TW202325883A - 加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法，用於化學氣相沉積設備，所述加熱裝置包括：加熱器底座，所加熱器底座上可用於承載一待處理基片。固定邊環，其套設在加熱器底座上，一緩衝腔和一間隙位於固定邊環與加熱器底座之間。間隙包括水平間隙和傾斜間隙，水平間隙的一端與緩衝腔連通，另一端與傾斜間隙連通，傾斜間隙的一端開口朝向基片邊緣。多個中空的氣塞，其環繞加熱器底座邊緣周向間隔設置在加熱器底座內。每一氣塞中設有通孔用於向緩衝腔中通氣。本發明能夠提高對基片邊緣吹掃均勻性。
Description
本發明涉及半導體處理設備技術領域，特別涉及一種加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法。
化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）反應設備或原子層沉積（Atomic layer deposition，簡稱ALD）反應設備在沉積時放置有加工基片的承載盤（基材支撐組件）。一種典型的氣相沉積反應器結構為，由反應腔側壁環繞圍成的反應腔，反應腔內包括軸結構，安放有基片的加熱裝置安裝在軸結構的頂端。反應腔頂部包括氣體噴淋頭，用於將反應氣體從反應氣體源均勻注入反應腔，實現對基片的加工處理，反應腔下方還包括一個抽氣裝置以控制反應腔內部氣壓並抽走反應過程中產生的廢氣。
採用上述反應設備處理基片（基材或晶圓）時，需要採用邊緣吹掃（Edge purge）功能和底部吹掃（bottom purge）功能對基片進行吹掃，減少基片支撐基座邊緣上的沉積物堆積，以保護基片支撐基座免受處理氣體的影響。邊緣環元件可保持在相對較低的溫度下，以説明最大程度地減少邊緣環組件上的沉積物；改善腔室性能，延長保持清潔環境的時間，並防止反應氣體接觸晶圓背面和污染。
通過對基片進行邊緣吹掃測試，發現由於現有的加熱裝置的硬體不能更改，而吹掃孔徑取決於兩個部件的組裝位置，由於組成公差的存在引起吹掃孔徑的改變，造成基片邊緣吹掃氣體的分佈不均勻。同時，如果需要對吹掃的氣流的分佈進行調整，則需要對整個加熱器或加熱裝置的結構進行更改，為了獲得理想的氣流分佈，每次測試都要對結構更改，必然導致成本增加，測試等待週期長，而且現有技術的晶圓邊緣吹掃氣體很難靈活控制。
本發明的目的是提供一種加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法，以實現對晶圓邊緣效應的控制，提高對基片邊緣吹掃均勻性的目的。
為了實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現：
一種加熱裝置，用於化學氣相沉積設備，包括：加熱器底座，所述加熱器底座上可用於承載一待處理基片。固定邊環，其套設在所述加熱器底座上，一緩衝腔和一間隙位於所述固定邊環與所述加熱器底座之間。所述間隙包括水平間隙和傾斜間隙，所述水平間隙的一端與所述緩衝腔連通，另一端與所述傾斜間隙連通，所述傾斜間隙的一端開口朝向所述基片邊緣。多個中空的氣塞，其環繞所述加熱器底座邊緣周向間隔設置在所述加熱器底座內。每一所述氣塞中設有通孔用於向所述緩衝腔中通氣。
可選地，所述加熱器底座的邊緣上設有沿其徑向向內延伸的多層台階；所述固定邊環位於多層所述台階上，多層所述台階中靠近所述加熱器底座底面的第一台階的表面與所述固定邊環的內表面形成所述緩衝腔。其他所述台階的表面與所述固定邊環的內表面之間構成所述間隙。
可選地，所述水平間隙的寬度和所述傾斜間隙的寬度相同或不同。
可選地，所述台階包括三層，記為第一台階、第二台階和第三台階；每一所述氣塞位於所述第一台階下方，所述氣塞通過所述第一台階的第一台階面與所述緩衝腔連通；所述第二台階的第二台階面與所述固定邊環的內表面構成所述水平間隙；所述第三台階的側面與所述固定邊環的內表面構成所述傾斜間隙。
可選地，所述緩衝腔呈圓環形。
可選地，所述水平間隙呈圓環形。
