CN101872733A - 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法 - Google Patents

感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101872733A
CN101872733A CN200910049960A CN200910049960A CN101872733A CN 101872733 A CN101872733 A CN 101872733A CN 200910049960 A CN200910049960 A CN 200910049960A CN 200910049960 A CN200910049960 A CN 200910049960A CN 101872733 A CN101872733 A CN 101872733A
Authority
CN
China
Prior art keywords
residual charge
arts piece
voltage
semiconductor arts
discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910049960A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101872733B (zh
Inventor
倪图强
陈金元
王晔
杜若昕
欧阳亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to CN2009100499606A priority Critical patent/CN101872733B/zh
Priority to US12/505,381 priority patent/US8111499B2/en
Priority to KR1020100037582A priority patent/KR101161125B1/ko
Priority to JP2010099744A priority patent/JP5166479B2/ja
Publication of CN101872733A publication Critical patent/CN101872733A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101872733B publication Critical patent/CN101872733B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法。移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败，从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。对嵌入于静电夹盘内的电极施加反向放电直流电压，并通过升降顶针组件来提供一个残余电荷接地的出口，而使残余电荷被移除。升降顶针组件被保持与静电夹盘的基座具有相同的电势，来防止在施加射频功率来产生等离子体时产生电火花。一残余电荷感测器被用来感测和测量残余电荷的数量，因此，在下一次的去夹持操作过程中，反向放电电压的参数可以被调整。

