JP4108465B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、プラズマエッチング等の所定の処理を半導体ウエハ等の被処理基板に施す処理方法及び処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体装置やLCDの製造工程等では、半導体ウエハやLCD基板等の被処理基板に順次所定の処理、例えば、成膜処理やエッチング処理等を施して、製品の製造が行われている。
【0003】
上記のような処理のうち、例えばプラズマエッチング処理では、被処理基板を真空チャンバ内に設けられサセプタ上に載置し、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマを被処理基板に作用させてエッチング処理を行う。
【0004】
図13は、このようなプラズマエッチング処理を行う平行平板型のエッチング装置の要部構成を示すもので、同図において符号92は、サセプタを示している。このサセプタ92は、下部電極を兼ねたものであり、導電性を有する材料、例えば、表面に陽極酸化被膜(アルマイト)が形成されたアルミニウム等から、略円板状に構成されている。
【0005】
上記サセプタ92の半導体ウエハWの載置面には、静電チャック用電極93aを、絶縁性材料からなる絶縁膜93b中に介在させて構成された静電チャック93が設けられている。また、サセプタ92上には、半導体ウエハWの周囲を囲むように、環状に構成されたフォーカスリング94が載置されている。なお、上記のサセプタ92等は、図示しない真空チャンバ内に配置されている。
【0006】
サセプタ92は、上述したとおりアルミニウム等から構成されているため、半導体ウエハWの上方に形成されるプラズマに直接晒される部位があると、その部分がプラズマによってスパッタされ、半導体ウエハWに不所望なアルミニウム等を含むスパッタ膜が形成される可能性がある。
【0007】
このため、図13に示すように、サセプタ92のウエハ載置面(静電チャック93が形成されている部分)の直径は、半導体ウエハWの直径より僅かに(例えば4mm程度)小さくされている。そして、フォーカスリング94の下側部分の内径を、半導体ウエハWの直径より小さくすることによって、半導体ウエハWの端部下側部分にまで、フォーカスリング94の下側部分が延在するようにし、上側から見た場合に、サセプタ92の上面に、直接露出している部位がないよう構成されている。
【0008】
しかしながら、上記の構成の場合、反応性を有するガス等が、半導体ウエハWの端部の裏面側にまで回り込み、半導体ウエハWの端部の裏面側、特にベベル部(縁部の傾斜部)に、不所望な堆積物が堆積することがある。このように、半導体ウエハWの端部の裏面側に堆積物が堆積すると、後工程においてこの堆積物が剥れてパーティクルの発生原因となったり、段差ができることによって、レジスト露光時にピントが合わなくなるというトラブルの原因となる。
【0009】
このため、上記のような半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積は、できる限り防止することが必要となる。
【0010】
なお、上記のような半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の付着を防止するため、Ar、He、N2 等の不活性ガスからなるパージガスを半導体ウエハの端部裏面側に、流量1000sccm程度でパージして、半導体ウエハの裏面側に反応性ガスが侵入しないようにしたCVD成膜装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0011】
また、Heガスやプロセスガスを、半導体ウエハの端部近傍に供給し、副生成物が侵入しないようにしてサセプタの端部側やフォーカスリング側に堆積物が付着することを防止するようにしたエッチング装置等も知られている(例えば、特許文献2参照。)。
【0012】
【特許文献1】
特開平11−36076号公報(第3−5頁、第1−3図)
【特許文献2】
特許第3236533号公報(第2−5頁、第1−4図)
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積は、できる限り防止することが必要とされている。また、半導体ウエハの端部近傍に、不活性ガス等のパージガスを供給し、反応性ガスや副生成物等の侵入を防止して堆積物の堆積を防止する方法では、ある程度大流量のパージガスを使用しなければならず、排気系の負担が増大したり、ランニングコストの上昇を招く等の問題がある。
