CN107546095A - 支撑组件、用于处理基底的装置和方法 - Google Patents

支撑组件、用于处理基底的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107546095A
CN107546095A CN201710386331.7A CN201710386331A CN107546095A CN 107546095 A CN107546095 A CN 107546095A CN 201710386331 A CN201710386331 A CN 201710386331A CN 107546095 A CN107546095 A CN 107546095A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode layer
circuit
switch
power
support component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710386331.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107546095B (zh
Inventor
林斗镐
河昌昇
李承培
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN107546095A publication Critical patent/CN107546095A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107546095B publication Critical patent/CN107546095B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32366—Localised processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

实施方案包括支撑组件、基底处理装置和基底处理方法。基底处理装置包括：内部具有处理空间的加工室；用于支撑在加工室内的基底的支撑组件；以及用于将处理气体供应到处理空间的气体供应组件，其中，所述支撑组件包括：金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；接地线路，其一端连接到电极层并且另一端接地；以及设置在接地线路上的开关。

Description

支撑组件、用于处理基底的装置和方法
技术领域
本公开内容涉及支撑组件、用于处理基底的装置和方法。
背景技术
等离子体是通过非常高的温度、强电场或RF电磁场产生的，并且指的是由离子、电子、自由基(radical)等构成的电离气体状态。半导体器件制造过程使用等离子体进行蚀刻过程。通过将等离子体中包含的离子颗粒与基底相撞执行蚀刻过程。蚀刻过程在加工室内执行。将加工气体供给到加工室中，并向加工室施加高频电力以将加工气体激发成等离子体状态。
图1示出了基底处理装置中的一般支撑组件。依次设置了用于支撑基底W的第一电介质板1、底部部分中的导电材料的电极层2以及第二电介质板3。第一电介质板1可以设置有用于支撑基底的顶销(未示出)。在第二电介质板3中形成有冷却流体流动的冷却路径4。当冷却流体流动时，通过冷却流体与冷却路径的外壁之间的摩擦产生静电力。在冷却路径4的外壁上的电荷引起在电极层和板1、2、3中存在的电荷上发生电磁感应现象。例如，参考图1，由于在冷却路径的外壁中产生负电荷，正电荷分布在第二电介质板3的上部部分。而且，负电荷分布在电极层2的下部部分，而正电荷分布在电极层2的上部部分。而且，由于电磁感应现象，负电荷分布在第一电介质板1的下部部分，而正电荷分布在第一电介质板1的上部部分。负电荷分布在由硅材料制成的基底的下部部分，因此基底被吸附到第一电介质板1。
另一方面，当过程完成并且基底将从第一电介质板1卸载时，基底w不应吸附到第一电介质板1。然而，如上所述，存在着基底被电磁感应的非预期吸引力吸附住并且在卸载基底的过程中基底损坏的问题。
发明内容
本文描述的本发明构思的实施方案涉及提供一种支撑组件、基底处理装置和方法，其中，可以防止卸载基底时基底的非预期吸附，从而防止基底损坏。
本发明构思的目的不限于上述描述。本领域技术人员根据下面的描述将能够理解其它目的。
本发明构思的示例实施方案提供一种基底处理装置。
在示例实施方案中，基底处理装置包括：加工室，其内部具有处理空间；用于支撑在加工室内的基底的支撑组件；以及用于将处理气体供应到处理空间的气体供应组件，其中，所述支撑组件包括：金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；接地线路，其一端连接到电极层并且另一端接地；以及设置在所述接地线路上的开关。
在示例实施方案中，接地线路包括连接到电极层的第一线路和接地的第二线路，其中，所述开关被设置为将第二线路和第一线路电连接。
在示例实施方案中还包括用于控制开关的控制器，其中，当向电极层施加高频电力时控制器使开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时控制器使开关保持闭合使得第二线路和第一线路电连接。
在示例实施方案中，在第二线路中设置有具有预定电阻值的电阻元件。
在示例实施方案中，第二线路被设置为多个，并且每个第二线路被设置为彼此平行，其中，所述开关被设置为将第二线路中的任何一个与第一线路电连接。
