JP3944545B2 - 蛍光x線分析用試料前処理装置 - Google Patents

蛍光x線分析用試料前処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3944545B2
JP3944545B2 JP2002133484A JP2002133484A JP3944545B2 JP 3944545 B2 JP3944545 B2 JP 3944545B2 JP 2002133484 A JP2002133484 A JP 2002133484A JP 2002133484 A JP2002133484 A JP 2002133484A JP 3944545 B2 JP3944545 B2 JP 3944545B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
decomposition chamber
pipe
decomposition
reactive gas
supply valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002133484A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003329555A (ja
Inventor
裕幸 川上
Original Assignee
理学電機工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 理学電機工業株式会社 filed Critical 理学電機工業株式会社
Priority to JP2002133484A priority Critical patent/JP3944545B2/ja
Publication of JP2003329555A publication Critical patent/JP2003329555A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3944545B2 publication Critical patent/JP3944545B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面などに存在する被測定物を溶解後乾燥させて基板表面に保持する蛍光X線分析用試料前処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体基板に付着した微量の汚染物質などを蛍光X線分析するために、試料前処理装置を備えた蛍光X線分析システムがある(特願2001−282907参照)。このシステムにおける試料前処理装置は、図2に示すように、基板1表面などに存在する被測定物を反応性ガス(フッ化水素)により溶解後、乾燥させて基板1表面に保持する気相分解装置6を備えている。
【0003】
この気相分解装置6では、まず、密閉容器12内の溶液(フッ化水素酸)13を不活性ガス(窒素)でバブリングしてフッ化水素(ガス)を発生させ、容器12内から反応性ガス供給弁15を経由して分解室(気相室とも呼ばれる)2内に至る配管14を通して、分解室2内に導入し、基板1表面などに存在する被測定物を溶解する。フッ化水素は、分解室2内から排気弁51を経由して排気ダクト5に至る配管50を通して、排気される。この気相分解工程において、反応性ガス供給弁15と分解室2との間の配管14a、特に分解室2近傍で、周囲の方が温度が低いことが原因となって配管内部に結露が生じることがある。これは、フッ化水素に混入した水分が結露したもので、周囲を流れるフッ化水素を溶解してフッ化水素酸になると推測される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
気相分解工程の後、乾燥工程において、窒素が配管20を通して分解室2内に導入されるとともに、分解室2内が、分解室2から真空引き弁31を経由して真空ポンプ4に至る配管50a,30を通して、真空排気されることにより、基板1に生じた液滴が乾燥される。分解室2内から真空引き弁31に至る配管50a,30aは、分解室2内から排気弁51に至る配管50a(気相分解工程におけるフッ化水素排気のための配管50の一部)と、その配管50aから排気弁51の直前で分岐して真空引き弁31に至る配管30aとで構成されている。
【0005】
つまり、反応性ガス供給弁15と分解室2との間の前記配管14a内では、フッ化水素が反応性ガス供給弁15から分解室2へ流れるか停止するかのいずれかで、分解室2から反応性ガス供給弁15への流れはないので、前記結露により、液体であるフッ化水素酸が徐々に蓄積して、配管14aが閉塞したり、流れに乗って分解室2内に入り基板1に付着したりするおそれがある。
【0006】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、気相分解装置を備えた蛍光X線分析用試料前処理装置において、反応性ガス供給弁と分解室との間の配管内に生じる結露を、分解室からの流れで乾燥させることができるものを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、基板表面に存在する被測定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後不活性ガスにより乾燥させて基板表面に保持する気相分解装置を備えた蛍光X線分析用試料前処理装置において、前記反応性ガスを供給するための反応性ガス供給弁から分解室内に至る配管における前記反応性ガス供給弁の直後に、真空ポンプの吸引口に至る配管が分岐される分岐点が設けられ、前記被測定物を乾燥させる不活性ガスが分解室および前記分岐点経由で前記真空ポンプへ流れることにより、前記分岐点と分解室との間の配管内に生じる結露が乾燥されることを特徴とする。
【0008】
本発明の蛍光X線分析用試料前処理装置によれば、前記分岐点と分解室との間の配管に、被測定物を乾燥させる不活性ガスが分解室側から流れるので、前記配管内に結露が生じても、分解室からの流れで乾燥させることができ、配管が閉塞したり、分解室内に入って基板に付着したりすることがない
