JP2002025919A - 容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法Info
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- JP2002025919A JP2002025919A JP2000211354A JP2000211354A JP2002025919A JP 2002025919 A JP2002025919 A JP 2002025919A JP 2000211354 A JP2000211354 A JP 2000211354A JP 2000211354 A JP2000211354 A JP 2000211354A JP 2002025919 A JP2002025919 A JP 2002025919A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極への高周波給電を容易にし、電界分布の
不均一を緩和でき、プラズマ処理面積を拡大できる容量
結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法を提
供する。 【解決手段】 チャンバ１内に対向配置されたアノード
電極２およびカソード電極４の間に高周波電力を印加し
て、プラズマを生成する容量結合型プラズマ装置におい
て、カソード電極４はチャンバ１から誘電体３によって
電気絶縁され、カソード電極４の長手寸法Ｌ（ｍｍ）、
誘電体３の比誘電率εｒ、高周波電力の周波数ｆ（ＭＨ
ｚ）、カソード電極４とチャンバ１（接地電位部）との
距離ｄ（ｍｍ）が、Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×ε
ｒを満たす。
不均一を緩和でき、プラズマ処理面積を拡大できる容量
結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法を提
供する。 【解決手段】 チャンバ１内に対向配置されたアノード
電極２およびカソード電極４の間に高周波電力を印加し
て、プラズマを生成する容量結合型プラズマ装置におい
て、カソード電極４はチャンバ１から誘電体３によって
電気絶縁され、カソード電極４の長手寸法Ｌ（ｍｍ）、
誘電体３の比誘電率εｒ、高周波電力の周波数ｆ（ＭＨ
ｚ）、カソード電極４とチャンバ１（接地電位部）との
距離ｄ（ｍｍ）が、Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×ε
ｒを満たす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極間に高周波電
力を印加してプラズマを生成する容量結合型プラズマ装
置およびこの装置を用いた電子デバイスの製造方法に関
する。
力を印加してプラズマを生成する容量結合型プラズマ装
置およびこの装置を用いた電子デバイスの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイや太陽電池など
の電子デバイスの基板面積が大型化しており、プラズマ
装置は広い面積で均一なプラズマを生成する必要があ
る。また、製膜速度の向上や堆積膜の高品質化を図るた
め、プラズマを励起する高周波電力の周波数を高くする
ことによって、高密度のプラズマを生成できる。
の電子デバイスの基板面積が大型化しており、プラズマ
装置は広い面積で均一なプラズマを生成する必要があ
る。また、製膜速度の向上や堆積膜の高品質化を図るた
め、プラズマを励起する高周波電力の周波数を高くする
ことによって、高密度のプラズマを生成できる。
【０００３】プラズマ励起周波数の高周波化は、電極面
積が大きくなると技術的に難しくなり、たとえば寸法40
0mm×500mmの基板を処理できるプラズマＣＶＤ(Chemica
l Vapour Deposition)装置において、２７．１２ＭＨｚ
の励起周波数を用いた例が報告されている(文献：月刊L
CD Intelligence 1997.8 p.83)。
積が大きくなると技術的に難しくなり、たとえば寸法40
0mm×500mmの基板を処理できるプラズマＣＶＤ(Chemica
l Vapour Deposition)装置において、２７．１２ＭＨｚ
の励起周波数を用いた例が報告されている(文献：月刊L
CD Intelligence 1997.8 p.83)。
【０００４】最近の容量結合型プラズマ装置は、カソー
ド電極全体を装置内部に設けずに、カソード電極が反応
チャンバ壁を兼ねて、カソード電極の裏面は大気側に露
出している構造、いわゆるエクスターナル型（外部露出
型）のものが一般に使用されている。この構造では、チ
ャンバ容積に対して比較的大面積の電極を配置できると
ともに、カソード電極の給電側がチャンバの外側になる
ため、カソード電極と接地電位部との距離を充分に確保
できることから、カソード電極の浮遊容量を低減できる
ため、カソード電極周辺のインピーダンスの低下を抑制
でき、励起周波数の高周波化を図ることができる。
ド電極全体を装置内部に設けずに、カソード電極が反応
チャンバ壁を兼ねて、カソード電極の裏面は大気側に露
出している構造、いわゆるエクスターナル型（外部露出
型）のものが一般に使用されている。この構造では、チ
ャンバ容積に対して比較的大面積の電極を配置できると
ともに、カソード電極の給電側がチャンバの外側になる
ため、カソード電極と接地電位部との距離を充分に確保
できることから、カソード電極の浮遊容量を低減できる
ため、カソード電極周辺のインピーダンスの低下を抑制
でき、励起周波数の高周波化を図ることができる。
【０００５】関連する先行技術として、特開平９−３１
２２６８号では、電極とチャンバとの間に意図的にコイ
ルを追加して、装置の共振周波数をプラズマ励起周波数
から遠ざけることで、より高周波の電力印加を可能にし
ている。
２２６８号では、電極とチャンバとの間に意図的にコイ
ルを追加して、装置の共振周波数をプラズマ励起周波数
から遠ざけることで、より高周波の電力印加を可能にし
ている。
【０００６】また、文献(U.S tephan and J.Kuske:Pro
c. 26th IEEE PhotovoltaicSpecialists Conf.,Anahei
m,1997)では、寸法600mm×1000mmの基板を処理できるＰ