【0014】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、排気系の負担の増大や、ランニングコストの上昇を招くことなく、半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積を防止することのできる処理方法及び処理装置を提供しようとするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、サセプタと当該サセプタ上に載置されたフォーカスリングとの間に形成されたガス供給路を通して供給し、前記堆積物の堆積を防止することを特徴とする。
【0016】
請求項2の発明は、請求項1記載の処理方法において、前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出することを特徴とする。
【0017】
請求項3の発明は、被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、フォーカスリングに形成されたガス供給路を通して供給して、前記堆積物の堆積を防止し、前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出することを特徴とする。
【0018】
請求項4の発明は、請求項2又は3記載の処理方法において、前記堆積物除去ガスの供給と排出は、同時に行われることを特徴とする。
【0019】
請求項5の発明は、請求項1〜4いずれか1項記載の処理方法において、前記堆積物除去ガスは、前記所定の処理を行うための処理ガスとは異なることを特徴とする。
【0020】
請求項6の発明は、請求項5記載の処理方法において、前記被処理基板は、表面に有機系材料膜を有し、前記所定の処理は、前記有機系材料膜をマスク或いは被エッチング対象とするプラズマエッチング処理であり、前記堆積物は有機物を含むことを特徴とする。
【0021】
請求項7の発明は、請求項6記載の処理方法において、前記堆積物除去ガスは、O 2 ガスを含むガス、又は、H 2 ガスを含むガス、或いはNH 3 ガスを含むガスのいずれか1つであることを特徴とする。
【0022】
請求項8の発明は、請求項7記載の処理方法において、前記堆積物除去ガスは、O 2 ガスであることを特徴とする。
【0023】
請求項9の発明は、請求項8記載の処理方法において、前記O 2 ガスの流量は、前記被処理基板の端部の単位長さあたり、0.016sccm/cm〜0.16sccm/cmであることを特徴とする。
【0024】
請求項10の発明は、請求項1〜9いずれか1項記載の処理方法において、前記堆積物除去ガスは、前記被処理基板の端部に沿って設けられた複数のガス供給部から供給されることを特徴とする。
【0026】
請求項11の発明は、請求項1〜10いずれか1項記載の処理方法において、前記フォーカスリングを、電気的力或いは物理的力で前記サセプタに押し付けることを特徴とする。
【0027】
請求項12の発明は、被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理装置において、前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、サセプタと当該サセプタ上に載置されたフォーカスリングとの間に形成されたガス供給路を介して供給し、前記堆積物の堆積を防止する堆積物除去ガス供給機構を具備したことを特徴とする。
【0028】
請求項13の発明は、請求項12記載の処理装置において、前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出するガス排出機構を具備したことを特徴とする。
【0029】
請求項14の発明は、被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理装置において、前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、フォーカスリングに形成されたガス供給路を介して供給して、前記堆積物の堆積を防止する堆積物除去ガス供給機構と、前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出するガス排出機構とを具備したことを特徴とする。
【0030】
請求項15の発明は、請求項13又は14記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機構による前記堆積物除去ガスの供給と、前記ガス排出機構による前記堆積物除去ガスの排出は、同時に行われることを特徴とする。