Description

感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
【技术领域】
本发明涉及衬底微制造技术，尤其是指感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法。
【背景技术】
对半导体工艺件或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的不同步骤可以包括等离子体辅助工艺(例如，等离子体增强化学气相沉积、反应离子刻蚀等)，这些工艺在反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。在反应室内部，暴露的衬底被夹盘支撑，并通过某种夹持力被固定在一固定的位置。
传统类型的一种夹盘是静电夹盘，在加工过程中它利用静电力固定或夹持住衬底。一直流电极与一高电压直流电源相连接，在静电夹盘和晶圆之间产生极性相反的静电荷，由此产生静电夹持力。
在工艺完成后，衬底需要从夹盘上被移除或“去夹持”(de-chucked)。为了实现去夹持，高压直流电源被关闭。但是，由于残余电荷往往趋向于停留在整个衬底背面或部分衬底背面，在升降顶针顶起衬底时，衬底往往不能从静电夹盘上分开，并且会被碎成多片或产生其他损坏。
在现有技术中，不同的技术被用来试图促成实现去夹持，它通过对直流电极施加反向极性的放电电压和/或给残余电荷提供一个出口。在一种现有的方法中，在等离子体工艺后期顶起衬底时，流经夹盘的峰值电流被测量，从而来控制在未来的下一次运行时的反向极性放电电压的幅度和/或时间。在另外一种现有的方法中，一电容探测器被用来测量静电夹盘电极和衬底之间的电容值，并基于该测量的电容值来计算出反向极性放电电压。因此，反向极性放电电压的大小会随不同的因素而波动，例如，在晶圆加工时所施加的射频功率、静电夹盘的表面状况，等等。
升降顶针被用于常规的静电夹盘中来将衬底从静电夹盘表面顶起，由此，机器人手臂可以达到衬底的下方再将被处理好的衬底移开。在一种现有的方法中，升降顶针被制成导电的并被接地以给残余电荷提供一放电路径。沿该升降顶针放电路径可以包含射频滤波器和/或电阻。在另外一种现有的方法，升降顶针通过一开关和一可变电阻实现接地。如下的其他现有技术可以供参考：美国专利US6790375、美国专利申请公开US2008/0218931、美国专利US5900062、美国专利US6646857。
现在所需要的是一种去夹持的系统和去夹持的方法，它能够减少去夹持失败，通过从处理的衬底将残余电荷放电，并通过收集上一次去夹持过程的数据来优化后续的去夹持过程。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种从被加工半导体工艺件消除残余电荷的系统和方法，该移除残余电荷会减少/防止去夹持的失败，从而防止半导体工艺件被破碎或被损坏。
本发明是通过以下技术方法实现的：
本发明提供一种对反应室内静电夹盘上被夹持的半导体工艺件去夹持的系统，其中一射频源产生和维持等离子体来处理该反应室内的半导体工艺件，至少一导电的升降顶针被用来在半导体工艺件处理后与半导体工艺件接触而使半导体工艺件放电，该系统包括：一残余电荷感测器，其被设置于沿着一第一放电路径，通过该第一放电路径来感测半导体工艺件的残余电荷放电；一第一电感，连接于残余电荷感测器和升降顶针之间；和一控制器，从残余电荷感测器接收输出信号，并决定残余电荷的数量。
本发明还提供一种方法，包括：在一反应室内通过施加一夹持电压使半导体工艺件被夹持在一静电夹盘上；将一射频源耦合至反应室内产生和维持等离子体对半导体工艺件进行处理；在一第一开关和反应室之间放置一射频阻断电感，来阻断射频电流沿一第一放电路径到达该第一开关至接地；终止夹持电压；抬高至少一个导电的升降顶针使其接触半导体工艺件的下表面，将半导体工艺件的残余电荷沿该第一放电路径放电；感测在半导体工艺件上的残余电荷；和确定残余电荷的数量，来产生一与残余电荷的数量相关的控制信号。
本发明还进一步提供一种半导体工艺件去夹持系统，包括：静电夹盘，通过静电力来夹持半导体工艺件；承载静电夹盘的导电基座；一个射频源耦合至导电基座，以产生和维持等离子体来处理半导体工艺件；至少一导电的升降顶针，其沿着静电夹盘上的一开孔从一收回位置向上移动以使其接触半导体工艺件的底表面；和一电连接器，将导电的升降顶针与导电基座相连接。
【附图说明】
图1A-1B示出根据本发明实施例所提供的两种对放置于静电夹盘上的晶圆放电的系统。
图2示出根据本发明另一实施例所提供的通过一替代的路径实现对放置于静电夹盘上的晶圆放电的系统。
图3示出根据本发明另一实施例所提供的运用一前馈控制实现感测和移除静电夹盘上的晶圆的残余电荷的系统。
图4A-4B示出根据本发明实施例所提供的两种示例的残余电荷感测器的配置。
图4C示出图4A-4B中的残余电荷感测器中的电压积分器的时间-电压图。
图5A示出根据本发明一实施例所提供的残余电荷感测器的另外一种配置。
图5B示出图5A所示的残余电荷感测器中的高阻抗电压监控器的时间-电压图。
图6示出根据本发明一实施例所提供的去夹持过程的流程图。
图7示出根据本发明一实施例所提供的用于测试去夹持过程的三种不同的电压条件。
图8所示的表格列出去夹持的不同的试验条件以及相应的结果。
【具体实施方式】
本发明所述的实施方式提供改进的去夹持过程，其采用升降顶针来减少在去夹持过程中损坏半导体工艺件的可能性。要指出的是，“半导体工艺件”、“晶圆”和“基片”这些词在随后的说明中将被经常互换使用，在本发明中，它们都指在图1A所示的处理反应室110内被加工的工艺件，工艺件不限于晶圆、衬底、基片、大面积平板基板等。为了方便说明，本专利在实施方式说明和图示中将主要以“晶圆”为例来作示例性说明。
图1A显示一处理腔室100，本发明的去夹持方法可以被用于此处理腔室。处理腔室100包括反应室110，在其中，射频功率被施加至晶圆115来形成等离子体112。反应室110可被接地。晶圆115可以包括半导体晶圆或电介质晶圆。根据所要求的微加工工艺以及反应室110工艺前后的条件，各种流体，如，形成等离子体112的工艺气体、冷却气体/液体等被输入至反应室110。为了简洁明了，与反应室110和真空泵相连接的各种流体进出口未在图1中图示。
