TWI571314B - 基板運送裝置、基板運送方法及記錄媒體 - Google Patents

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TWI571314B
TWI571314B TW101107001A TW101107001A TWI571314B TW I571314 B TWI571314 B TW I571314B TW 101107001 A TW101107001 A TW 101107001A TW 101107001 A TW101107001 A TW 101107001A TW I571314 B TWI571314 B TW I571314B
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Description

基板運送裝置、基板運送方法及記錄媒體 【相關申請案之交互參照】
本申請案基於並主張日本專利申請案第2011-049195號的優先權，該優先權基礎案係在2011年3月7日提出申請，其整體內容乃藉由參考文獻方式加以合併。
本發明係關於用以運送基板的基板運送裝置與基板運送方法、以及儲存用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體。
在製造半導體裝置時，使用各種處理裝置來處理基板(例如半導體晶圓)的氧化、擴散、化學氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)等等。在這些裝置之中，已知一種包含可同時對複數基板進行熱處理之直立型熱處理裝置的膜沉積裝置。
此膜沉積裝置包含晶舟、升/降模組、以及搬運模組(或基板運送裝置)。此晶舟為一基板固持部，其係以預定固持間隔將複數基板固持在上/下方向(或垂直方向)上，以及此基板固持部係被運送到或運送離開膜沉積容器。
此升/降模組係配置在位於膜沉積容器下方的裝載區內。當將晶舟配置在用以封閉膜沉積容器之開口的蓋體之上部上時，此升/降模組使蓋體在垂直方向上升起或降下，以使晶舟在膜沉積容器與裝載區之間進行上下移動。此搬運模組係在位於裝載區內的晶舟與容納基板的容納容器之間搬運基板。
在各種使用此膜沉積裝置的膜沉積方法之中，已知一種在基板之表面上形成聚亞醯胺膜的方法。形成在基板之表面上的聚亞醯胺膜可用以作為半導體裝置中的絕緣膜。例如，已知一種形成聚亞醯胺膜的典型方法，於其中係使用苯均四酸二酐(PMDA，pyromellitic dianhydride)以及4,4'-二氨基二苯醚(ODA，4,4'-oxydianiline)來作為來源材料單體，並且藉由PMDA與ODA 的氣相沉積聚合來形成聚亞醯胺膜。
為了增加在此種膜沉積裝置中之一個晶舟內所裝載之基板的數量，以預定固持間隔將複數堆疊構件固持在上/下方向上，其中每一堆疊構件包含具有透過間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板。例如，參見以下所列之專利文獻1。
在用於半導體裝置之製造的各種處理裝置之中，已知一種基板運送裝置。在此基板運送裝置中，當在用以容納基板的容納容器與基板固持部之間運送基板時，係藉由止動構件以及夾固單元來夾固基板。例如，參見以下所列之專利文獻2。
在專利文獻2的基板運送裝置中，止動構件係配置在叉件的前端，以接觸基板的外緣。夾固單元係配置在叉件的基端側上而可在進退方向上移動。使夾固單元移動以將基板推向止動構件，並且與止動構件來夾固基板。
專利文獻1：日本專利公開案第2009-081259號
專利文獻2：日本專利公開案第2009-099918號
然而，在包含用以固持堆疊構件之晶舟的膜沉積裝置中的搬運模組(或基板運送裝置)具有下列問題。
形成堆疊構件的基板與間隔構件具有幾乎相同的尺寸，但此兩元件的其他尺寸(例如厚度)係彼此相異。為了使同一叉件可支撐基板與間隔構件兩者，必須在同一叉件上設置基板支撐模組以及間隔構件支撐模組。
然而，假使將基板支撐模組以及間隔構件支撐模組配置在此叉件的一表面上，當藉由基板支撐模組來支撐基板時，基板可能會干擾到間隔構件支撐模組。另一方面，當藉由間隔構件支撐模組來支撐間隔構件時，間隔構件可能會干擾到基板支撐模組。
假使將基板支撐模組以及間隔構件支撐模組分別配置在此叉件的兩相對表面上，整體叉件厚度會增加，並且會變得比在將基板支撐模組以及間隔構件支撐模組配置在此叉件的單一表面上之情況下的整體叉件厚度更大。
為了防止當在晶舟與容納容器之間運送一基板或一間隔構件 時於上/下方向上之相鄰基板或相鄰間隔構件間的干擾，必須增大容納容器內所容納之基板的間隔或間隔構件的間隔。
在一實施樣態中，本發明提供一種基板運送裝置及基板運送方法，其以一叉件(或同一叉件)來支撐基板與間隔構件兩者並降低容納容器內所容納的基板或間隔構件的間隔。
在一實施樣態中，本發明提供一種基板運送裝置，其用以將一堆疊構件運送到包含在上/下方向上以預定間隔固持複數堆疊構件的一基板固持部，每一堆疊構件包含具有透過一間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板，該基板運送裝置包含：一第一叉件，配置成可在進/退方向上移動至該基板固持部，以將該堆疊構件運送到該基板固持部或接收來自該基板固持部的該堆疊構件；一第二叉件，配置成可反轉，並且配置在該第一叉件的上方而在進/退方向上可移動至用以容納該基板與該間隔構件的一容納部，以在該容納部與該第一叉件之間運送一基板或一間隔構件；一第一夾持模組，配置在該第二叉件的一第一表面上，以從上方固持並支撐該基板；以及一第二夾持模組，配置在與該第一夾持模組同一側之該第二叉件的該第一表面上，以從上方固持並支撐該間隔構件。