【0031】
請求項16の発明は、請求項12〜15いずれか1項記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機構によって供給する前記堆積物除去ガスは、前記所定の処理を行うための処理ガスとは異なることを特徴とする。
【0032】
請求項17の発明は、請求項16記載の処理装置において、前記被処理基板は、表面に有機系材料膜を有し、前記所定の処理は、前記有機系材料膜をマスク或いは被エッチング対象とするプラズマエッチング処理であり、前記堆積物は有機物を含むことを特徴とする。
【0033】
請求項18の発明は、請求項17記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機構によって供給する前記堆積物除去ガスは、O 2 ガスを含むガス、又は、N 2 ガスを含むガス、或いはNH 3 ガスを含むガスのいずれか1つであることを特徴とする。
【0034】
請求項19の発明は、請求項18記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機によって供給する前記堆積物除去ガスは、O 2 ガスであることを特徴とする。
【0035】
請求項20の発明は、請求項19記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機によって供給する前記O 2 ガスの流量は、前記被処理基板の端部の単位長さあたり、0.016sccm/cm〜0.16sccm/cmであることを特徴とする。
【0036】
請求項21の発明は、請求項12〜20いずれか1項記載の処理装置において、前記堆積物除去ガス供給機構は、前記被処理基板の端部に沿って設けられた複数のガス供給部から前記堆積物除去ガスを供給することを特徴とする。
【0038】
請求項22の発明は、請求項12〜21いずれか1項記載の処理装置において、前記フォーカスリングを電気的力或いは物理的力で前記サセプタに押し付ける機構を具備したことを特徴とする。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【0040】
図1は、本発明の実施の形態に係る処理装置(エッチング装置)全体の概略構成を模式的に示すもので、同図において、符号1は、材質が例えば表面に陽極酸化被膜(アルマイト)が形成されたアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構成された円筒状の真空チャンバを示している。
【0041】
上記真空チャンバ1は、接地電位に接続されており、真空チャンバ1の内部には、材質が例えば表面に陽極酸化被膜(アルマイト)が形成されたアルミニウム等から略円板状に構成され、下部電極を兼ねたサセプタ(載置台)2が設けられている。
【0042】
このサセプタ2の半導体ウエハW載置面には、静電チャック3が設けられている。この静電チャック3は、静電チャック用電極3aを、例えば、ポリイミド等の絶縁性材料からなる絶縁膜3b中に介在させた構成とされている。また、サセプタ2上には、半導体ウエハWの周囲を囲むように、環状に形成されたフォーカスリング4が設けられている。
【0043】
上記サセプタ2は、セラミックなどの絶縁板5を介して真空チャンバ1内に支持されており、静電チャック用電極3aには直流電源6が接続されている。
【0044】
また、サセプタ2の内部には、温度制御のための熱媒体としての絶縁性流体を循環させるための熱媒体流路7と、ヘリウムガス等の温度制御用のガスを半導体ウエハWの裏面に供給するためのガス流路8が設けられている。
【0045】
そして、熱媒体流路7内に所定温度に制御された絶縁性流体を循環させることによって、サセプタ2を所定温度に制御し、かつ、このサセプタ2と半導体ウエハWの裏面との間にガス流路8を介して温度制御用のガスを供給してこれらの間の熱交換を促進し、半導体ウエハWを精度良くかつ効率的に所定温度に制御することができるようになっている。
【0046】
また、サセプタ2のほぼ中央には、高周波電力を供給するための給電線10が接続されている。この給電線10には整合器11を介して、高周波電源(RF電源)12が接続され、高周波電源12からは、所定の周波数の高周波電力が供給されるようになっている。
【0047】
また、上述したフォーカスリング4の外側には、環状に構成され、多数の排気孔が形成された排気リング13が設けられており、この排気リング13を介して、排気ポート14に接続された排気系15の真空ポンプ等により、真空チャンバ1内の処理空間の真空排気が行われるよう構成されている。