晶圆115被安装在静电夹盘120上。静电夹盘120可以是Coulomb型或Johnsen-Rahbek型夹盘，或任何其他类型的标准的或自定义的夹盘。静电夹盘120包括用于支持晶圆115的电介质体部分122，一直流电极125内嵌于该电介质体部分122。一高电压模块155通过电气连接162连接至直流电极125来给静电夹盘120提供直流电压，以在晶圆加工过程中通过所产生的静电夹持力来夹持晶圆。高电压模块155包括一高电压源160，其一端被接地。高电压源160可以是一个双极电压源，其可以提供相对于接地端子的一定范围的正极性或负极性的直流电压。如上文所讨论，并且将在后面进一步阐述，在等离子体工艺完成之后，反向极性直流电压需要被施加至直流电极125来将静电夹盘120放电。此外，高电压模块155可以包括射频滤波器，例如，如图1所示的射频阻断电感165。射频阻断电感165防止射频电流到达高电压源160。
静电夹盘120由静电夹盘基座130所支撑，基座通常由一种导电材料制成，比如铝。静电夹盘基座130作用为一阴极端来将射频功率电容耦合至反应室110，从而在反应室110内产生和维持等离子体112。一阳极端被设置于反应室110的上方，其通过电介质元件124而与反应室110的主体部相电绝缘。要指出的是，除了电容耦合，射频功率也可以使用电感线圈(图1A中未图示)实现电感耦合。
静电夹盘120和静电夹盘基座130具有相互对应匹配的通孔135，升降顶针137沿着通孔135被向上移动而与晶圆115的底部表面接触。图1中，升降顶针组合136包括两个升降顶针137a和137b，其与通孔135a、135b相对应。系统可以有任何数量的升降顶针和相应的通孔。通常情况下，在工艺过程中，晶圆115被夹持至静电夹盘120，升降顶针137停靠于一收回的位置。在工艺处理结束后，升降顶针137逐渐向上移动。升降顶针组合136可以有一连接件140与每一个升降顶针137相连接。通过设计升降顶针的数量和大小，可以使晶圆115被准确地和平整地支持和顶起至超过静电夹盘120的顶表面的一位置。升降顶针组合136包括某些类型的驱动机构来控制升降顶针组合136的垂直运动(如图所示的上下箭头187)。例如，驱动机构可包括电机150。波纹管145a-b以真空密封方式将升降顶针137a-b连接至静电夹盘基座130。为了便于晶圆115的残余电荷放电，升降顶针137及升降顶针连接件140被制造成导电的。但是，升降顶针137与直流电极125电气绝缘。
射频源175通过连接到静电夹盘基座130的射频匹配装置170和电气连接180将射频功率提供给静电夹盘。射频匹配装置170可包括电感182和电容184。电气连接186连接升降顶针137a、137b至静电夹盘基座130。在图1A所示的实施例中，电气连接186连接导电的升降顶针连接件140至静电夹盘基座130。电气连接186确保静电夹盘基座130和升降顶针137位于同一电势，以便在通孔135内不会形成高电压火花。
射频匹配装置170可包括一开关190。开关190被配置用来为晶圆建立一个放电至地面的路径(当射频功率关闭且升降顶针137接触晶圆115的底部表面时)。开关190可以是一个继电器，可被开启或关闭以断开或建立放电至地面的路径。开关190可以是真空继电器或任何其他类型的中继。虽然图1所示的射频匹配装置170包括开关190，但开关190也可被放置于射频匹配装置170外部，作为独立的元件。
应当指出的是，当射频源175被启动，开关190断开，射频电流在找到放电路径至接地之前仍有可能会通过和破坏开关190。将电感182设置于静电夹盘基座130与开关190之间，并选择电感182的正确的电感值和频率响应，可以通过阻止射频电流来防止开关190被破坏的可能。熟悉本领域内的技术人员应当理解，尽管图1仅示出一个单一的电感182作为示例，多个单独的电感器可被分别用于射频源阻抗匹配和阻止返回射频电流。
图1B显示出另一种实施方式的系统110，它与图1A中的处理室100相同，但描述了一种将静电夹盘基座130连接至升降顶针137a-b的替代方式。在系统110，电气连接186从电气连接180分出分支。熟悉本领域内的技术人员应当理解，各种电气连接可以被使用而使静电夹盘130和升降顶针137a-b位于同一电势，该发明不局限于任何特定的电气连接。
图2显示本发明另一种实施方式的系统200。系统200与前述处理腔100有许多部件相同，因而具有相同的部件标号。处理室100和系统200二者的主要区别是系统200没有设置开关190。作为替代，系统200包括一个开关295来给晶圆115建立一种变形方式的放电路径。
当开关295关闭时，通过电气连接297将升降顶针137a-b连接至直流电极125。在晶圆加工后，当射频源175被关闭，并且开关295是闭合的，当升降顶针接触晶圆115的底部表面，直流电极125和晶圆115获得同样的电势。换言之，直流电极125和晶圆115被短接，晶圆115被放电。开关295可以是真空继电器或任何其他类型的中继。
熟悉本领域内的技术人员应当理解，如果去夹持的目的仅仅是简单地从晶圆115移除残余电荷，就没有必要为了优化下一晶圆的去夹持过程而去测量晶圆115上残余电荷的总量，处理室100、110和200提供了不同的可实施的解决方案。另一方面，图3显示本发明的另外一种实施方式300，晶圆115上的残余电荷被监测。该残余电荷的测量值可以被用来对随后晶圆的去夹持过程的执行实现前馈控制。例如，根据上一次去夹持过程中所测量的残余电荷，反向极性放电电压的大小和时间能被调整。
系统300的许多部件与反应腔室100相同，因而具有相同的标号。系统300中不同的部件包括：残余电荷感测器395和控制器397。虚线396和398显示信号在系统300的不同元件之间的传播路径。例如，残余电荷感测器395从当前的晶圆确定残余电荷总量，并将其通过路径396传达到控制器397。控制器397可包括一前馈微控制器。控制器397计算出所需的反向极性放电电压的大小，并通过路径398发送出一个适当的控制信号至高电压模块155，以调整下一片晶圆的去夹持操作的放电电压的幅度和时间。虽然残余电荷感测器395和控制器397在图3所示的实施例中被显示为单独的功能模块，熟悉本领域内的技术人员明白，控制器397可包括残余电荷感测器395的一些元件或全部作为控制器的一个子系统。例如，一电压积分器410(图4A所示)或一高阻抗电压监视器512(图5A所示)可以被包括在控制器397中，尽管它们显示为剩余电荷感测器395的一部分。此外，控制器的397可以是一个中央控制器，例如：一个专用的计算机，以控制不同的系统和操作参数，如：工艺气体压力、静电夹盘温度、射频功率等参数
开关390可以类似于图1所示处理室100中的开关190。然而，不同于开关190直接接地，开关390的一个端子连接进入残余电荷感测器395的一端，残余电荷感测器395的另一端接地。残余电荷感测器395将在图4A-4C及图5A-5B中被详细描述。可以注意到，虽然没有在图3中所示，另一替代的包括开关295(类似系统200)的第二放电路径也可被包括于系统300内，如果系统被使用于仅仅放电模式，由此，残余电荷监测器则不必要。在这种情况下，开关390可保持断开，使残余电荷有一个通过闭合的开关295的优选的放电路径，残余电荷感测器395被绕过(bypassed)。
