JPH0653171A

JPH0653171A - プラズマ装置

Info

Publication number: JPH0653171A
Application number: JP20138492A
Authority: JP
Inventors: Tetsuji Nagayama; 哲治長山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-07-28
Filing date: 1992-07-28
Publication date: 1994-02-25
Anticipated expiration: 2015-11-27
Also published as: JP3111663B2

Abstract

(57)【要約】【目的】イオウ系生成物の堆積を伴うドライエッチン
グを行うエッチング装置において、高真空排気系統の排
気管からイオウ系生成物を効率良く除去する。【構成】有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャー１の
高真空排気系統中、ターボ分子ポンプ５と粗引きポンプ
７とを接続する排気管６の少なくとも一部に、加熱機構
Ｈまたは冷却機構Ｃを設ける。加熱機構Ｈは、ヒータ，
恒温槽等の加熱手段と温度制御装置からなり、この部分
をイオウ系生成物の昇華温度または分解温度より高い温
度まで加熱してその付着を防止する。イオウ系生成物
は、最終的には脱硫機構９で捕集される。冷却機構Ｃを
設ける場合は、排気管６を着脱可能とし、これを包囲し
て冷媒ジャケットを設け、この部分でイオウ系生成物を
集中的に堆積させる。クリーニングは、排気管６を取り
外して行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ装置に関し、特
にプラズマ処理に伴って処理チャンバ内で発生したイオ
ウ系生成物を、排気管内から効率良く除去することが可
能な装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられる
ように、半導体装置の高集積化および高性能化が進展す
るに伴い、単結晶シリコン、多結晶シリコン、高融点金
属シリサイド、ポリサイド等のシリコン系材料層のドラ
イエッチングにおいても、高異方性、高速性、高選択
性、低ダメージ性、低汚染性といった諸要求をいずれも
高いレベルで満足させる技術が切望されている。

【０００３】従来、これらのシリコン系材料層のエッチ
ングには、Ｃ₂Ｃｌ₃Ｆ₃（ＣＦＣ１１３）に代表され
るクロロフルオロカーボン・ガス（ＣＦＣガス）が、エ
ッチング・ガスとして広く用いられてきた。これは、Ｃ
ＦＣガスが分子中にハロゲン原子としてＦとＣｌの双方
を含むため、条件次第でＦ^*，Ｃｌ^*等によるラジカル
反応、あるいはＣＣｌ_x ⁺，Ｃｌ_x ⁺，ＣＦ_x ⁺等によ
るイオン・アシスト反応の寄与の程度を様々に変化させ
ることができ、かつプラズマ中に生成する炭素系ポリマ
ーをパターン側壁面に堆積させることができるからであ
った。

【０００４】しかしながら、ＣＦＣガスは周知のように
地球のオゾン層を破壊する一因であることが指摘されて
おり、近い将来にその製造および使用が禁止される運び
である。したがって、ドライエッチングの分野において
も、ＣＦＣガスの代替品を見出し、その効果的な利用方
法を確立することが急務とされている。また、半導体装
置のデザイン・ルールが今後さらに微細化されると、気
相中から堆積する炭素系ポリマーすらも有害なパーティ
クル汚染源となることが予想され、この観点からも脱Ｃ
ＦＣ対策が望まれている。

【０００５】本願出願人は、この脱ＣＦＣ対策の有力な
解答として、先に特願平３−２１０５１６号明細書にお
いて、昇華性物質であるイオウ（Ｓ）をウェハ上で側壁
保護や表面保護等に利用する方法を提案した。これは、
Ｓ₂Ｆ₂やＳ₂Ｃｌ₂等のようにＳ／Ｘ比〔分子内のＳ
原子数とハロゲン（Ｘ）原子数の比〕が比較的高く、放
電解離条件下でプラズマ中に遊離のＳを放出することが
可能なハロゲン化イオウをエッチング・ガスの主成分と
して用いるものである。