【0048】
一方、サセプタ2の上方の真空チャンバ1の天壁部分には、シャワーヘッド16が、サセプタ2と平行に対向する如く設けられており、このシャワーヘッド16は接地されている。したがって、これらのサセプタ2およびシャワーヘッド16は、一対の電極(上部電極と下部電極)として機能するようになっている。
【0049】
上記シャワーヘッド16は、その下面に多数のガス吐出孔17が設けられており、且つその上部にガス導入部18を有している。そして、その内部にはガス拡散用空隙19が形成されている。ガス導入部18にはガス供給配管20が接続されており、このガス供給配管20の他端には、ガス供給系21が接続されている。このガス供給系21は、ガス流量を制御するためのマスフローコントローラ(MFC)22、例えばエッチング用の処理ガス等を供給するための処理ガス供給源23等から構成されている。
【0050】
一方、真空チャンバ1の外側周囲には、真空チャンバ1と同心状に、環状の磁場形成機構(リング磁石)24が配置されており、サセプタ2とシャワーヘッド16との間の処理空間に磁場を形成するようになっている。この磁場形成機構24は、回転機構25によって、その全体が、真空チャンバ1の回りを所定の回転速度で回転可能とされている。
【0051】
さらに、本実施形態では、図2にも示すように、半導体ウエハWの裏面側端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを、半導体ウエハWの裏面側端部近傍に供給する堆積物除去ガス供給機構30が設けられている。この堆積物除去ガス供給機構30は、サセプタ2に設けられた堆積物除去ガス供給孔31と、フォーカスリング4の下面に設けられた堆積物除去ガス導出溝32等から構成されている。
【0052】
上記堆積物除去ガス供給孔31は、図3に示すように、サセプタ2のフォーカスリング4が載置された部位の下側に位置するように、等間隔で複数(例えば、16個)設けられている。また、上記堆積物除去ガス導出溝32は、フォーカスリング4の全周に亙って形成された環状部32aと、この環状部32aから外周方向に向けて突出するように、かつ、上記堆積物除去ガス供給孔31に対応して形成されたガス導入部32bと、環状部32aから内周方向に向けて等間隔で複数(例えば、32個)設けられた直線状のガス導出部32cとから構成されている。
【0053】
なお、堆積物除去ガス供給孔31の直径は、例えば1mmとされている。また、環状部32a及びガス導出部32cの溝幅は、例えば1mm、ガス導入部32bの幅は、例えば3mm、これらの溝深さは、例えば0.5mmとされている。さらに、図2に示されるフォーカスリング4の内周部とサセプタ2との間隔(堆積物除去ガスの通路となる部分の間隔)は、例えば0.2mmとされている。
【0054】
そして、堆積物除去ガス供給孔31から供給された堆積物除去ガスを、堆積物除去ガス導出溝32のガス導入部32b、環状部32a、ガス導出部32cを経由して、図2に矢印で示すように、フォーカスリング4の内周部から半導体ウエハWの裏面側端部に供給するよう構成されている。
【0055】
なお、上記堆積物除去ガス供給機構30の堆積物除去ガス導出溝32は、フォーカスリング4側ではなく、図4に示すように、サセプタ2側に設けることもできる。このような構成とすれば、消耗品であるフォーカスリング4は、従来のものをそのまま使用することができる。
【0056】
また、図5に示すように、サセプタ2側に、静電チャック用電極35aを、絶縁膜35b中に介在させた静電チャック35を設け、直流電源36から静電チャック用電極35aに直流電圧を印加して、サセプタ2にフォーカスリング4を静電吸着するよう構成することもできる。なお、上記静電チャック35を設ける代わりに、物理的にフォーカスリング4をサセプタ2に押圧するよう構成しても良い。
【0057】
このように、フォーカスリング4を実質的にサセプタ2に向けて押圧する構成とすることにより、サセプタ2とフォーカスリング4との間から不所望な方向に堆積物除去ガスが漏洩することを防止することができる。また、このような構成とすることにより、サセプタ2とフォーカスリング4との熱伝導を良好にして、フォーカスリング4の温度を、サセプタ2及び半導体ウエハWの温度と同様な温度に維持することが可能となる。
【0058】
上記堆積物除去ガス供給機構30によって供給する堆積物除去ガスは、半導体ウエハWの裏面側端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有するものであるが、この堆積物が炭素を含む堆積物である場合は、例えば、O2 ガス、O2 ガスを含むガス(例えば、O2 +N2 )、H2 ガスを含むガス(例えば、H2 +N2 )、NH3 ガスを含むガス(例えば、NH3 +O2 )等を使用することができる。なお、上記のような炭素を含む堆積物は、例えば、有機系材料膜を、マスク或いはエッチング対象とするエッチング処理を行った場合等に堆積する堆積物である。
【0059】
堆積物除去ガス供給機構30により、上記のような堆積物除去ガスを供給することにより、半導体ウエハWの裏面側端部において、堆積物と堆積物除去ガスを化学的に反応させて、このような堆積物が半導体ウエハWの裏面側端部に堆積することを防止することが可能となる。
【0060】
図6は、縦軸を半導体ウエハWの裏面側ベベル部(図中右側に示す)における堆積物量(厚さ)、横軸をO2 (堆積物除去ガス)の流量として、堆積物の量とO2 流量との関係を調査した結果を示すものである。また、図中三角形の印で示される上側の実線は、図2に示した構造の場合、図中菱形の印で示される下側の実線は、図5に示したフォーカスリング4を吸着する静電チャック35を有する構造の場合を示している。
【0061】
なお、エッチング処理に使用したエッチングガス及び流量は、C4 F8 /Ar/O2 =8/500/3sccm、圧力は8Pa(60mTorr)、高周波電力は1600W、処理温度は天井部及び側壁部が60℃、サセプタが25℃、エッチング処理時間は2分、エッチング処理した半導体ウエハの径は20cmである。
【0062】
図6に示されるように、どちらの構造の場合でも、堆積物除去ガスであるO2 ガスを流すことによって、堆積物の量を大幅に減少させることができる。また、同図に示されるように、堆積物除去ガス流量は、1ccm以上とすることが好ましく、この場合、半導体ウエハWの周縁部の単位長さ当たりの流量に換算すると、約0.016sccm/cm以上である。
【0063】
又、エッチング処理への影響を軽減するためには、上記堆積物除去ガス流量は、10ccm以下とすることが好ましく、半導体ウエハWの周縁部の単位長さ当たりの流量に換算すると、約0.16sccm/cm以下である。
【0064】
すなわち、上記堆積物除去ガス流量は、約0.016sccm/cm以上、0.16sccm/cm以下とすることが好ましいが、例えば、0.1sccmすなわち約0.0016sccm/cm程度の微量な流量でも、ある程度の効果があるため、このような流量でも良い。なお、この例では、処理ガス(エッチングガス)がC4 F8 /Ar/O2 の混合ガスであり、堆積物除去ガスは、この混合ガスである処理ガスとは異なったO2 ガス(単一のガス)である。
【0065】
さらに、図6の堆積物除去ガス流量が0sccmの場合の堆積物量の値に示されるように、フォーカスリング4をサセプタ2に吸着する構成とするだけでも、堆積物の量を低減する効果がある。これは、フォーカスリング4をサセプタ2に吸着することにより、サセプタ2との接触がより密になって熱伝導が良好になり、フォーカスリング4の温度が、サセプタ2の温度に近くなるよう低下するためと推測される。すなわち、フォーカスリング4の温度が低下すると、堆積物がフォーカスリング4側に堆積し易くなり、堆積物の原料物質がフォーカスリング4への堆積によって消費され、相対的に半導体ウエハWの裏面側に対する堆積物の量が減少するためと考えられる。
【0066】
したがって、堆積物の量を減少させるためには、静電チャック35或いは、他の物理的に押圧する手段等により、フォーカスリング4をサセプタ2に押圧する構成とすることも有効である。但し、図6に示されるように、静電チャック35を設けない場合においても、堆積物除去ガス流量を3sccm(約0.048sccm/cm)程度とすることによって、堆積物の量を略ゼロとすることができる。
【0067】
図7は、縦軸を堆積物量(厚さ)、横軸をウエハ位置として、上記静電チャック35を設けた構成の場合について、半導体ウエハWの裏面側に付着した堆積物の量を、図中右側に示すベベル部、ベベル部と水平部との境界部(0.0mm)、この境界部から0.5mm内側、境界部から1.0mm内側の4点で、O2 ガス流量(堆積物除去ガス流量)を、0,1,2,3,4sccmと変えた場合について測定した結果を示すものである。
【0068】
同図に示されるとおり、本実施形態によれば、ベベル部のみでなく、これより内側の各部においても、堆積物の堆積量を減少させる効果がある。また、図中O2 流量を2sccm以上とした場合の結果は、いずれも堆積物量が略ゼロとなっており、線が重なった状態で示されている。なお、エッチングプロセスの条件は、図6の場合と同様である。
【0069】
また、比較のために、上記のO2 ガス(堆積物除去ガス)の代わりに、N2 ガスを流した場合の結果を図8に、Heガスを流した場合の結果を図9に、Arガスを流した場合の結果を図10に示す。
【0070】
図8に示されるとおり、N2 ガスを流した場合、ガス流量を10sccmから15sccmに増加させても、特にベベル部において、堆積物の量を低下させる効果がほとんど見られないことが分かる。さらに、図9、図10に示されるように、Heガス、Arガスを流した場合も、ガス流量を40sccmに増加させても、特にベベル部において、堆積物の量を低下させる効果がほとんど見られないことが分かる。
【0071】
したがって、前述したO2 ガスを流した場合の効果は、ガス流によって物理的に堆積物を除去するものではなく、主として、O2 ガスの化学的な作用に起因するものであることが分かる。そして、かかる化学的な作用を利用するものであるため、前述したような微量なガス流量で、堆積物の堆積を確実に防止する効果を得ることができる。
【0072】
次に、図11、図12を参照して、他の実施形態について説明する。この実施形態では、前述した堆積物除去ガス供給機構30とともに、フォーカスリング4から、堆積物と反応した後の堆積物除去ガスを排出するガス排出機構40を設けたものである。
【0073】
図11、図12に示すように、本実施形態における堆積物除去ガス供給機構30では、フォーカスリング4中に、サセプタ2側に設けられた堆積物除去ガス供給孔31と連通する堆積物除去ガス供給路37が設けられている。この堆積物除去ガス供給路37は、上記堆積物除去ガス供給孔31と連通される連通部37aと、フォーカスリング4の全周に亙って環状に形成された環状部37bと、さらに、この環状部37bから内周方向に向けて、等間隔で複数形成された直線状の導出部37cとから構成されている。
【0074】
また、ガス排出機構40も、同様に構成されており、サセプタ2側に設けられたガス排出孔41と連通して、フォーカスリング4内に排出路47が設けられている。この排出路47は、ガス排出孔41と連通される連通部47aと、フォーカスリング4の全周に亙って環状に形成された環状部47b、この環状部47bから内周方向に向けて等間隔で形成された直線状の導入部47cとから構成されている。
【0075】
上記ガス排出機構40の環状部47b及び導入部47cは、フォーカスリング4内において、堆積物除去ガス供給機構30の環状部37b及び導出部37cより上部に設けられている。
【0076】
また、図11に示すように、サセプタ2に設けられた堆積物除去ガス供給孔31とフォーカスリング4側に設けられた堆積物除去ガス供給路37との間には、Oリング50が設けられている。このようなOリング50は、図示を省略したが、ガス排出孔41と、排出路47との間にも設けられている。
【0077】
上記構成を採用し、堆積物除去ガス供給機構30で半導体ウエハWの端部裏面側にO2 等の堆積物除去ガスを供給するとともに、同時にガス排出機構40によって堆積物等と反応した後の堆積物除去ガスを排出することにより、堆積物を除去するためのガスが、真空チャンバ1内に拡散することを抑制することができ、エッチング処理に与える影響を最小限に止めることができる。
【0078】
なお、上記のように内部に堆積物除去ガス供給機構30及びガス排出機構40の流路が形成されたフォーカスリング4は、例えば、各層に溝を設けた3枚のリングを貼り合わせる方法、又は、流路となるべき形状を融点の低い材料もしくは特定溶剤に溶ける材料で製作し素材に埋め込んでおいて溶かして排出する方法、或いは、流路は樹脂製で製作し、外皮をモールドで固める方法等によって、製造することができる。
【0079】
次に、上記のように構成されたエッチング装置によるエッチング処理の手順について説明する。
【0080】
まず、真空チャンバ1に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、このゲートバルブに隣接して配置されたロードロック室(図示せず)を介して、搬送機構(図示せず)により半導体ウエハWを真空チャンバ1内に搬入し、サセプタ2上に載置する。そして、搬送機構を真空チャンバ1外へ退避させた後、ゲートバルブを閉じる。また、静電チャック用電極3aに、直流電源6から所定電圧の直流電圧を印加することによって、半導体ウエハWを吸着保持する。
【0081】
