JP5531385B2 - 枚葉式熱処理装置のプロセスチャンバーの冷却方法 - Google Patents
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Description
図1は、冷却手段を備えた枚葉式熱処理装置の一例を示す概略断面図である。本発明は、図1に示すように、枚葉式熱処理装置10に設けられたプロセスチャンバー11内に複数の支持ピン12で水平に支持された単一のシリコンウェーハ13を加熱している間又は加熱した後で、プロセスチャンバー11に冷却ガス14を吹き付けてプロセスチャンバー11を冷却する方法に関する。
熱処理を行う直径200mmのシリコンウェーハを用意した。熱処理装置として、枚葉式のRTA熱処理装置(マトソン・テクノロジー社製 AST2800e)を用いた。この枚葉式熱処理装置は、シリコンウェーハが搬入される縦340mm、横260mm、高さ30mm、容積2.652リットルのサイズの石英製のプロセスチャンバーを備え、その内部には、石英製の3本の支持ピンが配置される。また、各面に使用する石英の厚さは3mmであり、Top側及びBottom側の表面積は884cm2である。
熱処理から冷却までの間、シリコンウェーハが搬入されたプロセスチャンバーのTop側に吹き付ける冷却ガスの流量をTop側の表面積1cm 2 当たり0.471リットル/min、かつBottom側に吹き付ける冷却ガスの流量をBottom側の表面積1cm 2 当たり0.245リットル/minとし、Right Side側、Left Side側の流量をそれぞれの表面積1cm 2 当たり0.163リットル/min、0.123リットル/minに維持したこと以外は実施例1と同様に、シリコンウェーハに熱処理を施し、常温まで冷却した。再現性を確認するため、2枚目のウェーハに、同一条件で熱処理から冷却までを行った。
実施例1及び比較例1で得られた4枚のシリコンウェーハについて、同一の支持ピンによる支持位置に発生したスリップ転位の長さを評価した。その結果を図7及び以下の表1に示す。
11 プロセスチャンバー
12 支持ピン
13 シリコンウェーハ
14 冷却ガス
Claims (1)
- 枚葉式熱処理装置に設けられたプロセスチャンバー内に複数の支持ピンで水平に支持された単一のシリコンウェーハを、前記プロセスチャンバー外周の上面及び下面に配置された複数の加熱ランプにより加熱している間又は加熱した後で、前記プロセスチャンバーに冷却ガスを吹き付けて前記プロセスチャンバーを冷却する方法において、
前記シリコンウェーハを前記プロセスチャンバーに搬入した状態で前記プロセスチャンバーの上面に吹き付ける冷却ガスの流量を前記上面の表面積1cm 2 当たり0.471〜0.754リットル/minとし、かつ前記プロセスチャンバーの下面に吹き付ける冷却ガスの流量を前記下面の表面積1cm 2 当たり0〜0.038リットル/minとすることにより、前記プロセスチャンバー内に設置された前記支持ピンの温度と、前記シリコンウェーハの前記支持ピンによる支持位置の温度との差を小さくすること
を特徴とする枚葉式熱処理装置のプロセスチャンバーの冷却方法。
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