TW201635370A - 遮蔽環及基板載置台 - Google Patents

Abstract

提供較以往高壽命之遮蔽環及使用此之基板載置台。 在對基板施予電漿處理之腔室內載置基板，且具有被施加高頻電力之金屬製之基材及被設置在其上方之基板載置部的基板載置台中，被配置在基材及基板載置部之周圍的絕緣性之遮蔽環係組合複數之構成構件而構成，各構成構件具有被安裝於基材之下層部，和被設置成覆蓋下層部之上方的上層部，且上層部被設置成能反轉。

Description

遮蔽環及基板載置台

本發明係關於進行電漿蝕刻等之電漿處理的電漿處理裝置之基板載置台所使用的遮蔽環、使用如此之遮蔽環的基板載置台。

在平板面板顯示器(FPD)之製造過程中，對被處理基板，多使用蝕刻、濺鍍、CVD(化學氣相沉積)等之電漿處理。在進行電漿處理之電漿處理裝置中，於在被設置在處理腔室內之基板載置台載置基板之狀態下生成電漿，藉由其電漿對基板施予特定之電漿處理。

在如此之電漿處理裝置中，載置被處理基板之基板載置台具備當作被施加用以生成電漿之高頻電力之下部電極而揮發揮功能之基材，和被設置在基材之周圍的遮蔽環。該遮蔽環係為了提升電漿之聚焦性及絕緣高頻電力而設置，以氧化鋁等之絕緣性陶瓷所形成，被配置成與基材相接。

FPD基板為矩形狀且大型，作為遮蔽環，提案有在與基板對應之矩形狀之基板載置台之周圍設置成框邊 狀，並且分割成複數之構成構件的分割型(例如，專利文獻1)。再者，在專利文獻2中，揭示有用以防止藉由構成基板遮蔽環之陶瓷和構成基板載置台之基材的金屬之熱膨脹差而形成間隙等的技術。

在上述專利文獻1及2之技術中，因藉由對基板載置台施加高頻電力，遮蔽環被電漿侵蝕，故在遮蔽環被侵蝕特定量以上之時點，需要更換遮蔽環。

再者，也知有將遮蔽環設成上下兩層構造，使能夠分離的技術(專利文獻3)。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2003-243364號公報

[專利文獻2]日本特開2013-46002號公報

[專利文獻3]日本特開平10-64989號公報

然而，遮蔽環被電漿侵蝕之部位集中在基板附近部分，在僅基板附近部分局部性地侵蝕特定量以上之時點，在上述專利文獻1及2之技術中，需要更換遮蔽環全體，在上述專利文獻3之技術中，必須更換遮蔽環之上部。

但是，遮蔽環價格高，即使如引用文獻3般 僅更換上部價格也高，期待盡量增長遮蔽環之壽命使低價格化。

因此，本發明係以提供較以往高壽命之遮蔽環及使用此之基板載置台為課題。

為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種遮蔽環，其係在對基板施予電漿處理之腔室內載置基板，且具有被施加高頻電力之金屬製之基材及被設置在其上方之基板載置部的基板載置台中，被配置在上述基材及上述基板載置部之周圍的絕緣性之遮蔽環，其特徵在於：組合複數之構成構件而構成，各構成構件具有被安裝於上述基材之下層部，和被設置成覆蓋上述下層部之上方的上層部，上述上層部被設置成能反轉。

本發明之第2觀點係提供一種基板載置台，其係在對基板施予電漿處理之腔室內載置基板之基板載置台，其特徵在於：具有：被施加高頻電力之金屬製之基材，和被設置在上述基材之上方的基板載置部，和被配置在上述基材及上述基板載置部之周圍的絕緣性遮蔽環，上述遮蔽環具有上述第1觀點之構成。

上述遮蔽環以由絕緣性陶瓷所構成為佳。此時，即使上述上層部和上述下層部以相同材料構成亦可，以不同材料構成亦可。

上述上層部可以設為能表背反轉，或面內反 轉，或者表背反轉及面內反轉。

可以設置成上述構成構件之上述下層部被螺絲固定在上述基材，上述上層部覆蓋上述被螺絲固定之部分。再者，以構成上述構成構件之上述下層部具有定位上述上層部之定位銷，上述上層部具有上述定位銷被插入之定位用孔，並且，上述上層部於進行特定反轉之時，在上述定位銷被插入之位置形成其他定位用孔為佳。

可以設為上述基板構成矩形狀，上述遮蔽環構成框邊狀。此時，上述構成構件可以設成框邊狀之構成長邊之長邊構件及構成短邊之短邊構件，再者，可以設為將框邊狀之構成長邊的長邊構件及構成短邊之短邊構件分割成複數。於該些情況，上述長邊構件及上述短邊構件之下層構件可以設成具有被拘束之一端和屬於自由端之另一端，且藉由熱以上述一端作為基準而容許另一端側之熱膨脹的構成。

