JP2004063866A

JP2004063866A - 排気ガス処理装置

Info

Publication number: JP2004063866A
Application number: JP2002221191A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yamane; 山根　正宏
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 2002-07-30
Filing date: 2002-07-30
Publication date: 2004-02-26

Abstract

【課題】排気ガスを処理室から排気する際に、配管内や真空ポンプ内に排気ガスが析出することなく、効率良く排気ガスの除去を行うことができる排気ガス処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の排気ガス処理装置１は、高真空ポンプ２と低真空ポンプ３と除害装置４と冷却器５と加熱器６で構成される。冷却器５及び加熱器６の内部には、排気ガス７との熱交換を効率良く行うために、内部に平板状の冷却板５ａ及び加熱板６ａが、排気ガス７の流れに対して、略垂直に多数設けられている。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や半導体基板上に形成された絶縁膜や導電膜を選択的に除去するドライエッチング装置の排気ガス処理装置に関し、特に、配管や真空ポンプ内における排気ガスの析出を防止することができる排気ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子において、レジストなどで作られたパターンを保護マスクにして、その下にあるＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４、ポリシリコン、ＡｌやＷ等の配線金属等に同じパターンを形成するエッチング工程がある。エッチングには、薬液で溶解するウェットエッチングと、反応ガス雰囲気で行うドライエッチングあるが、微細なパターン形成には、通常ドライエッチングが用いられる。
【０００３】
このとき使用されるドライエッチング装置及び従来の排気ガス処理装置を、図面を参照して説明する。図４は、ドライエッチング装置及び従来の排気ガス処理装置の概略構成図である。ドライエッチング装置４１において、４２は処理室、４３はＣｌ_２、ＨＢｒ、ＳＦ_６等のエッチングガス、４４はガス導入管、４５はエッチング処理する半導体基板、４６は陽極、４７は陰極である。陰極４７で半導体基板４５を保持するとともに、陽極４６に高周波電源をアノード結合し、両電極間に高周波電力を印加するとともに、処理室４２を真空引きして、両電極４６、４７間に形成されるプラズマと、処理室４２にガス導入管４４を通して供給されるエッチングガス４３とによるプラズマ反応によってエッチング処理が行われ、任意の形状が形成される。
【０００４】
このような、ドライエッチング装置４１を用いる半導体製造には、通常、有害なガスが用いられるので、排気ガスをそのまま大気に放出することができない。そこで、真空ポンプの排気側に除害装置を設け、排気ガスを除害装置にて処理した後、大気に排気するようにしている。
【０００５】
このドライエッチング装置４１に接続される従来の排気ガス処理装置４８を説明する。図４に示す排気ガス処理装置４８において、４９は高真空ポンプ、５０は低真空ポンプ、５１は除害装置である。油系ポンプは油中に有機金属材料が溶け込む等の問題があるので、高真空ポンプ４９にはターボ分子ポンプ、粗引き用の低真空ポンプ５０にはオイルフリーのドライポンプ等が使用される。また、除害装置５１は、ドライエッチング装置４１の処理室４２より排出された排気ガスを処理するもので、処理後は大気に放出またはガススクラバーに送られる。この除害手段としては、例えば除害装置内に設けた薬液により排気ガスを化学的に吸着させて有害成分を除去する方法などがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の排気ガス処理装置４８には、以下のような問題があった。反応直後のエッチングガスは、処理室４２内では高温であるためガス状態を維持しているが、高真空ポンプ４９、低真空ポンプ５０で排気される際に、自然冷却されることにより、ガス成分が配管５２および高真空ポンプ４９内に析出して、排気能力の低下や最悪の場合にはポンプ自体を破損させるおそれがあった。また、析出物を除去するためには、配管５２を排気ガス処理装置４８から取外して洗浄を行う必要があり、多大なメンテナンス工数が必要であった。また、配管５２内における排気ガスの析出を防止する対策として、配管５２の周囲にヒータ等を取付けて加熱することが考えられるが、高濃度の排気ガスがそのまま高真空ポンプ４９に流れ込むことになり、高真空ポンプ４９内における析出を防止することはできない。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、排気ガスを処理室から排気する際に、配管内や真空ポンプ内に排気ガスが析出することなく、効率良く排気ガスの除去を行うことができる排気ガス処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の排気ガス処理装置は、ドライエッチング装置の排気ガスを処理する排気ガス処理装置であって、反応室と真空ポンプの間に冷却器と加熱器が設けられたことを特徴とする。この構成により、冷却器内で、大部分の排気ガスを積極的に析出させて捕捉することができるので、配管内や真空ポンプ内で排気ガスが析出してメンテナンス工数の増加や排気能力の低下や真空ポンプの破損を招くことがない。また、冷却器で捕捉できなかった排気ガスは加熱器で再加熱して析出を抑制するようにしたので、配管内や真空ポンプ内で、排気ガスが再び析出することがなく、効率よく後段の除害装置に導くことができる。
【０００９】
また、請求項２記載の排気ガス処理装置は、請求項１記載の排気処理装置であって、前記冷却器が２つ以上設けられ、バルブ操作で切り換え可能としたことを特徴とする。この構成により、一方の冷却器の洗浄中にも、他方の冷却器を使用して排気ガス処理を行うことができるので、スループットが低下することがない。
【００１０】
また、請求項３記載の排気ガス処理装置は、請求項２記載の排気処理装置であって、前記冷却器の入口側に圧力計が設けられ、圧力計の値により冷却器の切り換えを行うことを特徴とする。この構成により、冷却器内の排気ガスの析出状態を、圧力計の値により知ることができ、それによって冷却器の洗浄時期を判断できる。また、バルブを切り換え、並列に設けた他の冷却器を使用できるので、排気ガス処理のスループットが向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、ドライエッチング装置に接続された本発明の実施形態１による排気ガス処理装置の概略構成図である。図１において、ドライエッチング装置４１は従来と同一構成であるので、同一符号を付して、説明は省略する。
【００１２】
本発明の排気ガス処理装置１において、２はターボ分子ポンプ等の高真空ポンプ、３はドライポンプ等の低真空ポンプ、４は除害装置、５は冷却器、６は加熱器である。冷却器５及び加熱器６の内部には、排気ガス７との熱交換を効率良く行うために、内部に平板状の冷却板５ａ及び加熱板６ａが、排気ガス７の流れに対して、略垂直に多数設けられている。冷却板５ａの内部には冷却水等が流れ、冷却器５の内部を所定の温度に冷却するようになっている。また、加熱板６ａの内部にはヒータが取り付けられており、加熱器６の内部を所定の温度に加熱するようになっている。
【００１３】
次に、本発明の排気ガス処理装置１を使用した排気ガス処理方法について説明する。ドライエッチング装置４１から排出された排気ガス７は、配管８を通って冷却器５内に導かれる。冷却器５内では、導入された排気ガス７が所定の温度に冷却された冷却板５ａと接触して、熱交換が行われる。このとき、冷却板５ａの温度は、排気ガス７が結晶化する温度以下に設定する。また、２種類以上の排気ガスの場合は、結晶化温度の低い方に設定する。その結果、排気ガス７が効率良く冷却板５ａの表面で結晶化して析出する。大部分の排気ガス７はこの段階で捕捉されるが、例えば、排気ガス７が高濃度の場合、捕捉しきれなかった一部の排気ガス７は、加熱器６へ導かれる。この加熱器６の目的は、冷却器５内で捕捉しきれなかった排気ガス７が高真空ポンプ２に達するまでに配管内に析出しないようにするためのものである。加熱器６内では、導かれた排気ガス７が、所定の温度に加熱された加熱板６ａと接触して、熱交換が行われる。その結果、排気ガス７が再加熱されて高温になり、ガス状態を維持したまま、高真空ポンプ２へ導かれ、さらに低真空ポンプ３を通って、除害装置４へ達し、除害装置４に設けた薬液等で除害処理されて、大気排出される。このように、上述した排気ガス処理装置１により、大部分の排気ガス７は、冷却器５で積極的に析出して捕捉されるので、高真空及び低真空ポンプ２、３や除害装置４にかかる負荷が従来より大幅に低減され、メンテナンス頻度も少なくなって、生産性が向上する。
【００１４】
また、冷却器５と加熱器６の間に、加熱した不活性ガスを供給するような構成にしても良い。このようにすれば、冷却器５で捕捉できなかった排気ガス７を、希釈するとともに加熱して効率良く、加熱器６に導くことができる。
【００１５】
次に、本発明における排気ガス処理装置の他の実施例について図面を参照して説明する。図２は、ドライエッチング装置４１に接続された本発明の実施形態２による排気ガス処理装置２１の概略構成図である。図１との相違は、冷却器を２つ以上、並列に設けるとともに、各々の冷却器の入口側に圧力計を設けたことである。その他の構成は、上述した実施例１と同様であるので、同一符号を付して説明は省略する。
【００１６】
図２に示す排気ガス処理装置２１では、２つの冷却器２２、２３を並列に設けるとともに、各々の入口側に圧力計２４、２５を設け、冷却器における排気ガスの捕捉状態をモニタするようにしたものである。
【００１７】
例えば、冷却器２２内の冷却板２２ａ上に排気ガス７が析出してくると、入口側に設けた圧力計２４の圧力が高くなる。そして所定の値以上になると、これ以上の処理ができないと判断して、冷却器２２の両端のバルブ２６、２７を閉にすると同時に、もう一方の冷却器２３の両端のバルブ２８、２９を開にする。このようにすれば、新たに設けた冷却器２３により、排気ガス７の捕捉を継続して行うことができる。また、冷却器２３にて、排気ガス７を捕捉している間に、並行して排気ガス７を捕捉した冷却器２２の洗浄を行うことができるので、メンテナンスにより生産効率を低下させることがなくなる。なお、以上の操作は手動で行ってもよいし、圧力値を基にバルブの開閉を操作する制御部（図示せず）を設けて、自動的に行うようにしてもよい。
【００１８】
また、本発明における排気処理装置の冷却器及に設けられる冷却板の構造を、例えば、図３（ａ）、（ｂ）のような形状にしてもよい。図３（ａ）は容器３１内に設けた冷却板３２がスリット型であり、図３（ｂ）は容器３１内に設けた冷却板３３が螺旋型である。いずれも、排気ガス３４との熱交換を効率良く行うために、排気ガス３４との接触面積を大きくした構造になっている。冷却板の内部には冷却水等が流れ、冷却器の内部を所定の温度に冷却するようになっている。また、このような構造は、加熱器内の加熱板に適用することもできる。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の排気ガス処理装置によれば、処理室と真空ポンプの間に、排気ガスを冷却・加熱する冷却器及び加熱器を設け、前段の冷却器で大部分の排気ガスを積極的に析出させて捕捉した後、捕捉しきれなかった排気ガスを後段の加熱器で再加熱して析出を抑制するようにしたので、配管及び真空ポンプ内で、排気ガスが自然冷却により析出して不具合を生じることがない。これにより、配管洗浄にかかる工数が激減して生産効率が大きく改善するとともに、真空ポンプが破損するおそれも解消する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１による排気ガス処理装置の概略構成図
【図２】本発明の実施形態２による排気ガス処理装置の概略構成図
【図３】本発明の排気ガス処理装置に使用される冷却板の形状を示す断面図
【図４】ドライエッチング装置及び従来の排気ガス処理装置の概略構成図
【符号の説明】
１　排気ガス処理装置
２　高真空ポンプ
３　低真空ポンプ
４　除害装置
５　冷却器
５ａ　冷却板
６　加熱器
６ａ　加熱板
７　排気ガス
８　配管
２１　排気ガス処理装置
２２、２３　冷却器
２２ａ、２３ａ　冷却板
２４、２５　圧力計
２６、２７、２８、２９　バルブ
３１　容器
３２、３３　冷却板
３４　排気ガス
４１　ドライエッチング装置
４２　処理室
４３　エッチングガス
４４　ガス導入管
４５　半導体基板
４６　陽極
４７　陰極
４８　排気ガス処理装置
４９　高真空ポンプ
５０　低真空ポンプ
５１　除害装置

Claims

ドライエッチング装置の排気ガスを処理する排気ガス処理装置であって、反応室と真空ポンプの間に冷却器と加熱器が設けられたことを特徴とする排気ガス処理装置。
前記冷却器が２つ以上設けられ、バルブ操作で切り換え可能としたことを特徴とする請求項１記載の排気ガス処理装置。
前記冷却器の入口側に圧力計が設けられ、前記圧力計の値により前記冷却器の切り換えを行うことを特徴とする請求項２記載の排気ガス処理装置。