在一實施樣態中，本發明提供一種基板運送方法，其用以將一堆疊構件運送到包含在上/下方向上以預定間隔固持複數堆疊構件的一基板固持部，每一堆疊構件包含具有透過一間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板，該基板運送方法包含下列步驟：第一步驟，藉由配置在一第二叉件之一第一表面上的一第一夾持模組，從下方固持包含在一容納部內的一第一基板，該第二叉件係配置在一第一叉件的上方，並且藉由使該第二叉件顛倒翻轉而將該第一基板放置在該第一叉件上；第二步驟，藉由配置在與該第一夾持模組同一側之該第二叉件之該第一表面上的一第二夾持模組，從上方固持包含在該容納部內的一間隔構件，並且將該間隔構件放置在該第一基板上，該第一基板係放置在該第一叉件上；以及 第三步驟，藉由該第一夾持模組，從上方固持包含在該容納部內的一第二基板，並且將該第二基板放置在該間隔構件上，該間隔構件係放置在該第一叉件的上方。
吾人可透過在請求項中特定指出的元件與組合而瞭解並達成本發明之實施樣態與優點。吾人應瞭解以上概括說明與以下詳細說明僅用於示範與解釋，而不對如所主張之本發明造成限制。
以下將參考隨附圖式來說明本發明之非限制性、示範實施例。在這些圖式中，對相同或對應的構件或組件賦予相同或對應的參考符號。吾人可注意到這些圖式為本發明之示例，並且不意指這些構件或組件之間係按照尺寸或相對比例加以標示。因此，具體的尺寸應由本技術領域中具有通常技藝者考慮下列非限制性實施例而決定。
將參考隨附圖式來對本發明之實施例進行說明。
將參考圖1到6來說明本發明之一實施例的膜沉積裝置。
在本實施例之膜沉積裝置中，包含了本發明之基板運送裝置，並且藉由批式處理將膜形成在來自複數堆疊構件之一基板(可將其稱為基板或晶圓W)上。
在本實施例之膜沉積裝置的一典型範例中，藉由將由苯均四酸二酐(PMDA)所蒸發而成的第一來源氣體以及由4,4'-二氨基二苯醚(ODA)所蒸發而成的第二來源氣體供應到固持在膜沉積容器內的基板，以在此基板上形成聚亞醯胺膜。
圖1係本實施例之膜沉積裝置10的縱剖面圖。圖2係裝載區20的立體圖。圖3係顯示當在膜沉積容器內執行前批(批1)之晶圓W之膜沉積程序時，後批(批2)之晶圓W的狀態的圖。
圖4係晶舟24之一範例的立體圖。圖5係多基板單元36安置在晶舟24上之狀態的橫剖面圖。圖6係間隔構件35之一範例的平面圖。圖7係顯示膜沉積容器40的放大圖。
如圖1所示，膜沉積裝置10包含安裝基座(裝載埠)12、外殼 18、以及控制單元50。
安裝基座(裝載埠)12係配置在外殼18的前部。外殼18包含裝載區(工作空間)20以及膜沉積容器40。裝載區20係配置在外殼18的下方，而膜沉積容器40係配置在外殼18內並且配置在裝載區20的上方。
底板19係設置在裝載區20與膜沉積容器40之間。底板19係一不鏽鋼所製造的底板，用以安置膜沉積容器40內之反應氣體管41，並且形成具有用以從下部將反應氣體管41插入到上部的開口(未圖示)。
安裝基座(裝載埠)12係設置來執行晶圓W到外殼18的朝內運送與從外殼18朝外運送晶圓W。容納容器13係配置在安裝基座(裝載埠)12上。容納容器13係封閉型的容納容器(環箍)，其包含以預定間隔所堆疊的複數晶圓(例如50片晶圓)，並且在其前面上設有可分離的附接蓋體(未圖示)。
在本實施例中，安裝基座(裝載埠)12係用以執行到外殼18內之後述間隔構件35的攜入、取出。
容納容器14係配置在安裝基座(裝載埠)12上。容納容器14係封閉型的容納容器(環箍)，其在前面具有可附接與分離的蓋體(未圖示)並且以預定間隔來容納複數晶圓(例如25片晶圓)的間隔構件35。
容納容器13與14係相當於依照本發明之容納部。整列裝置(對準器)15可配置在安裝基座12的下方，以使在藉由後述之搬運模組27所搬運之晶圓W之周圍部分形成的凹口於一方向上加以整列。
設置裝載區(工作空間)20，以在容納容器13與晶舟24之間運送晶圓W、將晶舟24攜入膜沉積容器40內(裝載)、以及從膜沉積容器40取出晶舟24(卸載)。
門21、擋門模組(shutter module)22、蓋體23、晶舟24、基座25a與25b、升/降模組26(參見圖2)、以及搬運模組27係配置在裝載區20內。
蓋體23以及晶舟24係相當於依照本發明之基板固持部。搬運模組27係相當於依照本發明之基板運送裝置。
設置門21以移除容納容器13與14的各自蓋體，而使容納容器13與14的內部壓力開放至裝載區20。擋門模組22係配置在裝載區20的上方。設置擋門模組22以關閉膜沉積容器40的開口43，而在蓋體23開啟時防止熱爐內的熱散發到裝載區20。
蓋體23包含熱絕緣柱28以及旋轉模組29。熱絕緣柱28係配置在蓋體23上。熱絕緣柱28係用於防止晶舟24因蓋體23側的熱傳遞而冷卻，並且用於使晶舟24保溫。旋轉模組29係附接於蓋體23的下部。旋轉模組29係用於使晶舟24旋轉。旋轉模組29的旋轉軸係氣密地貫穿蓋體23，並且配置成可使蓋體23上所配置的旋轉台(未圖示)旋轉。
升/降模組26係用以從晶舟24的裝載區20對膜沉積容器40進行搬入、遷出的場合時，執行蓋體23的升/降驅動。在將藉由升/降模組26所升起的蓋體23運送到膜沉積容器40時，蓋體23可配置成與後述開口43接觸而使開口43密封。配置在蓋體23上的晶舟24可固持晶圓W而使其可在膜沉積容器40內於水平面上轉動。
或者，膜沉積裝置10可設有複數晶舟24。以下，假設本實施例之膜沉積裝置10設有兩個晶舟24，並且參考圖2來對其進行說明。
如圖2所示，晶舟24a與24b係配置在裝載區20內。在裝載區20中，配置了基座25a與25b以及晶舟運送模組25c。基座25a與25b為安裝基座，於其上分別安裝從蓋體23所搬運的晶舟24a與24b。
設置晶舟運送模組25c，以將晶舟24a與24b從蓋體23運送到基座25a與25b。如圖3所示，在將包含前批(批1)之晶圓W的晶舟24a運送到膜沉積容器40並且執行膜沉積程序時，可將後批(批2)的晶圓W從容納容器13搬運到位於裝載區20內的晶舟24b。
在結束前批(批1)之晶圓W的膜沉積程序時並且立即從膜沉 積容器40取出晶舟24a之後，可將包含後批(批2)之晶圓W的晶舟24b運送到膜沉積容器40。因此，可縮短膜沉積程序所需的時間並且可降低製造成本。