图4A显示如图3所示的残余电荷感测器395的一种配置方式395a。配置395a包括一电阻415，这可以是一个限流放电电阻，通过它残余电荷被放电至大地，一电压积分器410跨接电阻415。图4B示出了残余电荷感测器395的另一种配置395b，它包括相互串联的电感417与电阻416。电感417通过电阻416使可能的电流浪涌被平滑。电压积分器410跨接电阻415，当晶圆115被升降顶针137顶起(同时，射频关闭，开关390闭合)，电压积分器410用来感测和测量残余电荷的数量。随着升降顶针将晶圆115向上推举，晶圆115的背面的中心部分和静电夹盘120的顶面表面之间的距离增加，而晶圆的边缘仍然被粘住在静电夹盘120上。如图4C，通过电压积分器410可以观察到有电压尖峰产生。电压在时间t＝t1时达到峰值Vpeak。然后，晶圆115从静电夹盘120脱离，残余电荷通过包含有升降顶针137、连接件140、电气连接186和180、电感182、闭合开关390、电感417以及电阻415(若存在的话)的放电路径被放电至大地。在t＝t2时，积聚的残余电荷完全被移除。通常情况下，只需要几毫秒总的残余电荷就可以放电至地面。电压积分器410的电压响应曲线400下方的阴影部分面积450代表总的残余电荷的数量。
图5A示出如图3所示的残余电荷感测器395的另一种配置395c。配置395c包括一电容器514、一跨接电容514的开关520、和一跨接电容514的高阻抗电压监视器512。在配置395c中，不是让残余电荷放电到地面，晶圆115的残余电荷通过升降顶针137、连接件140、电气连接186和180、电感182和闭合开关390被传送到电容514。当电容514被充电时，开关520断开。电压监视器512测量跨越电容514的电压。如电压监视器512的电压响应曲线500所显示，电容器514在t＝t1’时开始充电，并在时间t＝t2′时达到最大电压Vmax，并保持之，直到开关520被关闭来使电容514放电。图5B所示的阴影面积550代表从晶圆115转移到电容器514的残余电荷的总量。通常情况下，电容器514具有一个微法拉的值范围。一旦从残余电荷感测器395c所需要的数据被收集和/或储存，开关520闭合使电容器514放电。开关520被显示来说明电容的一种可能的放电路径。替代的放电路径可以包含在系统300的实施例中。
系统300实现在初始运行中测量从晶圆移除的残余电荷的数量。在下一次的运行中，去夹持电压参数可以在残余电荷测量的基础上被调整。
图6示出根据本发明实施例提供的改进的去夹持方法600的流程图。在一种实例中，方法600可以运用上述讨论的一个或多个系统来实施。
方法600始于方法步骤610，其中晶圆加工是在反应室内进行，利用等离子体辅助微加工，并且射频功率打开。
在步骤615，去夹持操作被执行，其可以包括施加一个反向直流电压给在静电夹盘内的直流电极，以中和积累在晶圆上的电荷。反向直流电压的参数可以通过试验和纠错(trial and error)而确定、通过使用存储的历史数据、通过利用一类似的静电夹盘的数据，或通过其他手段得到。
在步骤620，射频功率被关闭。请注意，步骤615和620在顺序上是可互换的。在一些系统中，在施加反向放电直流电压时，射频功率保持接通来保持等离子体存在。在其他系统中，在施加反向放电直流电压时，射频功率和等离子体被关闭。然而，至关重要的是，射频功率在进入下一步625之前被关闭。
在步骤625，开关被闭合，给晶圆上的残余电荷建立一个放电路径(例如，一个将电荷转移到地面或到电容式感测器的路径)。例如，在系统300，开关390闭合。升降顶针仍处于最初的收回位置。
在步骤630，升降顶针从最初的收回位置被抬起直到接触晶圆的背面。由此，放电路径被建立。
在步骤635，升降顶针被进一步抬起将晶圆向上推动，最终将晶圆顶起脱离静电夹盘的顶表面。
在步骤640，残余电荷通过残余电荷感测器被感测和测量。熟悉本领域内的技术人员应当理解，步骤635和640可以同时进行。
在步骤645，残余电荷的数量和放电时间(如果是电容式感测器，则指：电荷转移时间)被计算。这些计算值被用来决定下一片晶圆的后续的去夹持操作中反向极性放电电压的大小和时间。一前馈控制回路650被用于调整在下一次运行中的反向极性直流放电电压的参数。
上述步骤的说明仅用于说明的目的。本发明的实施并不限于所示例的步骤，可以省略一个或多个步骤，或加上额外的中间或终端步骤。
图7显示三个示例的电压条件，用于测试本发明的去夹持操作的效果。在所有三种情况下，一裸硅片被用作测试衬底或测试晶圆。使用两个射频功率源来形成C4F8/Oxygen/Argon等离子体：一个射频功率运行在60MHz和2100W，另一个射频功率工作在2MHz范围和1400W。反应室的压力在30Torr。熟悉本领域内的技术人员应当明白，上述测试条件仅为示例性的说明。
如图7所示，在三种试验条件下，在等离子体工艺过程中施加于直流电极125的夹持电压被设置为-700V。在去夹持操作开始时，所施加的夹持电压被重置为-300V，并保持到直至时间t＝T1。在条件1，在夹持电压被完全关闭之前，300V的反向电压被施加一特定时间段(T2-T1)以补偿粘着力(由于在晶圆上存在残余电荷)。在条件2，没有反向极性放电电压被施加，夹持电压被终止在t＝T1时刻。在条件3，修改后的夹持电压-300V被一直保持，直至整个去夹持过程。应当注意到，在去夹持步骤中，根据前一次运行的放电数据，电压的变化幅度和T1和T2可以被调整。
使用上述三种电压模式和相应的升降顶针的位置配置，进行了四次试验。图8中表800描述了四个试验的结果。从表800可以看出，试验1和第2的测试结果最好，其中当升降顶针顶起晶圆时，升降顶针被短接至大地，并且零电压或反向极性放电电压被施加。在测试1和测试2这两种测试中，晶圆没有被破坏或移位。在测试4中，晶圆完全被损坏，其中升降顶针在顶起晶圆时没有被短接至大地。在测试3中，晶圆没有被损坏，但在升降顶针顶起晶圆时，经修改的夹持电压开启，升降顶针短路，晶圆有显著地移位(约2毫米)。
本发明是参照具体实例描述的，但其所有方面都应为示意性而非限定性的。技术人员可以发现很多硬件、软件和固件的不同组合均可适用于应用本发明。此外，对于一般技术人员而言，在了解了本发明所公开的特征和实施方式后，本发明的其它应用方式也可以较为明显地被想到。本发明所述实施方式的各种构思和/或元件可以在等离子体反应室技术中被单独地或被组合地使用。本说明书中所述的特征和实施方式应当仅理解为示例性的说明，本发明的权利范围由下列权利要求所限定。

