JPH05315095A - プラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置 - Google Patents
プラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置Info
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- JPH05315095A JPH05315095A JP4115649A JP11564992A JPH05315095A JP H05315095 A JPH05315095 A JP H05315095A JP 4115649 A JP4115649 A JP 4115649A JP 11564992 A JP11564992 A JP 11564992A JP H05315095 A JPH05315095 A JP H05315095A
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- light
- discharge chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置のエッチングやアッシングの進行
度を管理する評価装置を常設でき、操作性に優れたプラ
ズマ評価装置をそなえたプラズマアッシング及びプラズ
マエッチング装置を提供する。 【構成】 プラズマ放電室内に光ファイバにより分光測
定用の光を導入し、プラズマからの出射光を導出する。
また、上記光ファイバの光入射端と受光端とをプラズマ
側面に沿う細長形状とし、光源側と分光器側に設けた絞
りによりプラズマ内の成分分布を空間的に分析する。
度を管理する評価装置を常設でき、操作性に優れたプラ
ズマ評価装置をそなえたプラズマアッシング及びプラズ
マエッチング装置を提供する。 【構成】 プラズマ放電室内に光ファイバにより分光測
定用の光を導入し、プラズマからの出射光を導出する。
また、上記光ファイバの光入射端と受光端とをプラズマ
側面に沿う細長形状とし、光源側と分光器側に設けた絞
りによりプラズマ内の成分分布を空間的に分析する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセスにお
けるフォトレジストのアッシング用、またはポリシリコ
ン、窒化シリコン等のエッチング用高周波プラズマ発生
装置に係り、とくにアッシング及びエッチング工程を光
学的に管理するプラズマアッシング及びプラズマエッチ
ング装置に関する。
けるフォトレジストのアッシング用、またはポリシリコ
ン、窒化シリコン等のエッチング用高周波プラズマ発生
装置に係り、とくにアッシング及びエッチング工程を光
学的に管理するプラズマアッシング及びプラズマエッチ
ング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジストのプラズマアッシングや
シリコン酸化（ＳｉＯ2）膜、シリコン窒化（Ｓｉ
3Ｎ4）膜及びシリコン多結晶膜等のプラズマエッチング
装置は、例えば特開平２−２２４２４２号公報に記載の
ように、チャンバ内の半導体基板に偏光を照射して得ら
れる反射光よりポリマ−、堆積膜等を評価するようにし
ていた。また、半導体製造プロセスにおけるプラズマプ
ロセス技術の位置づけとプラズマによるアッシング及び
エッチングの原理については、産業図書、菅野卓雄編著
「半導体プラズマプロセス技術」に詳細に論じられてい
る。
シリコン酸化（ＳｉＯ2）膜、シリコン窒化（Ｓｉ
3Ｎ4）膜及びシリコン多結晶膜等のプラズマエッチング
装置は、例えば特開平２−２２４２４２号公報に記載の
ように、チャンバ内の半導体基板に偏光を照射して得ら
れる反射光よりポリマ−、堆積膜等を評価するようにし
ていた。また、半導体製造プロセスにおけるプラズマプ
ロセス技術の位置づけとプラズマによるアッシング及び
エッチングの原理については、産業図書、菅野卓雄編著
「半導体プラズマプロセス技術」に詳細に論じられてい
る。
【０００３】二酸化珪素（ＳｉＯ2）膜のエッチングに
ついては、レジストをマスクに用いて弗化水素（ＨＦ）
と弗化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の混合水溶液による湿
式の化学反応を用いる方法が従来から知られている。し
かし、シリコンウェハ（Ｓｉ）は硝酸酸性下のＨＦ水溶
液で湿式にエッチングできるが、エッチング液が酸化性
であるため、有機高分子膜であるフォトレジストの酸化
分解も同時に進行し半導体素子のパターン形成が不明瞭
になるという問題があるため、シリコンウェハ上にＳｉ
Ｏ2膜を形成してその上にフォトレジストを塗布し、露
光、現像の順にプロセスを進行させる必要があった。
ついては、レジストをマスクに用いて弗化水素（ＨＦ）
と弗化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の混合水溶液による湿
式の化学反応を用いる方法が従来から知られている。し
かし、シリコンウェハ（Ｓｉ）は硝酸酸性下のＨＦ水溶
液で湿式にエッチングできるが、エッチング液が酸化性
であるため、有機高分子膜であるフォトレジストの酸化
分解も同時に進行し半導体素子のパターン形成が不明瞭
になるという問題があるため、シリコンウェハ上にＳｉ
Ｏ2膜を形成してその上にフォトレジストを塗布し、露
光、現像の順にプロセスを進行させる必要があった。
【０００４】一方、高周波放電プラズマを用いるドライ
プロセスでは、従来の湿式方法に比較してシリコンウェ
ハのエッチング速度が早く、製造工程を減少でき、さら
に清浄な状態で素子形成ができるので半導体製造プロセ
スの全工程がドライプロセスに移行しつつある。このド
ライプロセスでは、四弗化炭素（ＣＦ4）のプラズマを
用い、ウェハ上に直接フォトレジストを塗布して素子を
形成する。しかし、このドライプロセスにおいてはプラ
ズマ生成用ガスの種類が、炭弗素化合物、炭塩素化合
物、炭素・弗素・塩素の３元素からなる化合物やこれら
の混合物、或は炭弗素化合物と酸素との混合物など多種
類に及ぶため、プラズマ中の化学種と被エッチング材間
の反応機構に未解明な点が多く残されている。
プロセスでは、従来の湿式方法に比較してシリコンウェ
ハのエッチング速度が早く、製造工程を減少でき、さら
に清浄な状態で素子形成ができるので半導体製造プロセ
スの全工程がドライプロセスに移行しつつある。このド
ライプロセスでは、四弗化炭素（ＣＦ4）のプラズマを
用い、ウェハ上に直接フォトレジストを塗布して素子を
形成する。しかし、このドライプロセスにおいてはプラ
ズマ生成用ガスの種類が、炭弗素化合物、炭塩素化合
物、炭素・弗素・塩素の３元素からなる化合物やこれら
の混合物、或は炭弗素化合物と酸素との混合物など多種
類に及ぶため、プラズマ中の化学種と被エッチング材間
の反応機構に未解明な点が多く残されている。
【０００５】上記プラズマ生成用ガスの高周波放電によ
り生成されるプラズマの化学種は、荷電粒子、準安定状
態（Ｍ＊）及び分子状態で存在するとされている。この
プラズマ中の化学種と被エッチング材との反応機構や反
応の進行度等を知るには、上記プラズマの化学種を測定
する必要がある。従来からプラズマ成分の測定には、紫
外、可視及び赤外光などを照射してその波長吸光度から
プラズマの成分とその量を測定する分光学的方法が採用
されている。他の光学的方法では、プラズマの生成に伴
う発光強度の波長依存性の分光結果より、プラズマ成分
を定量的に同定するようにしていた。上記各方法により
被エッチング材と反応するプラズマ成分とその量を測定
できるので、エッチングの進行度合いを推定して半導体
素子製造プロセスの工程管理に利用することができる。
り生成されるプラズマの化学種は、荷電粒子、準安定状
態（Ｍ＊）及び分子状態で存在するとされている。この
プラズマ中の化学種と被エッチング材との反応機構や反
応の進行度等を知るには、上記プラズマの化学種を測定
する必要がある。従来からプラズマ成分の測定には、紫
外、可視及び赤外光などを照射してその波長吸光度から
プラズマの成分とその量を測定する分光学的方法が採用
されている。他の光学的方法では、プラズマの生成に伴
う発光強度の波長依存性の分光結果より、プラズマ成分
を定量的に同定するようにしていた。上記各方法により
被エッチング材と反応するプラズマ成分とその量を測定
できるので、エッチングの進行度合いを推定して半導体
素子製造プロセスの工程管理に利用することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記光学的手
法を半導体素子製造プロセスのエッチング工程やアッシ
ング工程の管理に用いる場合には、プラズマ放電室の外
周部に照射光源と受光装置等を設置するので操作性が悪
いという問題があった。すなわち、放電室の外周部に設
置される上記評価装置が試料の出し入れに伴う放電室の
開放操作の支障となり、また、プラズマエッチングや同
アッシング用の高周波放電の漏洩防止用遮蔽設備がエッ
チングやアッシング管理、評価装置の設定を困難にし、
このため半導体製造装置が複雑化して使い勝手が著しく
損なわれるという問題があった。本発明の目的は、エッ
チングやアッシングの進行度を管理する評価装置を常設
でき、操作性に優れたプラズマ評価装置をそなえたプラ
ズマアッシング及びプラズマエッチング装置を提供する
ことにある。
法を半導体素子製造プロセスのエッチング工程やアッシ
ング工程の管理に用いる場合には、プラズマ放電室の外
周部に照射光源と受光装置等を設置するので操作性が悪
いという問題があった。すなわち、放電室の外周部に設
置される上記評価装置が試料の出し入れに伴う放電室の
開放操作の支障となり、また、プラズマエッチングや同
アッシング用の高周波放電の漏洩防止用遮蔽設備がエッ
チングやアッシング管理、評価装置の設定を困難にし、
このため半導体製造装置が複雑化して使い勝手が著しく
損なわれるという問題があった。本発明の目的は、エッ
チングやアッシングの進行度を管理する評価装置を常設
でき、操作性に優れたプラズマ評価装置をそなえたプラ
