JP2008244233A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ10の天井面において対向電極58の周囲に延在する対向接地電位部70の表面を石英板72が覆うことにより、対向接地電位部70表面のインピーダンスが高くなっている。インピーダンス制御部68が対向電極58とグランドとの間の電極インピーダンスを可変制御して対向電極58直下のプラズマ密度を上げ下げする際に、それによって対向接地電位部70直下のプラズマ密度の受ける影響(変動)を石英板72のインピーダンス増大効果により抑制することができる。結果として、インピーダンス制御部68によるプラズマ密度分布制御の感度を高くすることができる。
【選択図】 図1
Description
12 サセプタ(下部電極)
24 排気装置
28 高周波電源
58 対向電極
68 インピーダンス制御部
70 対向接地電位部
72 石英板(誘電体板)
74 ボルト
84 処理ガス供給部
100,102 高周波電源
Claims (10)
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に電気的にフローティング状態で取り付けられる高周波電極と、
前記高周波電極に第1の高周波を印加する第1の高周波電源と、
前記処理容器に前記高周波電極と向かい合って電気的にフローティング状態で取り付けられる対向電極と、
前記対向電極のおもて面から接地電位部までの高周波伝送路のインピーダンスを任意に可変制御するためのインピーダンス制御部と、
前記高周波電極から見て前記対向電極の周囲に接地状態で設けられる対向接地電位部と、
前記高周波電極と前記対向電極および前記対向接地電位部との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で前記対向接地電位部の表面を覆う誘電体板と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記誘電体板が前記対向接地電位部の表面に密着して取り付けられる請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板が前記対向接地電位部の表面に樹脂製のボルトで取り付けられる請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板の板厚を電極半径方向で変化させる請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板が石英板である請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電極上に被処理基板を載置する請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記対向電極および前記対向接地電位部にガス噴出孔が形成され、前記処理ガス供給部が前記ガス噴出孔を介して前記処理空間に前記処理ガスを導入する請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記対向電極と前記対向接地電位部とを電気的に分離するリング状の絶縁体を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記高周波電極に前記第1の高周波の周波数とは異なる周波数の第2の高周波を印加する第2の高周波電源を有する請求項6〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板が、前記処理容器の側壁の表面を覆う延長部分を有する請求項1〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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