この後、排気系15の真空ポンプにより真空チャンバ1内を所定の真空度、例えば、1.33Pa〜133Paに排気しつつ、処理ガス供給系21から、真空チャンバ1内に所定の処理ガスを供給する。
【0082】
そして、この状態で、高周波電源12から整合器11を介して、所定周波数、例えば、十数MHz〜100MHzの高周波を、サセプタ2に印加し、サセプタ2とシャワーヘッド(上部電極)16との間に空間にプラズマを発生させ、プラズマによる半導体ウエハWのエッチングが行う。この時、磁場形成機構24によって形成される磁場により、プラズマが制御される。
【0083】
また、この時、前述した堆積物除去ガス供給機構30により、半導体ウエハWの裏面側端部近傍に堆積物除去ガスが供給され、半導体ウエハWの裏面側端部、特にベベル部等に堆積物が堆積することが防止される。
【0084】
そして、所定のエッチング処理が実行されると、高周波電源12からの高周波電力の供給を停止することによって、エッチング処理を停止し、上述した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWを真空チャンバ1外に搬出する。
【0085】
なお、上記の実施形態では、本発明を半導体ウエハWのプラズマエッチングに適用した場合について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではなく、例えば、LCD基板の処理や、成膜処理等の処理に適用できることは勿論である。
【0086】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、排気系の負担の増大や、ランニングコストの上昇を招くことなく、半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の処理装置の概略構成を示す図。
【図2】図1の処理装置の要部概略構成を示す図。
【図3】図1の処理装置の要部概略構成を示す図。
【図4】図1の処理装置の要部概略構成の変形例を示す図。
【図5】図1の処理装置の要部概略構成の変形例を示す図。
【図6】ベベル部に対する堆積量とO2 流量の関係を示す図。
【図7】ウエハ端部の各部に対する堆積量とO2 流量の関係を示す図。
【図8】ウエハ端部の各部に対する堆積量とN2 流量の関係を示す図。
【図9】ウエハ端部の各部に対する堆積量とHe流量の関係を示す図。
【図10】ウエハ端部の各部に対する堆積量とAr流量の関係を示す図。
【図11】本発明の他の実施形態の処理装置の要部概略構成を示す図。
【図12】図11の処理装置の要部概略構成を示す図。
【図13】従来の処理装置の要部概略構成を示す図。
【符号の説明】
W……半導体ウエハ、1……真空チャンバ、2……サセプタ、3……静電チャック、4……フォーカスリング、30……堆積物除去ガス供給機構。
Claims (22)
- 被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、
前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、サセプタと当該サセプタ上に載置されたフォーカスリングとの間に形成されたガス供給路を通して供給し、前記堆積物の堆積を防止することを特徴とする処理方法。 - 請求項1記載の処理方法において、
前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出することを特徴とする処理方法。 - 被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、
前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、フォーカスリングに形成されたガス供給路を通して供給して、前記堆積物の堆積を防止し、前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出することを特徴とする処理方法。 - 請求項2又は3記載の処理方法において、
前記堆積物除去ガスの供給と排出は、同時に行われることを特徴とする処理方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載の処理方法において、
前記堆積物除去ガスは、前記所定の処理を行うための処理ガスとは異なることを特徴とする処理方法。 - 請求項5記載の処理方法において、
前記被処理基板は、表面に有機系材料膜を有し、前記所定の処理は、前記有機系材料膜をマスク或いは被エッチング対象とするプラズマエッチング処理であり、前記堆積物は有機物を含むことを特徴とする処理方法。 - 請求項6記載の処理方法において、
前記堆積物除去ガスは、O2 ガスを含むガス、又は、H2 ガスを含むガス、或いはNH3 ガスを含むガスのいずれか1つであることを特徴とする処理方法。 - 請求項7記載の処理方法において、
前記堆積物除去ガスは、O2 ガスであることを特徴とする処理方法。 - 請求項8記載の処理方法において、
前記O2 ガスの流量は、前記被処理基板の端部の単位長さあたり、0.016sccm/cm〜0.16sccm/cmであることを特徴とする処理方法。 - 請求項1〜9いずれか1項記載の処理方法において、
前記堆積物除去ガスは、前記被処理基板の端部に沿って設けられた複数のガス供給部から供給されることを特徴とする処理方法。 - 請求項1〜10いずれか1項記載の処理方法において、
前記フォーカスリングを、電気的力或いは物理的力で前記サセプタに押し付けることを特徴とする処理方法。 - 被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理装置において、
前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、サセプタと当該サセプタ上に載置されたフォーカスリングとの間に形成されたガス供給路を介して供給し、前記堆積物の堆積を防止する堆積物除去ガス供給機構を具備したことを特徴とする処理装置。 - 請求項12記載の処理装置において、
前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出するガス排出機構を具備したことを特徴とする処理装置。 - 被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理装置において、
前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に、フォーカスリングに形成されたガス供給路を介して供給して、前記堆積物の堆積を防止する堆積物除去ガス供給機構と、
前記フォーカスリングに形成されたガス排出路を介して、前記被処理基板の端部近傍に供給された前記堆積物除去ガスの少なくとも一部を排出するガス排出機構と
を具備したことを特徴とする処理装置。 - 請求項13又は14記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機構による前記堆積物除去ガスの供給と、前記ガス排出機構による前記堆積物除去ガスの排出は、同時に行われることを特徴とする処理装置。 - 請求項12〜15いずれか1項記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機構によって供給する前記堆積物除去ガスは、前記所定の処理を行うための処理ガスとは異なることを特徴とする処理装置。 - 請求項16記載の処理装置において、
前記被処理基板は、表面に有機系材料膜を有し、前記所定の処理は、前記有機系材料膜をマスク或いは被エッチング対象とするプラズマエッチング処理であり、前記堆積物は有機物を含むことを特徴とする処理装置。 - 請求項17記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機構によって供給する前記堆積物除去ガスは、O2 ガスを含むガス、又は、N2 ガスを含むガス、或いはNH3 ガスを含むガスのいずれか1つであることを特徴とする処理装置。 - 請求項18記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機によって供給する前記堆積物除去ガスは、O2 ガスであることを特徴とする処理装置。 - 請求項19記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機によって供給する前記O2 ガスの流量は、前記被処理基板の端部の単位長さあたり、0.016sccm/cm〜0.16sccm/cmであることを特徴とする処理装置。 - 請求項12〜20いずれか1項記載の処理装置において、
前記堆積物除去ガス供給機構は、前記被処理基板の端部に沿って設けられた複数のガス供給部から前記堆積物除去ガスを供給することを特徴とする処理装置。 - 請求項12〜21いずれか1項記載の処理装置において、
前記フォーカスリングを電気的力或いは物理的力で前記サセプタに押し付ける機構を具備したことを特徴とする処理装置。
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