晶舟24a與24b係例如由石英所製造，並且設置成在上/下方向上以預定間隔(間距)將晶圓W(其直徑例如為300mm)安置成水平狀態。如圖4所示，晶舟24a與24b係將複數支撐件32(例如3個支撐件)介設在頂板30與底板31之間。
用以固持晶圓W的爪部33係配置在支撐件32內。輔助支柱34可適當地與支撐件32設置在一起。
每一晶舟24a與24b係配置成在上/下方向上以預定間隔將複數多基板單元36固持於爪部33上，這些多基板單元各自包含具有透過間隔構件35而堆疊之相鄰背面的兩晶圓W。
以下，本實施例之多基板單元36將為堆疊構件的一範例，於其中各自具有環形的兩晶圓W係透過間隔構件35而堆疊。多基板單元36係相當於依照本發明之堆疊構件。
如圖5所示，爪部33包含底部33a與壁部33b，以及爪部33具有與晶舟24之環周向正交的L形垂直剖面。具有作為上表面之背面Wb(以及作為下表面之正面Wa)的下晶圓W1的外緣係支撐在底部33a上。
間隔構件35係堆疊在下晶圓W1上，於此下晶圓上，背面Wb的外緣係支撐在底部33a上。具有作為下表面之背面Wb(以及作為上表面之正面Wa)的上晶圓W2係支撐在間隔構件35上。壁部33b係配置在多基板單元36(其係由下晶圓W1、間隔構件35以及上晶圓W2所構成)之側邊附近，且壁部33b係設置來防止多基板單元36在水平方向上的定位錯誤。
下晶圓W1係相當於依照本發明之第一基板，而上晶圓W2係相當於依照本發明之第二基板。
或者，除單一晶圓以外，吾人可使用貼合在一起之晶圓的組合來作為晶圓W。此晶圓通常具有0.75-1.2mm的厚度。
如圖5與6所示，間隔構件35具有幾乎與晶圓W之外徑相 等的外徑，並且具有其內徑小於晶圓W之外徑的環形。
當在膜沉積容器40內執行膜沉積程序時，間隔構件35的環形部分係介設在下晶圓W1的外緣與上晶圓W2的外緣之間(這些晶圓W1與W2具有堆疊的相鄰背面)。因此，來源氣體進入具有相鄰背面之兩晶圓W1與W2之間的空隙，而其可防止膜形成在晶圓W1與W2的背面上。間隔構件35係由例如SiC、矽或石英所製造。
如圖6所示，間隔構件35包含凹口35a與35b。形成凹口35a，俾能在藉由第二夾持模組62來支撐間隔構件35時，可使間隔構件35不干擾到第一夾持模組61的第一爪部61a；以及形成凹口35b，俾能在藉由第二夾持模組62來支撐間隔構件35時，可使間隔構件35不干擾到第一夾持模組61的第一推動部61b(參考後述的圖11A-11B)。
如圖5所示，將晶圓W的厚度設定為Wt，將一個多基板單元36的總厚度設定為Pa，以及將固持在上/下方向上之兩個多基板單元36的間隔(即，爪部33的間隔)設定為Pb。在此時，於上/下方向上具有相鄰背面之兩晶圓W的間隔係表示為(Pa-2Wt)，而於上/下方向上具有相鄰正面之兩晶圓W的間隔則係表示為(Pb-Pa)。
較佳係做出間隔(Pa-2Wt)係小於間隔(Pb-Pa)的配置。亦即，較佳係將兩晶圓固持在上/下方向上，以使在上/下方向上具有相鄰背面之兩晶圓W的間隔(Pa-2Wt)係小於在上/下方向上具有相鄰正面之兩晶圓W的間隔(Pb-Pa)。
在本實施例中，做出下列配置：一個多基板單元36的厚度Pa係等於3.3mm，而固持在上/下方向上之該多基板單元36的間隔Pb(即，爪部33的間隔)係等於21mm。因此，在上/下方向上具有相鄰正面之兩晶圓W的間隔(Pb-Pa)係等於(21-3.3)=17.7mm。另一方面，在上/下方向上具有相鄰背面之兩晶圓W的間隔(Pt-2Wt)為(21-0.9×2)/2=9.6mm，其係小於17.7mm。
因此，藉由使用多基板單元36來支撐具有相鄰背面的兩晶圓 W，可增大一晶圓W之正面Wa與另一晶圓W之正面Wa之間的間隔，並且可將足量的來源氣體供應給晶圓W的正面Wa。稍後將說明搬運模組27。
圖7為膜沉積容器40、供給模組44、以及排放模組47之組成的剖面圖。
可將膜沉積容器40製造成直立型爐，以容納形狀例如為薄板盤狀之基板的複數晶圓W並且執行例如CVD處理之預定處理。
膜沉積容器40包含反應管41以及加熱器(加熱元件)42。反應管41係例如由石英所製造，且其具有縱長形狀並在其下端形成開口43。加熱器(加熱元件)42係設置成覆蓋在反應管41的周圍，以及加熱器42的加熱控制可執行達到反應管41內部之一預定溫度，例如100-1200℃。
供給模組44包含第一來源氣體供應部45以及第二來源氣體供應部46。第一來源氣體供應部45係透過閥45b而連接至注入器45c。第二來源氣體供應部46係透過閥46b而連接至注入器46c。
第一來源氣體供應部45包含用以蒸發例如PMDA材料的第一蒸發器45a。第一蒸發器45a加熱含有PMDA的第一材料以產生蒸氣，並且將含有PMDA氣體的第一來源氣體與含有氮氣(N2氣體)的第一載氣一起供應到反應管41。第二來源氣體供應部46包含用以蒸發例如ODA材料的第二蒸發器46a。
第二蒸發器46a加熱含有ODA的第二材料以產生蒸氣，並且將含有ODA氣體的第二來源氣體與包含氮氣(N2氣體)的第二載氣一起供應到反應管41。第二載氣係用以使液態ODA起泡並且運送含有ODA氣體的第二來源氣體。
排放模組47包含排放裝置48以及配置在膜沉積容器40中的排放管49。排放模組47係用以排放來自膜沉積容器40之內部的氣體。
在各注入器45c與46c的側邊上形成開口，並且如圖7之箭頭所示，將由第一來源氣體供應部45所產生的PMDA氣體以及由第二來源氣體供應部46所產生的ODA氣體供應到晶圓W。當 在晶圓W上執行所供應之PMDA氣體與ODA氣體的氣相沉積聚合反應時，於此晶圓上形成聚亞醯胺膜。未對聚亞醯胺膜之形成提供貢獻的PMDA氣體流與ODA氣體流係從排放管49排出膜沉積容器40的外部。藉由旋轉模組29來旋轉晶舟24，以使聚亞醯胺膜均勻地形成在晶圓W上。
