可否を判定する
請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数枚の処理基板を収容する処理基板用カセット及び複数枚のダミー基板を収容するダミー基板用カセットを、カセット載置部に載置するカセット載置工程と、
基板処理の要求を受け付けて、前記処理基板用カセットに収容された前記処理基板の枚数を検出し、処理室内に搬入する前記ダミー基板の枚数を決定するダミー基板割当工程と、
前記ダミー基板用カセットから前記処理室内に搬入する所定枚数の前記ダミー基板を選択するダミー基板選択工程と、
搬送部を用いて前記処理基板及び前記ダミー基板割当工程にて割り当てられた前記ダミー基板を前記処理室内に搬送し、前記処理室内に設けられた基板支持部の表面に円周上に配列された複数の基板載置部が備えるそれぞれの基板載置面に、複数枚の前記基板を載置する基板搬入工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する基板処理工程と、を有する
基板処理方法。
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