ズマアッシング及びプラズマエッチング装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、上記プラズマの放電室内にプラズマ内物質の分光測
定光の入射手段と、プラズマからの出射光の受光手段を
上記プラズマを挾んで対向する位置に設置し、さらに、
上記入射光を光ファイバにより上記放電室外から導入
し、上記プラズマからの出射光を光ファイバにより放電
室外に導くようにする。
に、上記プラズマの放電室内にプラズマ内物質の分光測
定光の入射手段と、プラズマからの出射光の受光手段を
上記プラズマを挾んで対向する位置に設置し、さらに、
上記入射光を光ファイバにより上記放電室外から導入
し、上記プラズマからの出射光を光ファイバにより放電
室外に導くようにする。
【０００８】さらに、上記各光ファイバを石英製の光フ
ァイバとし、これらをそれぞれ石英製の支柱により支持
するようにする。また、上記放電室内に上記光の入射手
段の端部と受光手段の端部をそれぞれ、上記プラズマ発
生用の二つの電極に沿って細長形状にし、上記光源と上
記受光手段の光ファイバ間、および上記受光手段の光フ
ァイバの出力側にそれぞれ光の絞り手段を設けるように
する。
ァイバとし、これらをそれぞれ石英製の支柱により支持
するようにする。また、上記放電室内に上記光の入射手
段の端部と受光手段の端部をそれぞれ、上記プラズマ発
生用の二つの電極に沿って細長形状にし、上記光源と上
記受光手段の光ファイバ間、および上記受光手段の光フ
ァイバの出力側にそれぞれ光の絞り手段を設けるように
する。
【０００９】
【作用】上記上記二つの光ファイバの一方はプラズマ放
電室内に分光測定用の光を導入し、他の光ファイバはプ
ラズマからの出射光を外部の分光器に導く。さらに、上
記各石英製の光ファイバと石英製の支柱はそれぞれの熱
変質や熱変形等を防止する。また、上記細長形状の入射
手段端部は上記プラズマ電極間に光を分布して入射し、
上記細長形状の受光手段端部は上記プラズマ電極間のプ
ラズマ出射光を分布して受光する。また、上記光入射用
ファイバの入口に設けた絞りは上記細長形状の入射手段
端部からでる光の分布を制御し、同様に上記受光用光フ
ァイバの出力側に設けた絞りは上記細長形状の受光手段
端部が受光する光の分布を制御する。
電室内に分光測定用の光を導入し、他の光ファイバはプ
ラズマからの出射光を外部の分光器に導く。さらに、上
記各石英製の光ファイバと石英製の支柱はそれぞれの熱
変質や熱変形等を防止する。また、上記細長形状の入射
手段端部は上記プラズマ電極間に光を分布して入射し、
上記細長形状の受光手段端部は上記プラズマ電極間のプ
ラズマ出射光を分布して受光する。また、上記光入射用
ファイバの入口に設けた絞りは上記細長形状の入射手段
端部からでる光の分布を制御し、同様に上記受光用光フ
ァイバの出力側に設けた絞りは上記細長形状の受光手段
端部が受光する光の分布を制御する。
【００１０】
【実施例】図１は本発明によるプラズマアッシング及び
プラズマエッチング装置実施例の部分断面図である。放
電室１内には一対の平板状の電極２と３が平行に設けら
れ、真空装置１８により所定の真空度に排気される。ま
た、放電室１にはガス流入口４より酸素或は四弗化炭素
等のガスが供給され、端子１３を介して電極２に印加さ
れる高周波電圧により上記ガスをプラズマ化する。なお
電極３は端子５を介して接地される。上記プラズマガス
により電極２上に設置したシリコンウェハ（試料）をア
ッシング、またはエッチングする。
プラズマエッチング装置実施例の部分断面図である。放
電室１内には一対の平板状の電極２と３が平行に設けら
れ、真空装置１８により所定の真空度に排気される。ま
た、放電室１にはガス流入口４より酸素或は四弗化炭素
等のガスが供給され、端子１３を介して電極２に印加さ
れる高周波電圧により上記ガスをプラズマ化する。なお
電極３は端子５を介して接地される。上記プラズマガス
により電極２上に設置したシリコンウェハ（試料）をア
ッシング、またはエッチングする。
【００１１】本発明では電極２と３間に形成される上記
プラズマに光ファイバを介して分光分析用光源の光を照
射し、その出射光を光ファイバを介して受光し分光器へ
誘導するようにする。このように放電室１の内部に分光
分析用の光の出射部と受光部とを設け、それぞれを光フ
ァイバを介して光源と分光器に接続することにより、光
源と分光器を放電室１から隔離して設置できるので、こ
れらが放電室１の開放操作の障害になることを防止し、
さらに、放電室１周辺の電磁波シールドを容易化すると
いう効果を得ることができる。
プラズマに光ファイバを介して分光分析用光源の光を照
射し、その出射光を光ファイバを介して受光し分光器へ
誘導するようにする。このように放電室１の内部に分光
分析用の光の出射部と受光部とを設け、それぞれを光フ
ァイバを介して光源と分光器に接続することにより、光
源と分光器を放電室１から隔離して設置できるので、こ
れらが放電室１の開放操作の障害になることを防止し、
さらに、放電室１周辺の電磁波シールドを容易化すると
いう効果を得ることができる。
【００１２】光源１６の光は支柱９内を通る光ファイバ
