KR960002630A - 마이크로파 플라즈마 처리방법 - Google Patents

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다까시 사또
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Abstract

본 발명은 피처리물의 미세화 또는 적층화에 대해서, 에칭처리시의 잔여물을 방지하는 동시에, 적층막의 에칭에 대해서, 마스크재와 하지재의 선택비를 증가시킬 수 있는 마이크로플라즈마처리방법을 제공한다. 플라즈마처리실의 외주부에 설치된 솔레노이드코일들에 의해 자장강도를 변화시켜, 시료의 처리시와 시료의 오버에칭시에, 시료의 피처리물면에 대한 평면상의 공명영역의 평행간극거리를 변화시켜, 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드코일에 의한 자장과의 작용에 의해 발생되는 플라즈마위치를 변화시킨다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 바람직한 실시예로서 마이크로파플라즈마처리방법을 수행하기 위한 마이크로파플라즈마에칭장치의 개략단면도.

Claims (2)

  1. 마이크로파에 의한 전계와 솔레노이드에 의한 자장과의 작용에 의해서 처리가스를 플라즈마화시키고, 상기 플라즈마를 이용하여 복수의 막재질로 구성된 시료를 처리하는 마이크로파플라즈마처리방법에 있어서, 상기 솔레노이드코일에 의해 형성하는 자장을 제어하고, 상기 플라즈마파의 전계와의 공명영역의 평행간극거리를 변화시켜, 상기 마이크로파에 의한 전계와 상기 솔레노이드에 의한 자장과의 작용에 의해서 발생되는 플라즈마위치를 변화시키는 것을 특징으로 하는 마이크로파플라즈마처리방법.
  2. 복수의 막재질로 구성된 시료를 처리하는 마이크로파플라즈마처리방법에 있어서, 각 막에 대한 스텝을 변화시키는 단계와, 상기 시료의 피처리면에 대한 공명영역의 평행간극거리를 시료대 높이의 조정에 의해 변화시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016336A 1994-06-20 1995-06-20 마이크로파플라즈마처리방법 KR100373971B1 (ko)

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