KR100864868B1

KR100864868B1 - 박막증착장치

Info

Publication number: KR100864868B1
Application number: KR1020060103883A
Authority: KR
Inventors: 백춘금; 김영준
Original assignee: 주식회사 아이피에스
Priority date: 2006-10-25
Filing date: 2006-10-25
Publication date: 2008-10-23
Also published as: KR20080037176A

Abstract

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 특히 내부공간이 마련된 반응챔버와, 상기 반응챔버의 내부공간에 설치되며 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼블록을 포함하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버에 결합되어 상기 웨이퍼블록을 둘러싸도록 배치된, 고리 형상의 배플(baffle)을 포함하며, 상기 배플은, 외부로부터 공급된 가스가 유입되는 가스 입구와, 상기 가스 입구로 유입된 가스가 상기 웨이퍼의 가장자리부를 향해 분사되는 가스 출구와, 상기 배플의 내부에 형성되며 상기 가스 입구와 상기 가스 출구를 연결하는 가스 채널을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 관한 것이다.

Description

박막증착장치 {Apparatus for depositing thin film on a wafer}

도 1은 웨이퍼의 가장자리부에 정상적으로 박막이 형성된 일례를 나타내는 도면.

도 2는 웨이퍼의 가장자리부에 비정상적으로 박막이 형성된 일례를 나타내는 도면.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 측단면도.

도 4는 도 3에 도시된 박막증착장치의 배플 주위의 일부 단면의 부분확대도.

도 5는 도 4에 표시된 "A"부의 부분확대도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 박막증착장치 110 : 웨이퍼블록

120 : 덮개부 130 : 샤워헤드

140 : 반응챔버 144 : 배기유로

145 : 배기구 150 : 배플

153 : 배플의 내측면 154 : 가스 입구

155 : 가스 출구 156 : 가스 채널

156a : 확산공간부 156b : 제1공급유로

156c : 분사유로 161 : 제2공급유로

171 : 실링 부재 190 : 원추 배플

w : 웨이퍼

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 상세하게는 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 과정에서 웨이퍼의 가장자리부에 박막이 형성되지 않도록 제어가능한 박막증착장치에 관한 것이다.

박막증착장치란, 반도체 제조공정에서 여러 반응가스의 화학반응을 이용하여 웨이퍼 상에 원하는 박막을 증착시키기 위한 장치로서, 일반적으로 반응가스들의 화학반응이 일어나는 내부공간이 마련된 반응챔버와, 반응챔버의 내부공간에 설치되며 그 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼블록을 포함한다. 상기 웨이퍼블록은, 안착된 웨이퍼를 지지할 뿐만 아니라, 박막을 증착하는데 필요한 소정의 온도로 웨이퍼를 가열시킨다.

상기 박막증착장치를 이용하여 웨이퍼 상에 증착하는 박막은, 그 용도에 따라 박막을 이루는 조성이 다양한데, 그 중 하나가 금속막인 텅스텐막이다. 상기 텅스텐막은, 낮은 비저항값의 특성으로 인하여, 도전성막을 형성함에 있어서 우수한 소재로서 오늘날 많은 관심을 받고 있다. 그러나, 텅스텐은 실리콘으로 제조된 웨이퍼의 표면에 용이하게 부착되지 않으므로, 텅스텐막을 웨이퍼 상에 직접 증착시키지 못하고 텡스텐이 용이하게 부착될 수 있는 매개막을 웨이퍼 상에 우선 증착 한 후 그 매개막 위에 텅스텐막을 증착시키는 것이 일반적이다.

도 1은 웨이퍼의 가장자리부에 정상적으로 박막이 형성된 일례를 나타내는 도면이고, 도 2는 웨이퍼의 가장자리부에 비정상적으로 박막이 형성된 일례를 나타내는 도면이다.

