JP2000091326A - ガス供給時間選択方法 - Google Patents
ガス供給時間選択方法Info
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- JP2000091326A JP2000091326A JP25904398A JP25904398A JP2000091326A JP 2000091326 A JP2000091326 A JP 2000091326A JP 25904398 A JP25904398 A JP 25904398A JP 25904398 A JP25904398 A JP 25904398A JP 2000091326 A JP2000091326 A JP 2000091326A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空容器内の圧力を一定することによりエッ
チング側壁の荒れや成膜の荒れが殆ど発生しないように
する。 【解決手段】 遷移工程実行時に真空容器内の圧力を真
空計により測定し、それを次の遷移工程時間にフィード
バックして真空容器内の圧力変動が±１０％以下になる
ように遷移工程時間を（ｂ）に示すように延長、あるい
は（ｃ）に示すように短縮し、これを繰り返すことによ
って、最適な遷移工程時間を選択して、真空容器内の圧
力を一定にする。
チング側壁の荒れや成膜の荒れが殆ど発生しないように
する。 【解決手段】 遷移工程実行時に真空容器内の圧力を真
空計により測定し、それを次の遷移工程時間にフィード
バックして真空容器内の圧力変動が±１０％以下になる
ように遷移工程時間を（ｂ）に示すように延長、あるい
は（ｃ）に示すように短縮し、これを繰り返すことによ
って、最適な遷移工程時間を選択して、真空容器内の圧
力を一定にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体を製造するた
めに使用されるエッチングや薄膜形成に使用される装置
に関するものである。
めに使用されるエッチングや薄膜形成に使用される装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチング技術において、アスペ
クト比の高い深い溝あるいは穴の加工を行う際に用いら
れる方法として、ガス組成、圧力、高周波電力などの制
御パラメータをエッチング中に複数回変化させる時間変
調エッチングが用いられている。図３にエッチング装置
の構成を示す。
クト比の高い深い溝あるいは穴の加工を行う際に用いら
れる方法として、ガス組成、圧力、高周波電力などの制
御パラメータをエッチング中に複数回変化させる時間変
調エッチングが用いられている。図３にエッチング装置
の構成を示す。
【０００３】図３に示すように、真空容器１の上部に誘
電板５を介して誘導結合コイル４が設置されており、真
空容器１内の電極７上に被処理物としての基板６を載置
し、ガス導入口１４から真空容器１内にガスを導入しつ
つ、排気手段としてのターボ分子ポンプ１１にて排気す
るとともに圧力コントローラ１０で所定の圧力に制御
し、真空容器１内にプラズマを発生させることにより、
電極７上に載置された基板６または基板６上の膜がエッ
チングされる。
電板５を介して誘導結合コイル４が設置されており、真
空容器１内の電極７上に被処理物としての基板６を載置
し、ガス導入口１４から真空容器１内にガスを導入しつ
つ、排気手段としてのターボ分子ポンプ１１にて排気す
るとともに圧力コントローラ１０で所定の圧力に制御
し、真空容器１内にプラズマを発生させることにより、
電極７上に載置された基板６または基板６上の膜がエッ
チングされる。
【０００４】プラズマ発生には、プラズマ発生用高周波
電源２にて高周波ケーブル１５を通して誘導結合コイル
４に高周波電力を印加するとともに、マッチングコント
ローラ３によって誘導結合コイル４のインピーダンスを
高周波ケーブル１５の特性インピーダンスに整合させ
る。また、電極７にはバイアス用高周波電源９にて高周
波電力を印加できるように構成されている。
電源２にて高周波ケーブル１５を通して誘導結合コイル
４に高周波電力を印加するとともに、マッチングコント
ローラ３によって誘導結合コイル４のインピーダンスを
高周波ケーブル１５の特性インピーダンスに整合させ
る。また、電極７にはバイアス用高周波電源９にて高周
波電力を印加できるように構成されている。
【０００５】真空容器１内には、エッチングガスボンベ
１２ａからガス流量調節器であるマスフローコントロー
ラ１３ａを介してエッチングガスが、またデポジション
ガスボンベ１２ｂからマスフローコントローラ１３ｂを