２１を介してその出射端１０より出射され、プラズマ通
過光は受光端１２により受光され支柱１１内を通る光フ
ァイバ２２を介して分光器２０へ誘導され、スペクトル
分析し、記録される。なお、上記支柱９、１１や光ファ
イバ２１、２２等は耐熱性が必要なので例えば石英製の
ものを用いることが望ましい。出射端１０と受光端１２
は電極２、３間に形成されるプラズマに対向し、放電室
１の高さ方向に対して等間隔となるように設置される。
２１を介してその出射端１０より出射され、プラズマ通
過光は受光端１２により受光され支柱１１内を通る光フ
ァイバ２２を介して分光器２０へ誘導され、スペクトル
分析し、記録される。なお、上記支柱９、１１や光ファ
イバ２１、２２等は耐熱性が必要なので例えば石英製の
ものを用いることが望ましい。出射端１０と受光端１２
は電極２、３間に形成されるプラズマに対向し、放電室
１の高さ方向に対して等間隔となるように設置される。
【００１３】また、出射端１０と受光端１２にはそれぞ
れの複数の光ファイバ端を縦長に配列し、光源１６には
絞り２５を設け、分光器２０には絞り２６を設けて光フ
ァイバ２２の上記縦長配列を部分的に選択して、プラズ
マの高さ方向位置に応じた成分分布やその濃度分布を計
測できるようにする。また、放電室周辺から漏洩する電
磁波を接地されたシールド８により遮蔽する。
れの複数の光ファイバ端を縦長に配列し、光源１６には
絞り２５を設け、分光器２０には絞り２６を設けて光フ
ァイバ２２の上記縦長配列を部分的に選択して、プラズ
マの高さ方向位置に応じた成分分布やその濃度分布を計
測できるようにする。また、放電室周辺から漏洩する電
磁波を接地されたシールド８により遮蔽する。
【００１４】プラズマ成分の化学種は荷電粒子、準安定
状態（Ｍ＊）及び分子で構成されている。このプラズマ
成分の化学種で準安定状態にある成分が基底状態に戻る
とき光を発生するので、この光を分光してその波長領域
からプラズマ成分を同定することができる。光源１６か
ら光ファイバ２１を介してプラズマに照射する照射光に
は、波長が約２００〜４００ｎｍの紫外光（重水素放電
管）、４００〜７００ｎｍの可視光（タングステンラン
プ）、２〜１０μｍの赤外光（発熱体）等を用いる。
状態（Ｍ＊）及び分子で構成されている。このプラズマ
成分の化学種で準安定状態にある成分が基底状態に戻る
とき光を発生するので、この光を分光してその波長領域
からプラズマ成分を同定することができる。光源１６か
ら光ファイバ２１を介してプラズマに照射する照射光に
は、波長が約２００〜４００ｎｍの紫外光（重水素放電
管）、４００〜７００ｎｍの可視光（タングステンラン
プ）、２〜１０μｍの赤外光（発熱体）等を用いる。
【００１５】プラズマ内の原子、分子等が上記紫外光を
吸収すると、その原子、分子内の電子が高エネルギー準
位に遷移するので、吸収光の波長測定よりその物質の化
学結合の状態や化学構造を推定することができる。ま
た、Ｂｅｅｒの法則より光の吸光度（Ａｓ＝ｌｏｇ１／
Ｔ）は物質の濃度に比例するので、プラズマに照射した
光量（Ｉ0）と透過光量（Ｉ）との比（Ｉ／Ｉ0＝透過率
Ｔよりその物質の濃度を求めることができる。
吸収すると、その原子、分子内の電子が高エネルギー準
位に遷移するので、吸収光の波長測定よりその物質の化
学結合の状態や化学構造を推定することができる。ま
た、Ｂｅｅｒの法則より光の吸光度（Ａｓ＝ｌｏｇ１／
Ｔ）は物質の濃度に比例するので、プラズマに照射した
光量（Ｉ0）と透過光量（Ｉ）との比（Ｉ／Ｉ0＝透過率
Ｔよりその物質の濃度を求めることができる。
【００１６】また、上記赤外光の吸収より同様にプラズ
マ物質の濃度を測定することができる。すなわち、赤外
光のエネルギは分子の化学構造、とくに原子と原子、原
子団との結合における変角振動や伸縮振動等を変化さ
せ、結果的にその分子の双極子モーメントを変化させ
る。このことは赤外光照射により永久双極子モーメント
を持たない分子に双極子モーメントが誘発される場合に
も成り立つ。したがって、吸収された赤外光波長より例
えば炭素水素結合（Ｃ−Ｈ）であるか炭素弗素結合（Ｃ
−Ｆ）であるか等を判別することができる。
マ物質の濃度を測定することができる。すなわち、赤外
光のエネルギは分子の化学構造、とくに原子と原子、原
子団との結合における変角振動や伸縮振動等を変化さ
せ、結果的にその分子の双極子モーメントを変化させ
る。このことは赤外光照射により永久双極子モーメント
を持たない分子に双極子モーメントが誘発される場合に
も成り立つ。したがって、吸収された赤外光波長より例
えば炭素水素結合（Ｃ−Ｈ）であるか炭素弗素結合（Ｃ
−Ｆ）であるか等を判別することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明ではプラズマ放電室１の内部に光
ファイバを介して分光分析用光源の光を照射し、同様に
光ファイバを介してプラズマからの出射光を外部に取り
出すので、分光分析用光源と分光器を放電室１から任意
の位置に隔離して常設することができ、このため、放電
室に対する試料設定を容易にし、同時に放電室周辺の電
磁波シールドを容易化してプラズマ成分の分析、管理作
業を連続的に行い、アッシングやエッチング等を効率化
し、半導体の生産効率や歩留等を向上したプラズマ評価
装置をそなえたプラズマ装置を提供することができる。
ファイバを介して分光分析用光源の光を照射し、同様に
光ファイバを介してプラズマからの出射光を外部に取り
出すので、分光分析用光源と分光器を放電室１から任意
の位置に隔離して常設することができ、このため、放電
室に対する試料設定を容易にし、同時に放電室周辺の電
磁波シールドを容易化してプラズマ成分の分析、管理作
業を連続的に行い、アッシングやエッチング等を効率化
し、半導体の生産効率や歩留等を向上したプラズマ評価
装置をそなえたプラズマ装置を提供することができる。
【００１８】また、本発明のにおける光入射端部と受光
端部は比較的広い面積を有するので、入射端と受光端間
の光軸合わせが容易であり、実用上、光軸合わせの再調
整が不要にすることができる。さらに、上記入射端と受
光端はプラズマの側面部に沿った広がりを有するので、
プラズマ内の化学種の空間分布状態を検出することがで
き、これにより、エッチングやアッシングの経過時間に
伴うプラズマ成分毎の濃度変化を空間的に分析して最適
条件を詳しく分析でき、また、エッチングやアッシング
の進行状態や終点等を把握することができる。
端部は比較的広い面積を有するので、入射端と受光端間
の光軸合わせが容易であり、実用上、光軸合わせの再調
整が不要にすることができる。さらに、上記入射端と受
光端はプラズマの側面部に沿った広がりを有するので、
プラズマ内の化学種の空間分布状態を検出することがで
き、これにより、エッチングやアッシングの経過時間に
伴うプラズマ成分毎の濃度変化を空間的に分析して最適
条件を詳しく分析でき、また、エッチングやアッシング
の進行状態や終点等を把握することができる。
【図１】本発明によるプラズマ装置の部分断面図であ
る。
る。
１…放電室、２、３…電極、４…ガス流入口、５、１３
…端子、８…シ−ルド、９、１１…支柱、１０…出射
端、１２…受光端、１６…光源、１８…真空装置、２０
…分光器、２１、２２…光ファイバ、２５、２６…絞
り。
…端子、８…シ−ルド、９、１１…支柱、１０…出射
端、１２…受光端、１６…光源、１８…真空装置、２０
…分光器、２１、２２…光ファイバ、２５、２６…絞
り。
フロントページの続き (72)発明者 高堀 栄 茨城県勝田市市毛1040番地 株式会社日立 サイエンスシステムズ内
Claims (7)
- 【請求項１】 プラズマによりエッチング、アッシング
等を行なうプラズマ装置において、上記プラズマの放電
室内にプラズマ内物質の分光測定用の光を入射する手段
と、プラズマからの出射光を受光する手段を備えたこと
を特徴とするプラズマ評価装置をそなえたプラズマ装
置。 - 【請求項２】 請求項１において、上記光入射手段と受
光手段を上記プラズマを挾んで対向する位置に配置した
ことを特徴とするプラズマ評価装置をそなえたプラズマ
装置。 - 【請求項３】 請求項１または２において、上記光入射
手段は上記放電室外に設置された光源の光を放電室内に
導く光ファイバを備え、上記受光手段は上記プラズマか
らの出射光を放電室外に導く光ファイバを備えたことを
特徴とするプラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置。 - 【請求項４】 請求項３において、上記光入射手段と受
光手段の光ファイバを石英製の光ファイバとしたことを
特徴とするプラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置。 - 【請求項５】 請求項３または４において、上記放電室
内に上記光入射手段と受光手段の光ファイバをそれぞれ
支持する石英製の支柱を設けたことを特徴とするプラズ
マ評価装置をそなえたプラズマ装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
上記放電室内に上記光の入射手段の端部と受光手段の端
部をそれぞれ、上記プラズマ発生用の二つの電極に沿っ
て細長形状にしたことを特徴とするプラズマ評価装置を
そなえたプラズマ装置。 - 【請求項７】 請求項６において、上記光源と上記受光
手段の光ファイバ間、および上記受光手段の光ファイバ
の出力側にそれぞれ光の絞り手段を設けたことを特徴と
するプラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115649A JPH05315095A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | プラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115649A JPH05315095A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | プラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315095A true JPH05315095A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14667871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115649A Pending JPH05315095A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | プラズマ評価装置をそなえたプラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315095A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6764550B2 (en) * | 2000-02-07 | 2004-07-20 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for evaluating plasma polymerized polymer layer using UV spectrometer |
| JP2006318800A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Univ Nagoya | プラズマ電子温度の測定方法および測定装置 |
| JP2008241283A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Nu Eco Engineering Kk | 粒子密度測定プローブ及び粒子密度測定装置 |
| KR100911474B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2009-08-11 | 우범제 | 플라즈마를 이용한 가스분석장치의 처리실 |
| US7814796B2 (en) | 2007-04-18 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Partial pressure measuring method and partial pressure measuring apparatus |
| US10770273B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | OES device, plasma processing apparatus including the same and method of fabricating semiconductor device |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP4115649A patent/JPH05315095A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6764550B2 (en) * | 2000-02-07 | 2004-07-20 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for evaluating plasma polymerized polymer layer using UV spectrometer |
| JP2006318800A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Univ Nagoya | プラズマ電子温度の測定方法および測定装置 |
| JP2008241283A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Nu Eco Engineering Kk | 粒子密度測定プローブ及び粒子密度測定装置 |
| US7814796B2 (en) | 2007-04-18 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Partial pressure measuring method and partial pressure measuring apparatus |
| KR100911474B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2009-08-11 | 우범제 | 플라즈마를 이용한 가스분석장치의 처리실 |
| US10770273B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-09-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | OES device, plasma processing apparatus including the same and method of fabricating semiconductor device |
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