JP6594616B2 - 支持装置、基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
このため、従来には、工程チャンバー10内にピン状の支持体40が用いられて基板Sと支持体40との接触面積を最小化させていた。そして、ヒーティングブロック20に収容された熱源25の作動により放出される放射光により約500〜600℃の雰囲気下で工程が行われる。
1、100 基板処理装置
10、110 チャンバー
20、200 ヒーティングブロック
25、250 熱源
30、300 透過窓
40、400 支持ユニット
420 支持体
422 嵌入溝
425a 嵌入体
425b 嵌入体
425c 嵌入体
500 加熱制御器
Claims (6)
- 熱源を備えるヒーティングブロックの下側に配備され、上下方向に所定の長さだけ延設され、上部に基板が載置される支持体と、
前記支持体の内部に配設され、前記熱源から加熱されて発生する熱を前記支持体に放出して前記支持体の温度を増加させる嵌入体と、
を備える支持ユニットが少なくとも一つ以上配設され、
前記嵌入体は、前記支持体の幅よりも狭く形成され、上下方向に延び、左右方向に折り曲げられた千鳥状であり、
前記支持体は光透過性及び熱伝導性を有する材質で形成され、前記嵌入体は耐熱性及び熱伝導性を有する材質で形成され、
前記嵌入体は前記支持体よりも熱伝導性が高く、
前記嵌入体は、黒鉛であることを特徴とする支持装置。 - 前記嵌入体には、前記嵌入体に電源を印加して前記嵌入体を加熱する加熱制御器が接続されることを特徴とする請求項1に記載の支持装置。
- 内部空間を形成する工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの上部及び下部のうちの少なくともいずれか一方の個所に配設され、熱源を備えるヒーティングブロックと、
前記ヒーティングブロックに対向する個所に少なくとも一つ以上配設される支持ユニットと、
を備え、
前記支持ユニットは、上下方向に延設される支持体と、前記支持体の内部に配置され、前記熱源から加熱されて発生する熱を前記支持体に放出して前記支持体の温度を増加させる嵌入体とを備え、
前記嵌入体は、前記支持体の幅よりも狭く形成され、上下方向に延び、左右方向に折り曲げられた千鳥状であり、
前記支持体は光透過性及び熱伝導性を有する材質で形成され、前記嵌入体は耐熱性及び熱伝導性を有する材質で形成され、
前記嵌入体は前記支持体よりも熱伝導性が高く、
前記嵌入体は、黒鉛であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記工程チャンバーの外側には前記嵌入体を加熱するために電源を印加する加熱制御器が配設され、
前記加熱制御器は、基板の工程温度を確認した後、前記嵌入体を前記基板の工程温度と同じ温度または工程温度よりも5〜10%低い温度に加熱することを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記工程チャンバーの内側下部には、
前記嵌入体と前記加熱制御器を連結するための経路を形成する下部ブロックが配設されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記嵌入体は、前記熱源から放出された熱を吸収して発熱する材質で形成され、
前記ヒーティングブロックと前記工程チャンバーとの間に透過窓が配設され、
前記透過窓と前記支持体は光透過性を有する材質で形成されることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
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