在示例实施方案中，当向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合，使得第二线路中的任何一个和第一线路电连接。
在示例实施方案中，在第二线路的每个中均设置有具有预定电阻值的电阻元件，并且电阻元件的电阻值互不相同。
本发明构思的示例实施方案提供了一种支撑组件。
在示例实施方案中，所述支撑组件包括：金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；接地线路，其一端连接到电极层并且另一端接地；以及设置在所述接地线路上的开关。
在示例实施方案中，所述接地线路包括连接到电极层的第一线路和接地的第二线路，其中，所述开关被设置为将第二线路和第一线路电连接。
在示例实施方案中还包括用于控制所述开关的控制器，其中，当向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合使得第二线路和第一线路电连接。
在示例实施方案中，在第二线路中设置有具有预定电阻值的电阻元件。
在示例实施方案中，第二线路被设置为多个，并且每个第二线路被设置为彼此平行，其中，所述开关被设置为将第二线路中的任何一个与第一线路电连接。
在示例实施方案中，当向电极层施加高频电力时控制器使开关保持关断，并且当不向电极层施加高频电力时控制器使开关保持闭合使得第二线路中的任何一个和第一线路电连接。
在示例实施方案中，在第二线路的每个中均设置有具有预定电阻值的电阻元件，并且所述电阻元件的电阻值互不相同。
本发明构思的示例实施方案提供一种基底处理方法。
在示例实施方案中，在向电极层施加高频电力时，基底处理方法将电极层与接地线路中的地之间的连接断开，并且在不向电极层施加高频电力时，基底处理方法保持在电极层与接地线路中的地之间的连接。
在示例实施方案中，接地线路上设置有具有预定电阻值的电阻元件，其中，电阻元件位于用于断开或保持在电极层与地之间的连接的连接点的下部位置。
本发明构思的实施方案可以防止卸载基底时基底的非预期吸附，从而防止基底损坏。
本发明构思的目的不限于上述描述。本领域技术人员根据下面的描述和附图将能够理解其它效果。
附图说明
图1示出了基底处理装置的支撑组件中的电磁感应现象。
图2是示出了根据本发明的基底处理装置的视图。
图3是示出了图2的基底处理装置中的基底处理过程的进程的视图。
图4是示出了图2的基底处理装置中的基底处理过程结束时的视图。
图5至图7是依次示出了根据本发明的处理基底的方法的视图。
图8是示出了图2的基底处理装置的支撑组件中的电荷的移动及状态的视图。
图9是示出了图2的基底处理装置的变型的视图。
具体实施方式
本发明构思的优点和特征及其实现方法将通过下面参照附图描述的实施方案进行阐述。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应被理解为限于本文给出的实施方案。而是，这些实施方案被提供使得本公开内容是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。此外，本发明构思仅由权利要求的范围限定。
在本发明的实施方案中，描述了通过使用等离子体来蚀刻基底的基底处理装置。然而，本发明不限制于此，其适用于使用设置有冷却路径的支撑组件执行处理的各种装置。
图2是示出了根据本发明的基底处理装置的视图。
参照图2，基底处理装置10使用等离子体对基底W进行处理。基底处理装置10包括加工室100、支撑组件200、喷头组件300、气体供应组件400、衬里组件500、挡板组件600和控制器700。
加工室100为在其中执行处理基底的过程提供处理空间。加工室100中具有处理空间并且该处理空间设置为密封形式。加工室100可以设置成具有金属材料。加工室100可以设置成具有铝材料。加工室100可以接地。可以在加工室100的底表面上形成排气孔102。排气孔102可以连接到排气管线151。排气管线151连接到泵(未示出)。在加工步骤中产生的反应副产物和存在于加工室100的内部空间中的气体可以通过排气管线151排出。加工室100的内部空间可以通过排气过程减压到预定压力。
加工室100的壁上设置有加热器150。加热器150将加工室100的壁加热。加热器150电连接到加热电源(未示出)。加热器150通过抵抗从加热电源(未示出)施加的电流产生热量。加热器150中产生的热量传递到内部空间。加热器150中产生的热量将处理空间保持在预定温度。加热器150设置为线圈状的热丝。可以在加工室100的壁上设置多个加热器150。
支撑组件200可以位于加工室100内。支撑组件200可以支撑基底W。支撑组件200可以包括用于使用静电力保持基底W的静电吸盘。另一方面，支撑组件200可以以各种方法诸如机械夹紧来支撑基底W。包括静电吸盘的支撑组件200可以被描述如下。
支撑组件200包括支撑板210、电极层220、接地线路221、开关225、加热器230、下板240、基板260和环形构件280。
在支撑板210上放置基底W。支撑板210设置成圆盘形。支撑板210可以设置为电介质。支撑板210的上表面具有比基底W小的半径。当基底W放置在支撑板210上时，基底W的边缘区域位于支撑板210外。支撑板210接收外部电源并对基底W施加静电力。支撑板210设置有静电电极211。静电电极211与静电电源213电连接。静电电源213包括DC电源。静电电极211和静电电源213之间设置有开关212。静电电极211可以通过使开关212接通/关断与静电电源213电连接。当开关212闭合时，向静电电极211施加直流电流。通过施加到静电电极211的电流在静电电极211和基底W之间施加静电力。基底W通过静电力保持在支撑板210上。