Claims (25)

1.一种对反应室内静电夹盘上被夹持的半导体工艺件去夹持的系统，其中一射频源产生和维持等离子体来处理该反应室内的半导体工艺件，至少一导电的升降顶针被用来在半导体工艺件处理后与半导体工艺件接触而使半导体工艺件放电，该系统包括：
一残余电荷感测器，其被设置于沿着一第一放电路径，通过该第一放电路径来感测半导体工艺件的残余电荷放电；
一第一电感，连接于残余电荷感测器和升降顶针之间；和
一控制器，从残余电荷感测器接收输出信号，并决定残余电荷的数量。
2.如权利要求1所述的系统，所述控制器还包括：
一前馈控制系统，其根据残余电荷的数量产生一控制信号来为下一片半导体工艺件的后续去夹持操作调整放电直流电压参数。
3.如权利要求1所述的系统，进一步包括：
一支持静电夹盘的导电基座，其中射频源通过该导电基座被耦合至反应室。
4.如权利要求3所述的系统，所述升降顶针与导电基座电连接，使二者电势相同。
5.如权利要求1所述的系统，所述残余电荷感测器包括一电阻和横跨该电阻的电压积分器。
6.如权利要求5所述的系统，所述残余电荷感测器还包括一与所述电阻串联的一第二电感。
7.如权利要求1所述的系统，所述残余电荷感测器包括一电容和横跨该电容器的电压监视器。
8.如权利要求7所述的系统，所述残余电荷感测器还包括该电容的一放电路径。
9.如权利要求1所述的系统，其中一第一开关位于所述残余电荷感测器和所述第一电感之间，用于当所述第一开关被闭合时建立一第一放电路径。
10.一种方法，包括：
在一反应室内通过施加一夹持电压使半导体工艺件被夹持在一静电夹盘上；
将一射频源耦合至反应室内产生和维持等离子体对半导体工艺件进行处理；
在一第一开关和反应室之间放置一射频阻断电感，来阻断射频电流沿一第一放电路径到达该第一开关至接地；
终止夹持电压；
抬高至少一个导电的升降顶针使其接触半导体工艺件的下表面，将半导体工艺件的残余电荷沿该第一放电路径放电；
感测在半导体工艺件上的残余电荷；和
确定残余电荷的数量，来产生一与残余电荷的数量相关的控制信号。
11.如权利要求10所述的方法，其中确定残余电荷的数量的步骤包括：
在升降顶针抬高运动时，通过估算跨越一放电电阻上的电压-时间图的总面积来计算半导体工艺件上残余电荷的数量。
12.如权利要求10所述的方法，其中确定残余电荷的数量的步骤包括：
在升降顶针抬高运动时，通过估算代表电荷向沿该第一放电沿路径设置的一电容转移的电压-时间图的总面积来计算半导体工艺件上总的残余电荷的数量。
13.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
使用该控制信号来为下一片半导体工艺件的后续去夹持操作调整一放电直流电压参数。
14.如权利要求10所述的方法，所述残余电荷的放电步骤更进一步包括：
在升降顶针接触到半导体工艺件的底表面之前，闭合一位于该升降顶针和一残余电荷感测器之间的一第一开关。
15.一种半导体工艺件去夹持系统，包括：
静电夹盘，通过静电力来夹持半导体工艺件；
承载静电夹盘的导电基座；
一个射频源耦合至导电基座，以产生和维持等离子体来处理半导体工艺件；
至少一导电的升降顶针，其沿着静电夹盘上的一开孔从一收回位置向上移动以使其接触半导体工艺件的底表面；和
一电连接器，将导电的升降顶针与导电基座相连接。
16.如权利要求15所述的系统，进一步包括：
一第一开关，当其被关闭及当升降顶针接触半导体工艺件时给半导体工艺件建立一第一放电路径。
17.如权利要求16所述的系统，进一步包括：
一残余电荷感测器，其沿着该第一放电路径而被设置，通过该第一放电路径来感测半导体工艺件的残余电荷放电。
18.如权利要求17所述的系统，进一步包括：
一第一电感，在半导体工艺件处理时阻挡射频电流到达残余电荷感测器，其中，该第一电感被设置于该第一开关和该升降顶针之间。
19.如权利要求17所述的系统，进一步包括：
一控制器，从残余电荷感测器接收一输出信号并确定残余电荷的数量。
20.如权利要求19所述的系统，所述控制器还包括：
一前馈控制系统，其根据残余电荷的数量产生一控制信号，来为下一片半导体工艺件的后续的去夹持操作调整放电直流电压参数。
21.如权利要求17所述的系统，所述残余电荷感测器包括一电阻和一个与该电阻并联的电压积分器。
22.如权利要求21所述的系统，所述残余电荷感测器还包括一个与所述电阻串联的电感。
23.如权利要求所述17的系统，所述残余电荷感测器包括一个电容器和一个横跨该电容器的高阻抗电压监视器。
24.如权利要求23所述的系统，所述残余电荷感测器还包括该电容器的一放电路径。
25.如权利要求16所述的系统，所述第一开关放置于该升降顶针和一高压直流电源模块之间，其中，当升降顶针与半导体工艺件相接触时，关闭所述第一开关使所述直流电极与半导体工艺件短接。
CN2009100499606A 2009-04-24 2009-04-24 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法 Active CN101872733B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100499606A CN101872733B (zh) 2009-04-24 2009-04-24 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
US12/505,381 US8111499B2 (en) 2009-04-24 2009-07-17 System and method of sensing and removing residual charge from a processed wafer
KR1020100037582A KR101161125B1 (ko) 2009-04-24 2010-04-22 처리된 웨이퍼로부터 잔류 전하를 감지하고 제거하는 시스템 및 방법
JP2010099744A JP5166479B2 (ja) 2009-04-24 2010-04-23 半導体プロセス部品の残留電荷の検出及び除去システム及びその方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100499606A CN101872733B (zh) 2009-04-24 2009-04-24 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101872733A true CN101872733A (zh) 2010-10-27
CN101872733B CN101872733B (zh) 2012-06-27