控制單元50例如包含運算處理器、記憶部、以及顯示部(未圖示)。此運算處理器例如為具有中央處理單元(CPU，central processing unit)的電腦。此記憶部例如為電腦可讀取記錄媒體，如其中儲存有使此運算處理器執行各種程序之程式的硬碟。此顯示部例如包含電腦顯示器螢幕。此運算處理器讀取此記憶部上的程式，並且依據此程式將控制信號傳送至晶舟24(基板固持部)、搬運模組27、供給模組44、以及排放模組47其中每一者，以執行基板運送方法及膜沉積程序(此稍後將進行說明)。
接著，將參考圖8-11來說明搬運模組27。
圖8係顯示搬運模組27之一範例的側視圖。圖9A-9C係顯示藉由上叉件54從下方支撐晶圓W(下夾持)之狀態的圖。圖10A-10C係顯示藉由上叉件54從上方支撐晶圓W(上夾持)之狀態的圖。圖11A-11C係顯示藉由上叉件54從上方支撐間隔構件35(上夾持)之狀態的圖。
在圖9A-11C中，每一圖9B-11B的右半部分別係沿著圖9A-11A中之A-A線的上叉件之剖面圖。每一圖9B-11B的左半部分別係沿著圖9A-11A中之D-D線的上叉件之剖面圖。每一圖9C-11C的右半部分別係沿著圖9A-11A中之B-B線的上叉件之剖面圖。每一圖9C-11C的左半部分別係沿著圖9A-11A中之C-C線的上叉件之剖面圖。
設置搬運模組27的設置係用以在容納容器13與14及晶舟24a與24b之間搬運晶圓W或間隔構件35。搬運模組27包含基座51、升/降模組52、下叉件53、以及上叉件54。
基座51係配置成可旋轉。升/降模組52係配置成沿著在上/下方向上延伸的軌道52a(參見圖1)而可在上/下方向上移動。下叉 件53係配置成可水平且垂直地移動至基座51。上叉件54係配置成可顛倒反轉並且可水平地移動至基座51。
下叉件53係相當於依照本發明之第一叉件，而上叉件54則係相當於依照本發明之第二叉件。可配置本發明之搬運模組，以使下叉件53與上叉件54其中一者係配置成可在上/下方向上移動至另一叉件。因此，代替下叉件53，可將上叉件54配置成可在上/下方向上移動至基座51。
下叉件53係設置成藉由可移動本體55而可在進/退方向上移動到運載有多基板單元36的晶舟24a與24b，以及下叉件53在晶舟24a與24b之間運送多基板單元36。另一方面，上叉件54係設置成藉由可移動本體56而可水平地移動至包含晶圓W的容納容器13，並可在進/退方向上移動至包含晶圓W的容納容器13，以及上叉件54將晶圓W運送到容納容器13。
上叉件54係設置成藉由可移動本體56而可在進/退方向上移動至包含間隔構件35的容納容器14，以及上叉件54將間隔構件35運送到與運送離開容納容器14。
如圖9A所示，上叉件54的前端58係分成分叉狀態。雖然沒有顯示，但下叉件53的前端57係分成類似於上叉件54的分叉狀態。
上叉件54包含第一夾持模組61、第二夾持模組62、以及支撐部71。第一夾持模組61包含兩個第一爪部61a以及兩個第一推動部61b。第一爪部61a皆係固定於上叉件54之(分成分叉狀態之)前端58的表面54a。各個第一推動部61b係配置在(上叉件54之基端60側上的)表面54a側上而可在進/退方向上移動至第一爪部61a，並且藉由與晶圓W的外緣接觸並將晶圓W推向第一爪部61a側，而與第一爪部61a共同夾住晶圓W。或者，可將此兩個第一推動部61b形成一整體部。
第二夾持模組62包含兩個第二爪部62a以及兩個第二推動部62b。第二爪部62a係固定於上叉件54之(分成分叉狀態之)前端58的表面54a側。各個第二推動部62b係配置在(上叉件54之基 端60側上的)表面54a側上而可在進/退方向上移動至第二爪部62a，並且藉由與晶圓W的外緣接觸並將晶圓W推向第二爪部62a側，而與第二爪部62a共同夾住晶圓W。或者，可將此兩個第二推動部62b形成一整體部。
亦即，第一夾持模組61係配置在上叉件54的表面54a側上，且配置成當表面54a面向下時從上方固持並支撐晶圓W。在配置有上叉件54之第一夾持模組61的同一側上，第二夾持模組62係配置於上叉件54的表面54a側上，且配置成當表面54a面向下時從上方固持並支撐間隔構件35。
將第一爪部61a與第一推動部61b配置成與晶圓W的外緣在至少三處接觸便足以夾住晶圓W。亦即，可將第一爪部61a與第一推動部61b配置成第一爪部61a之數量與第一推動部61b之數量的總和為三個以上。將第二爪部62a與第二推動部62b配置成與晶圓W的外緣在至少三處接觸便足以夾住晶圓W。亦即，可將第二爪部62a與第二推動部62b配置成第二爪部62a之數量與第二推動部62b之數量的總和為三個以上。
第一夾持模組61包含第一進/退驅動器63，其用以執行將第一推動部61b向著第一爪部61a的進/退驅動。第二夾持模組62包含第二進/退驅動器64，其用以執行將第二推動部62b向著第二爪部62a的進/退驅動。
或者，可將第一推動部61b與第二推動部62b配置成一整體部。在此種情況下，可共同地設置用以執行第一推動部61b之進/退驅動的第一進/退驅動器63以及用以執行第二推動部62b之進/退驅動的第二進/退驅動器64。
在圖8到11所示之範例中，將第一推動部61b與第二推動部62b配置成一整體部，並且設置同一進/退驅動器63(64)。
第一夾持模組61便足以從上方固持並支撐晶圓W。或者，可將第一夾持模組61配置成包含除第一爪部61a與第一推動部61b以外的任何額外零件。第二夾持模組62便足以從上方固持並支撐間隔構件35。或者，可將第二夾持模組62配置成包含除第二爪部 62a與第二推動部62b以外的任何額外零件。
支撐部71包含兩個接觸部71a。支撐部71係設置作為當從下方固持並支撐晶圓W時，用以將晶圓W之外緣安裝於其上的部分。
當從下方固持並支撐晶圓W時，如圖9A與圖9B所示，藉由第一爪部61a與第一推動部61b所夾住的晶圓W係被水平地束縛。晶圓W的底面係與第一爪部61a的底部61e接觸並且與接觸部71a接觸，並且將晶圓W支撐在上/下方向上。
另一方面，如圖9A與9C所示，晶圓W不與第二爪部62a或第二推動部62b接觸，並且不藉由第二爪部62a與第二推動部62b來夾住晶圓W。