【０００６】このＳは、エッチング条件にもよるが、ウ
ェハの温度がおおよそ９０℃より低く制御されていれば
その表面に吸着される。この表面が、イオンの垂直入射
が原理的に生じないパターン側壁面であれば、Ｓは側壁
保護膜を形成して側壁保護に寄与し、イオンの垂直入射
面であればその堆積過程とスパッタ除去過程とを競合さ
せることにより選択性の向上に寄与する。ウェハ上に堆
積したＳは、エッチング終了後にウェハを９０℃以上に
加熱するか、もしくはレジスト・アッシングを行えば容
易に昇華除去または燃焼除去されるので、何らパーティ
クル汚染の懸念がなくなるのである。

【０００７】もちろん、肝心のエッチングは、ハロゲン
化イオウから解離生成するＦ^*，Ｃｌ^*，ＳＦ_x ⁺，Ｓ
Ｃｌ_x ⁺，Ｓ_x ⁺等を利用して、ラジカル・モード、イ
オン・モードのいずれによっても進行させることができ
る。また、上記の方法では側壁保護を行いながらエッチ
ングを進行させるため、ウェハの温度を室温ないし中低
温領域に維持できる点も大きなメリットである。近年、
脱フロン対策のひとつとして注目された技術に、ウェハ
を０℃以下の温度に冷却しながらエッチングを行う低温
エッチングがある。しかし、従来の低温エッチングは、
ラジカルの反応性を抑制するために百数十℃ものも低温
域に及ぶ冷却が必要となり、エッチング装置の信頼性、
スループット、経済性等が大幅に低下するという問題を
抱えていた。これに対し、Ｓの堆積を利用するプロセス
は、このような問題点もすべてクリアしている。

【０００８】さらに本願出願人は、特願平３−３０１２
８１号明細書において、単体のＳよりもさらにエッチャ
ントの攻撃に対して高い耐性を有する窒化イオウ系化合
物を側壁保護および表面保護に用いる方法を提案した。
窒化イオウ系化合物としては種々の化合物が生成する可
能性があるが、特に主体となる化合物はポリマー構造を
有するポリチアジル（ＳＮ）_xである。窒化イオウ系化
合物は、ウェハがおおよそ１３０℃より低い温度に維持
されていればその表面に付着して異方性加工や高選択加
工に寄与するが、１３０℃より高い温度に加熱されれば
容易に分解除去もしくは昇華除去することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、Ｓの堆
積を利用するプロセスは、実用的な温度域でクリーンな
異方性エッチングを実現できるという点で、画期的な脱
フロン対策を提供するものである。ところで、上記のプ
ロセスでは、気相中から生成するＳを利用して側壁保護
を行っているために、エッチング・チャンバの内壁面や
各種構成部材の表面にも同時にＳが堆積する。しかし、
このＳは常に一定の速度で堆積し続けるものではなく、
枚葉式のエッチング装置においてはウェハの処理枚数の
少ない段階とある程度の処理枚数を経た段階とでかなり
堆積速度が異なっている。したがって、エッチング系内
のＳ／Ｘ比は処理枚数を重ねる間に微妙に変動し、ウェ
ハ以外の部位への堆積速度がほぼ飽和してしまうと、こ
れらの部位に蓄積されたＳの影響が強く現れてエッチン
グ反応系のＳ／Ｘ比が大幅に上昇するようになる。この
ような場合には、Ｓがウェハ上へ過剰に堆積し、パター
ンをテーパー化させたりエッチング速度を低下させる等
の不都合が生ずる。

【００１０】この問題を解決するために、本願出願人は
先に特願平３−１２５４６５号明細書において、エッチ
ング・チャンバ壁の少なくとも一部を加熱しながらエッ
チングを行うドライ・エッチング方法を提案している。
これにより、エッチング・チャンバ壁へのＳの付着が防
止され、エッチング反応系のＳ／Ｘ比の変動を抑制して
再現性の高いエッチングを行うことが可能となる。

【００１１】このことは、Ｓのみならず、窒化イオウ系
化合物の堆積を利用するプロセスにも、すべて同様に当
てはまる。そこで、以下の明細書中では、Ｓと窒化イオ
ウ系化合物を「イオウ系生成物」と総称することにす
る。

【００１２】このとき、さらに考慮を要する問題が生ず
る。それは、エッチング・チャンバ壁へ付着できずにエ
ッチング雰囲気中に浮遊するイオウ系生成物が、エッチ
ング・チャンバに接続される高真空排気系統に吸入され
ることである。通常、ドライエッチング装置に接続され
る高真空排気系統は、約１〜０．１Ｐａ（１０^-2〜１０
^-3Ｔｏｒｒ）のオーダーの真空度を達成するためのいわ
ゆる粗引きポンプ、０．０１Ｐａ（１０^-3Ｔｏｒｒ）よ
りもさらに高いオーダーの真空度を達成するための高真
空ポンプ、各ポンプ間あるいは高真空ポンプとエッチン
グ・チャンバとの間を相互に接続する排気管等から構成
されている。ここで、粗引きポンプとしては油回転ポン
プ、高真空ポンプとしてはクライオポンプやターボ分子
ポンプ等が広く用いられている。これらのポンプは、通
常の使用状態で１００℃近くまで加熱されているが、そ
の他の排気管の温度はおおよそ室温と等しい。

【００１３】このような高真空排気系統にイオウ系生成
物が吸入されると、排気管の内壁面にＳが堆積し、目詰
まりを起こしたり真空度を低下させたりする虞れが大き
い。

【００１４】そこで本発明は、プラズマ処理に伴って処
理チャンバ内で発生したイオウ系生成物を、排気管内か
ら効率良く除去することが可能なプラズマ装置を提供す
ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ装置
は、上述の目的を達成するために提案されるものであ
り、放電解離条件下でイオウ系生成物の堆積を伴うプラ
ズマ処理を行うための処理チャンバと、前記処理チャン
バの内部を高真空排気するために該処理チャンバに接続
される排気管と、前記排気管の管壁の少なくとも一部を
加熱可能な加熱機構を具備することを特徴とする。

【００１６】本発明はまた、前記加熱機構の下流側に脱
硫機構が配設されてなることを特徴とする。

【００１７】本発明はまた、前記加熱機構の代わりに冷
却機構を具備することを特徴とする。

【００１８】本発明はまた、前記排気管の少なくとも被
冷却部が着脱可能となされていることを特徴とする。

【００１９】本発明はさらに、前記処理チャンバ内で行
われるプラズマ処理がドライエッチングまたはＣＶＤの
いずれかであることを特徴とする。

【００２０】

【作用】本発明者はイオウ系生成物を排気管内から効率
良く除去するという上述の目的を達成するために、
（ａ）排気管を加熱してイオウ系生成物の付着を防止す
るか、あるいは逆に（ｂ）排気管を冷却してイオウ系生
成物を積極的に付着させ、何らかの手段を用いてその部
分で集中的にイオウ系生成物を回収する、という２通り
の方針を立てた。

【００２１】請求項１に記載した発明は、上記の（ａ）
の方針にもとづき、排気管の管壁の少なくとも一部を加
熱可能な加熱機構を設けるものである。これは、Ｓがお
およそ９０℃以上、窒化イオウ系化合物がおおよそ１３
０℃以上の温度で容易に昇華除去もしくは分解除去され
る性質を利用したものである。この場合、イオウ系生成
物は加熱されている各種のポンプを通過して高真空排気
系統の下流側へ輸送されるので、大気汚染を防止するた
めに、最終的には外界へ放出する前に何らかの方法で補
集しなければならない。そこで、請求項２に記載した発
明では、上記加熱機構の下流側に脱硫機構を設けるので
ある。

【００２２】一方、請求項３に記載した発明は、上記の
（ｂ）の方針にもとづくものであり、前記加熱機構の代
わりに冷却機構を設けるものである。これは、上記の発
明とは逆に、Ｓがおおよそ９０℃未満、窒化イオウ系化
合物がおおよそ１３０℃未満の温度で堆積する性質を利
用したものである。この場合、イオウ系生成物はこの被
冷却部に蓄積されるので、定期的に回収する必要があ
る。そこで、請求項４に記載した発明では、少なくとも
この被冷却部を着脱可能とし、一定量のイオウ系生成物
が蓄積された段階でこの部分を取り外してクリーニング
もしくは回収作業ができるな構成としてある。ある排気
管に対してクリーニングを行っている間は、クリーニン
グ済みの他の排気管を接続してプラズマ装置の稼働を継
続させれば、プラズマ装置の稼働率を大幅に損なう虞れ
もない。

【００２３】本発明は、窒化イオウ系化合物の堆積を伴
うプラズマ処理を行うプラズマ装置であればあらゆるタ
イプの装置に適用することができるが、特にドライエッ
チングとＣＶＤを行う装置に適用した場合に、特に実用
上優れた効果を期待することができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００２５】実施例１本実施例は、有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーの
エッチング・チャンバに接続される高真空排気系統にお
いて、ターボ分子ポンプと粗引きポンプとを接続する排
気管の一部にコイル・ヒータと温度制御機構からなる加
熱機構を設けた例である。

【００２６】まず、本実施例のエッチング装置の概略的
な構成図を図１に示す。この装置は、処理チャンバ２内
にセットされたウェハ３に対して所望のエッチングを行
う有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャー１と、上記処
理チャンバ２の内部を高真空排気するために排気孔４を
介して接続されるターボ分子ポンプ５、このターボ分子
ポンプに排気管６を介して接続される油拡散ポンプ等の
粗引きポンプ７、この粗引きポンプ７に排気管８を介し
て接続される脱硫機構９等を主な構成要素としている。
上記ウェハ３は、ウェハ・ステージに内蔵される冷却配
管（図示せず。）に適当な冷媒を循環させることによ
り、おおよそ室温以下の温度に冷却される。また、処理
チャンバ２のチャンバ壁の一部には図示されないヒータ
が埋設されており、エッチング中に生成したイオウ系生
成物が堆積しないようになされている。

【００２７】処理チャンバ２内のエッチング・ガス、エ
ッチング反応生成物、バック・グラウンド・ガス等は、
ターボ分子ポンプ５から脱硫機構９に至る高真空排気経
路を矢印Ａ方向に沿って輸送され、最終的には排気管１
０を経て外界に放出される。

【００２８】上記排気管６の中途部には、加熱機構Ｈが
設けられている。この加熱機構Ｈの構成を、図２に拡大
して示す。この加熱機構Ｈは、排気管６の周囲に巻回さ
れるコイル・ヒータ１１と、温度制御機構とに大別され
る。後者の温度制御機構には、上記コイル・ヒータ１１
に通電を行うためのヒータ電源１２、排気管６の温度を
検出するための温度センサ１３、この温度センサ１３に
より検出された温度と設定温度とを比較してヒータ電源
１２のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う温度制御装置１４等が含
まれる。かかる構成を有する温度制御機構としては、た
とえば昇華性物質をガス化させた状態で流通させるため
に供給系統の配管に対して設けられた例が特開昭５９−
９４１１５号公報に開示されているが、本発明では同様
の加熱機構を高真空排気系統の排気管に適用したわけで
ある。

【００２９】一方、上記脱硫機構９の構成を図５に示
す。この脱硫機構９は、加熱酸化部と吸収部とに大別さ
れる。加熱酸化部は、高真空排気系統を輸送されてくる
イオウ系生成物を酸化してＳＯ_xに変化させる部分であ
り、排気管８の途中に分岐開口されＯ₂等の酸化性ガス
を供給するためのガス供給管１９、この分岐部の近傍を
被覆するヒート・ブロック２０、このヒート・ブロック
２０を加熱するためのヒータ２１、このヒータ２１に通
電を行うためのヒータ電源２２等からなる。

【００３０】また、吸収部は排気管８の一部をＵ字形に
屈曲させ、この屈曲部にたとえば水酸化ナトリウム（Ｎ
ａＯＨ）水溶液を吸収液２３として満たした構成を有す
る。

【００３１】次に、上述のエッチング装置を用いて実際
にエッチングを行った。すなわち、排気管６の設定温度
を１００℃とし、有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャ
ー１の内部でＳ₂Ｆ₂ガスを放電解離させながら、多結
晶シリコン・ゲート電極加工を行った。このエッチング
・プロセスでは、Ｓ₂Ｆ₂から生成したＳがウェハ３に
付着し、レジスト・マスクや下地のゲート酸化膜の表面
保護、あるいはパターン側壁面の保護等に寄与するが、
ウェハ３に付着しなかった余剰のＳは排気孔４を通って
高真空排気系統へ排出される。５インチ径ウェハの１日
の処理枚数を１００枚／日としてこのエッチング装置を
稼働させたところ、排気管６にはＳが何ら蓄積されなか
った。これにより、従前は約半年に１回必要であった排
気管の交換もしくはクリーニングが、本発明では全く不
要となった。

【００３２】排気管６、粗引きポンプ７を通過したＳは
排気管８を介して脱硫機構９へ輸送され、この加熱酸化
部でＳＯ₂に酸化された後、吸収液２３中でバブリング
されて亜硫酸ナトリウム（Ｎａ₂ＳＯ₃）に変化し、補
集された。したがって、排気管１０からは何らイオウ系
生成物が大気中へ放出されることはなかった。

【００３３】実施例２本実施例では、実施例１で述べた加熱機構Ｈにおける加
熱の均一性を改善した。本実施例で用いた加熱機構Ｈの
構成例を、図３に示す。図３の参照符号は、図２と一部
共通である。

【００３４】この加熱機構Ｈにおいて、コイル・ヒータ
１１は、ＳｉＣ等の熱伝導率に優れた材料からなる均熱
管１５を介在させた状態で排気管６に巻回されている。
これにより、排気管６はコイル・ヒータ１１により加熱
された均熱管１５からの輻射熱により均一に加熱され、
イオウ系生成物の付着を一層効果的に防止することがで
きた。

【００３５】実施例３本実施例では、排気管６のさらに別の加熱方法として、
恒温槽を使用した。本実施例で用いた加熱機構Ｈの構成
例を、図４に示す。図４の参照符号は、図２と一部共通
である。この加熱機構Ｈでは、排気管６の一部がＵ字形
に屈曲され、この屈曲部が恒温槽１６に満たされた温水
１７中に浸漬されている。温水１７の加熱はヒータ１８
により行われる。コイル・ヒータ１８に通電するヒータ
電源１２のＯＮ／ＯＦＦ制御が温度計１３と温度制御装
置１４により行われる仕組みは、実施例１で上述したと
おりである。

【００３６】本実施例によっても、排気管６の均一な加
熱が可能となり、イオウ系生成物の付着を効果的に防止
することができた。

【００３７】実施例４本実施例は、有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーの
エッチング・チャンバに接続される高真空排気系統にお
いて、ターボ分子ポンプと粗引きポンプとを接続する排
気管の一部にチラーと冷媒ジャケットからなる冷却機構
を設けた例である。

【００３８】まず、本実施例のエッチング装置の概略的
な構成図は図１に示したとおりである。ただし、本実施
例で排気管６に配設されているのは、加熱機構Ｈではな
く、冷却機構Ｃである。また、本実施例では後述のよう
に冷却機構Ｃにおいてイオウ系生成物が蓄積されるの
で、脱硫機構９は特に設置する必要はない。

【００３９】上記の冷却機構Ｃの構成を、図６に示す。
この冷却機構Ｃは、適当な冷媒を供給するためのチラー
２４と、排気管６を周回しかつその両端部が上記チラー
２４に接続されることにより冷媒を循環させることが可
能な冷媒ジャケット２５等から構成されている。また、
排気管６は、上記冷媒ジャケット２５による被冷却領域
の両端で着脱できる構造とされており、この着脱箇所に
は一対のバルブ２６が設けられている。

【００４０】この冷却機構Ｃの使用方法は、次のとおり
である。すなわち、エッチング装置の稼働中は、図６
（ａ）に示されるように、冷媒ジャケット２５を装着し
た排気管６を接続した状態とし、バルブ２６は開けてお
く。この排気管６の内壁面に一定量のイオウ系生成物が
蓄積されたら、図６（ｂ）に示されるようにバルブ２６
を閉じ、両バルブ２６間の排気管６を取り外してクリー
ニングを行う。このクリーニング中にクリーニング済み
の他の排気管６を両バルブ２６間に接続すれば、稼働停
止時間を短縮することができ、エッチング装置の稼働率
を大幅に低下させずに済む。

【００４１】次に、上述のエッチング装置を用いて実際
にエッチングを行った。すなわち、バルブ２６を開放し
た状態で冷媒ジャケット２５にエタノール系冷媒を循環
させて排気管６の温度を−１０℃に維持し、有磁場マイ
クロ波プラズマ・エッチャー１の内部でＳ₂Ｆ₂ガスを
放電解離させながら、多結晶シリコン・ゲート電極加工
を行った。ウェハ３に付着しなかった余剰のＳは排気孔
４を通って高真空排気系統へ排出されるが、冷媒ジャケ
ット２５に包囲された領域において急激に蒸気圧が低下
し、排気管６の内壁面上に付着した。

【００４２】一定量のＳが蓄積した時点でバルブ２６を
閉じ、排気管６を取り外し、内壁面をクリーニングし
た。これにより、Ｓを効率良く回収することができた。
また、この被冷却部より下流側の排気管には、何らＳの
堆積は生じていなかった。

【００４３】実施例５本実施例では、実施例４で述べた冷却機構Ｃにおいて排
気管６を２系統に分岐させ、エッチング装置の稼働率を
大幅に向上させた。本実施例のエッチング装置における
冷却機構Ｃの構成を、図７に示す。図７の参照符号は、
図６と一部共通である。

【００４４】この冷却機構Ｃでは、排気管６が途中で排
気管６ａ，６ｂの２系統に分岐され、各排気管６ａ，６
ｂの両端には、それぞれ一対のバルブ２６ａ，２６ｂが
設けられている。両方の系統は、バルブ２６ａ，２６ｂ
の開閉を切り換えることにより、相補的に使用される。
すなわち、どちらか一方の系統がクリーニングのために
休止されている場合には、他方の系統を使用するのであ
る。図７では、排気管６ａを接続し、バルブ２６ａを開
いてＳを積極的に堆積させている間、バルブ２６ｂを閉
じて排気管６ｂを取り外し、クリーニングを行っている
様子を示している。

【００４５】かかる構成によれば、エッチング装置は常
に稼働させておくことができ、実施例４に比べて稼働率
を著しく向上させることができる。

【００４６】以上、本発明を５例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではない。たとえば、上述の実施例ではイオウ系生
成物が単体のＳである場合について説明したが、本発明
は窒化イオウ化合物が生成するエッチング装置にも同様
に適用することができる。この場合には、加熱機構Ｈの
温度設定をおおよそ１３０℃以上にすることが望まし
い。

【００４７】上記の冷却機構Ｃには、実施例１の加熱機
構Ｈのところで述べた加熱制御機構と同様の考え方にも
とづき、冷却制御機構を設けても構わない。ただし、ヒ
ータの温度制御と異なり、冷媒の温度を供給元のチラー
において微調整することは困難なので、実用上は所望の
設定温度よりもやや冷却能力の高い冷媒を循環させてお
き、上記の冷媒ジャケット２５をヒータ等で加熱しなが
ら冷却温度を微調整することが望ましい。

【００４８】エッチング装置としては、上述の有磁場マ
イクロ波プラズマ・エッチャーの他、平行平板型エッチ
ャーやマグネトロン・エッチャー等も使用できる。さら
には、エッチング装置のみならず、ＣＶＤ装置に対して
も本発明が同様に適用できることは言うまでもない。

【００４９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すれば、プラズマ装置の高真空排気系統におい
てイオウ系生成物による排気管の目詰まりや真空度の低
下を防止することができる。したがって、ドライエッチ
ングやＣＶＤの再現性、スループットを向上させ、かつ
大気汚染を防止することができる。

【００５０】本発明は、イオウ系化合物の堆積を利用す
るプラズマ処理の実用化を推進する技術として極めて重
要であり、さらには脱ＣＦＣプロセスの早期実現に道を
開くものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したエッチング装置の一構成例を
示す概略図である。

【図２】図１のエッチング装置における加熱機構の一構
成例を示す概略図である。

【図３】図１のエッチング装置における加熱機構の他の
構成例を示す概略図である。

【図４】図１のエッチング装置における加熱機構のさら
に他の構成例を示す概略図である。

【図５】図１のエッチング装置における脱硫機構の構成
例を示す概略図である。

【図６】図１のエッチング装置における冷却機構の一構
成例を示す概略図であり、（ａ）はエッチング装置稼働
中の排気管の接続状態、（ｂ）はクリーニングのために
排気管を取り外した状態をそれぞれ表す。

【図７】図１のエッチング装置における冷却機構の他の
構成例を示す概略図である。

【符号の説明】

１・・・有磁場マイクロ波プラ
ズマ・エッチャー２・・・処理チャンバ３・・・ウェハ４・・・排気孔５・・・ターボ分子ポンプ６，６ａ，６ｂ，８，１０・・・排気管７・・・粗引きポンプ９・・・脱硫機構１１，１８・・・コイル・ヒータ１２，２２・・・ヒータ電源１３・・・温度計１４・・・温度制御装置１５・・・均熱管１６・・・恒温槽１７・・・温水１９・・・ガス供給管２０・・・ヒート・ブロック２３・・・吸収液２４・・・チラー２５・・・冷媒ジャケット２６，２６ａ，２６ｂ・・・バルブＨ・・・加熱機構Ｃ・・・冷却機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放電解離条件下でイオウ系生成物の堆積
を伴うプラズマ処理を行うための処理チャンバと、前記処理チャンバの内部を高真空排気するために該処理
チャンバに接続される排気管と、前記排気管の管壁の少なくとも一部を加熱可能な加熱機
構を具備することを特徴とするプラズマ装置。
【請求項２】前記加熱機構の下流側に脱硫機構が配設
されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ装
置。
【請求項３】放電解離条件下でイオウ系生成物の堆積
を伴うプラズマ処理を行うための処理チャンバと、前記処理チャンバの内部を高真空排気するために該処理
チャンバに接続される排気管と、前記排気管の管壁の少なくとも一部を冷却可能な冷却機
構を具備することを特徴とするプラズマ装置。
【請求項４】前記排気管の少なくとも被冷却部が着脱
可能となされていることを特徴とする請求項３記載のプ
ラズマ装置。
【請求項５】前記処理チャンバ内で行われるプラズマ
処理がドライエッチングまたはＣＶＤのいずれかである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１
項に記載のプラズマ装置。