KR20030077420A - 고선택비 및 대면적고균일 플라즈마처리방법과 장치 - Google Patents
고선택비 및 대면적고균일 플라즈마처리방법과 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 플라즈마처리방법과 플라즈마처리장치는 고선택성, 대면적처리가능성 및 향상된 정밀성의 잇점을 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마처리방법은 펄스변조전력이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 교대로 인가될 수 있게 구성된다. 본 발명에 따른 플라즈마처리장치에서는 플라즈마발생전원과 기판바이어스전원이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 펄스변조전력을 교대로 인가하기 위한 변조수단을 구비한다.
Description
본 발명은 고선택비(高選擇比) 및 대면적고균일(大面積高均一) 플라즈마처리방법과 장치에 관한 것으로, 특히 방전플라즈마를 이용하여 노광용 마스크, 마이크로전자장치, 의료용 마이크로칩 또는 마이크로머신을 제조하는 공정에서 에칭 또는 CVD에 이용할 수 있는 플라즈마처리방법과 플라즈마처리장치에 관한 것이다.
종래의 플라즈마 에칭기술에 있어서는 시간적으로 연속적인 플라즈마발생수단으로 구성되는 CW(연속파) 플라즈마반응기를 이용하는 것을 포함한다.
펄스변조 플라즈마를 이용하는 각종 에칭방법과 에칭장치가 제안된 바 있다. 예를 들어, 일본특허 제3042450호에는 플라즈마발생실내에서 고주파전계를 이용하여 처리가스를 플라즈마로 전환하고 발생된 플라즈마를 기판에 조사하는 에칭방법이 기술되어 있는 바, 이러한 방법에서 고주파전계가 특정범위로 변조되고 펄스상승시간이 전하의 축적을 줄이기 위하여 플라스마의 전자온도의 오버슈팅을 억제하고 플라즈마에서 음이온의 양을 증가시키도록 특정될 수 있게 되어 있다.
일본특허 제3085151호에는 마이크로패턴의 저면에서 정전하가 상승하는 것을 방지하기 위하여 시료에 펄스 바이어스전압을 인가하여 전자를 가속시키며, 펄스주기, 펄스폭 및 펄스진폭을 제어하기 위하여 시료에 인가된 전압에서 DC성분을 검출하고 검출된 값과 특정값 사이의 차이를 제거함으로서 전자가속전압과 이온가속전압이 각각 사전에 결정된 레벨로 유지될 수 있도록 한 에칭방법과 에칭장치가 기술되어 있다.
일본특허 제3201223호에는 감압하에 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마를 이용하는 처리실에서 시료를 처리할 때 펄스폭 대 펄스주기의 비(듀티비)가 사전에 결정된 범위내에 포함될 수 있도록 하며 또한 시료의 표면전하의 적어도 일부를 중화하도록 시료에 충돌하기 전에 플라즈마내에서 전자를 가속하기 위하여 시료에 인가되는 전압중에서 DC성분이 사전에 결정된 범위내에 포함될 수 있도록 하는 에칭방법과 에칭장치가 기술되어 있다.
금속필름 또는 Si 필름이 상기 언급된 형태의 시스템에서 고도로 정밀하게 에칭될 때, 대부분 에칭될 표면의 개구율이나 마스크의 CD(한계치수)손실에 기인하는 에칭성능열화의 문제점이 야기될 수 있다. 마스크를 경화시키기 위하여 마스크의 표면에 고체물질 또는 가스종(種)을 첨가하거나 마스크 표면에 보호필름을 형성함으로서 에칭될 대상물을 선택적으로 에칭하는 방법이 제안된 바 있다. 그러나, 이러한 방법은 이러한 방법이 수행됨에 있어서 공정이 복잡한 결점이 있고 에칭에 의하여 처리될 영역이 제한되는 결점이 있다.
대면적을 처리할 수 있도록 기판상에서 에칭율의 면내분포를 개선하기 위하여 에찬트의 확산을 위하여 이용될 플라즈마와 기판사이의 거리가 정기적으로 조절된다. 그러나, 이러한 기술은 선택성이 떨어지고 에칭율이 낮아지는 다른 문제점을 야기한다.
