CN108538775B - 顶针、下电极装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种顶针、下电极装置，属于半导体技术领域。本发明的顶针，包括自上而下叠置固定的第一支撑体和第二支撑体；第一支撑体采用导电的非金属材料制成，第一支撑体用于支撑基片；第二支撑体采用金属材料制成，第二支撑体用于支撑第一支撑体以及与电荷释放单元相连，以将基片上的电荷经由第一支撑体和第二支撑体释放。本发明的顶针，能够避免因基片中的残留电荷导致的基片表面出现缺陷的现象，以及避免粘片导致的基片与机械手出现刮蹭，致使机械手臂损伤甚至会出现基片破碎的现象，以提高产品良率；同时，还能够提高顶针的强度，避免在装针的过程中的易发生脆性断裂。

Description

顶针、下电极装置
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种顶针、下电极装置。
背景技术
半导体加工设备被广泛应用于集成电路(IC)和MEMS等精密器件的制造工艺中。半导体加工设备中一般设置有下电极结构，如图1所示，下电极结构包括静电卡盘1、顶针2、驱动装置3和直流电源(图中未示出)；其中，直流电源与静电卡盘1中设置的电极电连接，用以使静电卡盘1通过静电吸附作用对基片S支撑和固定；顶针2在驱动装置3的驱动下可在静电卡盘1中升降运动，从而将基片S从静电卡盘1的承载面顶起或将基片S放置在静电卡盘1的承载面上。
在实施工艺时，如图2所示，直流电源通过内嵌在静电卡盘1中的电极(以两个为例)向静电卡盘1施加正向电压，使静电卡盘1的两个电极上积聚不同极性的电荷，从而在基片S上对应的区域感应出不同极性的电荷，静电卡盘1的电极上的电荷与基片S上对应区域上的电荷极性相反，它们之间的静电引力将晶圆吸附在静电卡盘1的承载面上。在工艺完成后，直流电源向静电卡盘1的电极施加反向电压，通过在静电卡盘1上施加与基片S所带电荷的极性相同的电荷，将基片S与静电卡盘1的承载面分开。
但是，在实际应用中，由于电荷的消除受到多种因素的影响，例如反向电压的高低、反向电压时间等，通过加反向电压的方法一般并不能完全消除基片S上的残余电荷，如图3所示。
为了避免金属污染，顶针2采用陶瓷材料，而陶瓷材料为绝缘材料，因此，基片S上的残余电荷也不能通过顶针2导出，这些残余电荷会吸附一些表面颗粒物质或极性气体分子(如HBr等)，其中吸附的气体分子遇水蒸气之后会变为结晶物质，这些结晶物质和表面颗粒会使基片S的表面出现缺陷，影响产品的良率；另外，由于陶瓷材料属于脆性材料，在装针的过程中的易发生脆性断裂。
而且，当残余电荷较多时，会出现粘片现象，即基片S上残留的电荷与静电卡盘1上的异种电荷之间的吸引力会使基片S发生形变。粘片现象存在较为危险的隐患，特别在自动化生产中，由于升针、真空手臂深入为连贯动作，粘片会导致基片S与机械手出现刮蹭，致使机械手臂损伤甚至会出现基片S破碎的严重情况。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种顶针、下电极装置，能够避免因基片中的残留电荷导致的基片表面出现缺陷的现象，以及避免粘片导致的基片与机械手出现刮蹭，致使机械手臂损伤甚至会出现基片破碎的现象，以提高产品良率；同时，还能够提高顶针的强度，避免在装针的过程中的易发生脆性断裂。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种顶针，包括自上而下叠置固定的第一支撑体和第二支撑体；
所述第一支撑体采用导电的非金属材料制成，所述第一支撑体用于支撑基片；
所述第二支撑体采用金属材料制成，所述第二支撑体用于支撑所述第一支撑体以及与电荷释放单元相连，以将所述基片上的电荷经由所述第一支撑体和所述第二支撑体释放。
其中，所述导电的非金属材料包括石墨。
其中，在所述第一支撑体的外侧壁沿周向包裹有绝缘支撑体。
其中，所述第一支撑体设置在所述第二支撑体的上表面的中心区域；
在所述第二支撑体的上表面的外沿区域沿周向设置有环形凹部；
所述绝缘支撑体位于所述环形凹部上，用以包裹部分所述第二支撑体。
其中，所述绝缘支撑体采用喷涂方式形成。
其中，所述绝缘支撑体采用陶瓷材料制成。
其中，至少在所述第二支撑体的外侧壁上设置有非金属保护层。
其中，所述非金属保护层采用碳化硅材料制成。
其中，所述非金属保护层采用喷涂或烧结方式形成。
其中，所述顶针的直径沿位于上方的所述第一支撑体向位于下方的所述第二支撑体的方向逐渐增大。
作为另一技术方案，本发明还提供一种下电极装置，包括静电卡盘和顶针，所述静电卡盘用于采用静电吸附的方式固定位于其上的基片；在所述静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔，所述顶针可在所述通孔内升降，用以将位于静电卡盘上的基片顶起或使位于所述顶针上的基片落于所述静电卡盘上；所述顶针为上述任意一项所述的顶针。
本发明的顶针中，由于第一支撑体和第二支撑体均由导电材料制成，因此，当基片中残留有电荷时，通过第一支撑体与基片接触，第一支撑体可以将基片中的残留电荷通过第二支撑单元导入至电荷释放单元，并通过电荷释放单元将该残留电荷释放，从而使基片内不存在残留电荷，进而避免因基片中的残留电荷导致的基片表面出现缺陷的现象以及避免粘片导致的基片与机械手出现刮蹭，致使机械手臂损伤甚至会出现基片破碎的现象，以提高产品良率；同时，由于第二支撑体采用金属材料制成，能够提高顶针的强度，避免在装针的过程中的易发生脆性断裂。
附图说明
图1为现有的下电极结构的结构示意图；
图2为图1中的静电卡盘在工艺过程中的工作示意图；
图3为图1的下电极结构在工艺结束后基片带有残余电荷的示意图；
图4为本发明的实施例1的顶针的一种结构示意图；
图5为本发明的实施例2的顶针的一种结构示意图；
图6为图5中沿虚线A的俯视图；
图7为图5中沿虚线B的俯视图；
图8为图5中沿虚线C的俯视图；
图9为本发明的实施例3的顶针的一种结构示意图；
其中，附图标记为：1、静电卡盘；2、顶针；21、第一支撑体；22、第二支撑体；23、绝缘支撑体；24、非金属保护层；3、驱动装置；S、基片。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
请参照图4，本实施例提供一种顶针，包括自上而下叠置固定的第一支撑体21和第二支撑体22；第一支撑体21采用导电的非金属材料制成，第一支撑体21用于支撑基片S；第二支撑体22采用金属材料制成，第二支撑体22用于支撑第一支撑体21以及与电荷释放单元(图中未示出)相连，以将基片S上的电荷经由第一支撑体21和第二支撑体22释放。
需要说明的是，本实施例中的电荷释放单元是指能够对从第二支撑体22中输出的电荷进行释放的装置，但电荷释放单元的存在形式很多，例如，若第二支撑体22与大地相连，则大地即为电荷释放单元；若第二支撑体22与电荷消除装置相连，则电荷消除装置即为电荷释放单元，在此不再赘述。
请参照图4，第一支撑体21位于第二支撑体22的上方，且第一支撑体21的下表面与第二支撑体22的上表面固定，第二支撑体22向第一支撑体21提供支撑力以使第一支撑体21能够支撑基片S。需要说明的是，第一支撑体21和第二支撑体22可直接接触固定连接，也可通过导电型胶粘剂粘接接触，只要能够使电荷从第一支撑体21导入第二支撑体22即可，在此不再赘述。
在本实施例中，由于第一支撑体21和第二支撑体22均由导电材料制成，因此，当基片S中残留有电荷时，通过第一支撑体21与基片S接触，第一支撑体21可以将基片S中的残留电荷通过第二支撑单元导入至电荷释放单元，并通过电荷释放单元将该残留电荷释放，从而使基片S内不存在残留电荷，进而避免因基片S中的残留电荷导致的基片S表面出现缺陷的现象以及避免粘片导致的基片与机械手出现刮蹭，致使机械手臂损伤甚至会出现基片破碎的现象，以提高产品良率；同时，由于第二支撑体22采用金属材料制成，能够提高顶针的强度，避免在装针的过程中的易发生脆性断裂。另外，由于第一支撑体21采用导电的非金属材料制成，因此，当其与基片S接触时，能够避免对基片S造成金属污染，从而能够提高产品良率。
优选地，第二支撑体22采用铝制成，之所以如此设置，是由于铝具有良好的导电性能，且铝的质塑性好；第二支撑体22的长度为20mm-50mm，优选为24mm；第二支撑体22的直径为1.5mm-5mm，优选为2mm。当然，第二支撑体22的制备材料、直径和长度并不局限于此，可根据实际情况进行设置，在此不再赘述。
其中，导电的非金属材料包括石墨。之所以采用石墨，是由于石墨具有良好的导电性能，其支撑基片S时，能够将工艺结束后残留在基片S中的电荷从基片S中导出。
在本实施例中，第一支撑体21的长度为5mm-20mm，优选为12mm；第一支撑体21的直径为0.5mm-1.5mm，优选为0.5mm。当然，第一支撑体21的尺寸并不局限于此，可根据实际情况进行设置，在此不再赘述。
如图4所示，其中，在第一支撑体21的外侧壁沿周向包裹有绝缘支撑体23。之所以如此设置，是为了避免石墨在支撑基片S时发生形状上的变化，在石墨的外侧壁设置绝缘支撑体23，以对石墨进行限制定型固定。
可以理解的是，第一支撑体21的直径与绝缘支撑体23的内径相同，以使第一支撑体21与绝缘支撑体23“紧贴”在一起，以便绝缘支撑体23更好地对第一支撑体21进行限制定型固定。需要说明的是，由于第一支撑体21与基片S接触以将基片S中的残留电荷导出，因此，第一支撑体21与基片S接触的位置处不能设置绝缘支撑体23。
其中，绝缘支撑体23采用喷涂方式形成。之所以如此设置，是为了通过喷涂绝缘支撑体23材料的方式，利用绝缘支撑体23材料将第一支撑体21和第二支撑体22连接在一起，使得绝缘支撑体23的制备工艺与第一支撑体21和第二支撑体22的固定工艺能够同时实现，以简化制备工艺。
其中，绝缘支撑体23采用陶瓷材料制成。优选地，陶瓷材质可以是氧化铝、氧化锆等。在本实施例中，绝缘支撑体23的外径为1.5mm-3mm，优选为2mm。绝缘支撑体23的长度为15mm-50mm，优选为30mm。当然，陶瓷材料的类型、外径以及长度并不局限于此，但由于陶瓷材料的质地较脆，为了提高顶针的强度，避免其在安装过程中出现断裂，陶瓷材料的长度不宜过长，可根据实际情况进行设置，在此不再赘述。
具体地，如图4所示，在本实施例中，第一支撑体21设置在第二支撑体22的上表面的中心区域，绝缘支撑体23位于第二支撑体22的上表面的环形边缘区域，并且绝缘支撑体23的外径与第二支撑体22的直径向等，以使整个顶针的直径从上之下保持一致，这样，能够与现有的下电极结构中其他机构配合进行使用，从而不需要对下电极结构中的其他机构进行改进。
其中，至少在第二支撑体22的外侧壁上设置有非金属保护层24。由于第二支撑体22为金属材料制成，其在顶针的升降过程中，会产生金属碎屑，该金属碎屑会对腔室造成污染，通过在第二支撑体22的外侧壁设置非金属保护层24，能够将第二支撑体22“包住”，以避免产生金属碎屑，从而避免了对腔室的污染，进而提高腔室的可靠性。可以理解的是，非金属保护层24并不限于只“包住”第二支撑体22，还可以同时“包住”绝缘支撑体23的外侧壁，以使整个顶针的直径从上之下保持一致。
在本实施例中，优选地，非金属保护层24的厚度50μm-300μm，优选为100μm。当然，非金属保护层24的厚度并不局限于此，可根据实际情况进行设置，在此不再赘述。
其中，非金属保护层24采用碳化硅材料制成。当然，非金属保护层24的类型并不局限于此，只要是不含有金属成分，能够避免给基片S或腔室带来金属污染即可，在此不再赘述。
其中，非金属保护层24采用喷涂或烧结方式形成。为了使形成的非金属保护层24的结构更加质密，优选地，非金属保护层24采用烧结方式形成。
本实施例的顶针，由于第一支撑体21和第二支撑体22均由导电材料制成，因此，当基片S中残留有电荷时，通过第一支撑体21与基片S接触，第一支撑体21可以将基片S中的残留电荷通过第二支撑单元22导入至电荷释放单元，并通过电荷释放单元将该残留电荷释放，从而使基片S内不存在残留电荷，进而避免因基片S中的残留电荷导致的基片S表面出现缺陷的现象以及粘片现象，以提高产品良率；而且，采用金属材料制成的第二支撑体22具有较强的硬度，从而提高了顶针的强度，进而能够避免其在安装过程中出现断裂。
实施例2：
请参照图5至图8，本实施例2提供一种顶针，其具有与实施例1的顶针相似的结构，其区别仅在于：
第一支撑体21设置在第二支撑体22的上表面的中心区域；在第二支撑体22的上表面的外沿区域沿周向设置有环形凹部；绝缘支撑体23位于环形凹部上，用以包裹部分第二支撑体22。
从图5至图8中可以看出，第一支撑体21的直径与第二支撑体22的上表面的中心区域的直径相同，绝缘支撑体23套设于第一支撑体21的外侧壁和第二支撑体22的中心区域的外侧壁。优选地，绝缘支撑体23的厚度与环形凹部的宽度相同。
在本实施例中，由于绝缘支撑体23与第二支撑体22的接触面积更大，因此，第一支撑体21和第二支撑体22之间的连接更加牢固。
优选地，包裹在绝缘支撑体23内的第二支撑体22的长度(即环形凹部的深度)为10mm-30mm，优选为18mm；包裹在绝缘支撑体23内的第二支撑体22的直径与第一支撑体21的直径相等，为0.5mm-1.5mm，优选为0.5mm。
本实施例的顶针，由于第一支撑体21和第二支撑体22均由导电材料制成，因此，当基片S中残留有电荷时，通过第一支撑体21与基片S接触，第一支撑体21可以将基片S中的残留电荷通过第二支撑单元22导入电荷释放单元，并通过电荷释放单元将该残留电荷释放，从而使基片S内不存在残留电荷，进而避免因基片S中的残留电荷导致的基片S表面出现缺陷的现象以及粘片现象，以提高产品良率；而且，采用金属材料制成的第二支撑体22具有较强的硬度，从而提高了顶针的强度，进而能够避免其在安装过程中出现断裂。
实施例3：
请参照图9，本实施例3提供一种顶针，其具有与实施例1或实施例2的顶针相似的结构，其区别仅在于：
顶针的直径沿位于上方的第一支撑体21向位于下方的第二支撑体22的方向逐渐增大。即，整个顶针呈上细下粗的锥体，从而进一步提高顶针的强度。
实施例4：
本实施例提供一种下电极装置，包括静电卡盘和顶针，静电卡盘用于采用静电吸附的方式固定位于其上的基片；在静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔，顶针可在通孔内升降，用以将位于静电卡盘上的基片顶起或使位于顶针上的基片落于静电卡盘上；其中，顶针为实施例1至3中任一的顶针。
本实施例的下电极装置，包括实施例1至3中任一的顶针，详细描述可参照实施例1至3中任一的顶针，在此不再赘述。
本实施例的下电极装置，由于采用了上述实施例1至3中任一的顶针，因此，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
实施例5：
本实施例提供一种工艺腔室，包括实施例4的下电极装置。
本实施例的工艺腔室，由于采用了上述实施例4的下电极装置，因此，具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种顶针，其特征在于，包括自上而下叠置固定的第一支撑体和第二支撑体，以及在所述第一支撑体的外侧壁沿周向包裹有绝缘支撑体；
所述第一支撑体采用导电的非金属材料制成，所述第一支撑体用于支撑基片，所述导电的非金属材料包括石墨；
所述第二支撑体采用金属材料制成，所述第二支撑体用于支撑所述第一支撑体以及与电荷释放单元相连，以将所述基片上的电荷经由所述第一支撑体和所述第二支撑体释放。
2.根据权利要求1所述的顶针，其特征在于，所述第一支撑体设置在所述第二支撑体的上表面的中心区域；
在所述第二支撑体的上表面的外沿区域沿周向设置有环形凹部；
所述绝缘支撑体位于所述环形凹部上，用以包裹部分所述第二支撑体。
3.根据权利要求1或2所述的顶针，其特征在于，所述绝缘支撑体采用喷涂方式形成。
4.根据权利要求1或2所述的顶针，其特征在于，所述绝缘支撑体采用陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述的顶针，其特征在于，至少在所述第二支撑体的外侧壁上设置有非金属保护层。
6.根据权利要求5所述的顶针，其特征在于，所述非金属保护层采用碳化硅材料制成。
7.根据权利要求6所述的顶针，其特征在于，所述非金属保护层采用喷涂或烧结方式形成。
8.根据权利要求1所述的顶针，其特征在于，所述顶针的直径沿位于上方的所述第一支撑体向位于下方的所述第二支撑体的方向逐渐增大。
9.一种下电极装置，包括静电卡盘和顶针，所述静电卡盘用于采用静电吸附的方式固定位于其上的基片；在所述静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔，所述顶针可在所述通孔内升降，用以将位于静电卡盘上的基片顶起或使位于所述顶针上的基片落于所述静电卡盘上；其特征在于，所述顶针为权利要求1至8任意一项所述的顶针。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111591953B (zh) * 2020-05-07 2022-08-05 南京航空航天大学 针状微电极及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294868A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Asm Japan Kk ウエハ保持装置
CN101162701A (zh) * 2006-10-09 2008-04-16 上海华虹Nec电子有限公司 刻蚀设备中的硅片升降用顶针
CN101872733A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
CN105448793A (zh) * 2014-06-12 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体加工设备
CN205428883U (zh) * 2016-03-25 2016-08-03 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种顶针装置及基板真空加工设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665167A (en) * 1993-02-16 1997-09-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit
JP4789734B2 (ja) * 2006-07-24 2011-10-12 株式会社東京精密 ウエハ載置台
JP2008159789A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
CN104752303A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种举升装置、反应腔室及等离子体加工设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006294868A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Asm Japan Kk ウエハ保持装置
CN101162701A (zh) * 2006-10-09 2008-04-16 上海华虹Nec电子有限公司 刻蚀设备中的硅片升降用顶针
CN101872733A (zh) * 2009-04-24 2010-10-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
CN105448793A (zh) * 2014-06-12 2016-03-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体加工设备
CN205428883U (zh) * 2016-03-25 2016-08-03 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种顶针装置及基板真空加工设备

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