加热器230设置在支撑板210的内部。加热器230通过开关231与加热电源233电连接。加热器230通过抵抗从加热电源233施加的电流产生热量。产生的热量通过支撑板210传递到基底W。基底W通过加热器230中产生的热量被保持在预定温度。加热器230设置为线圈状的热丝。支撑板210的区域中设置有多个加热器230。
电极层220设置在支撑板210的下方。电极层220的上表面接触支撑板210的下表面。电极层220设置成圆盘形。电极层220由导电材料制成。电极层220可以设置为金属材料。例如，电极层220可以设置为铝材料。电极层220的上部中央区域具有对应于支撑板210的底部的区域。
电极层220可以包括金属板。根据一种实施例，电极层220可以完全地设置为金属板。电极层220可以通过开关228电连接到低位电源227。低位电源227可以设置为用于产生高频电力的高频电源。高频电力可以由RF电力提供。RF电力供应可以由高偏置功率RF电源提供。电极层220从低位电源227接收高频电力。这允许电极层220用作电极。
接地线路221从电极层220中排出电荷。接地线路221的一端连接到电极层220。接地线路221的另一端接地。接地线路221包括第一线路222和第二线路223。第一线路222连接到电极层220。第一线路222位于接地线路221的上部位置。第二线路223接地。第二线路223位于接地线路221的下部位置。可以设置多条第二线路223。第二线路223a、223b和223c布置成彼此平行。
第二线路223设置有具有预定电阻值的电阻元件224。电阻元件224防止当施加到电极层220的高频电力通过接地线路221时发生的电弧现象。可以在第二线路223a、223b和223c的每个中设置具有不同电阻值的电阻元件224a、224b和224c。
开关225被设置为断开或保持在电极层220和地之间的连接。开关225被设置为将第一线路222和第二线路223电连接。开关225被设置为将第一线路222电连接到第二线路223中的任一个。
下板240设置在电极层220的下方。下板240可以设置为圆形板形式。下板240可以设置有对应于电极层220的区域。冷却路径242设置在下板240中。冷却流体被供应至冷却路径242。下板240可以设置为绝缘体。例如，下板240可以设置有电介质。
基板260位于下板240的下方。基板260可以设置为铝材料。当从上方看时，基板260呈圆形。顶销模块(未示出)可以定位在基板260的内部空间中，所述顶销模块用于将待传送的基底W从外部传送构件移动到支撑板210。
环形构件280布置在支撑组件200的边缘区域中。环形构件280具有环形形状。环形构件280被设置成围绕支撑板210的上部部分。例如，环形构件280可以设置为集中环(focusring，聚焦环)。环形构件280包括内侧部分282和外侧部分281。内侧部分282位于环形构件280内部。内侧部分282被设置成比外侧部分281低。内侧部分282的上表面被设置在与支撑板210的上表面相同的高度处。内侧部分282支撑基底W位于支撑板210外的边缘区域。外侧部分281位于内侧部分282外。
喷头组件300位于加工室100内部的支撑组件200的顶部。喷头组件300定位成与支撑组件200相对。喷头组件300包括喷头310、气体注入板320、加热器323、冷却板340和绝缘板390。
喷头310与加工室100的上表面间隔开预定距离。喷头310位于支撑组件200的顶部。在喷头310和加工室100的上表面之间形成恒定的空间。喷头310可以设置成具有恒定厚度的板形。喷头310底表面可以在其表面上被极化以防止通过等离子体产生电弧。喷头310的截面可以设置成与支撑组件200的截面具有相同的形状和截面积。喷头310包括多个注入孔311。注入孔311在竖直方向上穿透喷头310的上表面和下表面。
气体注入板320位于喷头310的顶部。气体注入板320与加工室100的上表面间隔开一定距离。气体注入板320可以设置成具有恒定厚度的板形。
加热器323设置在气体注入板320的边缘区域A2中。加热器323将气体注入板320加热。
气体注入板320设置有扩散区域322和注入孔321。扩散区域322和注入孔321位于气体注入板的中心区域中。扩散区域322将从上部供给的气体均匀地扩散到注入孔321中。扩散区域322在底部连接到注入孔321。相邻的扩散区域322彼此连接。注入孔321连接到扩散区域322并且在竖直方向上穿透下表面。注入孔321定位成与喷头310的注入孔311相对。气体注入板320可以设置为金属材料。
冷却板340位于气体注入板320的顶部。冷却板340可以设置成具有恒定厚度的板形。冷却板340具有形成在其中心的供应孔341。供应孔341通过气体。通过供应孔341的气体被供应至气体注入板320的扩散区域322。在冷却板340的内部形成有冷却路径343。冷却流体可以被供应到冷却路径343。例如，冷却流体可以是冷却水。
冷却板340可以设置为金属材料。冷却板340可以设置有电源。冷却板340可以电连接到顶部电源370。上部电源370可以设置为高频电源。可替代地，冷却板340可以电接地。冷却板340可以电连接到顶部电源370。可替代地，冷却板340可以接地以用作电极。
绝缘板390支撑所述喷头310、气体注入板320和冷却板330的侧面。绝缘板390连接到加工室100的侧壁。绝缘板390设置成围绕喷头310、气体注入板320和冷却板340。绝缘板390可以设置成环形。绝缘板390可以设置为非金属材料。
