KR100883231B1 - 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 진공 가능한 접지된 처리 용기 내에서 제 1 전극과 제 2 전극을 소정의 간격을 두고 평행하게 배치하고, 상기 제 1 전극에 대향시켜서 피처리 기판을 제 2 전극으로 지지하고, 상기 처리 용기 내를 소정의 압력으로 진공 배기하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 처리 용기의 측벽과의 사이의 처리 공간에 원하는 처리 가스를 공급함과 동시에 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 상기 제 2 전극에만 고주파를 인가하고, 상기 처리 공간에 생성되는 플라즈마 하에서 상기 기판에 원하는 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 방법으로서,상기 제 1 전극을 상기 처리 용기에 절연체 또는 공간을 거쳐서 부착함과 동시에 정전 용량 가변의 정전 용량 가변부를 거쳐서 접지 전위에 전기적으로 접속하고, 상기 제 2 전극에 제 1 고주파를 인가하고, 상기 기판에 실시하는 플라즈마 프로세스의 프로세스 조건에 따라서 상기 정전 용량 가변부에 의해 상기 제 1 전극의 접지 용량을 전환하는플라즈마 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극에 퇴적막이 부착되기 쉬운 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 높게 전환하고, 상기 제 1 전극에 퇴적막이 잘 부착되지 않는 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 낮게 전환하는플라즈마 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,멀티 스텝의 프로세스에 있어서, 최후의 스텝을 제외한 각 스텝의 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 높게 전환하고, 최후의 스텝의 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 낮게 전환하는플라즈마 처리 방법
- 제 1 항에 있어서,상기 정전 용량 가변부에 가변 콘덴서를 이용하는플라즈마 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극에 상기 제 1 고주파보다 주파수가 낮은 제 2 고주파를 인가하는플라즈마 처리 방법.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전극에 원하는 직류 전압을 인가하는플라즈마 처리 방법.
- 진공 배기 가능한 접지된 처리 용기와,상기 처리 용기에 절연체 또는 공간을 거쳐서 부착되는 제 1 전극과,상기 제 1 전극과 접지 전위의 사이에 전기적으로 접속되는 정전 용량 가변의 정전 용량 가변부와,상기 처리 용기 내에 상기 제 1 전극과 소정의 간격을 두고 평행하게 배치되고, 상기 제 1 전극과 대향시켜 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 처리 용기의 측벽과의 사이의 처리 공간에 원하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부와,상기 처리 공간에서 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 중 상기 제 2 전극에만 제 1 고주파를 인가하는 제 1 고주파 급전부와,상기 기판에 실시하는 플라즈마 프로세스의 프로세스 조건에 따라서 상기 정전 용량 가변부에 의해 상기 제 1 전극의 접지 용량을 전환하는 정전 용량 제어부를 포함하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 정전 용량 제어부는 상기 제 1 전극에 퇴적막이 부착되기 쉬운 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 높게 전환하고, 상기 제 1 전극에 퇴적막이 잘 부착되지 않는 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 낮게 전환하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 정전 용량 제어부는 멀티 스텝의 프로세스에 있어서, 최후의 스텝을 제외한 각 스텝의 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 높게 전환하고, 최후의 스텝의 프로세스일 때에는 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 낮게 전환하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 정전 용량 가변부는 가변 콘덴서를 구비하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 전극에 상기 제 1 고주파보다 주파수가 낮은 제 2 고주파를 인가하는 제 2 고주파 급전부를 더 포함하는플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전극에 원하는 직류 전압을 인가하는 직류 전원을 더 포함하는플라즈마 처리 장치.
- 진공 가능한 접지된 처리 용기 내에서 제 1 전극과 제 2 전극을 소정의 간격을 두고 평행하게 배치하고, 상기 제 1 전극에 대향시켜 피처리 기판을 제 2 전극으로 지지하며, 상기 처리 용기 내를 소정의 압력으로 진공 배기하고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 처리 용기의 측벽과의 사이의 처리 공간에 원하는 처리 가스를 공급함과 동시에 상기 제 2 전극에 제 1 고주파를 인가하고, 상기 처리 공간에 생성되는 플라즈마 하에서 상기 기판에 원하는 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 방법으로서,상기 제 1 전극을 상기 처리 용기에 절연체 또는 공간을 거쳐서 부착함과 동 시에 정전 용량 가변의 정전 용량 가변부를 거쳐서 접지 전위에 전기적으로 접속하고, 플라즈마 프로세스가 실시되는 상기 기판의 처리 매수에 따라서, 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 전환하는플라즈마 처리 방법.
- 제 13 항에 있어서,미리 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량의 값을 크게 해 두고, 처리 매수가 증가함에 따라, 상기 정전 용량의 값을 작게 하는플라즈마 처리 방법.
- 진공 배기 가능한 접지된 처리 용기와,상기 처리 용기에 절연물 또는 공간을 거쳐서 부착되는 제 1 전극과,상기 제 1 전극과 접지 전위의 사이에 전기적으로 접속되는 정전 용량 가변의 정전 용량 가변부와,상기 처리 용기 내에 상기 제 1 전극과 소정의 간격을 두고 평행하게 배치되고, 상기 제 1 전극과 대향시켜 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과 상기 처리 용기의 측벽과의 사이의 처리 공간에 원하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부와,상기 처리 공간에서 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하기 위해 상기 제 2 전극에 제 1 고주파를 인가하는 제 1 고주파 급전부와,플라즈마 프로세스가 실시되는 상기 기판의 처리 매수에 따라서, 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량을 전환하는 정전 용량 제어부를 포함하는플라즈마 처리 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 정전 용량 제어부는 미리 상기 정전 용량 가변부의 정전 용량의 값을 크게 해 두고, 처리 매수가 증가함에 따라, 상기 정전 용량의 값을 작게 하는플라즈마 처리 장치.
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