當從上方固持並支撐晶圓W時，如圖10A與圖10B所示，藉由第一爪部61a與第一推動部61b所夾住的晶圓W係被水平地束縛。晶圓W的底面係與第一爪部61a的劍鍔部(sword guard part)61c接觸並且亦與第一推動部61b的劍鍔部61d接觸，俾能將晶圓W支撐在上/下方向上。
另一方面，如圖10A與10C所示，晶圓W不與第二爪部62a或第二推動部62b接觸，並且不藉由第二爪部62a與第二推動部62b來夾住晶圓W。
當從上方固持並支撐間隔構件35時，如圖11A與11C所示，藉由第二爪部62a與第二推動部62b所夾住的間隔構件35係被水平地束縛。間隔構件35的底面係與第二爪部62a的劍鍔部62c接觸並且亦與第二推動部62b的劍鍔部62d接觸，俾能將間隔構件35支撐在上/下方向上。
另一方面，如圖11A與圖11B所示，因為如圖6所示在間隔構件35中形成凹口35a與35b，所以間隔構件35不與第一爪部61a或第一推動部61b接觸，並且不藉由第一爪部61a與第一推動部61b來夾住間隔構件35。
或者，與第二爪部62a之劍鍔部62c接觸之間隔構件35的部分可形成其上部被切除的凹口35c。在此種情況下，當接收來自晶 舟24之多基板單元36以及將間隔構件35容納在容納容器14內時，可輕易從上方支撐位於晶圓W上的間隔構件35。
第一夾持模組61與第二夾持模組62係配置成沿著上叉件54的進/退方向，使藉由第一夾持模組61所支撐之晶圓W的中心C1與藉由第二夾持模組62所支撐之間隔構件35的中心C2為彼此相異。
當藉由第二爪部62a與第二推動部62b來夾住間隔構件35時，可防止間隔構件35干擾到第一爪部61a與第一推動部61b其中任一者。舉例而言，當晶圓W的外徑等於300 mm時，中心C1與中心C2之間的距離DC可為2 mm。
將參考圖12A與12B來說明本實施例之搬運模組。圖12A與12B係分別顯示本實施例之搬運模組27之上叉件54的前端58以及一比較範例之搬運模組之上叉件154的前端158的縱剖面圖。前端58與158各自的厚度係設定為TF，第一爪部61a的最大厚度係設定為TW，以及第二爪部62a的最大厚度係設定為TS。
第二爪部62a的最大厚度TS係大於第一爪部61a的最大厚度TW，即TS>TW。舉例而言，間隔構件35之1.5 mm的厚度係大於晶圓W的厚度(其係等於0.9 mm)。
如圖12B所示，在此比較範例的搬運模組中，第一爪部61a與第二爪部62a係互相設置在上叉件154之相對側的表面154a與154b上。因此，上叉件154之前端158的厚度係等於TS+TF+TW。
另一方面，如圖12A所示，在本實施例之搬運模組27中，第一爪部61a與第二爪部62a係配置在上叉件54的同一表面54a上。因此，上叉件54之前端58的厚度係等於TS+TF，因為TS>TW。亦即，可使本實施例之搬運模組27之上叉件54的厚度(TS+TF)小於此比較範例之搬運模組之上叉件154的厚度(TS+TF+TW)。因此，可縮小容納容器13與14內之晶圓W與間隔構件35的間隔。
在上/下方向上容納於容納容器13(於其中容納有晶圓)內之上 與下晶圓W之間的間距乃先預定。假設此預定間距係設定為PL1以及晶圓W的厚度係設定為Wt。在圖12B所示之比較範例中，在容納容器13內之上叉件154與每一上及下晶圓W之間的間隙CL0係表示為(PL1-Wt-(TS+TF+TW))/2。
另一方面，在圖12A所示之本實施例中，在容納容器13內之上叉件54與每一上及下晶圓W之間的間隙CL1係表示為(PL1-Wt-(TS+TF))/2。CL1係大於CL0。因此，可使在本實施例之搬運模組27之上叉件54的容納容器13內的間隙CL1大於在此比較範例之搬運模組之上叉件154的容納容器13內的間隙CL0。相同的論述亦可用在容納間隔構件35的容納容器14。
例如，當PL1等於10 mm並且Wt等於0.9 mm時，此比較範例中的尺寸(TS+TF+TW)係等於7.2 mm，而本實施例中的尺寸(TS+TF)係等於5.3 mm。在此種情況下，此比較範例中的CL0係等於0.95 mm，而本實施例中的CL1係等於1.9 mm。因此，CL1係大於CL0。
接著，將參考圖13A到20B來說明基板運送方法，於其中搬運模組27構成並運送多基板單元36。
圖13A到19C係顯示搬運模組27構成多基板單元36以及運送多基板單元36之程序的側視圖。圖20A與20B係顯示當上叉件54將晶圓W運送到下叉件53時、上叉件54與第二推動部62b之移動的圖。圖20A顯示在上叉件54將晶圓W運送到下叉件53之前的狀態，而圖20B顯示在上叉件54將晶圓W運送到下叉件53之後的狀態。
首先，使上叉件54前移到容納容器13內，並藉由第一夾持模組61從下方支撐晶圓W1。使上叉件54返回並使其顛倒翻轉，俾能將晶圓W1配置在下叉件53中(第一程序)。
使表面54a面向上的上叉件54前移到於其內容納有晶圓W1的容納容器13內(圖13A)。在此時，使上叉件54向前移動，以使晶圓W1位在第一爪部61a與第一推動部61b之間。接著，使第一推動部61b前移而將晶圓W1推向第一爪部61a側，並且從下 方支撐晶圓W1(圖13B)。接著，使上叉件54撤出容納容器13並同時支撐晶圓W1(圖13C)。
接著，使上叉件54顛倒翻轉並同時支撐晶圓W1(圖14A)。之後，使下叉件53升起並靠近上叉件54(圖14B)。接著，撤回第一推動部61a並將晶圓W1配置在下叉件53上(圖14C)。之後，使下叉件53降下至原來位置(圖15A)。
如圖20A所示，在上叉件54將晶圓W1運送到下叉件53之前，藉由第一爪部61a與第一推動部61b來夾住晶圓W1。如圖20B所示，當上叉件54將晶圓W1運送到下叉件53時，使第一推動部61b返回，並且同時藉由可移動本體56使上叉件54稍微前移，且藉由升/降模組52使搬運模組27稍微升起。
當將晶圓W1運送到下叉件53時，可防止晶圓W1干擾到第一爪部61a與第一推動部61b兩者。相同的論述亦可用在將間隔構件35或晶圓W2從上叉件54運送到下叉件53的情況(參見圖16C與圖18C)。