可選地，所述傾斜間隙呈圓環形。
可選地，所述水平間隙的水平寬度範圍為1.5mm-5mm。
可選地，所述水平間隙的垂直厚度的範圍為0.2mm-1mm。
可選地，每一所述氣塞內的通孔孔壁呈不規則狀。
可選地，每一所述氣塞內的通孔呈圓柱狀。
可選地，每一所述氣塞在所述加熱器底座內傾斜設置，所述氣塞靠近所述第一台階面的一端遠離所述加熱器底座的中心軸；所述氣塞遠離所述第一台階面的一端靠近所述加熱器底座的中心軸。
可選地，每一所述氣塞的外表面呈圓柱形。
可選地，每一所述氣塞採用鋁材料製備。
可選地，還包括：活動邊環，其套設在所述固定邊環上，所述活動邊環的內徑小與所述固定邊環的內徑。
再一方面，本發明還提供一種化學氣相沉積設備，包括：反應腔；所述反應腔的頂端設置一氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭下方設置一如上文所述的加熱裝置。
其他方面，本發明還提供一種採用如上文所述化學氣相沉積設備處理基片的方法其中，包括：採用氣體噴淋頭將反應氣體從反應氣體源均勻注入反應腔，實現對基片的加工處理，邊緣吹掃氣體經由每一所述氣塞內的通孔、所述緩衝腔、所述水平間隙和所述傾斜間隙通入至待處理基片的邊緣；調節所述通孔的孔徑以調節氣流的流速以及氣流方向以改善所述基片邊緣吹掃均勻性。
本發明至少具有以下優點之一：
本發明所提供的一種用於化學氣相沉積設備的加熱裝置，所述加熱裝置通過設有的氣塞中的通孔向所述緩衝腔中通入邊緣吹掃氣體，所述緩衝腔內的邊緣吹掃氣體依次通過水平間隙和傾斜間隙對基片的邊緣進行吹掃，防止沉積氣體在這個基片邊緣後側沉積，進而解決由於基片粘在加熱裝置上，導致取片的時候容易碎裂的問題，以及改善腔室性能，延長保持清潔環境的時間，並防止反應氣體接觸晶圓背面-和污染。
所述水平間隙的設置減緩了通向所述基片邊緣的氣流流速，且通過更改所述水平間隙的長度和/或其寬度可以達到需要的邊緣吹掃效果或要求。當不同部件之間由於安裝公差帶來的吹掃氣體沿基片邊緣分佈不均時，因水平間隙直接位於傾斜間隙和緩衝腔之間，其間隙厚度不受不同部件水平位移帶來的影響，可以使從水平間隙流出的氣體流速沿基片邊緣保持均一分佈。
所述緩衝腔的設置用於暫存來自通孔的吹掃氣體，使得通過所述水平間隙和傾斜間隙的氣流流速和流量在所述基片邊緣處能夠保持穩定。
所述傾斜間隙的設置能夠保證所述水平間隙的完整性。
本發明所提供的所述氣塞內的通孔孔壁呈不規則狀，由此通過調節所述氣塞的通孔的孔徑和/或形狀時，可以改變通向所述緩衝腔內的氣流方向和氣流流速，由此進一步提高在基片邊緣的所沉積的薄膜的均勻性。
通過調節所述氣塞的通孔的孔徑和/或形狀來進行製程邊緣吹掃測試，成本低和測試時間短，有效提高了製程邊緣吹掃測試的效率。
以下結合和具體實施方式對本發明提出的加熱裝置、化學氣相沉積設備及吹掃方法作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。
實施例一
如圖1所示，本實施例提供一種加熱裝置，用於化學氣相沉積設備，包括：加熱器底座100，所述加熱器底座100上可用於承載一待處理基片。固定邊環101，其套設在所述加熱器底座100上，一緩衝腔111和一間隙位於所述固定邊環101與所述加熱器底座100之間。所述間隙包括水平間隙1010和傾斜間隙1011，所述水平間隙1010的一端與所述緩衝腔111連通，另一端與所述傾斜間隙1011連通，所述傾斜間隙1011的一端開口朝向所述基片的邊緣，即所述傾斜間隙1011的一端開口朝向所述加熱器底座100的上表面邊緣。
多個中空的氣塞200，其環繞所述加熱器底座100邊緣周向間隔設置在所述加熱器底座100內。每一所述氣塞200中設有通孔2010用於向所述緩衝腔111中通氣。
所述加熱器底座100的邊緣上設有沿其徑向向內延伸的多層台階；所述固定邊環101位於多層所述台階上，多層所述台階中靠近所述加熱器底座100的底面的第一台階的表面與所述固定邊環101的內表面形成所述緩衝腔111。其他所述台階的表面與所述固定邊環101的內表面之間構成所述間隙。
