JP2010062446A - 縦型熱処理装置及び基板支持具 - Google Patents
縦型熱処理装置及び基板支持具 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010062446A JP2010062446A JP2008228430A JP2008228430A JP2010062446A JP 2010062446 A JP2010062446 A JP 2010062446A JP 2008228430 A JP2008228430 A JP 2008228430A JP 2008228430 A JP2008228430 A JP 2008228430A JP 2010062446 A JP2010062446 A JP 2010062446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- annular plate
- substrate
- support
- processed
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】収納容器13と基板支持具10との間で移載機構17により被処理基板wの移載を行い、基板支持具10ごと熱処理炉3内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で被処理基板wを熱処理する縦型熱処理装置1において、基板支持具10は、被処理基板wを取り囲むように間隔をおいて配置された複数の支柱31a,31bと、これら支柱に上下方向に多段に設けられ被処理基板wと環状板30を所定の間隔で交互に載置する基板用溝32と環状板用溝33とを有し、環状板30は被処理基板の移載方向から見て支柱に支持される左右両側部の厚さtdよりも中間部の厚さteが薄く形成されている。
【選択図】図5
Description
1 縦型熱処理装置
3 熱処理炉
10 ボート(基板支持具)
13 収納容器
17 移載機構
30 環状板
31a,31b 支柱
32 基板用溝
33 環状板用溝
37 ガイド溝
40 切欠部
41 遊び
Claims (12)
- 複数の被処理基板を収納可能な収納容器と、複数枚の被処理基板を上下方向に所定の間隔で支持可能な基板支持具との間で移載機構により被処理基板の移載を行い、基板支持具ごと熱処理炉内に搬入して所定の処理ガス雰囲気で被処理基板を熱処理する縦型熱処理装置において、上記基板支持具は、被処理基板を取り囲むように間隔をおいて配置された複数の支柱と、これら支柱に上下方向に多段に設けられ被処理基板と環状板を所定の間隔で交互に載置する基板用溝と環状板用溝とを有し、上記環状板は被処理基板の移載方向から見て上記支柱に支持される左右両側部の厚さよりも中間部の厚さが薄く形成されていることを特徴とする縦型熱処理装置。
- 上記支柱は、被処理基板の移載方向の手前側の左右の支柱と、奥側の左右の支柱とからなり、手前側の左右の支柱には、環状板用溝の奥部に段差のあるガイド溝が設けられ、環状板には環状板を奥側左右の支柱の環状板用溝の奥部に突き当てたときに環状板をガイド溝から環状板用溝に落とし込ませて保持するための切欠部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の縦型熱処理装置。
- 前記切欠部には移載方向の遊びが設けられ、その遊び分だけ環状板を手前に引くことにより環状板が位置決めされるように構成されていることを特徴とする請求項2記載の縦型熱処理装置。
- 上記環状板の直径は上記左右の支柱の両ガイド溝間の幅よりも大きく、環状板の両側部は両ガイド溝間の幅で切断された平行部を有していることを特徴とする請求項1乃至3何れかに記載の縦型熱処理装置。
- 上記支柱は、環状板の外縁部において環状板の周方向に沿う厚さよりも半径方向に沿う厚さの方が薄い略四角形の断面部を有し、上記基板用溝を含めた支柱の断面形状は略L字状であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の縦型熱処理装置。
- 上記支柱と反対側の環状板の内縁部には切り込みが設けられていることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の縦型熱処理装置。
- 複数の被処理基板を支持することが可能な基板支持具であって、被処理基板を取り囲むように間隔をおいて配置された複数の支柱と、これら支柱に上下方向に多段に設けられ被処理基板と環状板を所定の間隔で交互に載置する基板用溝と環状板用溝とを有し、上記環状板は被処理基板の移載方向から見て上記支柱に支持される左右両側部の厚さよりも中間部の厚さが薄く形成されていることを特徴とする基板支持具。
- 上記支柱は、被処理基板の移載方向の手前側の左右の支柱と、奥側の左右の支柱とからなり、手前側の左右の支柱には、環状板用溝の奥部に段差のあるガイド溝が設けられ、環状板には環状板を奥側左右の支柱の環状板用溝の奥部に突き当てたときに環状板をガイド溝から環状板用溝に落とし込ませて保持するための切欠部が設けられていることを特徴とする請求項7記載の基板支持具。
- 前記切欠部には移載方向の遊びが設けられ、その遊び分だけ環状板を手前に引くことにより環状板が位置決めされるように構成されていることを特徴とする請求項8記載の基板支持具。
- 上記環状板の直径は上記左右の支柱の両ガイド溝間の幅よりも大きく、環状板の両側部は両ガイド溝間の幅で切断された平行部を有していることを特徴とする請求項7乃至9何れかに記載の基板支持具。
- 上記支柱は、環状板の外縁部において環状板の周方向に沿う厚さよりも半径方向に沿う厚さの方が薄い略四角形の断面部を有し、上記基板用溝を含めた支柱の断面形状は略L字状であることを特徴とする請求項7乃至10の何れかに記載の基板支持具。
- 上記支柱と反対側の環状板の内縁部には切り込みが設けられていることを特徴とする請求項7乃至11の何れかに記載の基板支持具。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228430A JP5042950B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
US12/549,465 US8940096B2 (en) | 2008-09-05 | 2009-08-28 | Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter |
CN 200910172120 CN101667531B (zh) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 纵型热处理装置以及基板支承器具 |
TW098129965A TWI509729B (zh) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 縱型熱處理裝置及基板支撐具 |
KR1020090083222A KR101287656B1 (ko) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 종형 열처리 장치 및 기판 지지구 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228430A JP5042950B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062446A true JP2010062446A (ja) | 2010-03-18 |
JP5042950B2 JP5042950B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=41798125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008228430A Active JP5042950B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8940096B2 (ja) |
JP (1) | JP5042950B2 (ja) |
KR (1) | KR101287656B1 (ja) |
CN (1) | CN101667531B (ja) |
TW (1) | TWI509729B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013021645A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 川崎重工業株式会社 | エンドエフェクタ装置及び該エンドエフェクタ装置を備える基板搬送用ロボット |
KR20180057536A (ko) | 2016-11-21 | 2018-05-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP2021028955A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9449858B2 (en) * | 2010-08-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
CN102142387B (zh) * | 2010-12-10 | 2013-01-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 用于半导体热处理设备的立式晶舟 |
JP5640894B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置 |
CN106611722A (zh) * | 2015-10-21 | 2017-05-03 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 两腔室集定位与对中心功能于一体的双层支架结构 |
JP7245071B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-03-23 | 株式会社ジェイテクトサーモシステム | 基板支持装置 |
CN112786500A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 晶圆架及具有晶圆架的垂直晶舟 |
KR102190049B1 (ko) | 2020-06-03 | 2020-12-11 | (주)유원건축사사무소 | 공동주택 외벽 케이블 배선용 덕트 |
TWI764851B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-05-11 | 矽碁科技股份有限公司 | 微型化半導體製程系統 |
KR20240037956A (ko) * | 2021-08-25 | 2024-03-22 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 지지구, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN114351120A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-15 | 拓荆科技股份有限公司 | 晶圆支撑装置及沉积薄膜厚度控制的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166741A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置用基板支持具 |
