KR100891259B1 - 기판 처리 장치, 기판 보관 유지 장비, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 복수의 기판을 보관 유지하는 것이 가능한 기판 보관 유지 장비와, 상기 기판 보관 유지 장비에 보관 유지되는 기판을 수용하는 처리실과, 상기 처리실을 가열하는 가열 수단을 구비하며,상기 기판 보관 유지 장비는,수직으로 설치된 적어도 3개의 지주와,상기 지주에 여러 단으로 설치되어 상기 복수의 기판을 소정 간격으로 수평으로 얹어 놓는 복수의 기판 재치부와,상기 지주에 설치되어 상기 기판 재치부에 지지를 받는 기판에 대해서 소정 간격으로 수평으로 설치되는 복수의 링 형상 플레이트를 가지며,상기 링 형상 플레이트의 상기 지주에 대향하는 내주면이 상기 지주의 주변에서 일부 패여 있는 노치가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판 재치부가 원기둥 내지 단면 반원 기둥 형상을 하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 기판 재치부가 상기 링 형상 플레이트의 지름 방향 안쪽을 향해 아래쪽 으로 경사지어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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- 제2항에 있어서,상기 기판 재치부의 끝 부분을 둥글게 하거나 또는 트리밍(trimming)이 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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- 제2항에 있어서,상기 지주가 단면 반원 기둥 형상으로 구성되고, 상기 지주의 현(subtense) 측에 상기 기판 재치부를 돌출되게 설치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제8항에 있어서,상기 현 측은 상기 링 형상 플레이트의 지름 방향 안쪽이 도려 내져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 지주가 상기 링 형상 플레이트의 외주로부터 밖으로 나오지 않게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 복수의 기판을 보관 유지하는 것이 가능한 기판 보관 유지 장비와, 상기 기판 보관 유지 장비에 보관 유지되는 기판을 수용하는 처리실과, 상기 처리실을 가열하는 가열 수단을 구비하며,상기 기판 보관 유지 장비는,수직으로 설치된 적어도 3개의 지주와,상기 적어도 3개의 지주를 둘러싸는 동시에 상기 지주에 여러 단으로 설치되어, 상기 기판 보관 유지 장비에 보관 유지되는 기판에 대해서 소정 간격으로 수평으로 설치되는 복수의 링 형상 플레이트를 가지며,상기 링 형상 플레이트의 상기 지주에 대향하는 내주면이 상기 지주의 주변에서 일부 패여 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제11항에 있어서,상기 지주가 단면 반원 기둥 형상으로 구성되고, 상기 지주의 현 측에 상기 기판 재치부를 돌출되게 설치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제11항에 있어서,상기 지주가 상기 링 형상 플레이트의 외주로부터 밖으로 나오지 않게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제12항에 있어서,상기 현 측은 상기 링 형상 플레이트의 지름 방향 안쪽이 도려 내져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 복수의 기판을 보관 유지하는 것이 가능한 기판 보관 유지 장비에 있어서,수직으로 설치된 적어도 3개의 지주와,상기 지주에 여러 단으로 설치되어 상기 복수의 기판을 소정 간격으로 수평으로 얹어 놓는 복수의 기판 재치부와,상기 지주에 설치되어 상기 기판 재치부에 지지를 받는 기판에 대해서 소정 간격으로 수평으로 설치되는 복수의 링 형상 플레이트를 가지며,상기 링 형상 플레이트의 상기 지주에 대향하는 내주면이 상기 지주의 주변에서 일부 패여 있는 노치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 보관 유지 장비.
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- 복수의 기판을 보관 유지하는 것이 가능한 기판 보관 유지 장비에 있어서,수직으로 설치된 적어도 3개의 지주와,상기 적어도 3개의 지주를 둘러싸는 동시에 상기 지주에 여러 단으로 설치되어, 상기 기판 보관 유지 장비에 보관 유지되는 기판에 대해서 소정 간격으로 수평으로 설치되는 복수의 링 형상 플레이트를 가지며,상기 링 형상 플레이트의 상기 지주에 대향하는 내주면이 상기 지주의 주변에서 일부 패여 있는 것을 특징으로 하는 기판 보관 유지 장비.
- 복수의 기판을 보관 유지하는 것이 가능한 기판 보관 유지 장비와, 상기 기판 보관 유지 장비에 보관 유지되는 기판을 수용하는 처리실과, 상기 처리실을 가열하는 가열 수단과, 상기 가열 수단에 의해 가열된 처리실에 처리 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 가스 공급 수단을 구비하되,상기 기판 보관 유지 장비는,수직으로 설치된 적어도 3개의 지주와, 상기 지주에 여러 단으로 설치되어 상기 복수의 기판을 소정 간격으로 수평으로 얹어 놓는 복수의 기판 재치부와, 상기 지주에 설치되어 상기 기판 재치부에 지지를 받는 기판에 대해서 소정 간격으로 수평으로 설치되는 복수의 링 형상 플레이트를 가지며, 상기 링 형상 플레이트의 상기 지주에 대향하는 내주면이 상기 지주의 주변에서 일부 패여 있는 노치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,상기 기판 보관 유지 장비의 기판 재치부에 상기 기판을 얹어 놓는 공정과,상기 기판 보관 유지 장비의 기판 재치부에 얹어진 기판을 상기 처리실로 반입하는 공정과,상기 가열 수단에 의해 상기 처리실을 가열하는 공정과,상기 가열된 처리실에 상기 가스공급수단에 의해 처리 가스를 공급하여 상기 링 형상 플레이트의 상기 노치에 상기 처리가스가 흐르도록 상기 기판을 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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- 제1항에 있어서, 상기 노치는 상기 지주가 끼워넣어진 홀로서의 갑입부와, 상기 감입부를 링 형상 플레이트의 외주방향으로 개방시키는 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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- 제15항에 있어서, 상기 노치는 상기 지주가 끼워넣어진 홀로서의 감입부와, 상기 감입부를 링 형상 플레이트의 외주방향으로 개방시키는 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 보관 유지 장비.
- 제15항에 있어서, 상기 지주는 상기 링 형상플레이트의 외주로부터 밖으로 나오지 않도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 보관 유지 장비.
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Cited By (1)
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KR20180138141A (ko) * | 2017-06-19 | 2018-12-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 보유 지지구 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027159A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
KR100946994B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2010-03-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5043826B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2012-10-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US7632354B2 (en) * | 2006-08-08 | 2009-12-15 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system with improved process gas flow and method for injecting a process gas into a thermal processing system |
US8688254B2 (en) * | 2007-06-15 | 2014-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple tools using a single data processing unit |
US7900579B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-03-08 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment method wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other |
US8662886B2 (en) * | 2007-11-12 | 2014-03-04 | Micrel, Inc. | System for improved pressure control in horizontal diffusion furnace scavenger system for controlling oxide growth |
JP5042950B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
WO2010026955A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板保持部材、基板処理装置、基板処理方法 |
JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5250109B2 (ja) | 2009-06-12 | 2013-07-31 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 磁気平衡式電流センサ |
FR2963327B1 (fr) * | 2010-07-27 | 2012-08-24 | Air Liquide | Dispositif de stockage d'articles sous atmosphere controlee |
CN103069282B (zh) | 2010-08-23 | 2015-06-03 | 阿尔卑斯绿色器件株式会社 | 磁平衡式电流传感器 |
JP5565242B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
CN102796992B (zh) * | 2011-05-27 | 2014-05-28 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔装置及具有其的基片处理设备 |
CN102953051A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室装置和具有它的基片处理设备 |
TWI541928B (zh) * | 2011-10-14 | 2016-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 晶圓載具 |
CN103074610A (zh) * | 2012-08-28 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室 |
JP6054213B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2016-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持部材及び半導体製造装置 |
CN103280418B (zh) * | 2013-05-07 | 2016-04-13 | 上海华力微电子有限公司 | 高温氧化设备 |
CN104195629A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-12-10 | 中国科学院半导体研究所 | 塔式多片外延生长装置 |
DE102015014903A1 (de) * | 2015-11-18 | 2017-05-18 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Waferboot und Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer |
CN109075069A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-12-21 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、衬底保持件及载置件 |
JP6469046B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2019-02-13 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
CN108695138A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 株式会社日立国际电气 | 衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
US10829866B2 (en) * | 2017-04-03 | 2020-11-10 | Infineon Technologies Americas Corp. | Wafer carrier and method |
CN109423626B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-07-09 | 胜高股份有限公司 | 成膜装置、成膜用托盘、成膜方法、成膜用托盘的制造方法 |
JP6808839B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2021-01-06 | 株式会社アルバック | 基板保持装置、基板保持方法及び成膜装置 |
JP7145648B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN110295356B (zh) * | 2019-07-03 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板垫块、基板传送设备和成膜系统 |
JP6770617B1 (ja) * | 2019-08-09 | 2020-10-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
JP7361005B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2023-10-13 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法、及び、プログラム |
CN112794715B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-07-08 | 中南大学 | 一种多料柱式cvi炉及飞机刹车盘制造方法 |
CN115404462A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-11-29 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 基片载具及炉管镀膜设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992623A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JP2963145B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1999-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Cvd膜の形成方法及び形成装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
US5169684A (en) * | 1989-03-20 | 1992-12-08 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
US5429498A (en) * | 1991-12-13 | 1995-07-04 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and apparatus thereof |
JP3234617B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2001-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置用基板支持具 |
US5820683A (en) * | 1995-05-26 | 1998-10-13 | Tokyo Electron Limited | Object-supporting boat |
US5743967A (en) | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
JPH1041236A (ja) | 1996-07-25 | 1998-02-13 | M Ii M C Kk | Cvd膜成膜用のボートおよびcvd膜成膜方法 |
JPH10233368A (ja) | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型ウエハボート |
JP4169813B2 (ja) | 1997-07-22 | 2008-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及びボート及び半導体製造方法 |
JP4255091B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2009-04-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法 |
JP2001168175A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 熱処理用基板保持具、基板熱処理装置および基板の熱処理方法 |
US6287112B1 (en) * | 2000-03-30 | 2001-09-11 | Asm International, N.V. | Wafer boat |
JP2003124284A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
KR100491161B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-05-24 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조장치 |
-
2004
- 2004-11-29 JP JP2005515837A patent/JP4312204B2/ja active Active
- 2004-11-29 US US10/574,568 patent/US7455734B2/en active Active
- 2004-11-29 CN CNB2004800346108A patent/CN100435312C/zh active Active
- 2004-11-29 WO PCT/JP2004/017723 patent/WO2005053016A1/ja active Application Filing
- 2004-11-29 KR KR1020067007466A patent/KR100891259B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2963145B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1999-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Cvd膜の形成方法及び形成装置 |
JPH0992623A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 減圧cvd装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180138141A (ko) * | 2017-06-19 | 2018-12-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 보유 지지구 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 |
KR102350502B1 (ko) * | 2017-06-19 | 2022-01-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 보유 지지구 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1886829A (zh) | 2006-12-27 |
JP4312204B2 (ja) | 2009-08-12 |
US7455734B2 (en) | 2008-11-25 |
US20070007646A1 (en) | 2007-01-11 |
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CN100435312C (zh) | 2008-11-19 |
KR20060061860A (ko) | 2006-06-08 |
WO2005053016A1 (ja) | 2005-06-09 |
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