따라서, 종래의 이러한 점을 감안하여, 본 발명의 목적은 고도의 선택성을 가지고 대면적의 처리능력을 보이며 정밀성이 향상된 플라즈마처리방법과 플라즈마처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 한 관점에 따라서, 상기 목적은 고주파안테나회로와 이러한 고주파안테나회로에 연결된 플라즈마발생전원에 의하여 진공실의 플라즈마발생단에서 플라즈마를 발생하고 기판바이어스전원으로부터 진공실의 기판전극에 변조된 기판바이어스전력을 공급하여 고선택비와 대면적에서 기판전극상의 기판을 균일하게 플라즈마처리하는 방법을 제공하는 바, 펄스변조전력이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 교대로 인가된다.
플라즈마 에칭에 적용될 수 있는 상기 언급된 본 발명의 방법에 있어서, 공간적으로 균일 또는 불균일하거나 시간적으로 일정하거나 변조된 자장이 진공실의 플라즈마발생단에 인가되고, 처리될 기판표면에 대한 각종 에찬트의 적용율과 기판표면에서 에찬트의 공간분포가 플라즈마처리를 위하여 사용될 가스의 종류, 가스의 혼합비, 가스압력, 가스유량, 플라즈마발생단과 기판에서 플라즈마와 기판의 거리, 자장분포, 반복주파수가 50㎐~1㎒ 사이이고 듀티비가 10~90% 사이이며 평균투입전력율이 3㎾ 이하인 것에 기초하여 결정되는 플라즈마발생전력의 변조와, 반복주파수가 50㎐~1㎒ 사이이고 듀티비가 10~90% 사이이며 평균투입전력율이 100W 이하인 것에 기초하여 결정되는 기판바이어스전력의 변조를 포함하는 처리파라메타의 조합에 따라서 에칭대상물 및 마스크에 대하여 독립적으로 제어된다.
본 발명의 방법에 따라서, 무자장유도 플라즈마, 무자장 또는 유자장 마이크로웨이브 플라즈마가 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법이 플라즈마에칭에 적용될 때, 고주파안테나회로에 공급되는 전력과 에찬트의 확산시간 또는 수명을 기준으로 하여 기판전극에 공급되는 기판바이어스전력에 따라서 펄스변조가 이루어진다.
펄스 플라즈마의 발생과 동기화되어 기판 바이어스전력을 공급함으로서 마스크에 대한 에찬트의 기판입사를 억제하기 위하여 에칭대상물에 대한 에찬트의 기판입사가 우선될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 플라즈마발생전력 및 기판바이어스전력의 복합펄스화가 반복주파수의 특정값 및 듀티비의 특정값에 대한 시간적 변화없는 구형변조파에 의하여 이루어질 수 있다. 또는 플라즈마발생전력변조 또는 기판바이어스전력변조의 하나 또는 이들 모두, CW(연속파) 또는 다른 여러 파형의 조합과/또는 중첩이 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 플라즈마발생전력변조와 기판바이어스전력변조의 조건이 가스의 형태, 가스의 혼합비, 가스압력과/또는 가스퍼프(gas puff)에 의한 가스종의 첨가 또는 교체를 포함하는 조건에 따라서 유지되거나 수정되거나 또는 시간적으로 변경될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따라서, 공간적으로 균일하거나 불균일하고 시간적으로 일정하거나 변조된 자장를 진공실의 플라즈마발생단에 인가하고, 고주파안테나회로와 이러한 고주파안테나회로에 연결된 플라즈마발생전원에 의하여 플라즈마를 발생하며 기판바이어스전원으로부터 진공실의 기판전극에 변조된 기판바이어스전력을 공급하여 고선택비와 대면적에서 기판전극상의 기판을 균일하게 플라즈마처리하기 위한 장치를 제공하는 바, 플라즈마발생전원과 기판바이어스전원이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 펄스변조전력을 교대로 인가하기 위한 변조수단을 구비한다.
본 발명에 따른 장치의 플라즈마처리는 플라즈마 에칭이며, 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 제공된 변조수단은 고주파안테나회로에 공급되는 전력과 에찬트의 확산시간 또는 수명을 기준으로 하여 기판전극에 공급되는 기판바이어스전력에 따라서 펄스변조가 이루어질 수 있도록 구성되어 있다.