介してデポジションガスが選択的に導入される。
１２ａからガス流量調節器であるマスフローコントロー
ラ１３ａを介してエッチングガスが、またデポジション
ガスボンベ１２ｂからマスフローコントローラ１３ｂを
介してデポジションガスが選択的に導入される。
【０００６】時間変調エッチングにおいては、エッチン
グが主体のエッチングガスとデポジションが主体のデポ
ジションガスの切り換えの際に、一般にマスフローコン
トローラ１３ａ、１３ｂの応答は圧力コントローラ１０
の応答に比べて十分速いために真空容器内の圧力が大き
く変動して、プラズマのインピーダンスが急激に変化
し、誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波ケーブ
ル１５の特性インピーダンスに整合させるためのマッチ
ングコントローラ３が追従できず、プラズマが一旦消滅
した後に再びプラズマを発生させることになり、図４に
示すようにエッチング形状に荒れ８が生じてしまう。
グが主体のエッチングガスとデポジションが主体のデポ
ジションガスの切り換えの際に、一般にマスフローコン
トローラ１３ａ、１３ｂの応答は圧力コントローラ１０
の応答に比べて十分速いために真空容器内の圧力が大き
く変動して、プラズマのインピーダンスが急激に変化
し、誘導結合コイル４のインピーダンスを高周波ケーブ
ル１５の特性インピーダンスに整合させるためのマッチ
ングコントローラ３が追従できず、プラズマが一旦消滅
した後に再びプラズマを発生させることになり、図４に
示すようにエッチング形状に荒れ８が生じてしまう。
【０００７】ここで、真空容器１内の圧力を一定に保つ
方法としては、図５（ａ）に示すようにエッチング主体
の工程１７からデポジション主体の工程１８に切り換え
る際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスと
デポジションガスをともに含む遷移工程１９ａを経由す
るとともに、デポジションガス主体の工程１８からエッ
チング主体の工程１７に切り換える際に、エッチングガ
スとデポジションガスをともに含む遷移工程１９ｂを経
由するものである。
方法としては、図５（ａ）に示すようにエッチング主体
の工程１７からデポジション主体の工程１８に切り換え
る際に、真空容器内に供給するガスがエッチングガスと
デポジションガスをともに含む遷移工程１９ａを経由す
るとともに、デポジションガス主体の工程１８からエッ
チング主体の工程１７に切り換える際に、エッチングガ
スとデポジションガスをともに含む遷移工程１９ｂを経
由するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、遷移工程１９ａ，１９ｂの時間は固定値であ
り、０．５〜２秒間という基準が示されているものの、
実験的手法により遷移工程時間を導き出す必要がある。
法では、遷移工程１９ａ，１９ｂの時間は固定値であ
り、０．５〜２秒間という基準が示されているものの、
実験的手法により遷移工程時間を導き出す必要がある。
【０００９】また、マスフローコントローラ１３ａ，１
３ｂの追従性能により遷移工程時間が異なったり、また
はエッチングプロセスによって、エッチングガスの流量
とデポジションガスの流量が大きく異なる場合について
は図５（ｂ）に示すように遷移工程１９ａ，１９ｂにお
いて真空容器内の圧力が大きく変動する場合があって、
エッチング形状の荒れを完全に解消することができない
のが現状である。
３ｂの追従性能により遷移工程時間が異なったり、また
はエッチングプロセスによって、エッチングガスの流量
とデポジションガスの流量が大きく異なる場合について
は図５（ｂ）に示すように遷移工程１９ａ，１９ｂにお
いて真空容器内の圧力が大きく変動する場合があって、
エッチング形状の荒れを完全に解消することができない
のが現状である。
【００１０】また、上記の説明はドライエッチングの場
合であるが、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内
を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組
成、圧力、高周波電力などの制御パラメーターを成膜中
に複数回変化させて真空容器内の電極に載置された被処
理物に薄膜形成する場合には、第１のデポジションガス
の流量と次にこの第１のデポジションガスと入れ替わる
第２のデポジションガスの流量が大きく異なる場合につ
いては遷移工程において真空容器内の圧力が大きく変動
して薄膜の表面の荒れが発生し、これを完全に解消する
ことができないのが現状である。
合であるが、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内
を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組
成、圧力、高周波電力などの制御パラメーターを成膜中
に複数回変化させて真空容器内の電極に載置された被処
理物に薄膜形成する場合には、第１のデポジションガス
の流量と次にこの第１のデポジションガスと入れ替わる
第２のデポジションガスの流量が大きく異なる場合につ
いては遷移工程において真空容器内の圧力が大きく変動
して薄膜の表面の荒れが発生し、これを完全に解消する
ことができないのが現状である。
【００１１】本発明はエッチング形状の荒れや成膜され
た薄膜の表面の荒れを改善できるガス供給時間選択方法
を提供することを目的とする。
た薄膜の表面の荒れを改善できるガス供給時間選択方法
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のガス供給時間選
択方法は、遷移工程内の真空容器内の圧力変動が小さく
なるように遷移工程時間長を決定することを特徴とす
る。
択方法は、遷移工程内の真空容器内の圧力変動が小さく
なるように遷移工程時間長を決定することを特徴とす
る。
【００１３】この構成によると、エッチング形状の荒れ
や成膜された薄膜の表面の荒れを改善できる。
や成膜された薄膜の表面の荒れを改善できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】請求項１記載のガス供給時間選択
方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排
気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組成、圧
力、高周波電力などの制御パラメーターをエッチング中
に複数回変化させて真空容器内の電極に載置された被処
理物をエッチングするに際し、ガス供給切り換えの際の
供給するガスが重なり合う遷移工程時間について、その
遷移工程内の真空容器内の圧力を測定し、その圧力変動
の結果をフィードバックして次遷移工程時の真空容器内
の圧力が小さくなるように遷移工程時間長を変化させる
ことを特徴とする。
方法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排
気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組成、圧
力、高周波電力などの制御パラメーターをエッチング中
に複数回変化させて真空容器内の電極に載置された被処
理物をエッチングするに際し、ガス供給切り換えの際の
供給するガスが重なり合う遷移工程時間について、その
遷移工程内の真空容器内の圧力を測定し、その圧力変動
の結果をフィードバックして次遷移工程時の真空容器内
の圧力が小さくなるように遷移工程時間長を変化させる
ことを特徴とする。
【００１５】請求項２記載のガス供給時間選択方法は、
請求項１において、遷移工程時間を決定するためには、
遷移工程時間をある値からガス供給を重ねながら真空容
器内の圧力を監視し、真空容器内の圧力変動が少ない遷
移工程時間に収束していくよう遷移工程時間長を制御す
ることを特徴とする。
請求項１において、遷移工程時間を決定するためには、
遷移工程時間をある値からガス供給を重ねながら真空容
器内の圧力を監視し、真空容器内の圧力変動が少ない遷
移工程時間に収束していくよう遷移工程時間長を制御す
ることを特徴とする。
【００１６】請求項３記載のガス供給時間選択方法は、
請求項２において、真空容器の容積とエッチングガス流
量とデポジションガス流量とに基づいて遷移工程内の真
空容器内の圧力変動が少なくなるように計算して運転を
開始することを特徴とする。
請求項２において、真空容器の容積とエッチングガス流
量とデポジションガス流量とに基づいて遷移工程内の真
空容器内の圧力変動が少なくなるように計算して運転を
開始することを特徴とする。
【００１７】請求項４記載のガス供給時間選択方法は、
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真
空容器内にプラズマを発生させ、ガス組成、圧力、高周
波電力などの制御パラメーターを成膜中に複数回変化さ
せて真空容器内の電極に載置された被処理物に薄膜形成
するに際し、ガス供給切り換えの際の供給するガスが重
なり合う遷移工程時間について、その遷移工程内の真空
容器内の圧力を測定し、その圧力変動の結果をフィード
バックすることにより、次遷移工程時の真空容器内の圧
力が小さくなるように遷移工程時間長を変化させること
を特徴とする。