Family

ID=42991916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100499606A Active CN101872733B (zh) 2009-04-24 2009-04-24 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8111499B2 (zh)
JP (1) JP5166479B2 (zh)
KR (1) KR101161125B1 (zh)
CN (1) CN101872733B (zh)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142360A (zh) * 2010-12-15 2011-08-03 夏耀民 加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法
CN102650661A (zh) * 2012-04-27 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 一种半导体薄膜的测量系统
CN103187943A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于静电吸盘的射频滤波器
CN103313497A (zh) * 2012-03-09 2013-09-18 深圳麦逊电子有限公司 Pcb自动测试机静电消除装置及其静电消除方法
WO2014015485A1 (zh) * 2012-07-25 2014-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 器件承载装置
CN104037045A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 中微半导体设备(上海)有限公司 测试基片去夹持终点的方法
CN104157547A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 上海先进半导体制造股份有限公司 深槽刻蚀设备的静电释放方法
CN104465476A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘
CN104753486A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种射频滤波器及半导体加工设备
CN105474381A (zh) * 2014-07-23 2016-04-06 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
CN105590890A (zh) * 2014-10-21 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种静电夹盘表层电荷的中和方法
CN105702598A (zh) * 2016-04-06 2016-06-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 判断晶片是否正常升起的方法及其装置
CN107078089A (zh) * 2014-09-19 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 用于工件的静电夹持的系统和方法
CN107393856A (zh) * 2016-05-16 2017-11-24 北京北方华创微电子装备有限公司 一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法
CN107546095A (zh) * 2016-05-27 2018-01-05 细美事有限公司 支撑组件、用于处理基底的装置和方法
TWI613720B (zh) * 2012-02-03 2018-02-01 東京威力科創股份有限公司 脫離控制方法及電漿處理裝置之控制裝置
CN108538775A (zh) * 2017-03-06 2018-09-14 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针、下电极装置
CN108878303A (zh) * 2017-05-09 2018-11-23 汉辰科技股份有限公司 晶圆电荷监测
CN109872965A (zh) * 2017-12-04 2019-06-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置和反应腔室
CN110581099A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘和工艺腔室
WO2020228407A1 (zh) * 2019-05-14 2020-11-19 北京北方华创微电子装备有限公司 电荷传输装置及相关等离子体系统
WO2021185103A1 (zh) * 2020-03-18 2021-09-23 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法
CN114959600A (zh) * 2022-05-31 2022-08-30 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
US12009244B2 (en) 2020-01-13 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5875775B2 (ja) * 2011-03-30 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板除去方法及び記憶媒体
JP6069768B2 (ja) * 2012-03-16 2017-02-01 株式会社クリエイティブテクノロジー 静電チャック装置及びその制御方法
TWI468776B (zh) 2012-04-19 2015-01-11 Blind test method and system
KR101991799B1 (ko) * 2012-08-29 2019-06-24 세메스 주식회사 지지유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
JP6151028B2 (ja) * 2013-01-17 2017-06-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
KR101503181B1 (ko) * 2013-12-18 2015-03-16 세메스 주식회사 기판 지지장치 및 이를 포함하는 기판 검사장치
US9101038B2 (en) * 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
KR102402214B1 (ko) * 2014-02-07 2022-05-26 트렉 인코포레이티드 워크피스를 클램핑하는 시스템 및 방법
KR20170070041A (ko) * 2014-10-14 2017-06-21 에바텍 아크티엔게젤샤프트 Rf 커플링에 의한 막 응력 균일성 제어 및 rf 커플링을 채용한 웨이퍼 마운트
US10656194B2 (en) * 2014-10-28 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Real-time measurement of a surface charge profile of an electrostatic chuck
JP6387294B2 (ja) * 2014-12-12 2018-09-05 株式会社アルバック 吸着装置、真空処理装置、真空処理方法
JP6505027B2 (ja) * 2016-01-04 2019-04-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料の離脱方法およびプラズマ処理装置
JP6651994B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、メンテナンス用治具、基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体
US10804821B2 (en) * 2016-11-04 2020-10-13 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Apparatus and method for monitoring the relative relationship between the wafer and the chuck
JP7130359B2 (ja) * 2016-12-05 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6789099B2 (ja) * 2016-12-26 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 計測方法、除電方法及びプラズマ処理装置
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US20190088518A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Applied Materials, Inc. Substrate support with cooled and conducting pins
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11430688B2 (en) 2018-09-04 2022-08-30 Lam Research Corporation Two-stage pin lifter for de-chuck operations
CN110896045B (zh) * 2018-09-12 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
CN113169026B (zh) 2019-01-22 2024-04-26 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
JP7340953B2 (ja) * 2019-04-26 2023-09-08 東京エレクトロン株式会社 除電方法、基板処理方法及び基板処理装置
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
KR102234220B1 (ko) * 2020-07-24 2021-03-30 이준호 도전성의 정전척 리프트 핀, 이를 포함하는 정전척 및 이들을 이용한 반도체 생산방법
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
KR102547860B1 (ko) * 2020-08-10 2023-06-23 세메스 주식회사 기판 지지 부재 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US11984306B2 (en) 2021-06-09 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
KR20230061091A (ko) 2021-10-28 2023-05-08 세메스 주식회사 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11764094B2 (en) 2022-02-18 2023-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor processing tool and methods of operation
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
WO2024086606A1 (en) * 2022-10-21 2024-04-25 Applied Materials, Inc. Impedance control of local areas of a substrate during plasma deposition thereon in a large pecvd chamber