如上所述，代替下叉件53，可將上叉件54設置成可上下移動至基座51。於此種情況下，在使上叉件54降下並且靠近下叉件53且撤回第一推動部61b而將晶圓W1放置在下叉件53上之後，可使上叉件54升起至原來位置。相同的論述亦可用在將間隔構件35或晶圓W2從上叉件54運送到下叉件53的情況(參見圖16C與圖18C)。
接著，使上叉件54前移到容納容器14內，藉由第二夾持模組62從上方支撐間隔構件35，並且撤回上叉件54，俾能將間隔構件35配置在下叉件53上所配置的晶圓W1上(第二程序)。
使表面54a面向下的上叉件54前移到於其內容納有間隔構件35的容納容器14內(圖15B)。在此時，使上叉件54向前移動，以使間隔構件35位在第二爪部62a與第二推動部62b之間。接著，使第二推動部62b前移而將間隔構件35推向第二爪部62a側，並且從上方支撐間隔構件35(圖15C)。
接著，使上叉件54撤出容納容器14並同時支撐間隔構件 35(圖16A)。之後，使下叉件53升起並靠近上叉件54(圖16B)。接著，撤回第二推動部62b並且將間隔構件35配置在位於下叉件53上的晶圓W1上(圖16C)。之後，使下叉件53降下至原來位置(圖17A)。
在第二程序中，當藉由第二夾持模組62所支撐之間隔構件35的中心C2係沿著上叉件54之進/退方向而位在不同於藉由第一夾持模組61所支撐之晶圓W1的中心C1的位置時，接收間隔構件35。因此，當藉由第二爪部62a與第二推動部62b來夾住間隔構件35時，可防止間隔構件35干擾到第一爪部61a與第一推動部61b其中任一者。
接著，使上叉件54前移到容納容器13內，並藉由第一夾持模組61從上方支撐晶圓W2，撤回上叉件54，並將晶圓W2配置在位於下叉件53上的間隔構件35上(第三程序)。
使表面54a面向下的上叉件54前移到於其內容納有晶圓W2的容納容器13內(圖17B)。在此時，使上叉件54向前移動，以使晶圓W2位在第一爪部61a與第一推動部61b之間。接著，使第一推動部61b前移而將晶圓W2推向第一爪部61a，俾能從上方支撐晶圓W2(圖17C)。
接著，使上叉件54撤出容納容器13並同時支撐晶圓W2(圖18A)。之後，使下叉件53升起並靠近上叉件54(圖18B)。接著，撤回第一推動部61b並且將晶圓W2配置在位於下叉件53上的間隔構件35上(圖18C)。之後，使下叉件53降下至原來位置(圖19A)。
接著，使下叉件53前移到晶舟24內，並且將多基板單元36運送到爪部33(第四程序)。
使下叉件53前移到晶舟24內，並且將多基板單元36(其包含晶圓W1、間隔構件35、以及晶圓W2)運送到爪部33(圖19B)。之後，使下叉件53撤出晶舟24(圖19C)。
接著，將說明使用本實施例之膜沉積裝置的膜沉積程序。圖21係用以說明包含使用本實施例之膜沉積裝置之膜沉積程序的每一程序之程序的流程圖。
在開始膜沉積程序時，於步驟S11，將多基板單元36運送到膜沉積容器40內(運入程序)。如圖1到4所示，於膜沉積裝置10中，例如在裝載區20內，可藉由搬運模組27將多基板單元36運載到晶舟24a內，並且可藉由晶舟運送模組25c將運載有多基板單元36的晶舟24a配置在蓋體23上。且，藉由利用升/降模組26使配置有晶舟24a的蓋體23上升並將其插入膜沉積容器40內而運送晶圓W。
如圖13A到19C所示之程序可執行晶圓W及間隔構件35從容納容器13與14到晶舟24a的搬運。
接著，在步驟S12，降低膜沉積容器40的內部壓力(壓力降低程序)。藉由調整排放裝置48的排放能力或調整設置在排放裝置48與排放管49之間且未圖示的流率調節閥，以增加經由排放管49排放膜沉積容器40的排放量(displacement volume)。將膜沉積容器40的內部壓力從大氣壓力(760 Torr)降低至一預定壓力(例如0.3 Torr)。
接著，在步驟S13，形成聚亞醯胺膜(膜沉積程序)。事先或在步驟S13中，藉由控制單元50來設定將第一來源氣體(PMDA氣體)傳至注入器45c的第一流率F1、以及設定將第二來源氣體(ODA氣體)傳至注入器46c的第二流率F2。且，在藉由旋轉模組29來旋轉晶圓W時，以所設定之第一流率F1將PMDA氣體從第一來源氣體供應部45傳至注入器45c，並且以第二設定流率F2將ODA氣體從第二來源氣體供應部46傳至注入器46c。此係在藉由預定混合比進行混合的狀態下，將PMDA氣體與ODA氣體供應到膜沉積容器40內。
且，在晶圓W的表面上進行PMDA與ODA的聚合反應，俾能形成聚亞醯胺膜。具體而言，可將第一流率F1設定為900 sccm，並且可將第二流率F2設定為900 sccm。
在此時，PMDA與ODA的聚合反應係遵循下列化學式(1)。
在本實施例中，可將複數晶圓W固持在上/下方向上，以使具有在上/下方向上堆疊之相鄰背面的兩相鄰晶圓W之間隔小於具有在上/下方向上堆疊之相鄰正面的兩相鄰晶圓W之間隔。
因此，當晶舟24的晶圓裝載數量維持不變時，可增加具有在上/下方向上堆疊之相鄰正面之兩相鄰晶圓W的間隔。因此，可增大位於一晶圓W的正面與另一晶圓W的正面之間的間隔，如此可將足量的來源氣體供應到每一晶圓W的正面。
接著，在步驟S14，中止從第一來源氣體供應部45之PMDA氣體的供應以及從第二來源氣體供應部46之ODA氣體的供應，並且執行膜沉積容器40之內部壓力的壓力恢復以達大氣壓力(壓力恢復程序)。
藉由調整排放裝置48的排放能力或調整設置在排放裝置48與排放管49之間的流率調節閥(未圖示)，以減少排放膜沉積容器40的排放量，並且執行膜沉積容器40之內部壓力(例如0.3 Torr)的壓力恢復以達大氣壓力(760 Torr)。
接著，在步驟S15，從膜沉積容器40取出多基板單元36(取出程序)。
在圖1到4所示之膜沉積裝置10中，配置有晶舟24a的蓋體23例如可藉由升/降模組26而降下，並且可從膜沉積容器40的內部取出至裝載區20內。