진공실의 플라즈마발생단에서 유도방전 플라즈마를 발생하기 위한 본 발명에따른 장치의 고주파안테나회로는 단일권선코일 또는 다수의 권선을 가지고 방위각방향에서 독립적으로 갭사이의 거리를 조절할 수 있게 된 병렬코일을 구비할 수 있다.
본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 플라스마 에칭시스템에 적용되는 본 발명의 실시형태를 보인 설명도.
도면의 주요부분에 대한 부호설명
1... 진공실5... 기판전극
7... 변조회로8... 바이어스인가용 전원
9... 고주파전력투입용 안테나11... 변조회로
12... 고주파전원15... 플라즈마발생영역
본 발명은 그 우선실시형태를 보인 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다. 도시된 실시형태는 자기중성선방전 플라즈마를 이용하는 플라즈마 에칭시스템을 보인 것이다. 도 1에서 부호 1은 은 고주파 플라즈마를 발생하기 위하여 이용될 전력투입용 유전체벽(2)을 갖는 진공실을 나타낸다. 부호 3은 기판(4)이 착설되고 기판전극(5)이 구비된 기판지지테이블을 나타낸다. 기판전극(5)은 임피던스정합회로(6)와 변조회로(7)에 의하여 기판에 바이어스를 인가하기 위하여 바이어스인가전원(8)에 연결된다.
진공실(1)에는 유전체벽(2)의 외부에 고주파전력투입용 안테나(9)가 구비되어 있고, 이 고주파전력투입용 안테나(9)는 임피던스정합회로(10)와 변조회로(11)에 의하여 고주파전원(12)에 연결된다. 변조회로(11)는 여러 처리파라메타에 따라서 고주파전력을 변조한다. 고주파전력투입용 안테나(9)의 외부에는 3개의 솔레노이드 코일(13)이 배열되어 있다. 솔레노이드 코일(13)은 이들이 진공실(1)의 유전체벽(2)의 내부인 플라즈마발생영역(15)에서 자기중성선방전 플라즈마를 발생할 수 있게 된 자장배위를 제공할 수 있게 배열된다. 따라서, 진공실(1)의 유전체벽(2)의 내부공간에 환상의 자기중성선이 형성된다.
에칭가스도입기구(14)가 진공실(1)의 상부판에 결합되어 에칭가스가 진공실의 상부판을 통하여 진공실(1)의 유전체벽(2)의 내부에 구성된 플라즈마발생영역(15)으로 도입된다. 에칭가스도입기구(14)으로부터 도입된 에칭가스는 플라즈마발생영역(15)을 통과하면서 분해되고 에칭되는 기판(4)의 표면영역으로부터 배기구(16)를 통하여 적당한 배기시스템(17)으로 유동한다.
이상과 같은 구성을 갖는 에칭시스템에 있어서, 제어된 유량으로 유동할 수 있게 된 에칭가스는 에칭가스도입기구(14)로부터 내부압력이 제어된 진공실(1)의 상부판을 통하여 진공실(1)의 내부인 플라즈마발생영역(15)으로 투입된다. 여러 처리파라메타에 따라서 변조회로(11)에 의해 변조된 고주파전력이 유전체벽(2)을 통하여 고주파전력투입용 안테나(9)로부터 진공실(1)의 내부인 플라즈마발생영역(15)으로 투입된다. 따라서, 플라즈마발생영역(15)에서 변조방전 플라즈마가 발생된다.
한편, 진공실(1)에는 상이한 분해종에 따라서 발생, 확산 및 소멸을 위한 여러 기구들이 제공되므로, 선택에칭의 작업이 효과적으로 이루어질 수 있도록 에칭대상물에 대한 에찬트와 마스크에 대한 에찬트가 각각 기판(4)에 입사되는 양을 독립적으로 제어하는 것이 필요하며, 에칭특성의 면내분포를 개선하기 위하여 발생된 플라즈마의 공간분포를 제어하는 것이 중요하다. 따라서, 진공실(1)의 내부에 대한 자장(예를 들어 도시된 실시형태의 경우 자기중성선을 형성하기 위한 자장)의 인가와 전력투입이 본 발명에 따라서 제어된다.