在本實施例中，所述台階包括三層，記為第一台階10、第二台階11和第三台階12；所述固定邊環101與第二台階11對應的部分的內表面遠離第二台階11的垂直側面，使所述固定邊環101套設在加熱器底座100上時，可以形成緩衝腔111，每一所述氣塞200位於所述第一台階10下方，所述第一台階10的上表面為第一台階面，所述氣塞200通過所述第一台階10的第一台階面與所述緩衝腔111連通；所述第二台階11的上表面為第二台階面，第二台階面與所述固定邊環101的內表面構成所述水平間隙1010；所述第三台階12具有一傾斜的側面，該側面與所述固定邊環101的內表面構成所述傾斜間隙1011。
在本實施例中，每一所述氣塞200在所述加熱器底座100內傾斜設置，所述氣塞200靠近所述第一台階面的一端遠離所述加熱器底座100的中心軸；所述氣塞200遠離所述第一台階面的一端靠近所述加熱器底座100的中心軸。此種放置位置是為了便於在所述加熱器底座100中的第一台階10內製備所述氣塞200。因加熱器底座100的下部其他部件的佈置差異，這樣設置塞子會更靈活的達到吹掃氣體的輸入需求。每一所述氣塞200靠近所述第一台階10的底部的一端埠處設有密封件300。在其他實施例中，氣塞200也可以垂直設置。
在本實施例中，所述緩衝腔111整體上呈圓環形，所述水平間隙1010整體上呈圓環形；所述傾斜間隙1011在整體上呈圓環形，以保證對基片的邊緣進行均勻的氣體吹掃，但本發明不以此為限，所述緩衝腔111，所述水平間隙1010和所述傾斜間隙1011可以根據加熱器底座100的形狀進行定制。
在本實施例中，所述水平間隙1010的水平寬度範圍為1.5mm~5mm。所述水平間隙1010的垂直厚度為0.2mm-1mm。所述水平間隙1010的寬度和所述傾斜間隙1011的寬度相同或不同。
由此可知，在本實施例中，水平間隙1010的厚度不會因為固定邊環101與加熱器底座100在水平方向的相對移動而改變，這種相對移動在組裝時是避免不了的，如果水平間隙1010的厚度不發生改變，從緩衝腔111中流出的吹掃氣體經過水平間隙1010後流速就會基本穩定，即使傾斜間隙1011的厚度改變，也不會影響基片邊緣的吹掃氣體分佈，因為從緩衝腔111到水平間隙1010的壓差比較大，從水平間隙1010到傾斜間隙1011的壓差很小可忽略，所述水平間隙1010的設置統一了通向所述基片的邊緣的氣流流速，且通過更改所述水平間隙1010的長度和/或其寬度可以達到需要的邊緣吹掃效果或要求。
所述緩衝腔111的設置用於暫存來自通孔2010的吹掃氣體，使得通過所述水平間隙1010和傾斜間隙1011的氣流流速和流量在所述基片的邊緣處能夠保持穩定。所述傾斜間隙1011的設置可以保證所述水平間隙1010的完整性，調整吹掃氣體在基片邊緣的吹掃方向。
在本實施例中，每一所述氣塞200採用鋁材料製備。每一所述氣塞200的外表面呈圓柱形，每一所述氣塞200內的通孔2010的孔壁呈不規則狀。具體的在本實施例中，每一所述氣塞200內的通孔2010整體上呈圓柱狀。每一所述通孔2010且與對應的所述氣塞200同軸設置。氣塞200與加熱器底座100活動連接，可以在吹掃測試時，換用具有不同通孔2010形狀的氣塞200，以獲得合適的吹掃氣體分佈。
本實施例還包括：活動邊環102，其套設在所述固定邊環101上，所述活動邊環102的內徑小與所述固定邊環101的內徑。所述活動邊環102的作用之一是為了便於組裝所述加熱裝置，其作用之二是由於所述活動邊環102的內徑小與所述固定邊環101的內徑，使活動邊環102組裝到固定邊環101上時，所述活動邊環102的內徑可以形成一個邊沿，該邊沿位於傾斜間隙1011的上方，這樣從所述傾斜間隙1011流出的邊緣吹掃氣體就會沿水平方向朝基片的邊緣吹，而不會向上吹，提高吹掃效果，提高基片表面潔淨度。
本實施例所提供的一種用於化學氣相沉積設備的加熱裝置，所述加熱裝置通過設有的氣塞200中的通孔2010向所述緩衝腔111中通入邊緣吹掃氣體，所述緩衝腔111內的邊緣吹掃氣體依次通過水平間隙1010和傾斜間隙1011對基片的邊緣進行吹掃，防止沉積氣體在這個基片邊緣後側沉積，進而解決由於基片粘在加熱裝置上，導致取片的時候容易碎裂的問題，以及改善腔室性能，延長保持清潔環境的時間，並防止反應氣體接觸晶圓背面和污染。
實施例二
如圖2所示，本實施例與實施例一的區別在於，本實施例所提供的，每一所述氣塞200內的通孔2011的形狀與實施例一提供的通孔的形狀不同。
在本實施例中，所述通孔2011整體呈V型彎折狀，具體包括相互連接的第一彎折段和第二彎折段，所述第一彎折段和所述第二彎折段分別呈圓柱狀，所述第一彎折段與所述氣塞200同軸設置，所述第二彎折段的一端與所述第一彎折段連接，另一端靠近所述氣塞200的中心軸設置，由此可以更改通入至所述緩衝腔111內的氣流方向，進而改變通入至所述基片的邊緣吹掃氣體的流速，便於調整對應的基片邊緣處的吹掃效果。
實施例三
如圖3所示，本實施例與實施例一的區別在於，本實施例所提供的每一所述氣塞200設置位置與實施例一中的氣塞設置位置不同。
在本實施例中，所述氣塞200垂直設置在所述加熱器底座100的邊緣內部；具體的，其位於第二台階11下方，且貫穿所述第一台階10設置。
每一所述氣塞200內的所述通孔2011成圓柱形，且與所述氣塞200同軸設置，所述通孔2011與所述緩衝腔111連通的一端埠2012變窄，此端埠2012的設置可以先阻擋以下由下面沖進來的吹掃氣體，以減少在緩衝腔中的紊流，即保證所述緩衝腔111內的邊緣吹掃氣體的氣流穩定性，進而提高對所述基片邊緣吹掃的均勻性。
圖4所示為本發明一實施例提供的水平間隙測試時吹掃氣體的品質流量分佈曲線，圖中的橫坐標代表基片邊緣不同角度的位置座標，縱軸代表吹掃氣體的品質流量，其中水平間隙選擇1.5mm寬度，0.2mm厚度, 將不均勻性定義為不同位置最大品質流量與最小品質流量的差與最小值的百分比。從中可知，在基片0到30範圍內，吹掃氣體的品質流量最大值為0.345，最小值為0.339，不均勻性為2.1%。曲線波動的原因是在氣塞附近會達到最大值，在兩個氣塞之間會達到最小值。可以看出，使用本發明的技術方案，可以顯著降低不均勻性。
如圖5所示，為本發明另一實施例提供的水平間隙測試時吹掃氣體的品質流量分佈曲線，其中水平間隙選擇5mm寬度，1mm厚度，在基片0到30範圍內，吹掃氣體的品質流量最大值為0.3447，最小值為0.3405，不均勻性為1.2%，可以看出，通過調整水平間隙的寬度和厚度，可以調整基片邊緣吹掃氣體的分佈均勻性。
由此可知，通過調整所述通孔的孔徑和/或所述水平間隙的寬度可以調整邊緣吹掃的均勻性。
再一方面，本實施例還提供一種化學氣相沉積設備，包括：反應腔；所述反應腔的頂端設置一氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭下方設置一如上文所述的加熱裝置。
其他方面，本實施例還提供一種採用如上文所述化學氣相沉積設備處理基片的方法，包括：採用氣體噴淋頭將反應氣體從反應氣體源均勻注入反應腔，實現對基片的加工處理，邊緣吹掃氣體經由每一所述氣塞內的通孔、所述緩衝腔、所述水平間隙和所述傾斜間隙通入至待處理基片的邊緣；調節所述通孔的孔徑以調節氣流的流速以及氣流方向以改善所述基片邊緣吹掃均勻性。
綜上所述，本實施例所提供的一種用於化學氣相沉積設備的加熱裝置，所述加熱裝置通過設有的氣塞中的通孔向所述緩衝腔中通入邊緣吹掃氣體，所述緩衝腔內的邊緣吹掃氣體依次通過水平間隙和傾斜間隙對基片的邊緣進行吹掃，防止沉積氣體在這個基片邊緣後側沉積，進而解決由於基片粘在加熱裝置上，導致取片的時候容易碎裂的問題，以及改善腔室性能，延長保持清潔環境的時間，並防止反應氣體接觸晶圓背面和污染。
所述水平間隙的設置減緩了通向所述基片邊緣的氣流流速，且通過更改所述水平間隙的長度和/或其寬度可以達到需要的邊緣吹掃效果或要求。當不同部件之間由於安裝公差帶來的吹掃氣體沿基片邊緣分佈不均時，因水平間隙直接位於傾斜間隙和緩衝腔之間，其間隙厚度不受不同部件水平位移帶來的影響，可以使從水平間隙流出的氣體流速沿基片邊緣保持均一分佈。
所述緩衝腔的設置用於暫存來自通孔的吹掃氣體，使得通過所述水平間隙和傾斜間隙的氣流流速和流量在所述基片邊緣處能夠保持穩定。
所述傾斜間隙的設置保證了所述水平間隙的完整性。
本實施例所提供的所述氣塞內的通孔孔壁呈不規則狀，由此通過調節所述氣塞的通孔的孔徑和/或形狀時，可以改變通向所述緩衝腔內的氣流方向和氣流流速，由此進一步提高在基片邊緣的所沉積的薄膜的均勻性。
通過調節所述氣塞的通孔的孔徑和/或形狀來進行製程邊緣吹掃測試，成本低和測試時間短，有效提高了製程邊緣吹掃測試的效率。
需要說明的是，在本文中，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
在本發明的描述中，需要理解的是，術語“ 中心”、“ 高度”、“ 厚度”、“ 上”、“ 下”、“ 垂直”、“ 水平”、“ 頂”、“ 底”、“ 內”、“ 外”、“ 軸向”、“ 徑向”、“ 周向”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。在本發明的描述中，除非另有說明，“ 多個”的含義是兩個或兩個以上。
在本發明的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語“ 安裝”、“ 相連”、“ 連接”、“ 固定”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本發明所屬技術領域的通常知識者而言，可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之“ 上”或之“ 下”可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵“ 之上”、“ 上方”和“ 上面”包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“ 之下”、“ 下方”和“ 下面”包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本發明所屬技術領域的通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10:第一台階
11:第二台階
12:第三台階
100:加熱器底座
101:固定邊環
102:活動邊環
1010:水平間隙
1011:傾斜間隙
111:緩衝腔
200:氣塞
2010,2011:通孔
2012:端埠
300:密封件
圖1為本發明一實施例提供的加熱裝置的主要結構剖面示意圖；
圖2為本發明另一實施例提供的加熱裝置的主要結構剖面示意圖；
圖3為本發明其他實施例提供的加熱裝置的主要結構剖面示意圖；
圖4為本發明一實施例提供的水平間隙測試時吹掃氣體的品質流量分佈曲線；以及
圖5為本發明另一實施例提供的水平間隙測試時吹掃氣體的品質流量分佈曲線。
10:第一台階
11:第二台階
12:第三台階
100:加熱器底座
101:固定邊環
102:活動邊環
1010:水平間隙
1011:傾斜間隙
111:緩衝腔
200:氣塞
2010:通孔
300:密封件
Claims (17)
- 一種加熱裝置，用於一化學氣相沉積設備，其中，包括： 一加熱器底座，該加熱器底座上可用於承載待處理的一基片； 一固定邊環，其套設在該加熱器底座上，一緩衝腔和一間隙位於該固定邊環與該加熱器底座之間； 該間隙包括一水平間隙和一傾斜間隙，該水平間隙的一端與該緩衝腔連通，另一端與該傾斜間隙連通，該傾斜間隙的一端開口朝向該基片邊緣； 多個中空的氣塞，其環繞該加熱器底座邊緣周向間隔設置在該加熱器底座內； 每一該氣塞中設有一通孔用於向該緩衝腔中通氣。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，該加熱器底座的邊緣上設有沿其徑向向內延伸的多層台階； 該固定邊環位於多層該台階上，多層該台階中靠近該加熱器底座底面的一第一台階的表面與該固定邊環的內表面形成該緩衝腔； 其他該台階的表面與該固定邊環的內表面之間構成該間隙。
- 如請求項2所述的加熱裝置，其中，該水平間隙的寬度和該傾斜間隙的寬度相同或不同。
- 如請求項3所述的加熱裝置，其中，該台階包括三層，記為該第一台階、一第二台階和一第三台階； 每一該氣塞位於該第一台階下方，該氣塞通過該第一台階的一第一台階面與該緩衝腔連通； 該第二台階的一第二台階面與該固定邊環的內表面構成該水平間隙； 該第三台階的側面與該固定邊環的內表面構成該傾斜間隙。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，該緩衝腔呈圓環形。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，該水平間隙呈圓環形。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，該傾斜間隙呈圓環形。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，該水平間隙的水平寬度範圍為1.5mm-5mm。
- 如請求項8所述的加熱裝置，其中，該水平間隙的垂直厚度範圍為0.2mm-1mm。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，每一該氣塞內的該通孔孔壁呈不規則狀。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，每一該氣塞內的該通孔呈圓柱狀。
- 如請求項4所述的加熱裝置，其中，每一該氣塞在該加熱器底座內傾斜設置，該氣塞靠近該第一台階面的一端遠離該加熱器底座的中心軸； 該氣塞遠離該第一台階面的一端靠近該加熱器底座的中心軸。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，每一該氣塞的外表面呈圓柱形。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，每一該氣塞採用鋁材料製備。
- 如請求項1所述的加熱裝置，其中，還包括：一活動邊環，其套設在該固定邊環上，該活動邊環的內徑小與該固定邊環的內徑。
- 一種化學氣相沉積設備，其中，包括：一反應腔；該反應腔的頂端設置一氣體噴淋頭，該氣體噴淋頭下方設置如請求項1~15中任意一項所述的加熱裝置。
- 一種採用如請求項16所述的化學氣相沉積設備處理基片的吹掃方法，其中，包括： 採用一氣體噴淋頭將反應氣體從反應氣體源均勻注入該反應腔，實現對該基片的加工處理，邊緣吹掃氣體經由每一該氣塞內的該通孔、該緩衝腔、該水平間隙和該傾斜間隙通入至待處理的該基片的邊緣； 調節該通孔的孔徑以調節氣流的流速以及氣流方向以改善該基片邊緣吹掃均勻性。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111581323.0 | 2021-12-22 | ||
| CN202111581323.0A CN116334583A (zh) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | 加热装置、化学气相沉积设备及吹扫方法 |
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|---|---|
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| TWI837843B TWI837843B (zh) | 2024-04-01 |
Family
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CN116334583A (zh) | 2023-06-27 |
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