도 1을 참조하면, 웨이퍼(w) 상에 텅스텐막(3)을 증착하기 위하여 우선 웨이퍼(w) 상에 텅스텐막(3)의 증착을 용이하게 하는 매개막(1)(2)이 형성되어 있다. 예컨대, 웨이퍼(w)의 바로 위에 티탄(Ti)막(1)을 형성하고, 상기 티탄막(1) 위에 티탄 질화물(TiN)막(2)을 형성한다. 상기 티탄 질화물(TiN)(2)에는 텅스텐이 용이하게 부착되고, 그 결합력 또한 강하여 후속의 반도체 제조공정 중에도 텅스텐이 웨이퍼(w)로부터 떨어지지 않게 된다. 그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 과정에서, 상기 텅스텐은, 상기 티탄 질화물막(2)이 부착되지 않은 실리콘 웨이퍼(w)의 가장자리부 상에 직접 부착되기도 한다.

이와 같이 티탄 질화물(2) 위에 부착되지 않고, 실리콘 웨이퍼(w) 상에 직접 부착된 텅스텐은, 실리콘과의 결합력이 약하므로 후속의 반도체 제조공정 중에 웨이퍼로부터 쉽게 떨어져 나오게 되고, 이렇게 떨어져 나온 조각들은 반도체칩 상의 회로 패턴에 손상을 주는 파티클의 발생원으로 되는 문제점이 있다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 웨이퍼의 가장자리부에 원하지 않는 박막이 형성되지 않도록 하여 파티클의 발생원을 근본적으로 차단함으로써, 한 장의 웨이퍼로부터 가능한 많은 유용한 다이(die)를 얻을 수 있 도록 구조가 개선된 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 박막증착장치는, 내부공간이 마련된 반응챔버와, 상기 반응챔버의 내부공간에 설치되며 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼블록을 포함하는 박막증착장치에 있어서, 상기 반응챔버에 결합되어 상기 웨이퍼블록을 둘러싸도록 배치된, 고리 형상의 배플(baffle)을 포함하며, 상기 배플은, 외부로부터 공급된 가스가 유입되는 가스 입구와, 상기 가스 입구로 유입된 가스가 상기 웨이퍼의 가장자리부를 향해 분사되는 가스 출구와, 상기 배플의 내부에 형성되며 상기 가스 입구와 상기 가스 출구를 연결하는 가스 채널을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 배플은, 상기 가스 출구가 형성된 면이, 상기 웨이퍼블록의 상면보다 높지 않게 형성되어 있다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 가스 출구는, 상기 배플의 내주면에 형성된다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 배플은, 그 내주면의 전둘레에 걸쳐 상기 웨이퍼블록으로부터 일정 거리 이격되게 배치된다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 가스 채널은, 상기 가스 출구를 통해 분사되는 가스가 10도 내지 15도 상방으로 분사되도록 형성되어 있다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 가스 채널은, 상기 가스 출구를 통해 가스를 균일하게 분사하기 위한 환형의 확산공간부와, 상기 확산공간부와 상기 가스 입구를 연결하는 제1공급유로와, 상기 확산공간부와 상기 가스 출구를 연결하는 분사유로를 포함한다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 배플은, 단일의 몸체로 이루어진다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 가스 입구에 연결되며, 상기 반응챔버를 관통하며 형성된 제2공급유로를 더 포함한다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 제2공급유로와 상기 가스 입구는, 실링 부재에 의해 밀봉되어 연결된다.

본 발명에 따른 박막증착장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 실링 부재는, 고무링 또는 메탈링이다.

이하, 본 발명에 따른 박막증착장치의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 측단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 박막증착장치의 배플 주위의 일부 단면의 부분확대도이고, 도 5는 도 4에 표시된 "A"부의 부분확대도이다.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 박막증착장치(100)는, 웨이퍼(w) 상에 박막을 증착하기 위한 것으로서, 반응챔버(140)와, 웨이퍼블록(110)과, 덮개부(120)와, 샤워헤드(130)와, 배플(150)을 구비하고 있다.

상기 반응챔버(140)는, 이송되는 웨이퍼(w)가 출입하는 통로인 웨이퍼 출입 구(141)가 그 측벽에 형성되어 있으며, 그 내부에는 후술할 웨이퍼블록(110) 등을 수용할 내부공간이 마련되어 있다. 상기 웨이퍼 출입구(141)는, 웨이퍼(w)가 출입하는 시기 이외에는 차폐 수단에 의해 닫혀 있으므로, 상기 반응챔버(140)는 외부와 독립된 밀폐 공간을 형성하게 된다. 상기 웨이퍼블록(110)은, 반응챔버(140)의 내부공간에 설치되며 그 상면(111)에 웨이퍼(w)가 안착된다. 상기 웨이퍼블록(110)에는, 박막을 증착하는데 필요한 소정의 온도로 웨이퍼(w)를 가열하기 위하여, 그 내부에 히터(미도시)가 설치되어 있다.

상기 덮개부(120)는, 상기 반응챔버(140)를 덮을 수 있도록 반응챔버(140)의 상측에 결합되어, 상기 반응챔버(140)와 함께 반응챔버(140)의 내부공간을 형성한다. 상기 덮개부(120)와 반응챔버(140) 사이는 반응가스들이 누설되지 않도록 실링 부재(미도시) 등에 의해 잘 밀봉되어 있다. 상기 샤워헤드(130)는, 상기 덮개부(120)의 하면에 결합되어 외부로부터 공급되는 반응가스 및 불활성 가스를 상기 웨이퍼(w) 방향으로 분사하는 부재를 말한다.

상술한 부재들은 각각 공지의 것이므로, 그들 각각에 대한 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.

본 발명의 박막증착장치(100)는, 그 내부에 웨이퍼(w) 가장자리부 측으로 가스를 분사하기 위한 유로가 형성된 배플(150)을 더 구비하고 있다는 점이 특징이다. 상기 배플(150)은, 상기 반응챔버(140)와 웨이퍼블록(110)의 사이에서 상기 웨이퍼블록(110)을 둘러싸도록 배치되며, 상기 웨이퍼(w)의 형상을 따라 환형의 고리 형상으로 제작된다.

상기 배플의 내주면(153)은 상기 웨이퍼블록의 외주면(112)과 마주보며 그 내주면(153)의 전둘레에 걸쳐 상기 웨이퍼블록(110)으로부터 일정 거리 이격되어 있고, 상기 배플의 외주면(157)은 상기 반응챔버(140)의 내주면(143)에 결합되어 고정된다.

상기 배플의 내주면(153)은, 상기 웨이퍼블록의 상면(111)보다 높지 않게 형성되어 있다. 즉, 상기 웨이퍼블록의 외주면(112)과 마주보며 근접하게 위치해 있는 배플의 내주면(153)은, 웨이퍼블록의 상면(111)의 높이와 동일한 높이로 또는 웨이퍼블록의 상면(111)의 높이보다 낮게 형성되어 있다. 따라서, 상기 웨이퍼(w)는, 상기 웨이퍼블록(110) 상에 안착된 후, 그 가장자리부 측면부(wl)가 상기 배플의 내주면(153)에 의해서 둘러싸이지 않은 상태에서, 그 위에 박막이 증착되게 된다.

상기 배플(150)을 통해 가스를 이송하고 분사하는 수단으로서, 상기 배플(150)은, 가스 입구(154)와, 가스 출구(155)와, 가스 채널(156)을 구비하고 있다.

상기 가스 입구(154)는, 외부로부터 공급된 가스가 상기 배플(150)의 내부로 유입되는 입구를 말한다. 상기 가스 입구(154)를 통해 유입되는 가스는, 상기 샤워헤드(130)로부터 웨이퍼(w) 상에 분사되는 반응가스와는 반응하지 않는 가스로서, 예컨대 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스가 사용된다. 본 실시예에 있어서, 상기 가스 입구(154)는, 상기 배플(150)의 하면에 형성되어 있다.

상기 가스 출구(155)는, 상기 가스 입구(154)를 통해 유입된 불활성 가스가 상기 웨이퍼(w)의 가장자리부를 향해 분사되는 출구를 말한다. 상기 가스 출구(155)는, 웨이퍼(w)의 전둘레를 둘러싸며, 웨이퍼(w)의 가장자리부를 향해 빠짐없이 불활성 가스를 분사할 수 있도록 촘촘하게 배치된 복수의 홀의 형태로 이루어져 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 가스 출구(155)는 상기 배플의 내주면(153)과 배플의 상면(158)이 만나는 꼭지점(159) 바로 밑의 내주면(153) 상에 형성되어 있다.