다음으로, 본 발명이 특정 실시예에 따라서 설명될 것이다.
이 실시예에서, 염소가스의 유량과 산소가스의 유량은 각각 240sccm 및60sccm이고, 가스압력이 0.67㎩이며, 자장이 인가되지 않거나 자기중성선의 자기기울기가 1 가우스/㎝이었다. 안테나(9)에 대한 고주파전력의 투입량은 1~3㎾이었으며 구형파의 반복주파수와 듀티비는 각각 56~167㎐와 33~100%인 반면에, 기판전극(5)에 대한 바이어스전력의 투입량은 20W이고 구형파의 반복주파수와 듀티비는 각각 50~250㎐와 0~100%이었다. 플라즈마와 기판(4)사이의 거리는 220㎜이었다.
이러한 조건하에서, 두께가 6.3㎜이고 사방 6인치 크기의 석영기판의 표면에서 레지스트 및 Cr 필름의 에칭특성이 체크되었다. 그 결과로서, 에찬트의 확산시간과 수명을 기준으로 하여 안테나(9)에 투입되는 전력과 기판전극(5)에 투입되는 기판바이어스전력을 펄스변조함으로서 에찬트확산시간동기형 복합펄스를 이용하는 처리과정에 고선택 에칭 및 대면적 균일에칭이 조합될 수 있음이 확인되었다. 따라서, 대면적 초정밀에칭작업이 실현될 수 있음이 확인되었다.
이제, 에찬트확산시간동기형 복합펄스를 이용하는 대면적 초정밀에칭방법을 상세히 설명한다.
먼저, 여러 물리적인 변수가 다음과 같이 정의된다.
Tt, τt: 에칭대상물에 대한 펄스인가로부터 에찬트의 생성시간과 기판표면까지의 확산시간.
Tm, τm: 마스크에 대한 펄스인가로부터 에찬트의 생성시간과 기판표면까지의 확산시간.
Ton, Toff: 펄스의 온시간 및 오프시간.
여러 에찬트가 진공실(1)에 놓인 에칭대상물과 마스크를 위하여 펄스 플라즈마에 의하여 진공실(1)에서 생성된다. 가스유동환경하에서 각 에찬트는 확산되고 대부분 소멸되나 일부가 에칭기판(4)의 표면에 도달한다. 선택에칭을 위한 제1중요포인트는 고반복주파수의 조건이 Ton>Tt, Toff<τt가 되도록 고려할 필요가 있다는 점이다. 만약 수명이 확산시간 보다 짧다면, 확산시간은 상기 조건하에서 수명으로 교체되는 것이 좋다. 다른 한편으로, 실질적으로는 임피던스정합의 용이함과 에찬트생성억제(에찬트생성억제는 Ton<Tt, Toff>τt일 때에 마스크에 대하여 효과적이다)의 용이성을 고려하여 반복주파수에 대하여 낮은 주파수영역을 이용하고 낮은 듀티비를 선택하는 것이 바람직하다. 상기 실시예에서, 반복주파수가 상승되고 듀티비가 낮아졌을 때, 비변조 CW를 이용하는 처리에 비교하여 Ton>>Tt, Toff=4~12ms 및 τt=20ms인 조건하에서 최대 200%의 개선이 이루어질 수 있도록 선택비가 증가되었음이 확인되었다.
선택에칭을 위한 제1중요포인트는 펄스 플라즈마의 발생과 동기화하여 기판바이어스전력을 투입함으로서 선택성을 개선하기 위하여 마스크에 대한 에찬트의 기판입사를 억제토록 에칭대상물에 대한 에찬트의 기판입사가 우선할 수 있도록 하는 것이다. 이를 위하여, 전력, 반복주파수 및 듀티비가 Ton의 타이밍에 동기화하여 이루어지는 에찬트의 확산에 의한 지연시간을 고려하여 결정된다. 상기 실시예에서, 펄스전력이 10~50%의 Ton시간동안 기판에 인가되었으며 듀티비의 감소결과로 선택비가 최대 20%까지 개선되었음이 확인되었다.
이상으로 본 발명이 고선택에칭에 대하여 설명되었으나, 플라즈마와 기판 사이의 거리를 조절함이 없이 플라즈마변조와 기판바이어스전력의 변조에 의하여 에칭율의 면내분포를 개선하는 것이 가능하다. 상기 실시예의 경우, 면내균일성은 비변조 CW로 RF전력을 인가하는 시간에 자기중성선방전 플라즈마를 이용하는 것과 비교하였을 때 레지스트 필름의 변부를 따라서 1% 이상 개선되었다. 이와 같이, 상기 언급된 일련의 복합펄스처리공정에 의하여 통상적인 공정의 결점을 해소함으로서 대면적 초정밀에칭이 이루어질 수 있다.
아울러, 본 발명에 따라서, 반복주파수의 특정값과 듀티비의 특정값에 시간적 변화없는 구형변조파에 의하여 플라즈마발생전력 및 기판바이어스전력의 복합펄스를 얻는 것이 가능하다.
또한 아울러, 플라즈마발생전력변조와 기판바이어스전력변조의 조건이 가스의 형태, 가스의 혼합비, 가스압력과/또는 가스퍼프에 의한 가스종의 첨가 또는 교체를 포함하는 조건에 따라서 유지되거나 수정되거나 또는 시간적으로 변경될 때, 플라즈마발생전력변조 또는 기판바이어스전력변조의 하나 또는 이들 모두, CW(연속파) 또는 다른 여러 파형의 조합과/또는 중첩을 이용하여 대면적 정밀에칭이 이루어지는 것이 가능하다.
더욱이, 상기 언급된 바와 같은 복합펄스변조에 부가하여, 에칭특성의 면내분포를 개선하기 위하여 솔레노이드 코일 또는 영구자석 또는 그 조합에 의하여 생성된 자기중성선의 시간적인 변화 뿐만 아니라 자기마이크로웨이브 플라즈마반응기내 자장의 시간적인 배위변조를 이용하는 것이 가능하다.
예시된 실시형태에서는 고주파전원을 이용하는 자기중성선방전 플라즈마 시스템에서의 에칭처리공정이 설명되었으나, 이러한 시스템이 CVD처리공정에 적용될 때에도 유사한 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 이러한 시스템이 마이크로웨이브 플라즈마 또는 ICP 반응기에서의 에칭 및 CVD처리공정에도 적용될 때 역시 유사한 효과를 얻을 수 있다.
이상으로 상세히 설명한 바와 같이, 고주파안테나회로와 이러한 고주파안테나회로에 연결되어 기판바이어스전원으로부터 진공실의 기판전극에 변조된 기판바이어스전력을 공급하는 플라즈마발생전원에 의하여 진공실의 플라즈마발생단에서 플라즈마를 발생하여 기판전극상의 기판을 플라즈마처리하는 본 발명의 방법에 따라서, 펄스변조전력이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 교대로 인가되므로, 처리공정이 복잡하게 되지 않고 대면적에서 고선택비로 균일한 플라즈마처리공정이 이루어질 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마처리방법이 에칭작업에 적용되었을 때, 비변조 CW의 자기중성선방전 플라즈마를 이용하는 에칭작업과 비교하는 경우, 사방 6인치 크기의 기판의 레지스트 필름의 변부를 따라서 면내균일도가 1% 이상 개선되었다. 아울러, CW의 유도방전 플라즈마를 이용하는 에칭작업과 비교하였을 때 선택성이 200%이상 개선되었다. 따라서, 본 발명에 의하여 대면적 초정밀 에칭이 실현될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마처리장치는 플라즈마발생전원과 기판바이어스전원이 방전중심부로부터 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 펄스변조전력을 교대로 인가하기 위한 변조수단을 구비하므로 고선택비로 대면적을 균일하게 플라즈마처리할 수 있다.
Claims (12)
- 고주파안테나회로와 이러한 고주파안테나회로에 연결된 플라즈마발생전원에 의하여 진공실의 플라즈마발생단에서 플라즈마를 발생하고 기판바이어스전원으로부터 진공실의 기판전극에 변조된 기판바이어스전력을 공급하여 고선택비와 대면적에서 기판전극상의 기판을 균일하게 플라즈마처리하는 방법에 있어서, 펄스변조전력이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 교대로 인가됨을 특징으로 하는 고선택비 및 대면적 고균일 플라즈마처리방법.
- 공간적으로 균일 또는 불균일하거나 시간적으로 일정하거나 변조된 자장이 진공실의 플라즈마발생단에 인가되고, 처리될 기판표면에 대한 각종 에찬트의 적용율과 기판표면에서 에찬트의 공간분포가 플라즈마처리를 위하여 사용될 가스의 종류, 가스의 혼합비, 가스압력, 가스유량, 플라즈마발생단과 기판에서 플라즈마와 기판의 거리, 자장분포, 반복주파수가 50㎐~1㎒ 사이이고 듀티비가 10~90% 사이이며 평균투입전력율이 3㎾ 이하인 것에 기초하여 결정되는 플라즈마발생전력의 변조와, 반복주파수가 50㎐~1㎒ 사이이고 듀티비가 10~90% 사이이며 평균투입전력율이 100W 이하인 것에 기초하여 결정되는 기판바이어스전력의 변조를 포함하는 처리파라메타의 조합에 따라서 에칭대상물 및 마스크에 대하여 독립적으로 제어됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 무자장유도 플라즈마, 무자장 또는 유자장 마이크로웨이브 플라즈마가 이용됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마처리공정이 플라즈마 에칭공정이고, 고주파안테나회로에 공급되는 전력과 에찬트의 확산시간 또는 수명을 기준으로 하여 기판전극에 공급되는 기판바이어스전력에 따라서 펄스변조가 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 펄스 플라즈마의 발생과 동기화되어 기판 바이어스전력을 공급함으로서 마스크에 대한 에찬트의 기판입사를 억제하기 위하여 에칭대상물에 대한 에찬트의 기판입사가 우선됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마발생전력 및 기판바이어스전력의 복합펄스화가 반복주파수의 특정값 및 듀티비의 특정값에 대한 시간적 변화없는 구형변조파에 의하여 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마발생전력변조 또는 기판바이어스전력변조의 하나 또는 이들 모두, 연속파 또는 다른 여러 파형의 조합과/또는 중첩이 이용됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 플라즈마발생전력변조와 기판바이어스전력변조의 조건이 가스의 형태, 가스의 혼합비, 가스압력과/또는 가스퍼프에 의한 가스종의 첨가 또는 교체를 포함하는 조건에 따라서 유지되거나 수정되거나 또는 시간적으로 변경됨을 특징으로 하는 방법.
- 공간적으로 균일하거나 불균일하고 시간적으로 일정하거나 변조된 자장를 진공실의 플라즈마발생단에 인가하고, 고주파안테나회로와 이러한 고주파안테나회로에 연결된 플라즈마발생전원에 의하여 플라즈마를 발생하며 기판바이어스전원으로부터 진공실의 기판전극에 변조된 기판바이어스전력을 공급하여 고선택비와 대면적에서 기판전극상의 기판을 균일하게 플라즈마처리하기 위한 장치에 있어서, 플라즈마발생전원과 기판바이어스전원이 방전중심부로부터 기판으로 확산되는 가스의 확산시간을 기준으로 하여 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 펄스변조전력을 교대로 인가하기 위한 변조수단을 구비함을 특징으로 하는 고선택비 및 대면적 고균일 플라즈마처리장치.
- 제9항에 있어서, 플라즈마처리공정이 플라즈마 에칭공정이고, 플라스마발생전원과 기판바이어스전원에 제공된 변조수단이 고주파안테나회로에 공급되는 전력과 에찬트의 확산시간 또는 수명을 기준으로 하여 기판전극에 공급되는 기판바이어스전력에 따라서 펄스변조가 이루어질 수 있도록 구성되어 있음을 특징으로 하는 장치.
- 제9항에 있어서, 진공실의 플라즈마발생단에서 유도방전 플라즈마를 발생하기 위한 고주파안테나회로가 단일권선코일로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제9항에 있어서, 진공실의 플라즈마발생단에서 유도방전 플라즈마를 발생하기 위한 고주파안테나회로가 다수의 권선을 가지고 방위각방향에서 독립적으로 갭사이의 거리를 조절할 수 있게 된 병렬코일로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
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