ＥＣＶＤ(Plasma Enhanced CVD)装置において、平板電
極を分割し、それぞれを導波管とみなし、導波管の一方
の端に給電点を設けるとともに、他端を個々の導波管の
特性インピーダンスで終端したり、あるいは両端から同
位相・同振幅の高周波を給電することによって、高周波
化に伴って生ずる定在波等による電位分布の均一化を図
っている。
c. 26th IEEE PhotovoltaicSpecialists Conf.,Anahei
m,1997)では、寸法600mm×1000mmの基板を処理できるＰ
ＥＣＶＤ(Plasma Enhanced CVD)装置において、平板電
極を分割し、それぞれを導波管とみなし、導波管の一方
の端に給電点を設けるとともに、他端を個々の導波管の
特性インピーダンスで終端したり、あるいは両端から同
位相・同振幅の高周波を給電することによって、高周波
化に伴って生ずる定在波等による電位分布の均一化を図
っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ励起周波数を
高くして装置の共振周波数に近づくと、高周波電源から
みた入力インピーダンスが急激に変化して、電極への高
周波給電が困難になる。さらに、電極寸法が波長の長さ
に近づくと、電極内に定在波が生じて電位分布が発生す
るため、電極内での電位分布は不均一になる。その結
果、広い面積に渡って均一なプラズマを得ることが困難
になる。
高くして装置の共振周波数に近づくと、高周波電源から
みた入力インピーダンスが急激に変化して、電極への高
周波給電が困難になる。さらに、電極寸法が波長の長さ
に近づくと、電極内に定在波が生じて電位分布が発生す
るため、電極内での電位分布は不均一になる。その結
果、広い面積に渡って均一なプラズマを得ることが困難
になる。
【０００８】従来の容量結合型プラズマ装置では、a)１
ｍ角に近い電極面積を有し、プラズマ励起周波数は１
３．５６ＭＨｚであるもの、b)プラズマ励起周波数は２
７．１２ＭＨｚで、最大基板寸法が400mm×500mmのも
の、などに限られており、大型の基板面積の処理を必要
とする液晶ディスプレイや太陽電池などの電子デバイス
に適用可能な高い周波数を用いた大面積の処理可能な装
置はない。
ｍ角に近い電極面積を有し、プラズマ励起周波数は１
３．５６ＭＨｚであるもの、b)プラズマ励起周波数は２
７．１２ＭＨｚで、最大基板寸法が400mm×500mmのも
の、などに限られており、大型の基板面積の処理を必要
とする液晶ディスプレイや太陽電池などの電子デバイス
に適用可能な高い周波数を用いた大面積の処理可能な装
置はない。
【０００９】本発明の目的は、プラズマ励起周波数の高
周波化において、電極への高周波給電を容易にし、電界
分布の不均一を緩和でき、プラズマ処理面積を拡大でき
る容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方
法を提供することである。
周波化において、電極への高周波給電を容易にし、電界
分布の不均一を緩和でき、プラズマ処理面積を拡大でき
る容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方
法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバ内に
対向配置されたアノード電極およびカソード電極の間に
高周波電力を印加して、プラズマを生成する容量結合型
プラズマ装置において、カソード電極は接地電位部から
誘電体によって電気絶縁され、カソード電極の長手寸法
Ｌ（ｍｍ）、誘電体の比誘電率εｒ、高周波電力の周波
数ｆ（ＭＨｚ）、カソード電極と接地電位部との距離ｄ
（ｍｍ）が、 Ｌ／２ ≧ ｄ ≧ ０．０７３７ × ｆ × εｒ …(1) を満たすことを特徴とする容量結合型プラズマ装置であ
る。
対向配置されたアノード電極およびカソード電極の間に
高周波電力を印加して、プラズマを生成する容量結合型
プラズマ装置において、カソード電極は接地電位部から
誘電体によって電気絶縁され、カソード電極の長手寸法
Ｌ（ｍｍ）、誘電体の比誘電率εｒ、高周波電力の周波
数ｆ（ＭＨｚ）、カソード電極と接地電位部との距離ｄ
（ｍｍ）が、 Ｌ／２ ≧ ｄ ≧ ０．０７３７ × ｆ × εｒ …(1) を満たすことを特徴とする容量結合型プラズマ装置であ
る。
【００１１】本発明に従えば、上記関係式を満たすこと
ことによって、アノード電極とカソード電極の間の電界
分布を均一化できる。
ことによって、アノード電極とカソード電極の間の電界
分布を均一化できる。
【００１２】図７は、電界分布の不均一性と高周波電力
の周波数ｆとの関係を示すグラフである。プラズマ励起
周波数を高くした場合、電界分布の不均一性に起因して
堆積膜厚の不均一が生ずる。この原因はカソード電極周
辺に存在する大きな浮遊容量と考えられる。そこで、カ
ソード電極と接地電位部との距離ｄと、カソード電極と
接地電位部との間に介在する誘電体の比誘電率εｒとの
比ｄ／εｒを段階的に変化させて、高周波プローブを用
いてカソード電極面上の電位分布を測定した。電界分布
の不均一性は、±（最大電界強度−最小電界強度）／
（最大電界強度＋最小電界強度）を算出した。
の周波数ｆとの関係を示すグラフである。プラズマ励起
周波数を高くした場合、電界分布の不均一性に起因して
堆積膜厚の不均一が生ずる。この原因はカソード電極周
辺に存在する大きな浮遊容量と考えられる。そこで、カ
ソード電極と接地電位部との距離ｄと、カソード電極と
接地電位部との間に介在する誘電体の比誘電率εｒとの
比ｄ／εｒを段階的に変化させて、高周波プローブを用
いてカソード電極面上の電位分布を測定した。電界分布
の不均一性は、±（最大電界強度−最小電界強度）／
（最大電界強度＋最小電界強度）を算出した。
【００１３】図７のグラフを見ると、周波数ｆが高くな
るにつれて電界分布の不均一性がほぼ比例的に増加する
傾向があり、さらにｄ／εｒが大きくなるほど、電界分
布の不均一性が小さくなることが判る。カソード電極と
接地電位部との間の浮遊容量は、誘電体の比誘電率εｒ
に比例し、距離ｄに反比例するため、ｄ／εｒが大きく
なると浮遊容量は小さくなる。したがって、浮遊容量が
小さいほど、電界分布の不均一性を解消できることにな
る。
るにつれて電界分布の不均一性がほぼ比例的に増加する
傾向があり、さらにｄ／εｒが大きくなるほど、電界分
布の不均一性が小さくなることが判る。カソード電極と
接地電位部との間の浮遊容量は、誘電体の比誘電率εｒ
に比例し、距離ｄに反比例するため、ｄ／εｒが大きく
なると浮遊容量は小さくなる。したがって、浮遊容量が
小さいほど、電界分布の不均一性を解消できることにな
る。
【００１４】図８は、ｄ／εｒと許容周波数ｆとの相関
関係を示すグラフである。許容周波数ｆは、一般の電子
デバイスでの膜厚分布の許容変動が±５％であることを
参考にして、電界分布の不均一性が±５％となるときの
電力周波数ｆとして定義した。すると、ｄ／εｒ＝１，
３，６，９に対応して許容周波数ｆ＝２８ＭＨｚ，４０
ＭＨｚ，８６ＭＨｚ，１３２ＭＨｚの点が得られ、さら
に最小二乗法を用いて直線近似し、傾き０．０７３７の
直線で表される比例関係が得られた。
関係を示すグラフである。許容周波数ｆは、一般の電子
デバイスでの膜厚分布の許容変動が±５％であることを
参考にして、電界分布の不均一性が±５％となるときの
電力周波数ｆとして定義した。すると、ｄ／εｒ＝１，
３，６，９に対応して許容周波数ｆ＝２８ＭＨｚ，４０
ＭＨｚ，８６ＭＨｚ，１３２ＭＨｚの点が得られ、さら
に最小二乗法を用いて直線近似し、傾き０．０７３７の
直線で表される比例関係が得られた。
【００１５】図８のグラフにおいて、近似直線の上側領
域１では、電力周波数ｆに対して浮遊容量が小さくな
り、電界分布の不均一性が減少するのに対して、近似直
線の下側領域２では、電力周波数ｆに対して浮遊容量が
大きくなり、電界分布の不均一性が増加する。したがっ
て、ｄ／εｒ≧０．０７３７×ｆを満たすことによっ
て、電界分布の不均一性を低減できるため、広い面積に
渡って均一なプラズマを得ることができる。
域１では、電力周波数ｆに対して浮遊容量が小さくな
り、電界分布の不均一性が減少するのに対して、近似直
線の下側領域２では、電力周波数ｆに対して浮遊容量が
大きくなり、電界分布の不均一性が増加する。したがっ
て、ｄ／εｒ≧０．０７３７×ｆを満たすことによっ
て、電界分布の不均一性を低減できるため、広い面積に
渡って均一なプラズマを得ることができる。
【００１６】カソード電極と接地電位部との距離ｄは大
きいほど、カソード電極周辺の浮遊容量を低減できる
が、現実的にはカソード電極の長手寸法Ｌに対して半分
以下であることが好ましい。距離ｄをＬ／２より長くす
ると、装置構成が大きくなり、現実的な装置を作製する
ことが困難になる。
きいほど、カソード電極周辺の浮遊容量を低減できる
が、現実的にはカソード電極の長手寸法Ｌに対して半分
以下であることが好ましい。距離ｄをＬ／２より長くす
ると、装置構成が大きくなり、現実的な装置を作製する
ことが困難になる。
【００１７】従って、Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×
εｒを満たすことによって、プラズマ励起周波数を高く
した場合でも、電界分布の不均一性を抑制でき、堆積膜
厚の均一化を図ることができる。
εｒを満たすことによって、プラズマ励起周波数を高く
した場合でも、電界分布の不均一性を抑制でき、堆積膜
厚の均一化を図ることができる。
【００１８】また本発明は、カソード電極は接着剤によ
って誘電体に固定され、誘電体は接着剤によって接地電
位部に固定されることを特徴とする。
って誘電体に固定され、誘電体は接着剤によって接地電
位部に固定されることを特徴とする。
【００１９】本発明に従えば、カソード電極、誘電体お
よび接地電位部をそれぞれ接着剤で固定することによっ
て、カソード電極周辺の浮遊容量を増加させることな
く、充分に長い距離ｄを確保しつつ、カソード電極を確
実に設置できる。
よび接地電位部をそれぞれ接着剤で固定することによっ
て、カソード電極周辺の浮遊容量を増加させることな
く、充分に長い距離ｄを確保しつつ、カソード電極を確
実に設置できる。
【００２０】また本発明は、カソード電極は、誘電体製
のボルトによって誘電体製の支持体を介して接地電位部
に固定されることを特徴とする。
のボルトによって誘電体製の支持体を介して接地電位部
に固定されることを特徴とする。
【００２１】本発明に従えば、カソード電極を誘電体製
のボルトによって誘電体製の支持体を介して接地電位部
に固定することによって、カソード電極周辺の浮遊容量
を増加させることなく、充分に長い距離ｄを確保しつ
つ、カソード電極を確実に設置できる。
のボルトによって誘電体製の支持体を介して接地電位部
に固定することによって、カソード電極周辺の浮遊容量
を増加させることなく、充分に長い距離ｄを確保しつ
つ、カソード電極を確実に設置できる。
【００２２】また本発明は、高周波電力の波長λを用い
て、カソード電極の長手寸法Ｌは、 λ／８ ≦ Ｌ ≦ λ／２ を満たすことを特徴とする。
て、カソード電極の長手寸法Ｌは、 λ／８ ≦ Ｌ ≦ λ／２ を満たすことを特徴とする。
【００２３】本発明に従えば、カソード電極の長手寸法
Ｌがλ／８〜λ／２の範囲であることによって、アノー
ド電極とカソード電極の間の電界分布を均一化できる。
Ｌがλ／８〜λ／２の範囲であることによって、アノー
ド電極とカソード電極の間の電界分布を均一化できる。
【００２４】図６は、電界分布の不均一性とＬ／λとの
関係を示すグラフである。カソード電極の長手寸法Ｌが
８００ｍｍ角〜１２００ｍｍ角の範囲で、長手寸法Ｌと
電力波長λとの比Ｌ／λを変化させて、高周波プローブ
を用いてカソード電極面上の電位分布を測定した。
関係を示すグラフである。カソード電極の長手寸法Ｌが
８００ｍｍ角〜１２００ｍｍ角の範囲で、長手寸法Ｌと
電力波長λとの比Ｌ／λを変化させて、高周波プローブ
を用いてカソード電極面上の電位分布を測定した。
【００２５】図６のグラフを見ると、Ｌ／λが大きくな
ると、電界分布の不均一性が増加する傾向がある。従来
の装置構成では、カソード電極を導電性のボルトで固定
しているため、カソード電極周辺の浮遊容量が大きくな
り、Ｌ／λが約１／８になると、電界分布の不均一性が
±５％に達することが判る。一方、本発明に係る装置構
成では、カソード電極を誘電体製のボルトで固定してい
るため、カソード電極周辺の浮遊容量が小さく、Ｌ／λ
が約１／２になると、電界分布の不均一性が±５％に達
することが判る。さらに、Ｌ／λが約１／２を超える
と、チャンバ内に生じた定在波の影響によって電界分布
が不均一になると考えられる。
ると、電界分布の不均一性が増加する傾向がある。従来
の装置構成では、カソード電極を導電性のボルトで固定
しているため、カソード電極周辺の浮遊容量が大きくな
り、Ｌ／λが約１／８になると、電界分布の不均一性が
±５％に達することが判る。一方、本発明に係る装置構
成では、カソード電極を誘電体製のボルトで固定してい
るため、カソード電極周辺の浮遊容量が小さく、Ｌ／λ
が約１／２になると、電界分布の不均一性が±５％に達
することが判る。さらに、Ｌ／λが約１／２を超える
と、チャンバ内に生じた定在波の影響によって電界分布
が不均一になると考えられる。
【００２６】したがって、カソード電極の長手寸法Ｌ
は、λ／８〜λ／２の範囲であることが好ましく、これ
によって電界分布を均一化でき、引いては堆積膜厚の均
一化を図ることができる。
は、λ／８〜λ／２の範囲であることが好ましく、これ
によって電界分布を均一化でき、引いては堆積膜厚の均
一化を図ることができる。
【００２７】また本発明は、高周波電力の周波数ｆは、
３０ＭＨｚ〜１９０ＭＨｚの範囲内に設定されることを
特徴とする。
３０ＭＨｚ〜１９０ＭＨｚの範囲内に設定されることを
特徴とする。
【００２８】本発明に従えば、図６の結果において、最
小電極寸法は８００ｍｍであり、この２倍である１６０
０ｍｍに対応した最高周波数ｆは約１９０ＭＨｚと算出
できる。一方、最大電極寸法は１２００ｍｍであり、こ
の８倍である９６００ｍｍに対応した最低周波数ｆは約
３０ＭＨｚと算出できる。
小電極寸法は８００ｍｍであり、この２倍である１６０
０ｍｍに対応した最高周波数ｆは約１９０ＭＨｚと算出
できる。一方、最大電極寸法は１２００ｍｍであり、こ
の８倍である９６００ｍｍに対応した最低周波数ｆは約
３０ＭＨｚと算出できる。
【００２９】したがって、高周波電力の周波数ｆは３０
ＭＨｚ〜１９０ＭＨｚの範囲であることが好ましく、こ
れによって電界分布を均一化できる。
ＭＨｚ〜１９０ＭＨｚの範囲であることが好ましく、こ
れによって電界分布を均一化できる。
【００３０】また本発明は、上記いずれかの容量結合型
プラズマ装置を用いて、基板に対して薄膜形成またはエ
ッチング処理を行うことを特徴とする電子デバイスの製
造方法である。
プラズマ装置を用いて、基板に対して薄膜形成またはエ
ッチング処理を行うことを特徴とする電子デバイスの製
造方法である。
【００３１】本発明に従えば、電界分布の均一化によっ
て、プラズマ処理面積を拡大できるため、大型の基板面
積を有する液晶ディスプレイや太陽電池などの電子デバ
イスを容易に製造できる。
て、プラズマ処理面積を拡大できるため、大型の基板面
積を有する液晶ディスプレイや太陽電池などの電子デバ
イスを容易に製造できる。
【００３２】本発明に係るプラズマ装置は、電極周辺に
複雑な電気回路を設ける必要がないため、装置の小型化
が図られる。基板に薄膜を形成する場合は、高密度のプ
ラズマを広い面積で生成できるため、製膜速度の向上や
堆積膜の高品質化を図ることができる。また、エッチン
グ処理を行う場合は、高密度のプラズマを広い面積で生
成できるため、エッチング速度の向上やエッチングの高
品質化を図ることができる。
複雑な電気回路を設ける必要がないため、装置の小型化
が図られる。基板に薄膜を形成する場合は、高密度のプ
ラズマを広い面積で生成できるため、製膜速度の向上や
堆積膜の高品質化を図ることができる。また、エッチン
グ処理を行う場合は、高密度のプラズマを広い面積で生
成できるため、エッチング速度の向上やエッチングの高
品質化を図ることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態を
示す構成図である。この容量結合型プラズマ装置は、真
空処理空間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被
処理材Ｗが装着されるアノード電極２と、アノード電極
２に対向配置されたカソード電極４などで構成される。
示す構成図である。この容量結合型プラズマ装置は、真
空処理空間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被
処理材Ｗが装着されるアノード電極２と、アノード電極
２に対向配置されたカソード電極４などで構成される。
【００３４】カソード電極４の周囲には、電気絶縁性の
誘電体３が装着されており、誘電体３はボルト５によっ
てチャンバ１に着脱自在に取り付けられる。ボルト５
は、金属などの導電性材料で形成されている。カソード
電極４にはインピーダンス整合用のマッチングボックス
７を介して、高周波電力を供給する高周波電源８が接続
される。
誘電体３が装着されており、誘電体３はボルト５によっ
てチャンバ１に着脱自在に取り付けられる。ボルト５
は、金属などの導電性材料で形成されている。カソード
電極４にはインピーダンス整合用のマッチングボックス
７を介して、高周波電力を供給する高周波電源８が接続
される。
【００３５】カソード電極４の背面を覆うようにシール
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
【００３６】ここで、カソード電極４の寸法が１２００
ｍｍ角、カソード電極４とチャンバ１との水平距離Ａが
２５ｍｍ、カソード電極４の突出部とボルト５との水平
距離Ｂが２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とボルト５
の頭との垂直距離Ｃが２５ｍｍ、カソード電極４の外周
部とチャンバ１との垂直距離Ｄが４０ｍｍ、誘電体３の
比誘電率εｒが約６である構成において、アノード電極
２とカソード電極４との間の電界強度分布を高周波プロ
ーブを用いて測定した。
ｍｍ角、カソード電極４とチャンバ１との水平距離Ａが
２５ｍｍ、カソード電極４の突出部とボルト５との水平
距離Ｂが２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とボルト５
の頭との垂直距離Ｃが２５ｍｍ、カソード電極４の外周
部とチャンバ１との垂直距離Ｄが４０ｍｍ、誘電体３の
比誘電率εｒが約６である構成において、アノード電極
２とカソード電極４との間の電界強度分布を高周波プロ
ーブを用いて測定した。
【００３７】図２は、本発明に係る電界強度分布の測定
結果を示すグラフである。縦軸は最大電界強度で規格化
した電界強度を示し、横軸は電極の水平位置を示す。カ
ソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高周波電
力を供給したところ、実線グラフで示すように、電極サ
イズ１２００ｍｍに渡ってほぼ均一な電界強度分布を示
し、電界分布の不均一性は±３．６％となった。この場
合、距離ｄ＝２５ｍｍとなり、Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３
７×ｆ×εｒという関係が成立する。
結果を示すグラフである。縦軸は最大電界強度で規格化
した電界強度を示し、横軸は電極の水平位置を示す。カ
ソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高周波電
力を供給したところ、実線グラフで示すように、電極サ
イズ１２００ｍｍに渡ってほぼ均一な電界強度分布を示
し、電界分布の不均一性は±３．６％となった。この場
合、距離ｄ＝２５ｍｍとなり、Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３
７×ｆ×εｒという関係が成立する。
【００３８】さらに、図１の容量結合型プラズマ装置に
おいて、Ａ＝Ｂ＝Ｃ＝Ｄ＝４０ｍｍとし、ｆ＝５４．２
４ＭＨｚの高周波電力を供給したところ電界分布の不均
一性は±３．４％となり、ｆ＝８１．３６ＭＨｚの高周
波電力を供給したところ電界分布の不均一性は±３．９
％となった。これらの場合、距離ｄ＝４０ｍｍとなり、
Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×εｒという関係が成立
する。
おいて、Ａ＝Ｂ＝Ｃ＝Ｄ＝４０ｍｍとし、ｆ＝５４．２
４ＭＨｚの高周波電力を供給したところ電界分布の不均
一性は±３．４％となり、ｆ＝８１．３６ＭＨｚの高周
波電力を供給したところ電界分布の不均一性は±３．９
％となった。これらの場合、距離ｄ＝４０ｍｍとなり、
Ｌ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×εｒという関係が成立
する。
【００３９】図３は、比較例における電界強度分布の測
定結果を示すグラフである。比較例の装置構成は、図１
に示す容量結合型プラズマ装置においてカソード電極４
の突出部とボルト５との水平距離が１５ｍｍ、カソード
電極４の外周部とボルト５の頭との垂直距離Ｃが１５ｍ
ｍで構成されている点が相違する。実線グラフは、電力
周波数ｆ＝２７．１２ＭＨｚの場合を示し、電極の中央
より周辺で高くなる電界分布を示し、電界分布の不均一
性は±２．９％となった。破線グラフは、電力周波数ｆ
＝５４．２４ＭＨｚの場合を示し、電極の周辺で著しく
低下する電界分布を示し、電界分布の不均一性は±９．
９％となった。
定結果を示すグラフである。比較例の装置構成は、図１
に示す容量結合型プラズマ装置においてカソード電極４
の突出部とボルト５との水平距離が１５ｍｍ、カソード
電極４の外周部とボルト５の頭との垂直距離Ｃが１５ｍ
ｍで構成されている点が相違する。実線グラフは、電力
周波数ｆ＝２７．１２ＭＨｚの場合を示し、電極の中央
より周辺で高くなる電界分布を示し、電界分布の不均一
性は±２．９％となった。破線グラフは、電力周波数ｆ
＝５４．２４ＭＨｚの場合を示し、電極の周辺で著しく
低下する電界分布を示し、電界分布の不均一性は±９．
９％となった。
【００４０】この場合、距離ｄ＝１５ｍｍとなり、ｆ＝
２７．１２ではＬ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×εｒと
いう関係が成立するが、ｆ＝５４．２４ではＬ／２≧ｄ
≧０．０７３７×ｆ×εｒという関係が成立しない。こ
のため、５４．２４ＭＨｚではカソード電極４の周辺で
の浮遊容量による電極周辺でのインピーダンスの低下が
生じ、電界強度分布の不均一性が現れたのである。
２７．１２ではＬ／２≧ｄ≧０．０７３７×ｆ×εｒと
いう関係が成立するが、ｆ＝５４．２４ではＬ／２≧ｄ
≧０．０７３７×ｆ×εｒという関係が成立しない。こ
のため、５４．２４ＭＨｚではカソード電極４の周辺で
の浮遊容量による電極周辺でのインピーダンスの低下が
生じ、電界強度分布の不均一性が現れたのである。
【００４１】このように本発明において、Ｌ／２≧ｄ≧
０．０７３７×ｆ×εｒを満たすことによって、電極周
辺での浮遊容量が減少し、電極周辺での電界強度低下を
抑制でき、５４．２４ＭＨｚや８１．３６ＭＨｚという
高周波化によるプラズマ生成を実現することができる。
０．０７３７×ｆ×εｒを満たすことによって、電極周
辺での浮遊容量が減少し、電極周辺での電界強度低下を
抑制でき、５４．２４ＭＨｚや８１．３６ＭＨｚという
高周波化によるプラズマ生成を実現することができる。
【００４２】なお、カソード電極４の形状は正方形のも
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
【００４３】図４は、本発明の第２実施形態を示す構成
図である。この容量結合型プラズマ装置は、真空処理空
間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被処理材Ｗ
が装着されるアノード電極２と、アノード電極２に対向
配置されたカソード電極４などで構成される。チャンバ
１、アノード電極２、カソード電極４はステンレス合金
などの導電性材料で形成される。
図である。この容量結合型プラズマ装置は、真空処理空
間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被処理材Ｗ
が装着されるアノード電極２と、アノード電極２に対向
配置されたカソード電極４などで構成される。チャンバ
１、アノード電極２、カソード電極４はステンレス合金
などの導電性材料で形成される。
【００４４】カソード電極４は凸状の形状を有し、その
周囲には電気絶縁性の誘電体３１が配置される。誘電体
３１はアルミニウム酸化物を主成分とする焼結体などて
形成され、比誘電率εｒは約６である。
周囲には電気絶縁性の誘電体３１が配置される。誘電体
３１はアルミニウム酸化物を主成分とする焼結体などて
形成され、比誘電率εｒは約６である。
【００４５】カソード電極４と誘電体３１との間、およ
び誘電体３１とチャンバ１との間は、ＩｎとＳｎとの合
金などから成る接着剤１０によって溶着されている。し
たがって、図１の示した締結用のボルト５は使用してい
ない。
び誘電体３１とチャンバ１との間は、ＩｎとＳｎとの合
金などから成る接着剤１０によって溶着されている。し
たがって、図１の示した締結用のボルト５は使用してい
ない。
【００４６】カソード電極４にはインピーダンス整合用
のマッチングボックス７を介して、高周波電力を供給す
る高周波電源８が接続される。
のマッチングボックス７を介して、高周波電力を供給す
る高周波電源８が接続される。
【００４７】カソード電極４の背面を覆うようにシール
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
【００４８】ここで、カソード電極４の寸法を１２００
ｍｍ角とし、εｒ＝６、ｆ＝５４．２４ＭＨｚを式
（１）に代入すると、距離ｄ≧２４ｍｍが得られる。そ
こで、図２において、カソード電極４とチャンバ１との
水平距離Ａを２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とチャ
ンバ１との垂直距離Ｄを２５ｍｍとして装置を組み立て
た。カソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高
周波電力を供給し、アノード電極２とカソード電極４と
の間の電界強度分布を高周波プローブを用いて測定した
ところ、電界分布の不均一性は±３．０％となった。
ｍｍ角とし、εｒ＝６、ｆ＝５４．２４ＭＨｚを式
（１）に代入すると、距離ｄ≧２４ｍｍが得られる。そ
こで、図２において、カソード電極４とチャンバ１との
水平距離Ａを２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とチャ
ンバ１との垂直距離Ｄを２５ｍｍとして装置を組み立て
た。カソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高
周波電力を供給し、アノード電極２とカソード電極４と
の間の電界強度分布を高周波プローブを用いて測定した
ところ、電界分布の不均一性は±３．０％となった。
【００４９】このように本発明においてカソード電極４
の固定構造として、カソード電極４と誘電体３１との
間、および誘電体３１とチャンバ１との間を接着剤１０
で固定することによって、電極周辺での浮遊容量が減少
し、電界分布の不均一性が少なくなり、高周波化による
プラズマ生成を実現できる。
の固定構造として、カソード電極４と誘電体３１との
間、および誘電体３１とチャンバ１との間を接着剤１０
で固定することによって、電極周辺での浮遊容量が減少
し、電界分布の不均一性が少なくなり、高周波化による
プラズマ生成を実現できる。
【００５０】なお、カソード電極４の形状は正方形のも
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
【００５１】図５は、本発明の第３実施形態を示す構成
図である。この容量結合型プラズマ装置は、真空処理空
間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被処理材Ｗ
が装着されるアノード電極２と、アノード電極２に対向
配置されたカソード電極４などで構成される。チャンバ
１、アノード電極２、カソード電極４はステンレス合金
などの導電性材料で形成される。
図である。この容量結合型プラズマ装置は、真空処理空
間を形成するチャンバ１と、半導体基板等の被処理材Ｗ
が装着されるアノード電極２と、アノード電極２に対向
配置されたカソード電極４などで構成される。チャンバ
１、アノード電極２、カソード電極４はステンレス合金
などの導電性材料で形成される。
【００５２】カソード電極４は凸状の形状を有し、その
周囲には電気絶縁性の誘電体３２が装着される。誘電体
３２はアルミニウム酸化物を主成分とする焼結体などて
形成され、比誘電率εｒは約６である。
周囲には電気絶縁性の誘電体３２が装着される。誘電体
３２はアルミニウム酸化物を主成分とする焼結体などて
形成され、比誘電率εｒは約６である。
【００５３】カソード電極４および誘電体３２はボルト
５１によってチャンバ１に着脱自在に取り付けられる。
ボルト５１は、誘電体３と同じ誘電体材料、または異な
る誘電体材料、たとえばフッ素樹脂などで形成されてい
る。カソード電極４にはインピーダンス整合用のマッチ
ングボックス７を介して、高周波電力を供給する高周波
電源８が接続される。
５１によってチャンバ１に着脱自在に取り付けられる。
ボルト５１は、誘電体３と同じ誘電体材料、または異な
る誘電体材料、たとえばフッ素樹脂などで形成されてい
る。カソード電極４にはインピーダンス整合用のマッチ
ングボックス７を介して、高周波電力を供給する高周波
電源８が接続される。
【００５４】カソード電極４の背面を覆うようにシール
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
ド６が設けられ、シールド６およびチャンバ１は接地さ
れる。アノード電極２も導電性の支持部材２ａを介して
チャンバ１に固定され、接地電位に保持される。
【００５５】ここで、カソード電極４の寸法を１２００
ｍｍ角とし、εｒ＝６、ｆ＝５４．２４ＭＨｚを式
（１）に代入すると、距離ｄ≧２４ｍｍが得られる。そ
こで、図５において、カソード電極４とチャンバ１との
水平距離Ａを２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とチャ
ンバ１との垂直距離Ｄを２５ｍｍとして装置を組み立て
た。カソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高
周波電力を供給し、アノード電極２とカソード電極４と
の間の電界強度分布を高周波プローブを用いて測定した
ところ、電界分布の不均一性は±３．１％となった。
ｍｍ角とし、εｒ＝６、ｆ＝５４．２４ＭＨｚを式
（１）に代入すると、距離ｄ≧２４ｍｍが得られる。そ
こで、図５において、カソード電極４とチャンバ１との
水平距離Ａを２５ｍｍ、カソード電極４の外周部とチャ
ンバ１との垂直距離Ｄを２５ｍｍとして装置を組み立て
た。カソード電極４に周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高
周波電力を供給し、アノード電極２とカソード電極４と
の間の電界強度分布を高周波プローブを用いて測定した
ところ、電界分布の不均一性は±３．１％となった。
【００５６】このように本発明においてカソード電極４
の固定構造として、チャンバ１との間に誘電体３２を介
在させて、誘電体材料から成るボルト５１で締結するこ
とによって、電極周辺での浮遊容量が減少し、電界分布
の不均一性が少なくなり、高周波化によるプラズマ生成
を実現できる。また、ボルト締結によってカソード電極
４の着脱が容易になり、メンテナンス性が向上する。
の固定構造として、チャンバ１との間に誘電体３２を介
在させて、誘電体材料から成るボルト５１で締結するこ
とによって、電極周辺での浮遊容量が減少し、電界分布
の不均一性が少なくなり、高周波化によるプラズマ生成
を実現できる。また、ボルト締結によってカソード電極
４の着脱が容易になり、メンテナンス性が向上する。
【００５７】なお、カソード電極４の形状は正方形のも
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
のを用いたが、長方形、円形、楕円形のものでも構わな
い。
【００５８】図９は、本発明に係る容量結合型プラズマ
装置を用いて製造可能な電子デバイスの一例を示す構成
図である。ここでは、薄膜太陽電池を例として説明す
る。
装置を用いて製造可能な電子デバイスの一例を示す構成
図である。ここでは、薄膜太陽電池を例として説明す
る。
【００５９】厚さ約１ｍｍのガラスから成る基板１０１
の上に、スパッタリング法を用いてＺｎＯから成る透明
電極１０２を膜厚約１μｍに形成する。
の上に、スパッタリング法を用いてＺｎＯから成る透明
電極１０２を膜厚約１μｍに形成する。
【００６０】次に図１に示した容量結合型プラズマ装置
を用いて、透明電極１０２の上にボロンをドーピングし
たｐ型の非晶質シリコン薄膜１０３を膜厚約３００Åに
形成し、その上にノンドープのｉ型の非晶質シリコン薄
膜１０４を膜厚約３０００Åに形成し、その上にリンを
ドーピングしたｎ型の非晶質シリコン薄膜１０５を膜厚
約３００Åに形成する。
を用いて、透明電極１０２の上にボロンをドーピングし
たｐ型の非晶質シリコン薄膜１０３を膜厚約３００Åに
形成し、その上にノンドープのｉ型の非晶質シリコン薄
膜１０４を膜厚約３０００Åに形成し、その上にリンを
ドーピングしたｎ型の非晶質シリコン薄膜１０５を膜厚
約３００Åに形成する。
【００６１】次にスパッタリング法を用いて、薄膜１０
５の上にＡｇから成る裏面電極１０６を膜厚約３０００
Åに形成する。裏面電極１０６は、電力を取り出すだけ
でなく、光電変換層となる薄膜１０３〜１０５を透過し
た光を反射して、発電効率を改善する役割も有する。
５の上にＡｇから成る裏面電極１０６を膜厚約３０００
Åに形成する。裏面電極１０６は、電力を取り出すだけ
でなく、光電変換層となる薄膜１０３〜１０５を透過し
た光を反射して、発電効率を改善する役割も有する。
【００６２】図１に示す容量結合型プラズマ装置におい
て、６５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基板を２枚同時に
セットできる試料ホルダをアノード電極２に装着して、
周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高周波電力を供給して、
非晶質シリコン薄膜１０３〜１０５を製膜した。
て、６５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基板を２枚同時に
セットできる試料ホルダをアノード電極２に装着して、
周波数ｆ＝５４．２４ＭＨｚの高周波電力を供給して、
非晶質シリコン薄膜１０３〜１０５を製膜した。
【００６３】ｐ型非晶質シリコン薄膜１０３の製膜条件
は、ガス流量：ＳｉＨ4 50sccm, Ｈ 2 500sccm, Ｂ2Ｈ6
／Ｈ2（２％） 100sccm、基板温度：200℃、高周波電
力：0.07W/cm2、ガス圧力：133Pa とした。
は、ガス流量：ＳｉＨ4 50sccm, Ｈ 2 500sccm, Ｂ2Ｈ6
／Ｈ2（２％） 100sccm、基板温度：200℃、高周波電
力：0.07W/cm2、ガス圧力：133Pa とした。
【００６４】ｉ型非晶質シリコン薄膜１０４の製膜条件
は、ガス流量：ＳｉＨ4 1100sccm,Ｈ2 1500sccm、基板
温度：200℃、高周波電力：0.2W/cm2、ガス圧力：40Pa
とした。
は、ガス流量：ＳｉＨ4 1100sccm,Ｈ2 1500sccm、基板
温度：200℃、高周波電力：0.2W/cm2、ガス圧力：40Pa
とした。
【００６５】ｎ型非晶質シリコン薄膜１０５の製膜条件
は、ガス流量：ＳｉＨ4 100sccm,Ｈ2 1200sccm, ＰＨ3
／Ｈ2（２％） 100sccm、基板温度：200℃、高周波電
力：0.03W/cm2、ガス圧力：133Pa とした。
は、ガス流量：ＳｉＨ4 100sccm,Ｈ2 1200sccm, ＰＨ3
／Ｈ2（２％） 100sccm、基板温度：200℃、高周波電
力：0.03W/cm2、ガス圧力：133Pa とした。
【００６６】６５０ｍｍ×５５０ｍｍのガラス基板で
は、５０ｍｍ×５０ｍｍの太陽電池セルを９個×７個＝
６３個作製できる。
は、５０ｍｍ×５０ｍｍの太陽電池セルを９個×７個＝
６３個作製できる。
【００６７】図１０は、６３個の太陽電池セルについて
光電変換効率の統計分布を示すグラフである。図１１
は、図３の比較例における装置構成を用いて製造した６
３個の太陽電池セルについて光電変換効率の統計分布を
示すグラフである。横軸は６３個の光電変換効率の平均
値で規格化した光電変換効率であり、縦軸は度数（個）
である。
光電変換効率の統計分布を示すグラフである。図１１
は、図３の比較例における装置構成を用いて製造した６
３個の太陽電池セルについて光電変換効率の統計分布を
示すグラフである。横軸は６３個の光電変換効率の平均
値で規格化した光電変換効率であり、縦軸は度数（個）
である。
【００６８】図１０のグラフを見ると、標準偏差の小さ
い分布を示しているのに対して、図１１のグラフでは光
電変換効率のばらつきが大きいことが判る。したがっ