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真
空容器内にプラズマを発生させ、ガス組成、圧力、高周
波電力などの制御パラメーターを成膜中に複数回変化さ
せて真空容器内の電極に載置された被処理物に薄膜形成
するに際し、ガス供給切り換えの際の供給するガスが重
なり合う遷移工程時間について、その遷移工程内の真空
容器内の圧力を測定し、その圧力変動の結果をフィード
バックすることにより、次遷移工程時の真空容器内の圧
力が小さくなるように遷移工程時間長を変化させること
を特徴とする。
【００１８】以下、本発明のガス供給時間選択方法を具
体的な実施の形態に基づいて説明する。なお、従来のエ
ッチング装置と同様の作用を成すものには同一の符号を
付けて説明する。
体的な実施の形態に基づいて説明する。なお、従来のエ
ッチング装置と同様の作用を成すものには同一の符号を
付けて説明する。
【００１９】図１は本発明のガス供給時間選択方法を実
行するエッチング装置を示し、マスフローコントローラ
１３ａ，１３ｂを自動制御する制御装置１６が設けられ
ている点が図３に示した従来例とは異なっている。２０
は真空容器１の内部圧力を検出する真空計である。
行するエッチング装置を示し、マスフローコントローラ
１３ａ，１３ｂを自動制御する制御装置１６が設けられ
ている点が図３に示した従来例とは異なっている。２０
は真空容器１の内部圧力を検出する真空計である。
【００２０】エッチング形状に荒れが生じないために
は、デポジションガスからエッチングガスへの切り換
え、またはエッチングガスからデポジションガスへの切
り換えの際に、真空容器１内の圧力変動が±１０％以下
であることが望ましい。
は、デポジションガスからエッチングガスへの切り換
え、またはエッチングガスからデポジションガスへの切
り換えの際に、真空容器１内の圧力変動が±１０％以下
であることが望ましい。
【００２１】そのためには、ガス切り換えの際に圧力コ
ントローラーが追従できるように真空容器内に流入する
ガス流量の変動を少なくする遷移工程時間を決定するこ
とが必要となる。
ントローラーが追従できるように真空容器内に流入する
ガス流量の変動を少なくする遷移工程時間を決定するこ
とが必要となる。
【００２２】制御装置１６は真空計２０の検出値に基づ
いてマスフローコントローラ１３ａ，１３ｂを図２に示
すように制御するように構成されている。図２（ａ）に
示すように、まず真空容器内にガスＡ（エッチングガ
ス）を供給し、ガスＢ（デポジションガス）との供給の
切り換え時に真空容器内の圧力の変化を真空計で監視す
る。この時に、圧力が低くなる方向で、かつ圧力変動が
ガスＡのみ供給の際に比べて±１０％以上変動したこと
を検出した場合には、エッチング主体の工程１７からデ
ポジション主体の工程１８に次回に切り換える際には、
標準の遷移工程時間長１９ａを規定時間（具体的には、
０．２秒程度で、以下の説明では規定時間を０．２秒と
して説明する。）延長して遷移時間１９ａ′とするよう
にガスＢの供給開始のタイミングを０．２秒だけ早く開
始させて、エッチング主体の工程１７からデポジション
主体の工程１８への遷移工程における真空容器の圧力変
動を低減する。
いてマスフローコントローラ１３ａ，１３ｂを図２に示
すように制御するように構成されている。図２（ａ）に
示すように、まず真空容器内にガスＡ（エッチングガ
ス）を供給し、ガスＢ（デポジションガス）との供給の
切り換え時に真空容器内の圧力の変化を真空計で監視す
る。この時に、圧力が低くなる方向で、かつ圧力変動が
ガスＡのみ供給の際に比べて±１０％以上変動したこと
を検出した場合には、エッチング主体の工程１７からデ
ポジション主体の工程１８に次回に切り換える際には、
標準の遷移工程時間長１９ａを規定時間（具体的には、
０．２秒程度で、以下の説明では規定時間を０．２秒と
して説明する。）延長して遷移時間１９ａ′とするよう
にガスＢの供給開始のタイミングを０．２秒だけ早く開
始させて、エッチング主体の工程１７からデポジション
主体の工程１８への遷移工程における真空容器の圧力変
動を低減する。
【００２３】圧力が高くなる方向で、かつ圧力変動がガ
スＡのみ供給の際に比べて±１０％以上変動したことを
検出した場合には、図２（ｃ）に示すようにガスＢの供
給開始のタイミングを０．２秒だけ遅く開始させて、遷
移工程時間を短縮して遷移時間１９ａ′としてエッチン
グ主体の工程１７からデポジション主体の工程１８への
遷移工程における真空容器の圧力変動を低減する。
スＡのみ供給の際に比べて±１０％以上変動したことを
検出した場合には、図２（ｃ）に示すようにガスＢの供
給開始のタイミングを０．２秒だけ遅く開始させて、遷
移工程時間を短縮して遷移時間１９ａ′としてエッチン
グ主体の工程１７からデポジション主体の工程１８への
遷移工程における真空容器の圧力変動を低減する。
【００２４】なお、エッチング主体の工程１７からデポ
ジション主体の工程１８への遷移工程を例に挙げて説明
しているが、デポジション主体の工程１８からエッチン
グ主体の工程１７への遷移工程においても同様に制御装
置１６がマスフローコントローラ１３ａ，１３ｂを制御
する。
ジション主体の工程１８への遷移工程を例に挙げて説明
しているが、デポジション主体の工程１８からエッチン
グ主体の工程１７への遷移工程においても同様に制御装
置１６がマスフローコントローラ１３ａ，１３ｂを制御
する。
【００２５】以上を繰り返すことにより、最適なガス供
給切り換えタイミング（遷移工程時間）を導き出すこと
ができる。上記実施の形態において制御装置１６は、前
回の遷移工程の運転履歴に基づいて遷移工程を通過する
際の真空容器の圧力変動を低減したが、蓄積した過去の
複数回の履歴に基づいて制御するように構成することも
できる。
給切り換えタイミング（遷移工程時間）を導き出すこと
ができる。上記実施の形態において制御装置１６は、前
回の遷移工程の運転履歴に基づいて遷移工程を通過する
際の真空容器の圧力変動を低減したが、蓄積した過去の
複数回の履歴に基づいて制御するように構成することも
できる。
【００２６】また、運転開始時の遷移時間長の決定の具
体例としては、制御装置１６は真空容器の容積とエッチ
ングガス流量とデポジションガス流量とに基づいて遷移
工程内の真空容器内の圧力変動が少なくなるように計算
して運転を開始するように構成されている。
体例としては、制御装置１６は真空容器の容積とエッチ
ングガス流量とデポジションガス流量とに基づいて遷移
工程内の真空容器内の圧力変動が少なくなるように計算
して運転を開始するように構成されている。
【００２７】上記の実施の形態はドライエッチング装置
を例に挙げて説明したが、真空容器内にガスを供給しつ
つ真空容器内を排気し、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、ガス組成、圧力、高周波電力などの制御パラメータ
ーを成膜中に複数回変化させて真空容器内の電極に載置
された被処理物に薄膜形成する装置の場合にも同様に実
施することができ、第１のデポジションガスと次にこの
第１のデポジションガスと入れ替わる第２のデポジショ
ンガスのガスが重なり合う遷移工程時間について、その
遷移工程内の真空容器内の圧力を測定し、その圧力変動
の結果をフィードバックすることにより、次遷移工程時
の真空容器内の圧力が小さくなるように遷移工程時間長
を変化させることによって、薄膜の表面の荒れを改善で
きる。
を例に挙げて説明したが、真空容器内にガスを供給しつ
つ真空容器内を排気し、真空容器内にプラズマを発生さ
せ、ガス組成、圧力、高周波電力などの制御パラメータ
ーを成膜中に複数回変化させて真空容器内の電極に載置
された被処理物に薄膜形成する装置の場合にも同様に実
施することができ、第１のデポジションガスと次にこの
第１のデポジションガスと入れ替わる第２のデポジショ
ンガスのガスが重なり合う遷移工程時間について、その
遷移工程内の真空容器内の圧力を測定し、その圧力変動
の結果をフィードバックすることにより、次遷移工程時
の真空容器内の圧力が小さくなるように遷移工程時間長
を変化させることによって、薄膜の表面の荒れを改善で
きる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、最適な遷
移工程時間で時間変動エッチングを行うことができ、エ
ッチング側壁の荒れのない良好なエッチング形状を得る
ことができる。
移工程時間で時間変動エッチングを行うことができ、エ
ッチング側壁の荒れのない良好なエッチング形状を得る
ことができる。
【００２９】また、薄膜形成においてもこのガス供給時
間選択方法を実行することによって、荒れのない良好な
薄膜を得ることができる。
間選択方法を実行することによって、荒れのない良好な
薄膜を得ることができる。
【図１】本発明のガス供給時間選択方法を実施するエッ
チング装置の構成図
チング装置の構成図
【図２】同実施の形態の制御装置の構成の説明図
【図３】従来のエッチング装置の構成図
【図４】遷移工程で圧力変動がある従来のエッチング装
置でのエッチング結果を示す拡大断面図
置でのエッチング結果を示す拡大断面図
【図５】従来の遷移工程とその工程で発生する圧力変動
の説明図
の説明図
１ 真空容器 ２ プラズマ発生用高周波電源 ４ 誘導結合コイル ６ 基板（被処理物） ７ 電極 ９ 電極印加用高周波電源 １２ａ エッチングガスボンベ １２ｂ デポジションガスボンベ １４ ガス導入口 １６ 制御装置 ２０ 真空計