气体供应组件400将加工气体供应到加工室100。气体供应组件400包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体存储组件430。气体供应喷嘴410可以安装在加工室100的中心区域中。可以在气体供应喷嘴410的底表面上形成注射喷嘴。注射喷嘴可以将加工气体提供到加工室100中。气体供应管线420可以将气体供应喷嘴410和气体存储组件430连接。气体供应管线420可以将存储在气体存储组件430中的加工气体提供给气体供应喷嘴410。可以在气体供应管线420上安装阀421。阀421可以打开或关闭气体供应管线420并且调节经由气体供应管线420供应的加工气体的量。
等离子体源激发加工气体在加工室100内进入等离子体状态。例如，容性耦合等离子体(CCP)可以用作等离子体源。CCP可以包括在加工室100内部的上电极和下电极。根据实施例，上电极可以设置到喷头组件300，下电极可以设置到电极层220。上电极可以设置为冷却板340。可以向下电极施加高频电力，并且上电极可以接地。可替代地，可以向上电极和下电极二者施加高频电力。结果，在上电极和下电极之间产生电磁场。所产生的电磁场将加工室100内提供的加工气体激发成等离子体状态。
衬里组件500防止加工室100的内壁和支撑组件200在处理期间损坏。衬里组件500防止在处理期间产生的杂质沉积在内壁和支撑组件200上。衬里组件500包括内衬里510和外衬里530。
外衬里530设置在加工室100的内壁上。外衬里530具有其中上表面和下表面敞开的空间。外衬里530可以设置成圆柱形。外衬里530可以具有与加工室100的内表面对应的半径。外衬里530沿着加工室100的内表面设置。
外衬里530可以设置为铝。外衬里530保护主体110的内表面。在加工气体的激发期间，加工室100中可能产生电弧放电。电弧放电会损坏加工室100。外衬里530保护主体110的内表面以防止主体110的内表面被电弧放电损坏。
内衬里510围绕支撑组件200设置。内衬里510设置成环形。内衬里510设置成包围所有支撑板210、电极层220和下板240。内衬里510可以设置为铝。内衬里510保护支撑组件200的外表面。
挡板组件600位于加工室100的内壁和支撑组件200之间。挡板设置成环形圆圈形状。挡板上形成有多个渗透孔。加工室100中提供的加工气体通过挡板的渗透孔排出到排气孔102。可以根据挡板的形状和渗透孔的形状控制加工气体的流动。
图3示出了当使用等离子体执行基底处理过程时的基底处理装置。图4示出了基底处理过程结束时的基底处理装置。
控制器700控制开关225和228。参照图3，在所述过程期间，开关228闭合并且高频电力被施加至电极层220以产生等离子体。控制器700允许在向电极层220施加高频电力时开关225关断。也就是说，第一线路222和第二线路223之间的电连接断开。例如，当开关228闭合时，高频电力被施加至电极层220，同时使开关225保持关断。
参照图4，当所述过程完成时，不需要产生等离子体，所以开关228关断，并且不向电极层220施加高频电力。控制器700使开关225保持在闭合状态，同时不向电极层220施加高频电力。也就是说，第二线路223a、223b和223c中所选择的一个和第一线路222电连接。例如，当开关228关断时，不向电极层220施加高频电力，其间开关225闭合。
在下文中，将参照图5至图8描述使用上述基底处理装置处理基底的方法。
当冷却流体通过冷却路径242时，通过与外壁的摩擦产生静电力。如图5所示，当对电极层220施加高频电力并且进行基底处理过程时，开关225关断以切断第一线路222和第二线路223之间的电连接。在这种情况下，当开关225闭合时，高频电力通过接地线路221，并且设置在第二线路223上的电阻元件224可能损坏。
参照图6，当基底处理过程完成时，即当不向电极层220施加高频电力时，开关225闭合，使得第一线路222和第二线路223彼此电连接。因此，电极层220内的电荷通过接地线路221放电。
此后，如图7所示，可以在不损坏基底的情况下将基底从支撑组件卸载。
另一方面，设置在每个第二线路223中的电阻元件224的电阻值与施加的高频电力的强度和电弧现象、相应的施加的高频电力的损失和过程误差有关。通常，电阻值越大，过程误差越大。因此，考虑到这种情况，开关225可以根据处理环境将第一线路222与任何一个设置有具有适当电阻值的电阻元件224的第二线路223电连接。
图8是示意性地示出了当开关225如图6所示闭合时电荷的移动的视图。例如，存在于电极层220中的负电荷排出到外部，使得存在于基底w、支撑板210等上的电荷不会发生电磁感应现象。因此，可以通过静电力防止非预期的基底的吸附现象。因此，可以防止在过程结束后卸载基底时由于吸附现象而损坏基底。
在上述实施方案中，设有多个第二线路。然而，如图9所示，可以设置一个第二线路1223，并且可以设置一个电阻元件1224。
在上述实施方案中，设置了用于连接第一线路和第二线路的一个开关，并且该开关选择性地连接到任何一个第二线路。然而，可以为每个第二线路设置单独的开关以接地或与地断开。
在上述实施方案中，使用容性耦合等离子体(CCP)作为等离子体源，但是电感耦合等离子体(ICP)源也是可以的。
前面的详细描述可以仅仅是实施方案的示例。此外，上述内容仅仅示出和描述优选实施方案，并且其它实施方案可以包括各种组合、变化和环境。也就是说，本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求及其等同物所限定的范围的原理和精神的情况下，可以在这些实施方案中进行替换、修改和改变。此外，本申请的范围并不意在限于这些具体实施方案或其具体特征或益处。相反，旨在将本申请的范围仅限于随附的权利要求及其等同物。

Claims (16)

1.一种基底处理装置，包括：
内部具有处理空间的加工室；