而且，此時，以設成上述長邊構件及上述短邊構件之下層部具有用以定位上層部之定位銷及被設置成追隨熱變形之熱變形追隨銷，上述長邊構件及上述短邊構件之上層部具有上述定位銷被插入之定位銷用孔及上述熱變形追隨銷被插入之長孔形狀之熱變形追隨用孔，並且，上述上層部於進行特定反轉之時，在上述定位銷及上述熱變形追隨銷被插入之位置形成其他定位用孔及其他熱變形追隨用孔之構成為佳。

在本發明中，因具有構成遮蔽環之各構成構件被安裝在基材之下層部，和被設置成覆蓋下層部之上方的上層部，設置成能使上層部反轉，故可以變更上層部之被電漿侵蝕之部位，可以增長遮蔽環之壽命。

1‧‧‧電漿蝕刻裝置(電漿處理裝置)

2‧‧‧腔室(處理容器)

3‧‧‧基板載置台

4‧‧‧絕緣板

5‧‧‧基材

6‧‧‧載置部

7‧‧‧遮蔽環

14‧‧‧高頻電源

20‧‧‧噴淋頭

25‧‧‧處理氣體供給管

28‧‧‧處理氣體供給源

29‧‧‧排氣管

30‧‧‧排氣裝置

31‧‧‧搬入搬出口

40‧‧‧控制部

71‧‧‧上層

72‧‧‧下層

73‧‧‧長邊構件

73a‧‧‧第1長邊構件

73b‧‧‧第2長邊構件

74‧‧‧短邊構件

74a‧‧‧第1短邊構件

74b‧‧‧第2短邊構件

75‧‧‧凹部

76‧‧‧螺絲孔

77‧‧‧螺絲

78‧‧‧定位銷

79‧‧‧定位用孔

80‧‧‧消耗部

81‧‧‧孔塞構件

90‧‧‧螺絲固定部

91‧‧‧凹部

92‧‧‧螺絲孔

93‧‧‧螺絲

95、101‧‧‧連結構件

96‧‧‧定位銷

97‧‧‧熱變形追隨銷

98‧‧‧定位用孔

99‧‧‧熱變形追隨用孔

711‧‧‧長邊上層部

711a‧‧‧第1長邊上層部

711b‧‧‧第2長邊上層部

712a‧‧‧第1短邊上層部

712b‧‧‧第2短邊上層部

721a‧‧‧第1長邊下層部

721b‧‧‧第2長邊下層部

722a‧‧‧第1短邊下層部

722b‧‧‧第2短邊下層部

G‧‧‧基板

圖1為表示作為本發明能適用之電漿處理裝置的電漿蝕刻裝置之剖面圖。

圖2為表示安裝與本發明之第1實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的部分剖面圖。

圖3為表示安裝與本發明之第1實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的俯視圖。

圖4為表示構成遮蔽環之長邊構件及短邊構件的斜視圖。

圖5為用以說明使長邊上層部及短邊上層部表背反轉之時的斜視圖。

圖6為用以說明使長邊上層部及短邊上層部面內反轉之時的斜視圖。

圖7為用以說明遮蔽環之表面被電漿蝕刻侵蝕之狀態的基板載置台之部分剖面圖及部分俯視圖。

圖8為用以說明使長邊上層部表背反轉之例的基板載置台之部分剖面圖。

圖9為用以說明使長邊上層部面內反轉之例的基板載置台之部分剖面圖。

圖10為用以說明使長邊上層部表背反轉及面內反轉之例的基板載置台之部分剖面圖。

圖11為表示以長邊上層部覆蓋長邊下層部之螺絲固定部分之狀態的基板載置台之部分剖面圖。

圖12為表示將能面內反轉之長邊上層部定位在長邊下層部之上的狀態之一例的剖面圖。

圖13為表示將能表背反轉之長邊上層部定位在長邊下層部之上的狀態之一例的剖面圖。

圖14為表示將能表背反轉之長邊上層部定位在長邊下層部之上的狀態之其他例的剖面圖。

圖15為表示安裝與本發明之第2實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的俯視圖。

圖16為表示構成遮蔽環之長邊構件之第1長邊構件及第2長邊構件的斜視圖。

圖17為表示構成遮蔽環之短邊構件之第1短邊構件及第2短邊構件的斜視圖。

圖18為表示安裝與本發明之第3實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的部分縱剖面圖。

圖19為依圖18之E-E線的水平剖面圖。

圖20為表示安裝與本發明之第3實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的俯視圖。

圖21為表示在本發明之第3實施型態中能面內反轉 之第1長邊上層部及第1短邊上層部之下面的圖示。

圖22為表示在本發明之第3實施型態中能面內反轉之第2長邊上層部及第2短邊上層部之下面的圖示。

圖23為表示在本發明之第3實施型態中能表背反轉之第1長邊上層部及第1短邊上層部之下面的圖示。

圖24為表示在本發明之第3實施型態中能表背反轉及面內反轉之第1長邊上層部及第1短邊上層部之下面的圖示。

圖25為表示與本發明之第3實施型態之變形例有關之遮蔽環之上層之構成的俯視圖，及表示長邊構件和短邊構件之側面圖。

圖26為在與本發明之第3實施型態之變形例有關之遮蔽環中，用以說明第1長邊上層部及第2長邊上層部之表背反轉之手法的圖示。

以下，參照附件圖面針對本發明之實施型態予以說明。

〔電漿處理裝置〕

首先，作為本發明能適用之電漿處理裝置之一例，以電漿蝕刻裝置為例進行說明。

圖1為表示作為本發明能適用之電漿處理裝置的電漿蝕刻裝置之剖面圖。

如圖1所示般，該電漿蝕刻裝置1係以對FPD用之玻璃基板(以下，僅記載成「基板」)G進行蝕刻之電容耦合型電漿蝕刻裝置而構成。就以FPD而言例示有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，電漿顯示面板(PDP)等。

電漿蝕刻裝置1具備當作收容屬於被處理基板之基板G的處理容器的腔室2。腔室2係由例如表面被氧皮鋁處理(陽極氧化處理)之鋁所構成，對應於基板G之形狀而被形成四角筒形狀。

腔室2內之底部隔著由絕緣材所構成之絕緣板4設置有當作下部電極而發揮功能之基板載置台3。基板載置台3具備：具有被形成在上部之中央部的凸部5a及凸部5a之周圍之凸緣部5b的由金屬例如鋁所構成之基材5；被設置在凸部5a之上方，具有基板G之載置面的載置部6；被設置在載置部6及基材5之凸部5a之周圍的絕緣性遮蔽環7；及被設在基材5之凸緣部5b之周圍的絕緣環8。

載置部6具有以氧化鋁等之絕緣陶瓷所構成之陶瓷熔射皮膜6a，和被埋設在其內部之電極6b，構成靜電夾具。電極6b經供電線33連接直流電源34，藉由來自該直流電源34之直流電壓靜電吸附玻璃基板G。

在基材5連接有用以供給高頻電力之供電線12，在該供電線12連接有匹配器13及高頻電源14。從高頻電源14供給例如13.56MHz之高頻電力至基板載置 台3之基材5。依此，基板載置台3係當作下部電極而發揮功能。

以貫通腔室2之底壁、絕緣板4及基板載置台3之方式，用以進行玻璃基板G朝其上方之裝載及卸載之複數升降銷10能夠升降地被插通。該升降銷10係於搬運基板G之時，上升至基板載置台3之上方之搬運位置，除此之外之時，成為沉沒在基板載置台3內之狀態。

在腔室2之上部，以與基板載置台3相向之方式設置有對腔室2內供給處理氣體並且當作上部電極而發揮功能之噴淋頭20。噴淋頭20係在內部形成有使處理氣體擴散之氣體擴散空間21，並且在與基板載置台3的對向面形成有吐出處理氣體之複數吐出孔22。該噴淋頭20被接地，與基板載置台3一起構成一對平行平板電極，能夠生成電容耦合型之電漿。

在噴淋頭20之上面設置氣體導入口24，在該氣體導入口24連接有處理氣體供給管25，該處理氣體供給管25被連接於處理氣體供給源28。再者，在處理氣體供給管25間存在開關閥26及質量流量控制器27。自處理氣體供給源28供給電漿處理例如電漿蝕刻用之處理氣體。作為處理氣體可以使用鹵系之氣體、O₂氣體、Ar氣體等，通常在該領域所使用之氣體。

腔室2之底壁連接有複數之排氣管29(僅圖示兩個)，在該排氣管29連接排氣裝置30，並且設置有無圖示之壓力調整閥。排氣裝置30具備有渦輪式分子泵 等之真空泵，依此，構成可將腔室2內排氣而能夠抽真空至特定減壓氛圍。

在腔室2之側壁形成用以將基板G搬入搬出之搬入搬出口31，並且設置有將該搬入搬出口31予以開關之閘閥32，被構成於搬入搬出口31之開放時，基板G藉由無圖示之搬運手段被搬入至腔室2內，或是被搬出至腔室2外。

再者，電漿蝕刻裝置1具備用以控制電漿裝置1之各構成部之具有備有微處理器(電腦)之製程控制器之控制部40。控制部40更具有記憶部和使用者介面，該記憶部儲存有用以在製程控制器之控制下實現在電漿蝕刻裝置1中被實行之各種處理的控制程式，或用以因應處理條件使電漿處理裝置之各構成部實行處理之程式即是處理配方；該使用者介面係由藉由操作者進行用以管理電漿蝕刻裝置1之指令輸入等之輸入操作之鍵盤，和將電漿蝕刻裝置1之運轉狀況可視化而予以顯示之顯示器等所構成。處理配方係被記憶於記憶部之中的記憶媒體。記憶媒體即使為內藏在電腦之硬碟或半導體記憶體亦可，即使為CDROM、DVD、快閃記憶體等之可搬運性者亦可。再者，即使自其他裝置經例如專用線路適當傳送配方亦可。然後，依其所需，以來自使用者介面之指示等自記憶部叫出任意之處理配方，使製程控制器實行，依此，在製程控制器之控制下，執行在電漿蝕刻裝置之期待的處理。

接著，針對如此所構成之電漿蝕刻裝置1中 之處理動作予以說明。

首先，開啟閘閥32，將基板G藉由搬運臂(無圖示)經搬入搬出口31搬入至腔室2內，載置在構成基板載置台3之靜電夾具之載置部6上。具體而言，使升降銷10突出至上方而位於支撐位置，且將搬運臂上之基板G交接至升降銷10上，之後使升降銷10下降而將基板G載置在構成基板載置台3之靜電夾具之載置部6上。

之後，關閉閘閥32，開放開關閥26，藉由質量流量控制器27調整其流量，同時通過處理氣體供給管25、氣體導入口24而將處理氣體從處理氣體供給源28導入至噴淋頭20之內部之氣體擴散空間21，並通過吐出孔22而對基板G均勻吐出，一邊調節排氣量一邊將腔室2內控制成特定壓力。接著，藉由從直流電源34對載置部6之電極6b施加電壓，靜電吸附基板G。

在該狀態下自高頻電源14經匹配器13將電漿生成用之高頻電力施加至基板載置台3之基材5，使在當作下部電極之基板載置台3和當作上部電極之噴淋頭20之間產生高頻電場，而產生處理氣體之電漿，藉由該電漿對基板G施予電漿處理。

〔遮蔽環之第1實施型態〕

接著，針對基板載置台3所使用之遮蔽環之第1實施型態，參照圖2~14，進行說明。

圖2為表示安裝與本發明之第1實施型態有關之遮蔽 環之基板載置台的剖面圖，圖3係其俯視圖。

本實施型態之遮蔽環7構成被固定在基材5之下層72、被設置在下層72上之上層71之兩層構造，並且組合與基板G之長邊對應之兩個長邊構件73及與基板G之短邊對應之兩個短邊構件74而形成框邊狀。上層71具有從蝕刻保護下層72之功能，被形成較下層72薄。

如圖4(a)所示般，長邊構件73藉由成為上層71之一部分的長邊上層部711，和成為下層72之一部分的長邊下層部721而構成，全體構成長方體狀。再者，如圖4(b)所示般，短邊構件74藉由成為上層71之一部分的短邊上層部712，和成為下層72之一部分的短邊下層部722而構成，全體構成長方體狀。

長邊構件73彼此及短邊構件74彼此具有相同長度，兩個長邊構件73及兩個短邊構件74被配置成相對於基板載置台3之中心線成為旋轉對稱。

長邊構件73之長邊下層部721及短邊構件74之短邊下層部722係藉由螺絲被固定在基材5而構成下層72，在該些長邊下層部721及短邊下層部722上分別定位長邊上層部711及短邊上層部712而構成上層71。

長邊上層部711及短邊上層部712分別被構成能反轉。作為長邊上層部711及短邊上層部712之反轉的態樣，如圖5所示般，可以舉出使上面A和下面B表背反轉者。此時，長邊上層部711及短邊上層部712相對 於圖5之X方向(長邊方向)之中心軸O1或Y方向(寬方向)之中心軸O2被構成軸對稱。再者，如圖6所示般，可以舉出使外側面C和外側面D面內反轉者。此時，長邊上層部711及短邊上層部712相對於圖6之Z方向(厚度方向)之中心軸O3被構成軸對稱。再者，即使能表背反轉及面內反轉之雙方亦可。

遮蔽環7係由電漿耐性高之氧化鋁(Al₂O₃)等之絕緣性陶瓷所構成。上層71和下層72即使由相同材料所構成亦可，即使由不同之材料所構成亦可。就以不同材料構成之情形，可以舉出由於上層71為預定由電漿消耗的構件，故上層71使用較下層72便宜之材料的情形。再者，即使將上層71當作由與基板G之蝕刻對象層相同之材料所構成之犧牲材使用，降低在基板端部之負載效果亦可。作為此情形之例，可以舉出蝕刻對象層為氮化矽(SiN)之時，以氮化矽構成上層71，以氧化鋁構成下層72。

在安裝如此構成之遮蔽環7之狀態下，對基板載置台3之基材5施加高頻電力，對被載置在基板載置台3之基板G進行屬於電漿處理的電漿蝕刻之時，藉由高頻偏壓，電漿中之離子被拉入基板G，電漿中之離子也作用於遮蔽環7之基板G之附近部分。因此，如圖7(a)、(b)所示般，遮蔽環7之表面之基板G附近部分被電漿侵蝕，形成消耗部80。以往當如此之消耗部超過容許之大小或深度時，更換遮蔽環7。對此，在本實施型 態中，因將遮蔽環7設為上層71和下層72之二層構造，分別以長邊上層部711和長邊下層部721，及短邊上層部712和短邊下層部722構成構成遮蔽環7之長邊構件73及短邊構件74(在圖7中，僅圖示長邊構件73)，且將長邊上層部711及短邊上層部712設為能反轉，故可以使無產生消耗之部分位於遮蔽環7表面之基板附近，且可以延長遮蔽環7之壽命。

例如，於長邊上層部711及短邊上層部712能表背反轉之時，當消耗部80到達極限的大小或深度時，如圖8所示般，藉由使長邊上層部711及短邊上層部712(僅圖示長邊上層部711)表背反轉而將消耗部80設為下面側，可以進一步使用長邊上層部711及短邊上層部712，並可以將壽命延長至兩倍。

同樣，於長邊上層部711及短邊上層部712能面內反轉之時，當消耗部80到達極限的大小或深度時，如圖9所示般，藉由使長邊上層部711及短邊上層部712(僅圖示長邊上層部711)面內反轉而將消耗部80設為表面外側，可以進一步使用長邊上層部711及短邊上層部712，並可以將壽命延長至兩倍。

再者，於長邊上層部711及短邊上層部712能表背反轉及面內反轉之雙方之時，當以長邊上層部711為例時，例如成為圖10所示般。即是，當藉由第1次使用，消耗部80到達極限之大小或深度時，如圖10(a)所示般，使面內反轉(第1次之反轉)，供給第2次之使 用。當藉由第2次使用，消耗部80到達極限之大小或深度時，如圖10(b)所示般，使表背反轉(第2次之反轉)，供給第3次之使用。當藉由第3次使用，消耗部80到達極限之大小或深度時，如圖10(c)所示般，使面內反轉(第3次之反轉)，供給第4次之使用。依此，可以將壽命延長至4倍。短邊上層部712也相同。

再者，如上述專利文獻2般，於用以將遮蔽環螺絲固定在基材之凹部被形成在遮蔽環之上面之時，遮蔽環表面成為具有凹凸之形狀，容易產生電漿所致之微粒，但是因在本實施型態中，將構成下層72之長邊下層部721及短邊下層部722螺絲固定在基材5，且在其上方安裝構成上層71之長邊上層部711及短邊上層部712，故可以使遮蔽環7之表面平坦，且可以抑制微粒之產生。具體而言，當以長邊構件73為例時，如圖11所示般，在構成下層72之長邊下層部721之上面形成由魚眼坑所生成的凹部75，在其凹部75之底部形成貫通至基材5之螺絲孔76，在其部分長邊下層部721藉由螺絲77被固定在基材5。而且，藉由如此般在長邊下層部721之上方安裝長邊上層部711，凹部75被長邊上層部711覆蓋，可以將遮蔽環7之表面設為不存在凹凸之平坦之長邊上層部711之表面。因此，可以抑制微粒之產生，可以提升生產性。

再者，長邊上層部711及短邊上層部712之定位可以使用定位銷來進行。具體而言，當以長邊構件 73為例時，如圖12所示般，在長邊下層部721之上面以突出至上方之方式設置定位銷78，在與長邊上層部711之下面之定位銷78對應之部分藉由魚眼坑設置定位用孔79，且將定位銷78插入定位用孔79，藉此，可以定位長邊上層部711。定位銷78被設置在例如長邊下層部721之長邊方向端部之兩處，於將長邊上層部711設為能面內反轉之時，或於在從中心線偏離之位置設置定位銷78及定位用孔79，使長邊上層部711面內反轉之時，以定位用孔79來到與定位銷78對應之位置之方式，在長邊上層部711之下面對稱地配置4個定位用孔79。再者，於將長邊上層部711設為能表背反轉及面內反轉之時，如圖13所示般，也在長邊上層部711之上面的與下面對應之位置設置定位用孔79，使成為也在進行表背旋轉之時，定位用孔79來到與定位銷78對應之部分。此時，為了極力抑制電漿之影響，長邊上層部711之表面之定位用孔79設為利用與長邊上層部711相同之材料之孔塞構件81來封閉為佳。再者，如圖14所示般，即使對稱地形成貫通孔之定位用孔82來取代在表背形成定位用孔79亦可。此時，必須以電漿不會通過貫通孔之定位用孔82到達至下層72之方式，以孔塞構件81至少封閉定位用孔82之表面部分。再者，如圖示般，不使用之定位用孔82之背面側也利用孔塞構件81來封閉為佳。短邊構件74也相同。

〔遮蔽環之第2實施型態〕

接著，針對基板載置台3所使用之遮蔽環之第2實施型態，參照圖15~17，進行說明。

圖15為表示安裝與本發明之第2實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的俯視圖。

第2實施型態之遮蔽環7表示將長邊構件73及短邊構件74進行2分割之例。因當基板G之一邊之長度成為3m左右時，遮蔽環7成為極大者，故在本實施型態中，為了對應此情形，將長邊構件73及短邊構件74進一步予以2分割。

在本實施型態之遮蔽環7中，長邊構件73被分割成第1長邊構件73a及第2長邊構件73b，短邊構件74被分割成第1短邊構件74a及第2短邊構件74b。

而且，如圖16(a)所示般，第1長邊構件73a係藉由第1長邊上層部711a和第1長邊下層部721a構成，全體成為長方體狀。再者，如圖16(b)所示般，第2長邊構件73b係藉由第2長邊上層部711b和第2長邊下層部721b構成，全體成為長方體狀。

如圖17(a)所示般，第1短邊構件74a係藉由第1短邊上層部712a和第1短邊下層部722a構成，全體成為長方體狀。再者，如圖17(b)所示般，第2短邊構件74b係藉由第2短邊上層部712b和第2短邊下層部722b構成，全體成為長方體狀。

第1長邊構件73a和第2長邊構件73b及第1 短邊構件74a和第2短邊構件74b以具有相同長度為佳。依此，亦可更換第1長邊構件73a和第2長邊構件73b，及第1短邊構件74a和第2短邊構件74b。

第1長邊構件73a之第1長邊下層部721a、第2長邊構件73b之第2長邊下層部721b、第1短邊構件74a之第1短邊下層部722a及第2短邊構件74b之第2短邊下層部722b，藉由螺絲被固定在基材5而構成下層72，在該些第1長邊下層部721a、第2長邊下層部721b、第1短邊下層部722a及第2短邊下層部722b之上方分別定位第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b而構成上層71。

第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b分別構成能反轉。該些可以與第1實施型態之長邊上層部711及短邊上層部712完全相同構成能表背反轉或面內反轉，亦可構成能表背反轉及面內反轉之雙方。

如上述般，在第2實施型態中，藉由使第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b如此地反轉，可以與第1實施型態相同，將遮蔽環7之壽命延長至2倍或4倍。

再者，因分別以第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b覆蓋形成有螺絲固定用之凹部的第1長邊下層部 721a、第2長邊下層部721b、第1短邊下層部722a及第2短邊下層部722b，故可以使遮蔽環7之表面成為不存在凹凸之平坦之表面。因此，可以抑制微粒之產生，可以提升生產性。

並且，第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b之定位可以與第1實施型態之長邊上層部711及短邊上層部712完全相同地進行。

〔遮蔽環之第3實施型態〕

接著，針對基板載置台3所使用之遮蔽環之第3實施型態，參照圖18~24，進行說明。

本實施型態係針對考慮遮蔽環之熱變形所致之影響之例而進行說明。在本實施型態中，不僅基材5和遮蔽環7之間的熱膨脹差，也考慮遮蔽環7之上層71和下層72之熱膨脹差。

圖18為表示安裝與本發明之第3實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的部分縱剖面圖，圖19為圖18之E-E線的水平剖面圖，圖20為表示安裝與本發明之第3實施型態有關之遮蔽環之基板載置台的俯視圖。

第3實施型態之遮蔽環7與第2實施型態相同，長邊構件73被分割成第1長邊構件73a及第2長邊構件73b，短邊構件74被分割成第1短邊構件74a及第2短邊構件74b。圖19表示遮蔽環7之下層72之狀態，長 邊構件73之一端P(第1長邊構件73a之端部)被基材5拘束，長邊構件73之另一端Q(第2長邊構件73b之端部)成為自由端。再者，短邊構件74之一端R(第1短邊構件74a之端部)也被基材5拘束，短邊構件74之另一端S(第2短邊構件74b之端部)成為自由端。構成下層72之第1長邊下層部721a、第2長邊下層部721b、第1短邊下層部722a及第2短邊下層部722b藉由螺絲固定部90被固定在基材5上。螺絲固定部90具有藉由收容螺絲之頭部的魚眼坑所生成的凹部91，和由貫通至底部之長孔所構成之螺絲孔92，和被插入螺絲孔92而與基材5螺合之螺絲93。藉由螺絲孔92成為長孔，可以容許該些之長邊方向之熱膨脹。第1長邊下層部721a和第2長邊下層部721b具有上下重疊而構成的重疊構造，該些藉由連結構件95連結。再者，第1短邊下層部722a和第2短邊下層部722b也同樣具有重疊構造，同樣藉由連結構件95連結。因此，構成長邊構件73之第1長邊下層部721a及第2長邊下層部721b係在施加熱之情況下以一端P為基準而在另一端Q側熱膨脹，在被冷卻之時返回至原來的位置。且，構成短邊構件74之第1短邊下層部722a及第2短邊下層部722b係在施加熱之情況下以一端R為基準而在另一端S側熱膨脹，在被冷卻之時返回至原來的位置。因此，可以抑制藉由熱膨脹在基材5和遮蔽環7之間產生間隙之情形。

並且，在與遮蔽環7之角部對應之第2長邊 下層部721b和第1短邊下層部722a之間，第2短邊下層部722b和第1長邊下層部721a之間，也與第1長邊下層部721a和第2長邊下層部721b之間及第1短邊下層部722a和第2短邊下層部722b之間相同，具有上下重疊而構成的重疊構造。藉由如此般採取重疊構造，抑制由於長邊方向之熱膨脹所致間隙的影響。

再者，在第1長邊下層部721a之一端P之附近，第1短邊下層部722a之一端R之附近之長邊方向中心線之內側位置，以從表面突出至上方之方式，分別設置有用以定位第1長邊上層部711a、第1短邊上層部712a之定位銷96。再者，在與第1長邊下層部721a之另一端及第1短邊下層部722a之另一端之定位銷96對應之位置，以從表面突出至上方之方式，分別設置有追隨著第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a之熱變形的熱變形追隨銷97。並且，在第2長邊下層部721b及第2短邊下層部722b之兩端部，在與定位銷96對應之位置，以從表面突出至上方之方式，分別設置有追隨著第2長邊上層部711b及第2短邊上層部712b之熱變形的熱變形追隨銷97。

如圖20所示般，第1長邊上層部711a和第2長邊上層部711b，及第1短邊上層部712a和第2短邊上層部712b成為藉由連結構件101而被連結。而且，第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a被插入定位銷96及熱變形追隨銷97，一端側被定位，並且另一端側成為 能追隨長邊方向之熱變形。再者，第2長邊上層部711b及第2短邊上層部712b僅被插入熱變形追隨銷97成為兩端側能追隨熱變形。

因此，於遮蔽環7之上層71和下層72由不同材料所形成而具有熱膨脹差之時，可以抑制由於該些之間的熱膨脹差所致的熱變形。

於使第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a能面內反轉之時，如圖21所示般，在該些下面藉由魚眼坑於點對稱之位置上各形成兩個與定位銷96對應之形狀的定位用孔98及與熱變形追隨銷97對應的由長孔所構成之熱變形追隨用孔99。依此，即使在使第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a面內反轉之時，亦可以將定位銷96插入至定位用孔98，將熱變形追隨銷97插入至熱變形追隨用孔99，定位第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a使得追隨著長邊方向之熱變形。

再者，於使第2長邊上層部711b及第2短邊上層部712b能面內反轉之時，如圖22所示般，在該些下面，藉由兩個魚眼坑在兩端部與熱變形追隨銷97對應之位置形成由長孔所構成之熱變形追隨用孔99，且進一步在相對於該些兩個熱變形追隨用孔99成為線對稱之位置上形成兩個熱變形追隨用孔99。依此，即使使第2長邊上層部711b及第2短邊上層部712b面內反轉之時，將熱變形追隨銷97插入至熱變形追隨用孔99，可以成為使第2長邊上層部711b和第2短邊上層部712b追隨長邊方向 之熱變形的狀態。

於使第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a成為表背反轉之時，如圖23所示般，以使定位用孔98及熱變形追隨用孔99來到與表背反轉之時相同位置之方式，形成在上面及下面之雙方。

再者，為了使第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a成為可表背反轉及面內反轉之雙方，如圖24所示般，下面與圖21相同在點對稱之位置上各形成兩個定位用孔98及熱變形追隨用孔99，上面以成為與下面相反之位置之方式，在點對稱之位置各形成兩個定位用孔98及熱變形追隨用孔99。

圖23及圖24之時，為了極力抑制電漿之影響，存在於第1長邊上層部711a及第1短邊上層部712a之表面的孔，以由相同材料所構成之孔塞構件來封閉為佳。

於使第2長邊上層部711b及第2短邊上層部712b能表背反轉之時，以及能表背反轉及面內反轉之時，若將圖23及圖24之定位用孔98設為熱變形追隨用孔99即可。

如上述般在第3實施型態中，不僅可以抑制由於基材5和遮蔽環7之間的熱膨脹差所致之間隙形成，亦可以抑制遮蔽環7之上層71和下層72之熱膨脹差所致之熱變形。

再者，因可以使第1長邊上層部711a、第2 長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b反轉，故可以與第1實施型態相同，將遮蔽環7之壽命延長至2倍或4倍。

並且，因分別以第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b覆蓋在表面形成有在螺絲固定部90中用以螺絲固定之凹部的第1長邊下層部721a、第2長邊下層部721b、第1短邊下層部722a及第2短邊下層部722b，故可以使遮蔽環7之表面成為不存在凹凸之平坦之表面。因此，可以抑制微粒之產生，可以提升生產性。

接著，針對第3實施型態之變形例予以說明。

圖25為表示與本發明之第3實施型態之變形例有關之遮蔽環7之上層71之構成的俯視圖，及表示長邊構件和短邊構件之側面圖。

在上述例中，雖然表示將構成下層72之第1長邊下層部721a、第2長邊下層部721b、第1短邊下層部722a、第2短邊下層部722b設成重疊構造的例，但是在本變形例中，表示將構成上層71之第1長邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b設成重疊構造的例。如此一來，藉由也將上層71設成重疊構造，可以更有效果地抑制由於長邊方向之熱膨脹所致的間隙之影響。

即是，在本變形例中，構成上層71之第1長 邊上層部711a、第2長邊上層部711b、第1短邊上層部712a、第2短邊上層部712b在長邊方向之兩端部具有相同形狀之凸緣部710。而且，第1長邊上層部711a和第2長邊上層部711b具有相同長度及相同形狀，被表背反轉配置，第1短邊上層部712a和第2短邊上層部712b具有相同長度及相同形狀，被表背反轉配置，第1長邊上層部711a和第2長邊上層部711b之鄰接部分、第1長邊上層部711a和第2短邊上層部712b之鄰接部分、第1短邊上層部712a和第2長邊上層部711b之鄰接部分係凸緣部710上下重疊而形成重疊構造。並且，在圖25中，省略第1長邊上層部711a和第2長邊上層部711b，及第1短邊上層部712a和第2短邊上層部712b之間的連結構件。

該些因為即使面內反轉亦成為相同形狀，故可以對應於面內反轉，再者，如圖26所示般，例如藉由使第1長邊上層部711a表背反轉，成為第2長邊上層部711b之形狀，故藉由更換第1長邊上層部711a和第2長邊上層部711b可以對應於表背反轉。即使針對第1短邊上層部712a及第2短邊上層部712b也可同樣地進行而對應於表背反轉。

並且，本發明並非限定於上述實施型態，當然可做各種變形。例如，在上述實施型態中，電漿處理雖然以電漿蝕刻為例進行說明，但是並不限定於電漿蝕刻，即使為電漿CVD等之其他的電漿處理亦可。

再者，在上述實施型態中，雖然例示電容耦 合型之電漿處理裝置，但是若為基板載置台被施加高頻電力者，則不限定於此，即使為感應耦合型電漿或微波電漿等，以其他方式生成電漿之裝置亦可。

而且，雖然針對將遮蔽環分割成長邊及短邊之例，及將長邊及短邊予以2分割之例，予以表示，但是分割態樣並不限定於此。

而且，在上述實施型態中，雖然針對將本發明適用於FPD用之玻璃基板的例進行說明，但是並不限定於此，當然能適用於半導體基板等之其他基板。

3‧‧‧基板載置台

5‧‧‧基材

6‧‧‧載置部

7‧‧‧遮蔽環

71‧‧‧上層

72‧‧‧下層

73‧‧‧長邊構件

80‧‧‧消耗部

711‧‧‧長邊上層部

721‧‧‧長邊下層部

Claims (13)

1. 一種遮蔽環，屬於在對基板施予電漿處理之腔室內載置基板，且具有被施加高頻電力之金屬製之基材及被設置在其上方之基板載置部的基板載置台中，被配置在上述基材及上述基板載置部之周圍的絕緣性遮蔽環，其特徵在於：組合複數構成構件而構成，各構成構件具有被安裝在上述基材的下層部，和被設置成覆蓋上述下層部之上方的上層部，且上述上層部被設置成能反轉。
2. 如請求項1所記載之遮蔽環，其中由絕緣性陶瓷所構成。
3. 如請求項1或2所記載之遮蔽環，其中上述上層部和上述下層部係由相同材料所構成。
4. 如請求項1或2所記載之遮蔽環，其中上述上層部和上述下層部係由不同材料所構成。
5. 如請求項1至4中之任一項所記載之遮蔽環，其中上述上層部被設置成能表背反轉或面內反轉，或者表背反轉及面內反轉。
6. 如請求項1至5中之任一項所記載之遮蔽環，其中被設置成上述構成構件之上述下層部被螺絲固定在上述基材上，上述上層部覆蓋上述被螺絲固定的部分。
7. 如請求項1至6中之任一項所記載之遮蔽環，其 中上述構成構件之上述下層部具有定位上述上層部之定位銷，上述上層部具有上述定位銷被插入之定位用孔，並且，上述上層部於進行特定反轉之時，在上述定位銷被插入之位置形成其他定位用孔。
8. 如請求項1至7中之任一項所記載之遮蔽環，其中上述基板構成矩形狀，上述遮蔽環構成框邊狀。
9. 如請求項8所記載之遮蔽環，其中上述構成構件係框邊狀之構成長邊的長邊構件及構成短邊的短邊構件。
10. 如請求項8所記載之遮蔽環，其中上述構成構件將框邊狀之構成長邊的長邊構件及構成短邊的短邊構件進一步分割成複數。
11. 如請求項9或10所記載之遮蔽環，其中上述長邊構件及上述短邊構件之下層構件具有具被拘束之一端，和屬於自由端之另一端，且藉由熱以上述一端為基準而容許另一端側之熱膨脹的構成。
12. 如請求項11所記載之遮蔽環，其中上述長邊構件及上述短邊構件之下層部具有用以定位上層部之定位銷及被設置成追隨熱變形之熱變形追隨銷，上述長邊構件及上述短邊構件之上層部具有上述定位銷被插入之定位銷用孔及上述熱變形追隨銷被插入之長孔形狀之熱變形追隨用孔，並且，上述上層部於進行特定反轉之 時，在上述定位銷及上述熱變形追隨銷被插入之位置形成其他定位用孔及其他熱變形追隨用孔。
13. 一種基板載置台，屬於在對基板施予電漿處理之腔室內載置基板的基板載置台，其特徵在於：具有：金屬製之基材，其係被施加高頻電力；基板載置部，其係被設置在上述基材上；及絕緣性之遮蔽環，其係被配置在上述基材及上述基板載置部之周圍，上述遮蔽環具有如請求項1至12項中之任一的構成。