藉由利用搬運模組27把晶圓W從配置在已取出之蓋體23上的晶舟24a運送到容納容器13，以將多基板單元36從膜沉積容器40取出。
可執行與圖13A到19C所示之程序相反的程序，以將晶圓W及間隔構件35從晶舟24a運送到容納容器13與14。然後，中止膜沉積程序。
當連續執行多批之膜沉積程序時，在裝載區20內藉由搬運模組27進一步將來自容納容器13的晶圓W搬運到晶舟24，回到步驟S11的控制，並且執行下一批的膜沉積程序。
如上所述，依照本發明，基板運送裝置與基板運送方法能夠以相同的叉件來支撐基板與間隔構件兩者，並且能夠降低容納在容納容器內之基板與間隔構件之間的間隔。
本發明並不限於上述實施例，並且在不悖離本發明之範圍的情況下可進行變化與修改。
在上述實施例中，說明了搬運模組將多基板單元搬運到膜沉積裝置之晶舟的情況。然而，本發明之基板運送裝置可用於將多基板單元運送到或運送離開基板固持部，於其中以預定固持間隔將複數堆疊構件(每一堆疊構件包含具有透過間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板)固持在上/下方向上。
因此，本發明之基板運送裝置可用於包含除上述實施例中之膜沉積裝置之晶舟以外的上述基板固持部的另一種基板處理裝置。
10‧‧‧膜沉積裝置
12‧‧‧安裝基座
13‧‧‧容納容器
14‧‧‧容納容器
15‧‧‧整列裝置
18‧‧‧外殼
19‧‧‧底板
20‧‧‧裝載區
21‧‧‧門
22‧‧‧擋門模組
23‧‧‧蓋體
24‧‧‧晶舟
24a‧‧‧晶舟
24b‧‧‧晶舟
25a‧‧‧基座
25b‧‧‧基座
25c‧‧‧晶舟運送模組
26‧‧‧升/降模組
27‧‧‧搬運模組
28‧‧‧熱絕緣柱
29‧‧‧旋轉模組
30‧‧‧頂板
31‧‧‧底板
32‧‧‧支撐件
33‧‧‧爪部
33a‧‧‧底部
33b‧‧‧壁部
34‧‧‧輔助支柱
35‧‧‧間隔構件
35a‧‧‧凹口
35b‧‧‧凹口
35c‧‧‧凹口
36‧‧‧多基板單元
40‧‧‧膜沉積容器
41‧‧‧反應管
42‧‧‧加熱器
43‧‧‧開口
44‧‧‧供給模組
45‧‧‧第一來源氣體供應部
45a‧‧‧第一蒸發器
45b‧‧‧閥
45c‧‧‧注入器
46‧‧‧第二來源氣體供應部
46a‧‧‧第二蒸發器
46b‧‧‧閥
46c‧‧‧注入器
47‧‧‧排放模組
48‧‧‧排放裝置
49‧‧‧排放管
50‧‧‧控制單元
51‧‧‧基座
52‧‧‧升/降模組
52a‧‧‧軌道
53‧‧‧下叉件
54‧‧‧上叉件
54a‧‧‧表面
55‧‧‧可移動本體
56‧‧‧可移動本體
57‧‧‧前端
58‧‧‧前端
60‧‧‧基端
61‧‧‧第一夾持模組
61a‧‧‧第一爪部
61b‧‧‧第一推動部
61c‧‧‧劍鍔部
61d‧‧‧劍鍔部
61e‧‧‧底部
62‧‧‧第二夾持模組
62a‧‧‧第二爪部
62b‧‧‧第二推動部
62c‧‧‧劍鍔部
62d‧‧‧劍鍔部
63‧‧‧第一進/退驅動器
64‧‧‧第二進/退驅動器
71‧‧‧支撐部
71a‧‧‧接觸部
154‧‧‧上叉件
154a‧‧‧表面
154b‧‧‧表面
158‧‧‧前端
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧下晶圓
W2‧‧‧上晶圓
Wa‧‧‧正面
Wb‧‧‧背面
圖1係本發明之一實施例之膜沉積裝置的縱剖面圖。
圖2係膜沉積裝置之裝載區的立體圖。
圖3係顯示當在膜沉積容器內執行前批之晶圓之膜沉積程序時的後批之晶圓的狀態的圖。
圖4係晶舟之一範例的立體圖。
圖5係多基板單元安置在晶舟上之狀態的剖面圖。
圖6係間隔構件之一範例的平面圖。
圖7係顯示膜沉積容器的放大圖。
圖8係搬運模組之一範例的側視圖。
圖9A、圖9B以及圖9C係顯示藉由上叉件從下方支撐晶圓之狀態的圖。
圖10A、圖10B以及圖10C係顯示藉由上叉件從上方支撐晶圓之狀態的圖。
圖11A、圖11B以及圖11C係顯示藉由上叉件從上方支撐間隔構件之狀態的圖。
圖12A與圖12B係分別顯示本實施例之搬運模組之上叉件的前端58以及一比較範例之搬運模組之上叉件的前端的縱剖面圖。
圖13A、圖13B以及圖13C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖14A、圖14B以及圖14C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖15A、圖15B以及圖15C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖16A、圖16B以及圖16C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖17A、圖17B以及圖17C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖18A、圖18B以及圖18C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖19A、圖19B以及圖19C係顯示搬運模組構成多基板單元以及運送多基板單元之程序的側視圖。
圖20A與圖20B係顯示當上叉件將晶圓運送到下叉件時上叉件與第一推動部之移動的圖。
圖21係用以說明使用本實施例之膜沉積裝置之膜沉積程序的流程圖。
27‧‧‧搬運模組
51‧‧‧基座
52‧‧‧升/降模組
53‧‧‧下叉件
54‧‧‧上叉件
54a‧‧‧表面
55‧‧‧可移動本體
56‧‧‧可移動本體
57‧‧‧前端
58‧‧‧前端
60‧‧‧基端
61‧‧‧第一夾持模組
61a‧‧‧第一爪部
61b‧‧‧第一推動部
62‧‧‧第二夾持模組
62a‧‧‧第二爪部
62b‧‧‧第二推動部
63‧‧‧第一進/退驅動器
64‧‧‧第二進/退驅動器

Claims (15)