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244147A (ja) * 1993-02-16 1994-09-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2976861B2 (ja) * 1994-09-30 1999-11-10 日本電気株式会社 静電チャック及びその製造方法
US5900062A (en) * 1995-12-28 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Lift pin for dechucking substrates
US5790365A (en) * 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
JPH10303287A (ja) * 1997-04-25 1998-11-13 Mitsubishi Electric Corp 静電チャック装置及び半導体装置
WO1999025494A1 (en) * 1997-11-14 1999-05-27 Tokyo Electron Limited All-surface biasable and/or temperature-controlled electrostatically-shielded rf plasma source
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US6790375B1 (en) 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6965506B2 (en) 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US6236555B1 (en) * 1999-04-19 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle
US6307728B1 (en) * 2000-01-21 2001-10-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
EP1174910A3 (en) 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
KR100368116B1 (ko) * 2000-08-07 2003-01-15 삼성전자 주식회사 반도체설비의 정전척 구동전원 자동 방전장치
US6646857B2 (en) * 2001-03-30 2003-11-11 Lam Research Corporation Semiconductor wafer lifting device and methods for implementing the same
KR100427459B1 (ko) * 2001-09-05 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 아크 방지용 정전척
JP2004040046A (ja) * 2002-07-08 2004-02-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び静電チャックの脱離方法
US7204888B2 (en) 2003-05-01 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly for substrate processing
JP4790458B2 (ja) * 2006-03-22 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100819078B1 (ko) * 2006-11-27 2008-04-02 삼성전자주식회사 정전 척에서 웨이퍼를 디척킹하는 장치 및 방법
US8149562B2 (en) 2007-03-09 2012-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System for decharging a wafer or substrate after dechucking from an electrostatic chuck
US8363378B2 (en) * 2009-02-17 2013-01-29 Intevac, Inc. Method for optimized removal of wafer from electrostatic chuck