用于支撑在所述加工室内的基底的支撑组件；以及
用于将处理气体供应到所述处理空间中的气体供应组件，
其中，所述支撑组件包括：
金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；
接地线路，其一端连接到所述电极层并且另一端接地；以及
设置在所述接地线路上的开关。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接地线路包括：
连接到所述电极层的第一线路；以及
接地的第二线路，
其中，所述开关被设置为将所述第二线路和所述第一线路电连接。
3.根据权利要求2所述的装置，还包括用于控制所述开关的控制器，其中，当向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合使得所述第二线路和所述第一线路电连接。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的装置，其中，在所述第二线路中设置有具有预定电阻值的电阻元件。
5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二线路被设置为多个，并且每个第二线路被设置成相互平行，其中，所述开关被设置为将所述第二线路中的任何一个与所述第一线路电连接。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，当向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合使得所述第二线路中的任何一个电连接到所述第一线路。
7.根据权利要求5或6所述的装置，其中，在所述第二线路中的每个中设置有具有预定电阻值的电阻元件，并且所述电阻元件的所述电阻值互不相同。
8.一种支撑组件，包括：
金属材料的电极层，能够向该金属材料的电极层施加高频电力；
接地线路，其一端连接到所述电极层并且另一端接地；以及
设置在所述接地线路上的开关。
9.根据权利要求8所述的支撑组件，其中，所述接地线路包括：
连接到所述电极层的第一线路；以及
接地的第二线路，
其中，所述开关被设置为将所述第二线路和所述第一线路电连接。
10.根据权利要求9所述的支撑组件，还包括用于控制所述开关的控制器，其中，当向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合使得所述第二线路和所述第一线路电连接。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的支撑组件，其中，在所述第二线路中设置有具有预定电阻值的电阻元件。
12.根据权利要求10所述的支撑组件，其中，所述第二线路被设置为多个，并且每个第二线路被设置成相互平行，其中，所述开关被设置为将所述第二线路中的任何一个与所述第一线路电连接。
13.根据权利要求12所述的支撑组件，其中，当向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持关断，并且当不向所述电极层施加高频电力时所述控制器使所述开关保持闭合使得所述第二线路中的任何一个电连接到所述第一线路。
14.根据权利要求12或13所述的支撑组件，其中，在所述第二线路中的每个中，设置有具有预定电阻值的电阻元件，并且所述电阻元件的电阻值互不相同。
15.一种使用权利要求1的装置的基底处理方法，包括在向所述电极层施加高频电力时断开所述电极层与所述接地线路中的地之间的连接，并且在不向所述电极层施加高频电力时保持所述电极层与所述接地线路中的地之间的连接。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述接地线路上设置有具有预定电阻值的电阻元件，其中，所述电阻元件位于用于断开或保持所述电极层与所述地之间的连接的连接点的下方位置。
CN201710386331.7A 2016-05-27 2017-05-26 支撑组件、用于处理基底的装置和方法 Active CN107546095B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160065559A KR101842124B1 (ko) 2016-05-27 2016-05-27 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2016-0065559 2016-05-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107546095A true CN107546095A (zh) 2018-01-05
CN107546095B CN107546095B (zh) 2019-11-05

Family

ID=60418305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710386331.7A Active CN107546095B (zh) 2016-05-27 2017-05-26 支撑组件、用于处理基底的装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10607818B2 (zh)
KR (1) KR101842124B1 (zh)