JPH0992623A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JPH1140509A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置のボート |
JP2002343730A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 縦型ウェーハ支持治具 |
JP2003282683A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2005209875A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Asahi Kasei Microsystems Kk | ウエハボート |
WO2008095154A1 (en) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
JP2008235810A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3058901B2 (ja) | 1990-09-26 | 2000-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5743967A (en) * | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
JP2001044260A (ja) | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板搬送装置およびその支持板取外し方法 |
US7077913B2 (en) * | 2002-01-17 | 2006-07-18 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Apparatus for fabricating a semiconductor device |
JP4421806B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びそのシャッター機構並びにその作動方法 |
JP3369165B1 (ja) * | 2002-04-09 | 2003-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP4312204B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2009-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板保持具、及び半導体装置の製造方法 |
US7736436B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-06-15 | Integrated Materials, Incorporated | Detachable edge ring for thermal processing support towers |
JP2007251088A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法 |
JP4994724B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
2008
- 2008-09-05 JP JP2008228430A patent/JP5042950B2/ja active Active
-
2009
- 2009-08-28 US US12/549,465 patent/US8940096B2/en active Active
- 2009-09-04 CN CN 200910172120 patent/CN101667531B/zh active Active
- 2009-09-04 TW TW098129965A patent/TWI509729B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-09-04 KR KR1020090083222A patent/KR101287656B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166741A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置用基板支持具 |
JPH0992623A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 減圧cvd装置 |
JPH1140509A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置のボート |
JP2002343730A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 縦型ウェーハ支持治具 |
JP2003282683A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2005209875A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Asahi Kasei Microsystems Kk | ウエハボート |
WO2008095154A1 (en) * | 2007-02-01 | 2008-08-07 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
JP2008235810A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013021645A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 川崎重工業株式会社 | エンドエフェクタ装置及び該エンドエフェクタ装置を備える基板搬送用ロボット |
KR20180057536A (ko) | 2016-11-21 | 2018-05-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
JP2021028955A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5042950B2 (ja) | 2012-10-03 |
US20100058982A1 (en) | 2010-03-11 |
TW201025491A (en) | 2010-07-01 |
KR101287656B1 (ko) | 2013-07-24 |
CN101667531B (zh) | 2013-04-24 |
KR20100029043A (ko) | 2010-03-15 |
US8940096B2 (en) | 2015-01-27 |
CN101667531A (zh) | 2010-03-10 |
TWI509729B (zh) | 2015-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5042950B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び基板支持具 | |
JP5456287B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP4313401B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法 | |
JP4966800B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4971089B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP5689483B2 (ja) | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 | |
US8230806B2 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus wherein the substrate holder is composed of two holder constituting bodies that move relative to each other | |
JP2005311306A (ja) | 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 | |
JP2009099918A (ja) | 被処理体の移載機構、被処理体の移載方法及び被処理体の処理システム | |
JP2009099996A (ja) | 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 | |
KR101520995B1 (ko) | 기판 반송 방법, 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 반송 장치 | |
JP5491261B2 (ja) | 基板保持具、縦型熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2008235810A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法 | |
JP2005223142A (ja) | 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置 | |
JP5358651B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JP2019057535A (ja) | 基板保持具及び基板処理装置 | |
JP2014175404A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011198957A (ja) | 基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法 | |
JP5159826B2 (ja) | 半導体製造装置、半導体製造方法及びボート | |
TW201131684A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2006222338A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2005260133A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120423 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5042950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |