JP5116983B2 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の第1のプラズマ処理装置は、真空排気可能な接地された処理容器と、前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けられる第1の電極と、前記第1の電極と接地電位の部材との間に電気的に接続される静電容量可変の可変コンデンサと、前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第1の電極と対向させて被処理基板を支持する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第2の電極に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、前記基板に施すプラズマプロセスのプロセス条件に応じて前記可変コンデンサの静電容量の値を切り替える静電容量制御部とを有し、前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、前記静電容量制御部が、前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きやすいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きにくいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える。
また、本発明の第2のプラズマ処理装置は、真空排気可能な接地された処理容器と、前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けられる第1の電極と、前記第1の電極と接地電位との間に電気的に接続される静電容量可変の可変コンデンサと、前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第1の電極と対向させて被処理基板を支持する第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第2の電極に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、前記基板に施すマルチステップ方式のプラズマプロセスにおいて各ステップ毎のプロセス条件に応じて前記可変コンデンサの静電容量の値を切り替える静電容量制御部とを有し、前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、前記静電容量制御部が、最後のステップを除く各ステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、最後のステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える。
処理ガス:CF4/CH3F/N2=流量50/5/100sccm
チャンバ内の圧力:20mTorr
高周波電力:40MHz/2MHz=1000/0W
処理ガス:CHF3/CF4/Ar/N2=流量40/30/1000/150sccm
チャンバ内の圧力:30mTorr
高周波電力:40MHz/2MHz=1000/1000W
処理ガス:C4F8/Ar/N2=流量6/1000/150sccm
チャンバ内の圧力:50mTorr
高周波電力:40MHz/2MHz=1000/1000W
16 サセプタ(下部電極)
30 高周波電源
34 上部電極
35 リング状絶縁体
36 電極板
36a ガス噴出孔
38 電極支持体
40 ガスバッファ室
42 ガス供給管
44 処理ガス供給部
50 空間
52 絶縁体
64 高周波電源
70,72 キャパシタ
85 静電容量制御部
86 可変コンデンサ(静電容量可変部)
Claims (8)
- 真空可能な接地された処理容器内で第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給するとともに前記第2の電極に第1の高周波を印加し、前記処理空間に生成されるプラズマの下で前記基板に所望のプラズマプロセスを施すプラズマ処理方法であって、
前記第1の電極を前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けるとともに静電容量可変の可変コンデンサを介して接地電位の部材に電気的に接続して、前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、
前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きやすいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きにくいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える、
プラズマ処理方法。 - 真空可能な接地された処理容器内で第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給するとともに前記第2の電極に第1の高周波を印加し、前記処理空間に生成されるプラズマの下で前記基板にマルチステップ方式のプラズマプロセスを施すプラズマ処理方法であって、
前記第1の電極を前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けるとともに静電容量可変の可変コンデンサを介して接地電位の部材に電気的に接続して、前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、
最後のステップを除く各ステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、最後のステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える、
プラズマ処理方法。 - 前記第2の電極に前記第1の高周波よりも周波数の低い第2の高周波を印加する、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の電極に所望の直流電圧を印加する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 真空排気可能な接地された処理容器と、
前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けられる第1の電極と、
前記第1の電極と接地電位の部材との間に電気的に接続される静電容量可変の可変コンデンサと、
前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第1の電極と対向させて被処理基板を支持する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第2の電極に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
前記基板に施すプラズマプロセスのプロセス条件に応じて前記可変コンデンサの静電容量の値を切り替える静電容量制御部と
を有し、
前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、
前記静電容量制御部が、前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きやすいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、前記プラズマプロセスが前記第1の電極に堆積膜が付きにくいプロセスであるときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える、
プラズマ処理装置。 - 真空排気可能な接地された処理容器と、
前記処理容器に絶縁体または空間を介して取り付けられる第1の電極と、
前記第1の電極と接地電位との間に電気的に接続される静電容量可変の可変コンデンサと、
前記処理容器内に前記第1の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第1の電極と対向させて被処理基板を支持する第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第2の電極に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
前記基板に施すマルチステップ方式のプラズマプロセスにおいて各ステップ毎のプロセス条件に応じて前記可変コンデンサの静電容量の値を切り替える静電容量制御部と
を有し、
前記第1の電極と前記処理容器との間に存在するインピーダンスをインダクタンスを含まない常時容量性の可変制御可能なインピーダンスとし、
前記静電容量制御部が、最後のステップを除く各ステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を高めの第1のキャパシタンス値に切り替え、最後のステップのプロセスのときは前記可変コンデンサの静電容量を前記第1のキャパシタンス値よりも低い低めの第2のキャパシタンス値に切り替える、
プラズマ処理装置。 - 前記第2の電極に前記第1の高周波よりも周波数の低い第2の高周波を印加する第2の高周波給電部を有する、請求項5または請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の電極に所望の直流電圧を印加する直流電源を有する、請求項5〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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