JP2010034288A - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハ40に、急速昇降温を伴う所定温度で熱処理を行うシリコンウェーハ40の熱処理方法において、シリコンウェーハ40の外周部の温度がシリコンウェーハ40の中心部の温度よりも1〜6℃高くなるように、シリコンウェーハ40面内の温度分布を制御しながら熱処理を行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、急速昇降温を伴う所定温度で熱処理を行うシリコンウェーハの熱処理方法に関するものである。ここで、急速昇降温を伴う熱処理とは、具体的には、昇温速度又は降温速度が10〜250℃/秒、好ましくは30〜150℃/秒、更に好ましくは50〜70℃/秒の急速加熱又は急速冷却を伴う熱処理のことをいう。所定温度とは、1000℃以上シリコン融点未満、好ましくは1100〜1250℃をいう。
<実施例1>
熱処理を行う直径300mmのシリコンウェーハを用意した。熱処理装置として、枚葉式のRTA装置(Mattson社製 Mattson3000)を用いた。
先ず、用意したシリコンウェーハを、上記RTA装置の開口部からチャンバー内に搬入し、3本の支持ピンに載せて水平の状態にチャンバー内に配置した。搬入後、ガス導入口から、酸素を注入しながら、チャンバー外に設置された複数の加熱ランプの出力を調整し、熱処理温度1200℃で、10秒間熱処理を行った。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周側に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と等しくなるように調整し、制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも1℃低くなるように制御されていた。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周側に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準より10%下げるように調整し、制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも2℃低くなるように制御されていた。
実施例1及び比較例1,2における熱処理後のシリコンウェーハについて、支持ピンによる3箇所の支持位置のスリップ転位の長さを、顕微鏡により測定した。その結果を、図3に示す。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周部に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準よりも20%高くし、シリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも6℃高くなるように制御されていた。再現性を確認するため、2枚目のウェーハに同一条件で熱処理を行った。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周側に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準より15%上げるようにシリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも4℃高くなるように制御されていた。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周部に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準よりも8%高くし、シリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも2℃高くなるように制御されていた。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、その基準と比較して、ウェーハ外周部に設置された加熱ランプの出力を上げ、ウェーハ径方向の半径の1/2付近に設置された加熱ランプの出力を下げることにより、その差を10%となるように加熱ランプの出力を調整し、シリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも2℃高くなるように制御されていた。再現性を確認するため、2枚目のウェーハに同一条件で熱処理を行った。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周部よりも更に外側に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準よりも8%高くするように加熱ランプの出力を調整し、シリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度よりも1℃高くなるように制御されていた。再現性を確認するため、2枚目のウェーハに同一条件で熱処理を行った。
熱処理中のランプからの加熱とウェーハからの放熱とのバランスを考慮してウェーハ面内の温度分布が最小になるように調整された各ランプのパワーバランスを基準とし、ウェーハ外周部に設置された加熱ランプの出力を、ウェーハ中央部に設置された加熱ランプの出力と比較して上記基準よりも5%高くし、シリコンウェーハ面内の温度分布を制御したこと以外は、実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を行った。このとき、シリコンウェーハ面内の温度分布は、ウェーハ外周部の温度がウェーハ中心部の温度と同じであった。再現性を確認するため、2枚目のウェーハに同一条件で熱処理を行った。
実施例2〜6及び比較例3の熱処理後のシリコンウェーハについて、ウェーハ中心から径方向に向かったウェーハ面内の温度分布と、支持ピンによる3箇所の支持位置におけるスリップ転位の発生との関係を評価した。その結果を図4及び以下の表1に示す。また、図4及び表1には、実施例1および比較例1〜2の結果も合わせて示す。図4は、ウェーハ面内の温度分布を、ウェーハ面内に形成された酸化膜の厚さから換算した値である。表1中、支持ピンによる3箇所の支持位置のうち、3箇所全てにおいて、スリップが発生していなかった場合をAとし、1〜2箇所においてスリップ転位が発生していた場合をBとし、3箇所全てにおいてスリップが発生していた場合をCとした。
Claims (3)
- シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、急速昇降温を伴う所定温度で熱処理を行うシリコンウェーハの熱処理方法において、
前記シリコンウェーハの外周部の温度が前記シリコンウェーハの中心部の温度よりも1〜6℃高くなるように、前記シリコンウェーハ面内の温度分布を制御しながら熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。 - 熱処理がシリコンウェーハの外周部を複数の支持ピンで水平に支持して行われる請求項1記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 所定温度が1000℃以上シリコン融点未満である請求項1又は2記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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