て、大型の基板面積を有する液晶ディスプレイや太陽電
池などの電子デバイスにおいて、均一な膜厚を容易に製
造できることが判明した。
い分布を示しているのに対して、図１１のグラフでは光
電変換効率のばらつきが大きいことが判る。したがっ
て、大型の基板面積を有する液晶ディスプレイや太陽電
池などの電子デバイスにおいて、均一な膜厚を容易に製
造できることが判明した。
【００６９】なお、ここではプラズマＣＶＤ法を用いて
非晶質シリコン薄膜を形成して太陽電池を製造する例を
説明したが、その他にプラズマエッチング法を用いて薄
膜をエッチング処理を行う場合も、高密度のプラズマを
広い面積で生成できるため、エッチング速度の向上やエ
ッチングの高品質化を図ることができる。
非晶質シリコン薄膜を形成して太陽電池を製造する例を
説明したが、その他にプラズマエッチング法を用いて薄
膜をエッチング処理を行う場合も、高密度のプラズマを
広い面積で生成できるため、エッチング速度の向上やエ
ッチングの高品質化を図ることができる。
【００７０】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、プ
ラズマ励起周波数を高くした場合でも、アノード電極と
カソード電極の間の電界分布を均一化できるため、広い
面積に渡って均一なプラズマを得ることができる。
ラズマ励起周波数を高くした場合でも、アノード電極と
カソード電極の間の電界分布を均一化できるため、広い
面積に渡って均一なプラズマを得ることができる。
【００７１】その結果、基板に薄膜を形成する場合、製
膜速度の向上や堆積膜の高品質化を図ることができる。
エッチング処理を行う場合は、エッチング速度の向上や
エッチングの高品質化を図ることができる。
膜速度の向上や堆積膜の高品質化を図ることができる。
エッチング処理を行う場合は、エッチング速度の向上や
エッチングの高品質化を図ることができる。
【００７２】また、電極周辺に複雑な電気回路を設ける
必要がないため、装置の小型化が図られる。
必要がないため、装置の小型化が図られる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明に係る電界強度分布の測定結果を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】比較例における電界強度分布の測定結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】本発明の第２実施形態を示す構成図である。
【図５】本発明の第３実施形態を示す構成図である。
【図６】電界分布の不均一性とＬ／λとの関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図７】電界分布の不均一性と高周波電力の周波数ｆと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図８】ｄ／εｒと許容周波数ｆとの相関関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図９】本発明に係る容量結合型プラズマ装置を用いて
製造可能な電子デバイスの一例を示す構成図である。
製造可能な電子デバイスの一例を示す構成図である。
【図１０】６３個の太陽電池セルについて光電変換効率
の統計分布を示すグラフである。
の統計分布を示すグラフである。
【図１１】図３の比較例における装置構成を用いたとき
の光電変換効率の統計分布を示すグラフである。
の光電変換効率の統計分布を示すグラフである。
１ チャンバ ２ アノード電極 ２ａ 支持部材 ３，３１，３２ 誘電体 ４ カソード電極 ５，５１ ボルト ６ シールド ７ マッチングボックス ８ 高周波電源 １０ 接着剤
Claims (6)
- 【請求項１】 チャンバ内に対向配置されたアノード電
極およびカソード電極の間に高周波電力を印加して、プ
ラズマを生成する容量結合型プラズマ装置において、 カソード電極は接地電位部から誘電体によって電気絶縁
され、 カソード電極の長手寸法Ｌ（ｍｍ）、誘電体の比誘電率
εｒ、高周波電力の周波数ｆ（ＭＨｚ）、カソード電極
と接地電位部との距離ｄ（ｍｍ）が、 Ｌ／２ ≧ ｄ ≧ ０．０７３７ × ｆ × εｒ …(1) を満たすことを特徴とする容量結合型プラズマ装置。 - 【請求項２】 カソード電極は接着剤によって誘電体に
固定され、誘電体は接着剤によって接地電位部に固定さ
れることを特徴とする請求項１記載の容量結合型プラズ
マ装置。 - 【請求項３】 カソード電極は、誘電体製のボルトによ
って誘電体製の支持体を介して接地電位部に固定される
ことを特徴とする請求項１記載の容量結合型プラズマ装
置。 - 【請求項４】 高周波電力の波長λを用いて、カソード
電極の長手寸法Ｌは、 λ／８ ≦ Ｌ ≦ λ／２ を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記
載の容量結合型プラズマ装置。 - 【請求項５】 高周波電力の周波数ｆは、３０ＭＨｚ〜
１９０ＭＨｚの範囲内に設定されることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の容量結合型プラズマ装
置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の容量結
合型プラズマ装置を用いて、基板に対して薄膜形成また
はエッチング処理を行うことを特徴とする電子デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211354A JP2002025919A (ja) | 2000-07-12 | 2000-07-12 | 容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法 |
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Publications (1)
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| JP (1) | JP2002025919A (ja) |
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