  1. 一種基板運送裝置，用以將一堆疊構件運送到包含在上/下方向上以預定間隔固持複數堆疊構件的一基板固持部，每一堆疊構件包含具有透過一間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板，該基板運送裝置包含：一第一叉件，配置成可在進/退方向上移動至該基板固持部，以將該堆疊構件運送到該基板固持部或接收來自該基板固持部的該堆疊構件；一第二叉件，配置成可反轉，並且配置在該第一叉件的上方而在進/退方向上可移動至用以容納該基板與該間隔構件的一容納部，以在該容納部與該第一叉件之間運送該基板或該間隔構件；一第一夾持模組，配置在該第二叉件的一第一表面上，以從上方固持並支撐該基板；及一第二夾持模組，配置在與該第一夾持模組同一側之該第二叉件的該第一表面上，以從上方固持並支撐該間隔構件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，其中，該第一夾持模組包含一第一爪部以及一第一推動部，該第一爪部係固定於該第二叉件的一前端，以及該第一推動部係配置在該第二叉件的一基端部分而在進/退方向上可移動至該第一爪部，並配置成藉由將該基板推向該第一爪部而與該第一爪部來夾住該基板；及該第二夾持模組包含一第二爪部以及一第二推動部，該第二爪部係固定於該第二叉件的該前端，以及該第二推動部係配置在該第二叉件的該基端部分而在進/退方向上可移動至該第二爪部，並配置成藉由將該間隔構件推向該第二爪部而與該第二爪部來夾住該間隔構件。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，其中，藉由該第二夾持模組所支撐之該間隔構件的中心係配置在與藉由該第一夾持模組所支撐之該基板的中心不同的一位置上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，其中，該間隔構件具有一環形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，其中，該基板固持部乃固持該複數個堆疊構件，以使具有在上/下方向上堆疊之相鄰背面的該兩相鄰基板之間的間隔係小於具有在上/下方向上堆疊之相鄰正面的該兩相鄰基板之間的間隔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，其中，該第一叉件與該第二叉件其中一者係配置成在上/下方向上可移動至該另一叉件。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板運送裝置，更包含一升/降模組，該升/降模組係配置成使該第一叉件與第二叉件一起升起或降下。
  8. 一種基板運送方法，用以將一堆疊構件運送到包含在上/下方向上以預定間隔固持複數堆疊構件的一基板固持部，每一堆疊構件包含具有透過一間隔構件而堆疊之相鄰背面的兩基板，該基板運送方法包含下列步驟：第一步驟，藉由配置在一第二叉件之一第一表面上的一第一夾持模組，從下方固持包含在一容納部內的一第一基板，該第二叉件係配置在一第一叉件的上方，並且藉由使該第二叉件顛倒翻轉而將該第一基板放置在該第一叉件上；第二步驟，藉由配置在與該第一夾持模組同一側之該第二叉件之該第一表面上的一第二夾持模組，從上方固持包含在該容納部內的一間隔構件，並且將該間隔構件放置在該第一基板上，該第一基板係放置在該第一叉件上；及第三步驟，藉由該第一夾持模組，從上方固持包含在該容納 部內的一第二基板，並且將該第二基板放置在該間隔構件上，該間隔構件係放置在該第一叉件的上方。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，該第一夾持模組包含一第一爪部以及一推動部，該第一爪部係固定於該第二叉件的一前端，以及該第一推動部係配置在該第二叉件的一基端部分而在進/退方向上可移動至該第一爪部，該第二夾持模組包含一第二爪部以及一第二推動部，該第二爪部係固定於該第二叉件的該前端，以及該第二推動部係配置在該第二叉件的該基端部分而在進/退方向上可移動至該第二爪部，在該第一步驟中，藉由利用該第一推動部將該第一基板推向該第一爪部，以將該第一基板夾在該第一爪部與該第一推動部之間，在該第二步驟中，藉由利用該第二推動部將該間隔構件推向該第二爪部，以將該間隔構件夾在該第二爪部與該第二推動部之間，以及在該第三步驟中，藉由利用該第一推動部將該第二基板推向該第一爪部，以將該第二基板夾在該第一爪部與該第一推動部之間。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，在該第二步驟中，從上方固持該間隔構件，以使藉由該第二夾持模組所支撐之該間隔構件的中心係配置在與藉由該第一夾持模組所支撐之該第一基板的中心不同的一位置上。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，該間隔構件具有一環形。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，該基板固持部乃固持該複數堆疊構件，以使具有在上/下方向上堆疊之相鄰 背面的該兩相鄰基板之間的間隔係小於具有在上/下方向上堆疊之相鄰正面的該兩相鄰基板之間的間隔。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，該第一叉件與該第二叉件其中一者係配置成在上/下方向上可移動至該另一叉件，以及在將該第一基板、該第二基板以及該間隔構件其中一者放置在該第一叉件上時，該第一叉件與該第二叉件乃相互接近。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法，其中，該第一叉件與該第二叉件配置成可藉由一升/降模組而在上/下方向上一起移動。
  15. 一種非暫時性電腦可讀取記錄媒體，其儲存有一程式，當藉由一電腦來執行該程式時，係使該電腦執行如申請專利範圍第8項所述之基板運送方法。
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