CN (1) CN107546095B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725406B (zh) * 2019-03-28 2021-04-21 台灣茂矽電子股份有限公司 電漿蝕刻方法及裝置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101842124B1 (ko) * 2016-05-27 2018-03-27 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10217626B1 (en) * 2017-12-15 2019-02-26 Mattson Technology, Inc. Surface treatment of substrates using passivation layers
JP6960390B2 (ja) * 2018-12-14 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 給電構造及びプラズマ処理装置
KR102126948B1 (ko) * 2019-05-16 2020-06-25 주식회사 메디플 플라즈마 발생기판 및 발생장치
KR102387279B1 (ko) * 2019-12-30 2022-04-18 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US20220049350A1 (en) * 2020-08-13 2022-02-17 Applied Materials, Inc. Apparatus design for photoresist deposition
KR20220021514A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 삼성전자주식회사 상부 전극 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233487A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Hitachi Ltd 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置
JP2010238730A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN101872733A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
CN101908459A (zh) * 2008-05-21 2010-12-08 东京毅力科创株式会社 载置台机构和等离子体处理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199578A (ja) 1996-01-19 1997-07-31 Hitachi Ltd 静電吸着電極およびそれを用いたプラズマ処理装置
KR100619581B1 (ko) 1999-07-28 2006-09-01 삼성전자주식회사 플라즈마 공정챔버의 정전기제거장치
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
KR20050049725A (ko) 2003-11-24 2005-05-27 삼성전자주식회사 스티킹을 방지하는 정전척
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
KR20070091734A (ko) 2006-03-07 2007-09-12 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
JP5116983B2 (ja) 2006-03-30 2013-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR100845896B1 (ko) 2006-06-29 2008-07-16 주식회사 뉴파워 프라즈마 정전척과 피처리 기판 사이의 아킹을 방지하기 위한플라즈마 처리 시스템 및 방법
JP4992389B2 (ja) 2006-11-06 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 載置装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7782591B2 (en) 2007-06-22 2010-08-24 Lam Research Corporation Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking
KR101125430B1 (ko) 2009-09-04 2012-03-28 주식회사 디엠에스 피처리물의 디척킹과 함께 반응 챔버 내부 및 정전 척의 드라이 클리닝을 실행하는 플라즈마 반응기의 피처리물 디척킹 장치 및 방법
JP5563347B2 (ja) 2010-03-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101570174B1 (ko) 2011-05-04 2015-11-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 방법
US8652298B2 (en) * 2011-11-21 2014-02-18 Lam Research Corporation Triode reactor design with multiple radiofrequency powers
JP6401901B2 (ja) 2013-11-13 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR101842124B1 (ko) * 2016-05-27 2018-03-27 세메스 주식회사 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11233487A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Hitachi Ltd 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置
CN101908459A (zh) * 2008-05-21 2010-12-08 东京毅力科创株式会社 载置台机构和等离子体处理装置
JP2010238730A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
CN101872733A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725406B (zh) * 2019-03-28 2021-04-21 台灣茂矽電子股份有限公司 電漿蝕刻方法及裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107546095B (zh) 2019-11-05
US20170345625A1 (en) 2017-11-30
KR101842124B1 (ko) 2018-03-27
US10607818B2 (en) 2020-03-31
US20200194241A1 (en) 2020-06-18
US11127573B2 (en) 2021-09-21
KR20170134877A (ko) 2017-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107546095B (zh) 支撑组件、用于处理基底的装置和方法
KR101909479B1 (ko) 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법
US10714372B2 (en) System for coupling a voltage to portions of a substrate
KR101980203B1 (ko) 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US9623503B2 (en) Support unit and substrate treating device including the same
JP6670576B2 (ja) 均一なｒｆ電力供給のための導電性ガスケットを含むｅｓｃアセンブリ
JP2020512699A (ja) プラズマ処理装置のためのペデスタルアセンブリ
KR102432857B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP4615464B2 (ja) プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置
CN105655222B (zh) 支撑单元和包括其的基板处理装置
KR101817210B1 (ko) 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR20160010254A (ko) 기판 처리 장치 및 필터 제조 방법
KR101569904B1 (ko) 전극 어셈블리, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR20160081264A (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101970981B1 (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101569886B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11264252B2 (en) Chamber lid with integrated heater
KR101408787B1 (ko) 기판 처리 장치
US10319566B2 (en) Apparatus for supplying power and apparatus for treating substrate including the same
KR20160081006A (ko) 샤워 헤드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101754563B1 (ko) 이온 빔 생성 장치, 그를 이용한 기판 처리 장치, 및 이온 빔 제어 방법
KR101966793B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR101605722B1 (ko) 피더 및 기판 처리 장치
KR20210151308A (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160026264A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant