CN110709974B - 用于将液体和固体流出物收集并随后反应成气体流出物的设备 - Google Patents

用于将液体和固体流出物收集并随后反应成气体流出物的设备 Download PDF

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Abstract

本文所公开的实施方式包括用于消除在半导体工艺中产生的化合物的消除系统。消除系统包括位于等离子体源下游的排放冷却设备。排放冷却设备包括板和设置在所述板下游的冷却板。在操作期间，在板上收集的材料与清洁自由基反应以形成气体。板的温度高于冷却板的温度，以改善清洁自由基与板上的材料的反应的反应速率。

Description

用于将液体和固体流出物收集并随后反应成气体流出物的 设备
背景
领域
本公开内容的实施方式总体涉及半导体处理装备。更具体而言，本公开内容的实施方式涉及用于消除半导体工艺中产生的化合物的消除系统和真空处理系统。
相关技术的描述
由半导体处理设施使用的工艺气体包括许多化合物，诸如全氟化碳(PFC)，由于管理要求和环境与安全问题，必须在废弃之前对所述化合物进行消除或处理。通常，可将远程等离子体源耦合到处理腔室，以消除从处理腔室出来的化合物。可将反应物注射到等离子体源中，以协助消除化合物。
用于消除PFC的常规消除技术使用水蒸气作为反应物，水蒸气提供良好的破坏去除效率(destruction removal efficiency；DRE)。然而，在远程等离子体源中使用水蒸气来消除某些化合物可导致在远程等离子体源和在远程等离子体源下游的装备(诸如排放管道和泵)中形成固体颗粒。此外，离开远程等离子体源的排放物(exhaust)可能处于升高的温度，这可在远程等离子体源下游的泵处造成问题。
因此，本领域需要一种改进的消除系统，用于消除在半导体工艺中产生的化合物。
发明内容
本公开内容的实施方式涉及用于消除在工艺中产生的化合物的消除系统和真空处理系统。在一个实施方式中，一种排放冷却设备包括：主体组件，所述主体组件具有第一端、第二端、进入口和排出口，所述主体组件具有与所述进入口和所述排出口流体连接的中空内部；第一板，所述第一板设置在所述中空内部中；和第二板，所述第二板设置在所述中空内部中且在所述第一板与所述排出口之间，所述第二板具有可操作以维持所述第二板比所述第一板冷的温度控制元件。
在另一实施方式中，一种消除系统包括：第一等离子体源；排放冷却设备，所述排放冷却设备耦合到所述第一等离子体源；和第二等离子体源，所述第二等离子体源耦合到所述排放冷却设备。
在另一实施方式中，一种排放冷却设备包括：主体组件，所述主体组件具有第一端、第二端、进入口和排出口，所述主体组件具有与所述进入口和所述排出口流体连接的中空内部；托盘，所述托盘设置在所述中空内部中；和板，所述板设置在所述中空内部中且在所述托盘与所述排出口之间。
附图简要描述
为了可以详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式，来获得对上文简要概述的本公开内容的更具体描述，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意的是，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，而因此不视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
图1是根据本文所述的一个实施方式的包括排放冷却设备的真空处理系统的示意性侧视图。
图2A是根据本文所述的一个实施方式的排放冷却设备的示意性立体图。
图2B是根据本文所述的一个实施方式的图2A的排放冷却设备的示意性横截面图。
图2C是根据本文所述的一个实施方式的图2A的排放冷却设备的示意性横截面图。
图3A是根据本文所述的一个实施方式的排放冷却设备的示意性立体图。
图3B是根据本文所述的一个实施方式的图3A的排放冷却设备的示意性横截面图。
图3C是根据本文所述的一个实施方式的图3A的排放冷却设备的示意性横截面图。
为了便于理解，在可能情况下，已使用相同的参考数字来指示各图共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
图1是真空处理系统170的示意性侧视图，真空处理系统170具有在消除系统193中使用的排放冷却设备117。真空处理系统170至少包括真空处理腔室190、等离子体源100和排放冷却设备117。消除系统193至少包括等离子体源100和排放冷却设备117。真空处理腔室190一般经配置以执行至少一个集成电路制造工艺，诸如沉积工艺、蚀刻工艺、等离子体处理工艺、预清洁工艺、离子注入工艺或其他集成电路制造工艺。在一些实施方式中，真空处理腔室190经配置以处理用于显示器或太阳能应用的基板。在真空处理腔室190中执行的工艺可以是等离子体辅助的。例如，在真空处理腔室190中执行的工艺可以是用于沉积硅基材料的等离子体沉积工艺或用于去除硅基材料的等离子体蚀刻工艺。
真空处理腔室190具有腔室排放口191，腔室排放口191经由前级管道192耦合到消除系统193的等离子体源100。排放冷却设备117耦合到等离子体源100，以冷却离开等离子体源100的排放物，并且收集在等离子体源100中形成的颗粒。排放冷却设备117耦合至到泵和设施排放装置(由图1中的单个参考数字196来示意性地表示)的排放导管194。泵一般用于抽空真空处理腔室190，而同时设施排放装置一般包括洗涤器或其他排放清洁设备，用于准备真空处理腔室190的流出物以进入大气。
等离子体源100用于对离开真空处理腔室190的气体和/或其他材料执行消除工艺，使得这样的气体和/或其他材料可以转换成更环保和/或对工艺装备友好的组成物。在一些实施方式中，消除反应物源114耦合到前级管道192和/或等离子体源100。消除反应物源114将消除反应物提供到等离子体源100中，所述消除反应物可经激发以与离开真空处理腔室190的材料进行反应或以其他方式协助转换离开真空处理腔室190的材料，成为更环保和/或对工艺装备友好的组成物。可选地，净化气体源115可耦合到等离子体源100，用于减少等离子体源100内部的部件上的沉积。
排放冷却设备117耦合在等离子体源100与排放导管194之间，用于降低离开等离子体源100的排放物的温度，并且用于收集在等离子体源100中形成的颗粒。在一个实例中，排放冷却设备117是消除系统193的一部分。离开等离子体源100的排放物可沉积在排放冷却设备117的内部的冷表面(具有充分地低于排放物温度的温度的表面)上。在排放冷却设备中沉积的材料的一个实例是二氧化硅。在一些实施方式中，真空处理腔室190包括远程等离子体源，用于产生清洁自由基，诸如氟自由基，所述清洁自由基流入真空处理腔室190，以清洁真空处理腔室190。未反应的清洁自由基可离开真空处理腔室190，并且进入等离子体源100和排放冷却设备117，以去除在等离子体源100和排放冷却设备117中沉积的材料。在一些实施方式中，因为有效地执行真空处理腔室190的清洁工艺，所以最少量的未反应的清洁自由基可离开真空处理腔室190。所述最少量的清洁自由基不足以清洁等离子体源100和排放冷却设备117。
第二等离子体源102可用于产生清洁自由基，以清洁等离子体源100和/或排放冷却设备117。如图1中所示，第二等离子体源102可经由导管104耦合到排放冷却设备117。在第二等离子体源102中产生的清洁自由基可流入排放冷却设备117，以去除在排放冷却设备117中形成或收集的材料。或者，第二等离子体源102可经由导管106耦合到前级管道192，以将清洁自由基提供到等离子体源100。在一个实施方式中，第二等离子体源102经由导管(未示出)耦合到等离子体源100。第二等离子体源102可以是消除系统193的一部分。
可选地，压力调节模块182可耦合到等离子体源100或排放导管194中的至少一个。压力调节模块182注射压力调节气体，诸如Ar、N、或允许更好地控制在等离子体源100内的压力的其他合适的气体，从而提供更有效的消除性能。在一个实例中，压力调节模块182是消除系统193的一部分。
图2A是根据本文所述的一个实施方式的排放冷却设备117的示意性立体图。如图2A中所示，排放冷却设备117包括主体组件202，主体组件202具有第一端204、与第一端204相对的第二端206、进入口212和与进入口212相对的排出口214。主体组件202具有与进入口212和排出口214流体连接的中空内部。主体组件202可以是圆柱形的(如图2A中所示)或其他合适的形状。通过复数个紧固装置207(诸如复数个夹具、螺栓)或通过其他合适的技术，将第一板208耦合到第一端204。在一个实施方式中，第一板208是主体组件202的组成部分。通过复数个紧固装置209(诸如复数个夹具、螺栓)或通过其他合适的技术，将第二板210耦合到第二端206。在一个实施方式中，第二板210是主体组件202的组成部分。一个或多个观察口224、226形成在第一板208和/或第二板210中。
将板220设置在排放冷却设备117的主体组件202中。板220可以是平面的或弯曲的。在操作期间，板220收集离开等离子体源100的诸如二氧化硅的材料(如图1中所示)。将诸如氟自由基的清洁自由基引入排放冷却设备117中，并且所述清洁自由基与在板220上收集的或以其他方式存在于排放冷却设备117中的材料进行反应，以形成气体，诸如四氟化硅。可在第二等离子体源102(如图1中所示)中或在耦合到真空处理腔室190(如图1中所示)的远程等离子体源中产生清洁自由基。
清洁自由基与在板220上收集的材料的反应在升高的温度(诸如进入排放冷却设备117的排放物的温度)下可具有增加的反应速率。因此，不冷却板220。例如，板220不包括在板220中形成以供冷却剂流过的冷却通道。在图2A中所描绘的实施方式中，板220的温度不受温度控制装置的控制。板220大体上采取进入排放冷却设备117的排放物的温度。或者，可主动加热板220，例如通过电阻加热器。板220由具有低导热率的材料制成。板220可由不锈钢制成，诸如316L不锈钢。
清洁自由基与在板220上收集的材料的反应可以是放热的，进一步有助于维持板220的升高的温度。在一个实施方式中，板220的温度在从约400摄氏度至约500摄氏度的范围内。
冷却装置222可耦合到第二板210，以防止在第二板210与主体组件202的第二端206之间设置的密封件由于第二板210的升高的温度而退化(degrade)。冷却装置222可以是连接到冷却剂源的管或通路，并且冷却剂流过管以降低第二板210的温度。可在第二板210与板220之间设置热绝缘体(未示出)，以防止冷却的第二板210对板220进行冷却。冷却装置(未示出)可耦合到第一板208，以防止在第一板208与第一端204之间设置的密封件由于第一板208的升高的温度而退化。类似地，冷却装置216、218可分别耦合到进入口212和排出口214，以保护在排放冷却设备117的那个区域中的密封件。在一个实例中，冷却装置216可以是包括冷却剂入口228和冷却剂出口230的管。冷却装置218可与冷却装置216相同。冷却装置216、218可共形于进入口212和排出口214的开口的形状。在一个实施方式中，如图2A中所示，冷却装置216、218是圆形的。
图2B是根据本文所述的一个实施方式的图2A的排放冷却设备117的示意性横截面图。如图2B所示，排放冷却设备117包括板220和位于板220下游的冷却板231。冷却板231可耦合到第一板208。冷却板231可包括在冷却板231中形成的冷却通道、冷却剂入口232和冷却剂出口(未示出)，用于使冷却剂流过。与板220不同，通过流过冷却通道的冷却剂来主动冷却冷却板231。冷却板231由不锈钢、铝、镍涂覆的铝或任何合适的材料制成。冷却板231在流出排放冷却设备117之前冷却排放物，这保护下游部件(诸如泵)免于受损。冷却板231还提供冷却的表面，为可冷凝的流出物提供冷凝和收集的位置。在后续的清洁工艺期间(诸如使用清洁自由基)，冷凝的材料被反应形成气体。因此，可冷凝的流出物将不会冷凝在下游的泵中或在具有较低温度的其他表面上。在操作期间，将板220和冷却板231维持在不同的温度。在一个实施方式中，将冷却板231维持在约20摄氏度或更低的温度。冷却板231的温度充分地低于板220的温度，并且板220的温度与冷却板231的温度之间的差在大约从100摄氏度至500摄氏度的范围内。