상기 가스 채널(156)은, 확산공간부(156a)와, 제1공급유로(156b)와, 분사유로(156c)를 구비한다.

상기 확산공간부(156a)는, 상기 가스 출구(155)로부터 분사되는 불활성가스를 균일하게 분사하기 위한 것으로서, 상기 배플(150)의 내부에 마련된 환형의 공간부이다. 외부로부터 공급된 불활성가스는 상기 확산공간부(156a)에 축적되고, 상기 확산공간부(156a)에 축적된 불활성가스의 충분한 유량으로 인해, 상기 가스 출구(155)의 단면부를 통해 균일한 유속 및 유량을 갖는 불활성가스를 분사하는 것이 가능해진다.

상기 제1공급유로(156b)는, 상기 확산공간부(156a)와 상기 가스 입구(154)를 연결하며, 상기 가스 입구(154)를 통해 공급되는 불활성가스가 상기 확산공간부(156a)의 내부로 이송되는 이송 통로 역할을 한다. 상기 제1공급유로(156b)는, 상기 배플(150)의 내부에 형성되며, 상기 확산공간부(156a)로부터 하측으로 연장되어 상기 배플(150)의 하면을 관통하며 형성된다. 상기 제1공급유로(156b)는, 단일의 홀로 구성될 수 있으나, 상기 확산공간부(156a)로 불활성가스가 공급되는 과정 에서 상기 확산공간부(156a)의 전체 내부공간에서 불활성가스가 균일하게 분포되도록 하기 위해서, 상기 배플(150)의 하면 둘레에 걸쳐 다수의 홀로 구성되는 것이 바람직하다.

상기 분사유로(156c)는, 상기 확산공간부(156a)와 상기 가스 출구(155)를 연결하며, 상기 확산공간부(156a) 내부의 불활성가스가 상기 가스 출구(155)로 이송되는 이송 통로 역할을 한다. 상기 분사유로(156c)는, 상기 배플(150)의 내부에 형성되며, 상기 확산공간부(156a)로부터 상기 배플의 내주면(153)측으로 연장되어 상기 배플의 내주면(153)을 관통하는 다수의 홀로 이루어져 있다.

상기 분사유로(156c)와 상기 가스 출구(155)가 만나는 부위에 있어서, 상기 분사유로(156c)는 수평면을 기준으로 약 10도 내지 15도 상방을 향하도록 형성되어 있다. 따라서, 상기 가스 출구(155)가, 상기 웨이퍼블록의 상면(111)보다 높지 않게 형성된 배플의 내주면(153)에 형성되어 있더라도, 상기 가스 출구(155)를 통해 분사되는 불활성가스는 웨이퍼(w)의 가장자리부를 향해 보다 효율적으로 분사될 수 있게 된다.

상기 배플(150)은, 그 내주면(153)의 전둘레에 걸쳐 상기 웨이퍼블록(110)으로부터 일정 거리 이격되게 배치됨으로써, 상기 배플(150)과 상기 웨이퍼블록(110) 사이에는 환형의 가압통로(180)가 형성된다. 상기 가압통로(180)를 통해, 웨이퍼블록(110)의 하측으로부터 상측 방향으로 불활성가스가 분사된다.

상기 배플(150)의 하측에는, 원추 배플(190)이 상기 반응챔버(140)로부터 탈착 가능하게 설치되어 있다. 상기 배플(150)은, 상기 반응챔버(140)와 상기 원추 배플(190)에 의해 지지되어 상기 반응챔버(140) 내부에 설치될 수 있다. 상기 원추 배플(190)은, 상부의 개구 면적이 하부의 개구면적보다 크고 하부측으로 갈수록 그 개구면적이 작아지는 원추 형상으로 제작되어 있다. 상기 원추 배플(190)은 반응챔버(140)에 착탈 가능하게 장착되어 있어서, 그 내측면(191)이 파티클에 의해 오염된 경우 상기 원추 배플(190)만을 반응챔버(140)로부터 분리하여 세정할 수 있으므로, 반응챔버(140)를 세정하는 작업을 보다 간편하고 용이하게 할 수 있다.

상기 원추 배플(190)과 반응챔버(140)의 사이에는, 반응챔버(140) 내에서 반응하지 않고 잔존해 있는 반응가스 및 부산물을 외부로 배출하기 위한 통로가 되는 배기유로(144)가 형성되어 있다. 상기 샤워헤드(130)를 통해 웨이퍼 상으로 분사된 후 반응하지 않고 반응챔버(140) 내에서 잔존해 있는 미반응가스들은, 상기 배플(150)의 상하면을 관통하며 형성된 다수의 배기홀(미도시)를 통해 상기 배기유로(144)측으로 흘러 들어가고, 상기 반응챔버(140)의 측벽 하부에 형성된 배기구(145)를 통해 외부로 배출된다.

한편, 본 실시예의 박막증착장치(100)는, 상기 배플(150)의 가스 입구(154)측으로 불활성가스를 공급하기 위한 제2공급유로(161)가 상기 반응챔버(140)의 외벽에 형성되어 있다. 상기 제2공급유로(161)는, 상기 반응챔버(140)의 외벽을 관통하게 형성되어, 외부로부터 공급되는 불활성가스가 상기 배플(150)의 하면에 형성된 가스 입구(154)를 통해 상기 배플(150)의 내부로 유입될 수 있게 한다.

상기 제2공급유로(161)와 상기 가스 입구(154)는, 이송되는 불활성가스가 누출되는 것을 방지하기 위하여 실링 부재(171)에 의해 밀봉되어 연결되는데, 본 실 시예에서는 고무링 또는 메탈링에 의해 밀봉된다.

이하, 도 3 내지 도 5를 참조하면서, 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 박막증착장치(100)의 배플(150)을 통해 웨이퍼(w)의 가장자리부 측으로 불활성가스가 분사되는 작동원리를 개략적으로 설명하기로 한다.

상기 제2공급유로(161)를 통해 박막증착장치(100) 외부로부터 불활성가스, 예컨대 아르곤(Ar) 가스가 공급된다. 상기 불활성가스는 상기 배플(150)에 형성된 가스 입구(154) 및 제1공급유로(156b)를 거쳐 확산공간부(156a)에 축적된다. 상기 확산공간부(156a)에 일정량 이상의 불활성가스가 축적되게 되면, 외부와의 압력차로 인해 불활성가스는 분사유로(156c) 및 가스 출구(155)를 통해 웨이퍼(w) 가장자리부 측으로 분사된다. 상기 가스 출구(155)를 통해 분사되는 불활성가스는, 웨이퍼(w) 가장자리부 상면에 박막이 증착되는 것을 차단하게 된다.

이와 같이 상기 배플의 가스 출구(155)를 통해 불활성가스가 분사되는 동시에, 상기 웨이퍼블록(110)과 배플(150)의 사이에 형성된 가압통로(180)를 통해 상기 불활성가스와 동일한 불활성가스, 예컨대 아르곤(Ar) 가스가 분사된다. 상기 불활성가스는 웨이퍼블록(110)의 하측으로부터 상측으로 분사됨으로써, 박막증착공정 중 반응가스들이 상기 웨이퍼블록(110)과 반응챔버(140) 사이의 내부공간(142)으로 침투해 들어오는 것을 차단하고, 상기 원추 배플의 내측면(191)에 반응가스들이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 박막증착장치(100)를 사용하면, 상기 배플(150) 내부에 형성된 가스 채널(156)을 이용하여 불활성가스를 웨이퍼(w) 가장자리부를 향해 분사하면서 박막증착공정을 수행할 수 있으므로, 원하지 않는 부위에 원하지 않는 박막이 생성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 후속의 반도체 제조공정에서 웨이퍼로부터 떨어져 나가서 반도체의 파티클 제공원이 될 수 있는 박막의 생성을 근본적으로 차단하는 효과가 있다.

또한, 상기 배플의 가스 출구(155)를 통해 불활성가스를 분사하는 동시에, 상기 가압통로(180)를 통해 불활성가스를 웨이퍼블록(110)의 상측으로 분사함으로써, 박막증착공정 시 반응가스들이 상기 가압통로(180)를 통해 웨이퍼블록(110)과 반응챔버(140) 사이의 공간(142)으로 들어와 원추 배플의 내측면(191)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 반응가스들에 의한 오염으로 인해 상기 반응챔버(140)를 주기적으로 클리닝해야 하는데, 그 클리닝 주기를 연장시킬 수 있는 효과가 있다.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 배플은 단일의 몸체로 이루어져 있으나, 상부 배플과 하부 배플 두 개의 몸체가 결합된 구조로 제작하는 것도 가능하다.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 가스 출구는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 배플의 내주면(153)과 배플의 상면(158)이 만나는 꼭지점(159) 바로 밑의 내주면(153)에 형성되어 있으나, 상기 배플의 내주면(153)과 배플의 상면(158)이 만나는 꼭지점(159) 바로 우측의 상면에, 웨이퍼의 가장자리부를 향하도록 형성될 수도 있다.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 가스 채널을 통해 분사되는 불활성가스 및 상기 가압통로를 통해 분사되는 불활성가스 모두 아르곤(Ar) 가스를 예로 들어 설명되었으나, 다른 종류의 불활성가스가 사용되는 것이 가능하다.

이상 바람직한 실시예 및 변형례에 대해 설명하였으나, 본 발명에 따른 박막증착장치는 상술한 예들에 한정되는 것은 아니며, 그 예들의 변형이나 조합에 의해, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 다양한 형태의 박막증착장치가 구체화될 수 있다.

본 발명의 박막증착장치를 사용하면, 웨이퍼 가장자리부에 원하지 않는 박막이 생성되는 것을 방지하여 후속의 반도체 제조공정에서 발생할 수 있는 파티클을 근본적으로 제거할 수 있다. 따라서, 한 장의 웨이퍼로부터 가능한 많은 유용한 다이(die)를 얻을 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 박막증착장치를 사용하면, 반응가스들이 반응챔버의 외벽에 부착되는 것을 막을 수 있으므로, 상기 반응챔버가 반응가스들에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims

내부공간이 마련된 반응챔버와, 상기 반응챔버의 내부공간에 설치되며 상면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼블록을 포함하는 박막증착장치에 있어서,

상기 반응챔버에 결합되어 상기 웨이퍼블록을 둘러싸도록 배치된, 고리 형상의 배플(baffle)을 포함하며,

상기 배플은,

외부로부터 공급된 가스가 유입되는 가스 입구와, 상기 가스 입구로 유입된 가스가 상기 웨이퍼의 가장자리부를 향해 분사되는 가스 출구와, 상기 배플의 내부에 형성되며 상기 가스 입구와 상기 가스 출구를 연결하는 가스 채널을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 배플은,

상기 가스 출구가 형성된 면이, 상기 웨이퍼블록의 상면보다 높지 않게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제2항에 있어서,

상기 가스 출구는, 상기 배플의 내주면에 형성된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 배플은, 그 내주면의 전둘레에 걸쳐 상기 웨이퍼블록으로부터 일정 거리 이격되게 배치된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 가스 채널은, 상기 가스 출구를 통해 분사되는 가스가 10도 내지 15도 상방으로 분사되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 가스 채널은,

상기 가스 출구를 통해 가스를 균일하게 분사하기 위한 환형의 확산공간부와, 상기 확산공간부와 상기 가스 입구를 연결하는 제1공급유로와, 상기 확산공간부와 상기 가스 출구를 연결하는 분사유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제6항에 있어서,

상기 배플은, 단일의 몸체로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제1항에 있어서,

상기 가스 입구에 연결되며, 상기 반응챔버를 관통하며 형성된 제2공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제8항에 있어서,

상기 제2공급유로와 상기 가스 입구는, 실링 부재에 의해 밀봉되어 연결되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
제9항에 있어서,

상기 실링 부재는, 고무링 또는 메탈링인 것을 특징으로 하는 박막증착장치.