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態である蛍光X線分析用試料前処理装置について、構成から説明する。この試料前処理装置は、図1に示すように、基板1表面に存在する被測定物または基板1表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室2内で反応性ガスにより溶解後不活性ガスにより乾燥させて基板1表面に保持する気相分解装置3を備えている。分解室2は、例えばPTFE(四フッ化エチレン重合体)製の箱であり、これを通る2つの流路が形成されている。
【0010】
第1の流路は、分解室2内に反応性ガスとしてフッ化水素を導入するための流路で、不活性ガス、例えば清浄で乾燥した窒素の供給源からバブリング弁11を経由して溶液(フッ化水素酸)13を収納した密閉容器12内下部へ至る配管10と、容器12内上部から反応性ガス供給弁15を経由して分解室2内に至る配管14と、分解室2内から排気弁51を経由して排気ダクト5に至る配管50とで構成される。排気ダクト5は、後述する真空ポンプ4の排気口から延びている。なお、容器内12の圧力が過剰にならないように、容器12内上部から反応性ガス供給弁15に至るまでに分岐して、逃がし弁16を経由して排気ダクト5に至る配管も設けられている。
【0011】
第2の流路は、分解室2内に不活性ガスとして清浄で乾燥した窒素を導入するための流路で、窒素の供給源から窒素供給弁21を経由して分解室2内に至る配管20と、分解室2内から真空引き弁41を経由して真空ポンプ4の吸引口に至る配管14a,40とで構成される。分解室2内から真空引き弁41に至る配管14a,40aは、分解室2内から反応性ガス供給弁15に至る配管14a(第1の流路の一部)と、その配管14aから反応性ガス供給弁15の直前で分岐して真空引き弁41に至る配管40aとで構成される。つまり、この試料前処理装置は、反応性ガス(フッ化水素)を供給するための反応性ガス供給弁15と分解室2との間の配管14a内に生じる結露を、前記被測定物を乾燥させる不活性ガス(窒素)を分解室2経由で流して乾燥させる流路20,21,2,14a,40,41,4,5を備えている。
【0012】
以上において、配管は、例えばPFA(四フッ化エチレン・パーフロロアルコキシエチレン共重合体)製のチューブである。また、バブリング弁11、反応性ガス供給弁15、窒素供給弁21、真空引き弁41および排気弁51は、試料前処理装置の制御手段(図示せず)により適切に開閉される電磁弁である。
【0013】
次に、この試料前処理装置の動作について説明する。まず、気相分解工程においては従来と同様で、密閉容器12内のフッ化水素酸13をバブリング弁11からの窒素でバブリングしてフッ化水素(ガス)を発生させ、容器12内から反応性ガス供給弁15を経由して分解室2内に至る配管14を通して、分解室2内に導入し、例えばシリコンウエハである基板1表面に形成された酸化膜を溶解するとともに、膜の表面または膜中に存在する汚染物質などの被測定物を溶解する。基板1表面に膜が形成されていない場合には、基板1表面に存在する被測定物が溶解される。フッ化水素は、分解室2内から排気弁51を経由して排気ダクト5に至る配管50を通して、排気される。そして、やはり従来と同様に、反応性ガス供給弁15と分解室2との間の配管14a、特に分解室2近傍で、周囲の方が温度が低いことが原因となって配管内部に結露が生じることがあり、これは、フッ化水素に混入した水分が結露したもので、周囲を流れるフッ化水素を溶解してフッ化水素酸になると推測される。
【0014】
所定時間の気相分解工程が終了すると、続く乾燥工程において、窒素が配管20を通して分解室2内に導入されるとともに、分解室2内が、分解室2から真空引き弁41を経由して真空ポンプ4に至る配管14a,40を通して、真空排気されることにより、分解室2内のフッ化水素が追い出され、基板1に生じた液滴(被測定物が溶解されたもの)が乾燥される。このとき、本実施形態の前処理装置では、反応性ガス供給弁15と分解室2との間の配管14aに、被測定物を乾燥させる窒素が分解室2側から流れるので、気相分解工程で前記配管内14aに結露が生じていても、分解室2からの流れで乾燥させることができ、配管14aが閉塞したり、分解室2内に入って基板1に付着したりすることがない。
【0015】
さらに、結露を乾燥させる流路を、被測定物を乾燥させる流路と同一の流路20,21,2,14a,40,41,4,5にしているので、構成を簡単にできる。つまり、図2の従来の試料前処理装置において、排気弁51の直前(図2では右側)から真空引き弁31に至る配管30aを取り去り(遮断し)、反応性ガス供給弁15の直後(図2では右側)から真空引き弁31に至る配管(図1の40a)をバイパスとして追加するだけで、図1の本実施形態の試料前処理装置を構成できる。
【0016】
なお、この実施形態の試料前処理装置では、窒素が配管20を通して分解室2内に導入され、分解室2内から排気弁51を経由して排気ダクト5に至る配管50を通して、排気されるという流路も選択でき、乾燥工程においてこの流路を利用して、分解室2内のフッ化水素が追い出し、基板1に生じた液滴を乾燥させることもできる。ただし、この場合には、気相分解工程で前記配管内14aに生じた結露を乾燥させることはできない。
【0017】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の蛍光X線分析用試料前処理装置によれば、反応性ガス供給弁と分解室との間の配管に、被測定物を乾燥させる不活性ガスが分解室側から流れるので、前記配管内に結露が生じても、分解室からの流れで乾燥させることができ、配管が閉塞したり、分解室内に入って基板に付着したりすることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である試料前処理装置を示す概略図である。
【図2】従来の試料前処理装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
1…基板、2…分解室、3…気相分解装置、14a…結露が生じる配管、15…反応性ガス供給弁。

Claims (1)

  1. 基板表面に存在する被測定物または基板表面に形成された膜の表面もしくは膜中に存在する被測定物を分解室内で反応性ガスにより溶解後不活性ガスにより乾燥させて基板表面に保持する気相分解装置を備えた蛍光X線分析用試料前処理装置において、
    前記反応性ガスを供給するための反応性ガス供給弁から分解室内に至る配管における前記反応性ガス供給弁の直後に、真空ポンプの吸引口に至る配管が分岐される分岐点が設けられ、前記被測定物を乾燥させる不活性ガスが分解室および前記分岐点経由で前記真空ポンプへ流れることにより、前記分岐点と分解室との間の配管内に生じる結露が乾燥されることを特徴とする蛍光X線分析用試料前処理装置。
JP2002133484A 2002-05-09 2002-05-09 蛍光x線分析用試料前処理装置 Expired - Fee Related JP3944545B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133484A JP3944545B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 蛍光x線分析用試料前処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133484A JP3944545B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 蛍光x線分析用試料前処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003329555A JP2003329555A (ja) 2003-11-19
JP3944545B2 true JP3944545B2 (ja) 2007-07-11

Family

ID=29696450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002133484A Expired - Fee Related JP3944545B2 (ja) 2002-05-09 2002-05-09 蛍光x線分析用試料前処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3944545B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102914554A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 Fei公司 在etem中研究样品的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102914554A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 Fei公司 在etem中研究样品的方法
CN102914554B (zh) * 2011-08-03 2016-07-27 Fei公司 在etem中研究样品的方法
US9658246B2 (en) 2011-08-03 2017-05-23 Fei Company Method of studying a sample in an ETEM

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003329555A (ja) 2003-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6328809B1 (en) Vapor drying system and method
JP2906006B2 (ja) 処理方法及びその装置
KR100849254B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
KR100478550B1 (ko) 분자 오염 제어 시스템
KR101406379B1 (ko) 소수화 처리 방법, 소수화 처리 장치, 도포, 현상 장치 및 기억 매체
JP3715052B2 (ja) ウェーハ乾燥装置
TWI393177B (zh) 用以在一或多個晶圓上實行液體及隨後的乾燥處理之系統及方法
JP2007088398A (ja) 洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
KR100242530B1 (ko) 필터장치
JP2002184741A5 (ja)
KR20120099802A (ko) 웨이퍼 반송 용기의 세정
KR101924277B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2001044185A (ja) 処理装置の排気システム
JP3944545B2 (ja) 蛍光x線分析用試料前処理装置
JP2001305751A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2001338967A (ja) 基板処理装置
US7044662B2 (en) Developing photoresist with supercritical fluid and developer
JPH06163508A (ja) 基板の乾燥方法および装置
JP2010040747A (ja) 基板処理装置
JP2004063513A (ja) 半導体基板の洗浄乾燥方法
JP3469803B2 (ja) 塗布、現像装置の運転方法及び塗布、現像装置
JP2008028323A (ja) 基板処理装置
US20230073624A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6806419B2 (ja) 貯留容器、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR101544989B1 (ko) 가열 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061107

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070302

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3944545

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100420

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

SG99 Written request for registration of restore

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316G99

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316805

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350