板220例如经由复数个螺栓234或其他合适的技术耦合到第二板210。可将可选的热绝缘体240设置在第二板210与板220之间，以使板220热绝缘于冷却的第二板210。热绝缘体240可以是任何合适的绝缘体，诸如在螺栓234上方滑动的陶瓷支座或管。在一个实施方式中，热绝缘体240是陶瓷垫圈。板220和冷却板231可由相同的材料制成。板220和冷却板231的长度可各自小于排放冷却设备117的主体组件202的长度。将主体组件202的长度限定为第一板208与第二板210之间的长度。因为板220和冷却板231耦合到相对的板210、208，并且板220和冷却板231的长度小于主体组件202的长度，所以进入排放冷却设备117的排放物可沿着绕板220和冷却板231限定的蛇形路径P1流动。如图2B中所示，板220和冷却板231是纵向偏移的。
换言之，板220可以悬臂方式在第一端处耦合到第二板210，而同时板220的第二端可以与第一板208间隔开。类似地，冷却板231可以悬臂方式在第一端处耦合到第一板208，而同时冷却板231的第二端可以与第二板210间隔开。由于板220、231的相对的端与相对的板208、210间隔开，进入排放冷却设备117的排放物可沿着绕板220和冷却板231限定的蛇形路径P1流动。蛇形路径P1增加通过排放冷却设备117的排放气体的剩余时间，从而提高从排放流去除颗粒的效率。此外，蛇形路径P1确保没有颗粒能够直接通过排出口214而落入泵中。在板220、231的相对的端与相对的板208、210之间的间隙G1、G2使从进入口212到排出口214的压降最小化。在没有间隙G1、G2的情况下，在板220和冷却板231上沉积的材料可快速阻塞气体路径，并且跨进入口212至排出口214产生不断增加的压降，直到真空泵送变得无法满足处理腔室要求。
图2C是根据本文所述的一个实施方式的图2A的排放冷却设备117的示意性横截面图。如图2C所示，排放冷却设备117包括圆柱形主体组件202、板220和冷却板231。板220的宽度小于通过板220的排放冷却设备117的主体组件202的弦长。换言之，间隙G3、G4形成在板220的相对的侧向边与主体组件202之间。类似地，冷却板231的宽度小于通过冷却板231的排放冷却设备117的主体组件202的弦长。如图2C中所示，板220和冷却板231是侧向偏移的(横向)。因为板220和冷却板231在纵向和横向都偏移，所以排放物流过在板220的边与主体组件202之间和在冷却板231的边与主体组件202之间形成的间隙，以避免在排放冷却设备117中压力增高，并且增加在排放冷却设备117内的排放的剩余时间，从而提高清洁效率。
可进一步由复数个加强件250支撑板220，诸如管、杆、梁、角形物或其他细长轮廓。螺栓234、板220和复数个加强件250可由相同材料制成，以减少由于热膨胀系数的不匹配而导致的翘曲或分离。如图2C中所示，板220可以是弯曲的。板220的屈曲可以是凹的或凸的。板220的屈曲改善板220的刚性，并且当板220暴露于升高的温度时(诸如超过150摄氏度，例如400摄氏度至500摄氏度)，防止板220的进一步弯曲。如图2C中所示，屈曲可横向形成。在一些实施方式中，屈曲可纵向形成。在一个实施方式中，板220是横向凹的，这改善对流入排放冷却设备的材料的收集。
观察口224包括窗口252和挡板256。窗口252可由蓝宝石制成，并且可包括阻挡UV辐射的涂层。挡板256可自动地或手动地致动，以将窗口252屏蔽或暴露于排放冷却设备117的内部。如图2C中所示，挡板256为了图示而半开。在操作期间，挡板256打开(即，将窗口252暴露于排放冷却设备117的内部)或关闭(即，将窗口252屏蔽于排放冷却设备117的内部)。当挡板256打开时，操作者可观察板220，以确定是否应该使清洁自由基流入排放冷却设备117，以去除在板220上沉积的材料。类似地，观察口226包括窗口254和挡板258。窗口254可由与窗口252相同的材料制成。挡板258可自动地或手动地致动，以屏蔽或暴露窗口254。如图2C中所示，挡板258为了图示而半开。在操作期间，挡板258打开(即，将窗口254暴露于排放冷却设备117的内部)或关闭(即，将窗口254屏蔽于排放冷却设备117的内部)。当挡板258打开时，操作者可观察冷却板231，以确定是否应该使清洁自由基流入排放冷却设备117，以去除在冷却板231上沉积的材料。操作者还可调节清洁配方(提高或降低清洁自由基流量、等离子体功率或净化流量)，以基于板220或冷却板231的状态，来最佳化自动清洁循环的清洁性能。挡板256、258的使用有利地延长窗口252、254的寿命。
图3A是根据本文所述的一个实施方式的排放冷却设备117的示意性立体图。如图3A中所示，排放冷却设备117包括主体组件202，主体组件202具有第一端204、与第一端204相对的第二端206、进入口212和与进入口212相对的排出口214。主体组件202可以是圆柱形的(如图3A中所示)或具有另一合适的形状。通过复数个紧固装置207将第一板208耦合到第一端204，并且通过复数个紧固装置209将第二板210耦合到第二端206。第一板208和第二板210可以是主体组件202的组成部分。在一个实施方式中，排放冷却设备117不包括一个或多个观察口。将托盘302设置在排放冷却设备117的主体组件202中。在操作期间，托盘302收集离开等离子体源100(如图1中所示)的诸如二氧化硅的材料。将诸如氟自由基的清洁自由基引入排放冷却设备117中，并且与在托盘302中收集的材料进行反应，以形成气体，诸如四氟化硅。可在第二等离子体源102(如图1中所示)中或在耦合到真空处理腔室190(如图1中所示)的远程等离子体源中产生清洁自由基。
清洁自由基与在托盘302上收集的材料的反应可在升高的温度(诸如进入排放冷却设备117的排放物的温度)下具有增加的反应速率。因此，不冷却托盘302。例如，托盘302不包括在托盘302中形成以供冷却剂流过的冷却通道。换言之，托盘302的温度不受温度控制装置的控制。托盘302大体上采取进入排放冷却设备117的排放物的温度。或者，可主动加热托盘302，例如通过电阻加热器。托盘302由具有高导热率的材料制成。托盘302可由铝或不锈钢制成，诸如316L不锈钢。
清洁自由基与在托盘302上收集的材料的反应可以是放热的。可使用上述参考在板220与第二板210之间的热传递的技术，来抑制在托盘302与第二板210之间的热传递。
冷却装置308耦合到第一板208，以防止在第一板208与第一端204之间设置的密封件由于第一板208的升高的温度而退化。冷却装置308包括连接到冷却剂源的管310，并且冷却剂流过管310以降低第一板208的温度。类似地，冷却装置304可耦合到第二板210，以防止在第二板210与第二端206之间设置的密封件由于第二板210的升高的温度而退化。冷却装置304可包括连接到冷却剂源的管306，并且冷却剂流过管306以降低第二板210的温度。可在第二板210与托盘302之间设置热绝缘体(未示出)，以减少在托盘302与冷却的第二板210之间的热传递。类似地，冷却装置216、218可分别耦合到进入口212和排出口214。
图3B是根据本文所述的一个实施方式的图3A的排放冷却设备117的示意性横截面图。如图3B中所示，排放冷却设备117包括托盘302和位于托盘302下游的冷却板231。托盘302可经由一个或多个紧固件320耦合到第二板210。可将可选的热绝缘体322设置在第二板210与托盘302之间，以使托盘302热绝缘于冷却的第二板210。热绝缘体322可以是任何合适的绝缘体。在一个实施方式中，热绝缘体322是陶瓷垫圈。托盘302和冷却板231可由相同的材料制成。托盘302和冷却板231的长度可各自小于排放冷却设备117的主体组件202的长度。因为托盘302和冷却板231耦合到相对的板210、208，并且托盘302和冷却板231的长度小于主体组件202的长度，所以进入排放冷却设备117的排放可沿着绕托盘302和冷却板231限定的蛇形路径P2流动。如图3B中所示，托盘302和冷却板231是纵向偏移的。
换言之，托盘302可以悬臂方式在第一端处耦合到第二板210，而同时托盘302的第二端可以与第一板208间隔开。类似地，冷却板231可以悬臂方式在第一端处耦合到第一板208，而同时冷却板231的第二端可以与第二板210间隔开。由于托盘302和板231的相对的端与相对的板208、210间隔开，进入排放冷却设备117的排放物可沿着绕托盘302和冷却板231限定的蛇形路径P2流动。如上所述，蛇形路径P2增加通过排放冷却设备117的排放气体的剩余时间，从而提高从排放流去除颗粒的效率。
衬垫324耦合到排出口214的内部表面。如图3B中所示，衬垫324可以是圆柱形的。衬垫324用作附加措施，以防止任何颗粒通过排出口214而落入泵中。气体将向上流动并且超过衬垫324的唇部，但是将防止足够质量的颗粒通过排出口214而离开排放冷却设备117。
图3C是根据本文所述的一个实施方式的图3A的排放冷却设备117的示意性横截面图。如图3C中所示，排放冷却设备117包括圆柱形主体组件202、托盘302和冷却板231。托盘302的宽度小于通过托盘302的排放冷却设备117的主体组件202的弦长。换言之，间隙G5、G6形成在托盘302的相对的侧向边与主体组件202之间。类似地，冷却板231的宽度小于通过冷却板231的排放冷却设备117的主体组件202的弦长。如图3C中所示，托盘302和冷却板231是侧向偏移的(横向)。因为托盘302和冷却板231在纵向和横向都偏移，所以排放流过在托盘302的边与主体组件202之间和在冷却板231的边与主体组件202之间形成的间隙，以避免在排放冷却设备117中压力增高，从而提高清洁效率。
通过在排放冷却设备中包括诸如板220的板或诸如托盘302的托盘，由于板或托盘的升高的温度而改善在板上或托盘中沉积的材料与清洁自由基之间的反应的反应速率。此外，板或托盘防止固体材料流过排放冷却设备并且流入泵中。在板上沉积或在托盘中收集的固体材料与清洁自由基进行反应，以形成气体，这不会对下游部件造成任何损害。
尽管前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，设计本公开内容的其他实施方式和进一步的实施方式，并且由所附的权利要求书来确定本公开内容的范围。

Claims (18)

1.一种排放冷却设备，包括：
主体组件，所述主体组件具有第一端、与所述第一端相对的第二端、进入口和排出口，所述主体组件具有与所述进入口和所述排出口流体连接的中空内部；
第一端板，所述第一端板耦合至所述第一端；
第二端板，所述第二端板耦合至所述第二端；
第一板，所述第一板是从所述第一端板悬臂的并且设置在所述中空内部中，所述第一板的温度不受温度控制装置的控制；和
第二板，所述第二板是从所述第二端板悬臂的并且设置在所述中空内部中且在所述第一板与所述排出口之间，所述第二板具有形成在所述第二板中的冷却剂通道，所述冷却剂通道耦合至冷却剂入口并且经配置以维持所述第二板比所述第一板冷。
2.如权利要求1所述的排放冷却设备，其中所述第一端板包围所述中空内部并且在所述第二端与所述第一端之间设置在所述主体组件上。
3.如权利要求2所述的排放冷却设备，其中所述第二端板与所述第一端板相对，所述第二端板包围所述中空内部并且在所述第一端与所述第二端之间设置在所述主体组件上。
4.如权利要求1所述的排放冷却设备，进一步包括：
第一蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第一方向绕所述第一板和所述第二板来限定所述第一蛇形流动路径。
5.如权利要求4所述的排放冷却设备，进一步包括：
第二蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第二方向绕所述第一板和所述第二板来限定所述第二蛇形流动路径，所述第一方向相对于所述第二方向以90度定向。
6.如权利要求1所述的排放冷却设备，其中所述第一板是托盘。
7.如权利要求1所述的排放冷却设备，其中所述第一板是弯曲的。
8.如权利要求3所述的排放冷却设备，其中所述主体组件具有从所述第一端板到所述第二端板的主体长度，并且所述第一端板和所述第二端板具有小于所述主体长度的对应的长度，并且其中所述第一板和所述第二板形成在所述进入口与用于排放的所述排出口之间的第一蛇形流动路径。
9.如权利要求2所述的排放冷却设备，其中所述第一板通过复数个紧固装置耦合至所述第一端板。
10.如权利要求9所述的排放冷却设备，其中在用于消除的操作期间，所述第一板和所述第二板经配置以具有从100摄氏度至500摄氏度的温度差。
11.如权利要求2所述的排放冷却设备，其中热绝缘体设置在所述第一板与所述第一端板之间。
12.一种消除系统，包括：
第一等离子体源；
排放冷却设备，所述排放冷却设备耦合到所述第一等离子体源；和
第二等离子体源，所述第二等离子体源耦合到所述排放冷却设备，
其中所述排放冷却设备包括：
主体组件，所述主体组件具有第一端、与所述第一端相对的第二端、进入口和排出口，所述主体组件具有与所述进入口和所述排出口流体连接的中空内部；
第一端板，所述第一端板耦合至所述第一端；
第二端板，所述第二端板耦合至所述第二端；
第一板，所述第一板是从所述第一端板悬臂的并且设置在所述中空内部中，所述第一板的温度不受温度控制装置的控制；和
第二板，所述第二板是从所述第二端板悬臂的并且设置在所述中空内部中且在所述第一板与所述排出口之间，所述第二板具有可操作以维持所述第二板比所述第一板冷的温度控制元件。
13.如权利要求12所述的消除系统，其中所述排放冷却设备包括：
第一蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第一方向绕所述第一板和所述第二板来限定所述第一蛇形流动路径。
14.如权利要求13所述的消除系统，其中所述排放冷却设备包括：
第二蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第二方向绕所述第一板和所述第二板来限定所述第二蛇形流动路径，所述第一方向相对于所述第二方向以90度定向。
15.一种排放冷却设备，包括：
主体组件，所述主体组件具有第一端、与所述第一端相对地形成的第二端、进入口和排出口，所述主体组件具有与所述进入口和所述排出口流体连接的中空内部；
第一端板，所述第一端板耦合至所述第一端；
第二端板，所述第二端板耦合至所述第二端；
托盘，所述托盘是从所述第一端板悬臂的并且设置在所述中空内部中，所述托盘的温度不受温度控制装置的控制；和
冷却板，所述冷却板是从所述第二端板悬臂的并且设置在所述中空内部中且在所述托盘与所述排出口之间，所述冷却板具有形成在所述冷却板中的冷却剂通道，所述冷却剂通道耦合至冷却剂入口。
16.如权利要求15所述的排放冷却设备，其中所述第一端板包围所述中空内部并且在所述第二端与所述第一端之间设置在所述主体组件上。
17.如权利要求15所述的排放冷却设备，进一步包括：
第一蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第一方向绕所述托盘和所述冷却板来限定所述第一蛇形流动路径。
18.如权利要求17所述的排放冷却设备，进一步包括：
第二蛇形流动路径，在所述进入口与所述排出口之间沿第二方向绕所述托盘和所述冷却板来限定所述第二蛇形流动路径，所述第一方向相对于所述第二方向以90度定向。
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