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102142360A (zh) * 2010-12-15 2011-08-03 夏耀民 加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法
CN103187943A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于静电吸盘的射频滤波器
CN103187943B (zh) * 2011-12-28 2017-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于静电吸盘的射频滤波器
TWI613720B (zh) * 2012-02-03 2018-02-01 東京威力科創股份有限公司 脫離控制方法及電漿處理裝置之控制裝置
CN103313497A (zh) * 2012-03-09 2013-09-18 深圳麦逊电子有限公司 Pcb自动测试机静电消除装置及其静电消除方法
CN103313497B (zh) * 2012-03-09 2015-09-09 深圳麦逊电子有限公司 Pcb自动测试机静电消除装置及其静电消除方法
CN102650661A (zh) * 2012-04-27 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 一种半导体薄膜的测量系统
WO2013159528A1 (zh) * 2012-04-27 2013-10-31 北京京东方光电科技有限公司 用于半导体薄膜的测量系统
CN102650661B (zh) * 2012-04-27 2014-05-21 北京京东方光电科技有限公司 一种半导体薄膜的测量系统
WO2014015485A1 (zh) * 2012-07-25 2014-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 器件承载装置
CN104037045B (zh) * 2013-03-04 2016-05-11 中微半导体设备(上海)有限公司 测试基片去夹持终点的方法
CN104037045A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 中微半导体设备(上海)有限公司 测试基片去夹持终点的方法
CN104753486A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种射频滤波器及半导体加工设备
CN104753486B (zh) * 2013-12-31 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种射频滤波器及半导体加工设备
CN105474381A (zh) * 2014-07-23 2016-04-06 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
CN105474381B (zh) * 2014-07-23 2018-06-05 应用材料公司 可调谐温度受控的基板支撑组件
US10535544B2 (en) 2014-07-23 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
CN104157547A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 上海先进半导体制造股份有限公司 深槽刻蚀设备的静电释放方法
CN107078089A (zh) * 2014-09-19 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 用于工件的静电夹持的系统和方法
CN105590890A (zh) * 2014-10-21 2016-05-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种静电夹盘表层电荷的中和方法
CN105590890B (zh) * 2014-10-21 2019-03-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种静电夹盘表层电荷的中和方法
CN104465476A (zh) * 2014-11-28 2015-03-25 上海华力微电子有限公司 一种静电吸盘
CN105702598A (zh) * 2016-04-06 2016-06-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 判断晶片是否正常升起的方法及其装置
CN105702598B (zh) * 2016-04-06 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 判断晶片是否正常升起的方法及其装置
CN107393856A (zh) * 2016-05-16 2017-11-24 北京北方华创微电子装备有限公司 一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法
US11127573B2 (en) 2016-05-27 2021-09-21 Semes Co., Ltd. Support unit, apparatus and method for treating a substrate
CN107546095B (zh) * 2016-05-27 2019-11-05 细美事有限公司 支撑组件、用于处理基底的装置和方法
US10607818B2 (en) 2016-05-27 2020-03-31 Semes Co., Ltd. Support unit, apparatus and method for treating a substrate
CN107546095A (zh) * 2016-05-27 2018-01-05 细美事有限公司 支撑组件、用于处理基底的装置和方法
CN108538775A (zh) * 2017-03-06 2018-09-14 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针、下电极装置
CN108538775B (zh) * 2017-03-06 2021-07-09 北京北方华创微电子装备有限公司 顶针、下电极装置
CN108878303A (zh) * 2017-05-09 2018-11-23 汉辰科技股份有限公司 晶圆电荷监测
CN108878303B (zh) * 2017-05-09 2022-09-13 汉辰科技股份有限公司 晶圆电荷监测
CN109872965A (zh) * 2017-12-04 2019-06-11 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置和反应腔室
CN110581099B (zh) * 2018-06-07 2022-06-14 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘和工艺腔室
CN110581099A (zh) * 2018-06-07 2019-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘和工艺腔室
WO2020228407A1 (zh) * 2019-05-14 2020-11-19 北京北方华创微电子装备有限公司 电荷传输装置及相关等离子体系统
US12009244B2 (en) 2020-01-13 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled substrate support assembly
WO2021185103A1 (zh) * 2020-03-18 2021-09-23 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法
CN114959600A (zh) * 2022-05-31 2022-08-30 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备
CN114959600B (zh) * 2022-05-31 2023-08-18 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100117528A (ko) 2010-11-03
CN101872733B (zh) 2012-06-27
JP2010258452A (ja) 2010-11-11
KR101161125B1 (ko) 2012-06-28
US8111499B2 (en) 2012-02-07
JP5166479B2 (ja) 2013-03-21
US20100271744A1 (en) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101872733B (zh) 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
US7813103B2 (en) Time-based wafer de-chucking from an electrostatic chuck having separate RF BIAS and DC chucking electrodes
TWI601206B (zh) Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN101189772B (zh) 用于等离子体反应器的具有智能升降销机构的静电卡盘
US8363378B2 (en) Method for optimized removal of wafer from electrostatic chuck
CN103098195B (zh) 用于利用升降销静电解除卡紧的极区
KR20140128953A (ko) 이탈 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 장치
KR20140104380A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
TWI380393B (zh)
US7869185B2 (en) Method of de-chucking wafer using direct voltage and alternating voltage, and apparatus for fabricating semiconductor device using the same
US11948780B2 (en) Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
WO2022260827A1 (en) Plasma uniformity control in pulsed dc plasma chamber
CN102737939B (zh) 等离子体加工设备及其工作方法
US11791138B2 (en) Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
TW202312218A (zh) 具有離子能量控制的電漿激發
KR100957457B1 (ko) 정전척 및 기판 사이의 잔여 전하 제거 장치와 그 제거방법
US20210013005A1 (en) Process control enabled vdc sensor for plasma process
KR100819078B1 (ko) 정전 척에서 웨이퍼를 디척킹하는 장치 및 방법
US20230170192A1 (en) Method and apparatus for realtime wafer potential measurement in a plasma processing chamber
KR20240007234A (ko) 플라즈마 프로세싱 동안의 자동 정전 척 바이어스 보상

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: System and method for sensing and removing residual charge of processed semiconductor process component

Effective date of registration: 20150202

Granted publication date: 20120627

Pledgee: China Development Bank Co

Pledgor: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc.

Registration number: 2009310000663

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20170809

Granted publication date: 20120627

Pledgee: China Development Bank Co

Pledgor: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc.

Registration number: 2009310000663

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
CP03 Change of name, title or address

Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai

Patentee after: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.

Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong, Shanghai

Patentee before: Advanced Micro-Fabrication Equipment (Shanghai) Inc.

CP03 Change of name, title or address