Claims (4)
- 【請求項１】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内
を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組
成、圧力、高周波電力などの制御パラメーターをエッチ
ング中に複数回変化させて真空容器内の電極に載置され
た被処理物をエッチングするに際し、 ガス供給切り換えの際の供給するガスが重なり合う遷移
工程時間について、その遷移工程内の真空容器内の圧力
を測定し、その圧力変動の結果をフィードバックするこ
とにより、次遷移工程時の真空容器内の圧力が小さくな
るように遷移工程時間長を変化させるガス供給時間選択
方法。 - 【請求項２】遷移工程時間を決定するためには、遷移工
程時間をある値からガス供給を重ねながら真空容器内の
圧力を監視し、真空容器内の圧力変動が少ない遷移工程
時間に収束していくように最適値を導き出す請求項１記
載のガス供給時間選択方法。 - 【請求項３】ガス供給切り換えの際の供給するガスが重
なり合う遷移工程時間長を、真空容器の容積とエッチン
グガス流量とデポジションガス流量とに基づいて遷移工
程内の真空容器内の圧力変動が少なくなるように計算し
て運転を開始する請求項２記載のガス供給時間選択方
法。 - 【請求項４】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内
を排気し、真空容器内にプラズマを発生させ、ガス組
成、圧力、高周波電力などの制御パラメーターを成膜中
に複数回変化させて真空容器内の電極に載置された被処
理物に薄膜形成するに際し、 ガス供給切り換えの際の供給するガスが重なり合う遷移
工程時間について、その遷移工程内の真空容器内の圧力
を測定し、その圧力変動の結果をフィードバックするこ
とにより、次遷移工程時の真空容器内の圧力が小さくな
るように遷移工程時間長を変化させるガス供給時間選択
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25904398A JP2000091326A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | ガス供給時間選択方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25904398A JP2000091326A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | ガス供給時間選択方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091326A true JP2000091326A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17328547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25904398A Pending JP2000091326A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | ガス供給時間選択方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091326A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282547A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Ulvac Japan Ltd | 高選択比かつ大面積高均一プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2012039048A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-02-23 | Tokyo Electron Ltd | エッチングガスの供給方法及びエッチング装置 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP25904398A patent/JP2000091326A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040113 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |