JP2001305751A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法及び基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 事前の事故防止を図り，装置の瞬停や処理物
質の漏れに対して安全を図ることができる，基板処理装
置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】 処理容器２内に収納されたウェハＷにオ
ゾンガス５を供給する一方で，処理容器２の内部雰囲気
を排気してオゾンキラー１０に通しながらウェハＷを処
理する方法において，処理容器２内が密閉され，かつオ
ゾンキラー１０が正常であることを条件に，オゾンガス
５を供給する。処理が中断した場合，処理容器２の内部
雰囲気を強制的に排気し，ガス漏れが起こった場合，処
理容器２の内部・周囲雰囲気を強制的に排気すると共
に，オゾンガス５の供給を停止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板を処理する基
板処理方法及び基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」
という。）のフォトリソグラフィ処理においては，ウェ
ハに対してレジストを塗布し，次いでパターンの露光を
行い，その後現像を行う処理が行われる。その後，ウェ
ハからレジストを除去する。
【０００３】かかるレジスト除去の際には洗浄装置が用
いられている。従来の洗浄装置では，ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ
４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と呼ばれる薬液が充填された洗
浄槽内にウェハを浸漬させてレジストの剥離を行う。一
方，今日においては，環境保全の観点から，廃液処理が
容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用いてレジスト
除去を行うことが要望されている。この場合，オゾンが
溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウェハを浸漬させ
る，いわゆるディップ方式の洗浄により，溶液中の酸素
原子ラジカルによってレジストを酸化反応させて二酸化
炭素や水等に分解する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで，通常，高濃
度のオゾンガスを純水にバブリングして溶解させること
により前記溶液を生成し，その後，この溶液を洗浄槽内
に充填しているので，その間に，溶液中のオゾンが消滅
していきオゾン濃度が低下し，レジスト除去が十分に行
えない場合があった。さらにウェハを前記溶液に浸漬さ
せた状態では，レジストと反応してオゾンが次々と消滅
する一方で，レジスト表面へのオゾン供給が不十分とな
り，高い反応速度を得ることができなかった。
【０００５】そこで，ウェハを溶液に浸漬させるディッ
プ方式の洗浄装置の代わりに，オゾンガスと水蒸気を用
いてオゾンを利用した処理を行い，ウェハからレジスト
を除去する洗浄装置が新規に提案されている。かかる洗
浄装置は，密閉された処理容器内に収納されたウェハ
に，オゾンガスを供給する。ここで，オゾンは人体等に
有害な物質なので，オゾンを利用した処理を行うにあた
っては，様々な事故防止策，安全対策を図ることが要望
されている。
【０００６】従って，本発明の目的は，事故防止を事前
に図ることができ，例えば停電等による装置の瞬停や処
理ガスの漏れがあっても，安全を図ることができる，基
板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１の発明は，密閉された処理容器内に収納さ
れた基板に処理ガスを供給する一方で，該処理容器の内
部雰囲気を排気して該排気された内部雰囲気を後処理し
ながら基板を処理する方法において，前記処理容器内が
密閉され，かつ前記排気された内部雰囲気の後処理が正
常に行われることを条件に，前記処理ガスを供給するこ
とを特徴とする，基板処理方法を提供する。
【０００８】請求項１に記載の基板処理方法では，処理
ガスには例えばオゾンガス等が適宜に用いられている。
このような請求項１に記載の基板処理方法によれば，密
閉された処理容器内に収納された基板に処理ガスを供給
し，処理容器内で処理ガスを用いて，基板を好適に処理
する。一方，処理容器の内部雰囲気を排気することで，
処理容器内から処理ガスを排気する。排気された処理ガ
スに対して後処理を施す。後処理では，例えばオゾンガ
スのように，人体に有害な物質（オゾン）が含有されて
いる場合には，有害物質を除去して処理ガスを無害化
し，例えば工場の排気系に安全に排気できる状態にす
る。なお，処理ガスには，オゾンガス以外に，例えば塩
素ガス，フッ素ガス，水素ガス，予め各種反応種（ラジ
カル）を有している塩素ガス，フッ素ガス，水素ガス等
がある。
【０００９】ここで，処理容器内が密閉される前に処理
ガスを供給してしまうと，処理ガスが周囲に拡散してし
まう。また，排気された内部雰囲気の後処理に異常があ
れば，そのまま処理ガスを工場の排気系に垂れ流すおそ
れがある。しかしながら，本発明によれば，処理容器内
が密閉され，かつ前記排気された内部雰囲気の後処理が
正常に行われることを条件に，前記処理ガスを供給し，
これら二つの条件の内でどちらか一方の条件でも満たす
ことができなければ，処理ガスを供給しないので，処理
ガスの拡散や垂れ流しを防ぐことができる。特にオゾン
ガスのように有害物質が含有されている場合には，例え
ば有害物質による人的事故を事前に防止することができ
る。
【００１０】請求項１に記載の基板処理方法において，
請求項２に記載したように，前記基板の処理が途中で中
断した場合には，前記処理容器の内部雰囲気を強制的に
排気しても良い。例えば停電や地震等により処理が途中
で中断した場合には，処理容器の内部雰囲気を強制的に
排気し，処理容器内から処理ガスを排気する。ここで，
その後に処理を再開させるにあたって，例えば工場の作
業者等が，処理容器内を開放して中の様子を一度確認し
たり調査する場合がある。処理容器内に処理ガスが残っ
たままで処理容器内を開放してしまうと，処理ガスが拡
散することになるが，このように強制的に排気するの
で，処理ガスの拡散を未然に防止することができる。特
に処理ガスがオゾンガスである場合には，強制的に排気
することで事故を防いで安全を図ることができる。
【００１１】請求項３に記載したように，前記処理容器
の周囲に処理ガスが漏れた場合には，前記処理容器の内
部雰囲気を強制的に排気すると共に，前記処理ガスの供
給を停止することが好ましい。かかる方法によれば，ガ
ス漏れが起こった時点で，直ちに内部雰囲気の強制排気
を行うと共に，処理ガスの供給を停止するので，ガス漏
れがこれ以上無いようにし，被害を最小限度に留めるこ
とができる。
【００１２】請求項４の発明は，密閉された処理容器内
に収納された基板に，処理ガスを供給する一方で，該処
理容器の内部雰囲気を排気して該排気された内部雰囲気
を後処理しながら基板を処理する方法であって，前記処
理容器の周囲に処理ガスが漏れた場合には，前記処理容
器の内部雰囲気を強制的に排気すると共に，前記処理ガ
スの供給を停止することを特徴とする，基板処理方法を
提供する。
【００１３】請求項４に記載の基板処理方法によれば，
請求項１と同様に処理ガスには例えばオゾンガス等が適
宜に用いられている。このような請求項４に記載の基板
処理方法によれば，請求項１と同様に密閉された処理容
器内に処理ガスを供給し，基板を好適に処理する。一
方，処理容器内から処理ガスを排気して後処理を施し，
無害化した後に例えば工場の排気系に安全に排気する。
ここで，例えば処理容器の空隙から処理ガスが漏れた場
合には，ガス漏れが起こった時点で，直ちに内部雰囲気
の強制排気を行うと共に，処理ガスの供給を停止し，以
後，処理容器内から処理ガスが漏れ無いようにする。従
って，処理ガスの漏れを最小限度に留めて安全を図るこ
とができる。
【００１４】請求項４に記載の基板処理方法において，
請求項５に記載したように，前記処理容器の周囲に処理
ガスが漏れた場合には，前記処理容器の周囲雰囲気を排
気して該排気された周囲雰囲気を後処理することが好ま
しい。そうすれば，処理容器の周囲に処理ガスが漏れて
も，周囲雰囲気を無害化して例えば工場の排気系に安全
に排気することができる。
【００１５】処理ガスが漏れた場合，特に請求項６に記
載したように，処理容器の周囲雰囲気を強制的に排気し
ても良い。そうすれば，処理容器の周囲を越えて広範囲
に処理ガスが拡散するのを確実に防ぐことができる。従
って，処理ガスが漏れた場合でも，事故を発生させるこ
とが無く，安全を図ることができる。
【００１６】請求項７に記載したように，前記処理容器
内の処理ガス濃度を検出し，該処理ガス濃度が所定の値
以下であることを確認してから，前記処理容器内を開放
することが好ましい。この場合，所定の値は，人体等に
危害を加えない濃度に設定されている。このように安全
を確保してから処理容器内を開放するので，事故を防止
することができる。
【００１７】請求項８に記載したように，前記処理ガス
の供給を停止した後，少なくとも所定の時間，前記処理
容器の内部雰囲気を排気してから，前記処理容器内を開
放しても良い。かかる方法によれば，所定の時間，処理
容器の内部雰囲気を排気することで，処理容器内の処理
ガス濃度を所定の値以下にする。これによっても，安全
を確保して事故を防止することができる。
【００１８】請求項９に記載したように，前記処理ガス
の供給を停止した後，前記処理容器の内部雰囲気を排気
するに際し，前記処理容器内を負圧雰囲気にすることが
好ましい。かかる方法によれば，内部雰囲気を排気する
に際し，処理容器内が正圧雰囲気であると，周囲に処理
ガスが漏れるおそれがある。しかしながら，処理容器内
を負圧雰囲気するので，処理ガスの漏れを防止すること
ができる。
【００１９】請求項１０の発明は，密閉された処理容器
内に収納された基板に，処理ガス供給手段により処理ガ
スを供給する一方で，該処理容器の内部雰囲気を内部排
気手段により排気し，該排気された内部雰囲気を後処理
機構により後処理しながら基板を処理する装置におい
て，前記処理容器の搬入出口を開閉する開閉部材を備
え，前記開閉部材の開閉を検出する開閉検出手段からの
検出信号と，前記後処理機構の稼働状態を検出する稼働
検出手段からの検出信号とに基づいて，前記処理ガス供
給手段による処理ガスの供給を制御する制御手段を設け
たことを特徴とする，基板処理装置を提供する。
【００２０】請求項１０に記載の基板処理装置では，処
理ガスには例えばオゾンガス等が適宜に用いられてい
る。このような請求項１０に記載の基板処理装置によれ
ば，開閉部材を開けて処理容器内に基板を収納し，その
後に開閉部材を閉めて処理容器内を密閉する。次いで，
処理容器内に，処理ガス供給手段により処理ガスを供給
し，基板を好適に処理する。一方，内部排気手段によ
り，処理容器の内部雰囲気を排気することで，処理容器
内から処理ガスを排気する。排気された処理ガスに対し
て後処理機構により後処理を施す。例えばオゾンガスの
ように，処理ガスに人体に有害な物質（オゾン）が含有
されている場合には，後処理機構には，例えばオゾンキ
ラーのような有害物質（オゾン）を除去する機構を用い
る。そして，後処理では，有害物質を除去して処理ガス
を無害化し，例えば工場の排気系に安全に排気できる状
態にする。
【００２１】ここで，制御手段は，開閉検出手段からの
検出信号に基づいて開閉部材が閉まっていると確認し，
かつ稼働検出手段からの検出信号に基づいて後処理機構
が正常に稼働可能な状態にあると判断した段階で，処理
ガス供給手段による処理ガスの供給を実施するように制
御する。一方，開閉部材が開いている場合や，後処理機
構に異常がある場合には，処理ガス供給手段による処理
ガスの供給を停止させておく。従って，請求項１０に記
載の基板処理装置は，請求項１に記載の基板処理方法を
好適に実施することができる。
【００２２】請求項１０に記載の基板処理装置におい
て，請求項１１に記載したように，前記内部排気手段
は，前記処理容器の内部雰囲気を強制的に排気する内部
雰囲気の強制排気機構を備えていることが好ましい。か
かる構成によれば，内部雰囲気の強制排気機構は，例え
ば基板の処理が途中で中断した場合に，強制排気を行
う。従って，請求項１０に記載の基板処理装置は，請求
項２に記載の基板処理方法を好適に実施することができ
る。
【００２３】請求項１２に記載したように，前記処理容
器の周囲雰囲気中の処理ガス濃度を検出する周囲の濃度
検出手段と，前記処理容器の周囲雰囲気を強制的に排気
する周囲雰囲気の強制排気機構とを備え，前記周囲の濃
度検出手段からの検出信号に基づいて，前記内部雰囲気
の強制排気機構による強制排気と，前記処理ガス供給手
段による処理ガスの供給を制御する制御手段を設けるこ
とが好ましい。かかる構成によれば，制御手段は，周囲
の濃度検出手段からの検出信号に基づいて，処理容器の
周囲雰囲気に処理ガスが漏れたことを感知すると，内部
雰囲気の強制排気機構を稼働させると共に，処理ガス供
給手段による処理ガスの供給を停止させる。従って，請
求項１２に記載の基板処理装置は，請求項３に記載の基
板処理方法を好適に実施することができる。
【００２４】請求項１３に記載したように，前記周囲の
濃度検出手段からの検出信号に基づいて，前記周囲雰囲
気の強制排気機構による強制排気を制御する制御手段を
設けても良い。かかる構成によれば，制御手段は，周囲
の濃度検出手段からの検出信号に基づいて，処理容器の
周囲雰囲気に処理ガスが漏れたことを感知すると，周囲
雰囲気の強制排気機構を稼働させる。従って，請求項１
３に記載の基板処理装置は，請求項６に記載の基板処理
方法を好適に実施することができる。
【００２５】請求項１４の発明は，密閉された処理容器
内に収納された基板に，処理ガス供給手段により処理ガ
スを供給する一方で，該処理容器の内部雰囲気を内部排
気手段により排気し，該排気された内部雰囲気を後処理
機構により後処理しながら基板を処理する装置におい
て，前記処理容器の搬入出口を開閉する開閉部材と，前
記処理容器の周囲雰囲気中の処理ガス濃度を検出する周
囲の濃度検出手段と，前記処理容器の周囲雰囲気を排気
する周囲排気手段とを備え，前記周囲の濃度検出手段か
らの検出信号に基づいて，前記内部排気手段による排気
と，前記処理ガス供給手段による処理ガスの供給を制御
する制御手段を設けたことを特徴とする，基板処理装置
を提供する。
【００２６】請求項１４に記載の基板処理装置では，請
求項１０と同様に処理ガスには例えばオゾンガス等が適
宜に用いられている。このような請求項１４に記載の基
板処理装置によれば，請求項１０と同様に処理容器内に
基板を収納した後，処理容器内に，処理ガス供給手段に
より処理ガスを供給し，基板を好適に処理する。一方，
内部排気手段により，処理容器内から処理ガスを排気す
る。排気された処理ガスに対して後処理機構により後処
理を施して無害化し，例えば工場の排気系に安全に排気
する。ここで，制御手段は，周囲の濃度検出手段からの
検出信号に基づいて，処理容器の周囲雰囲気に処理ガス
が漏れたことを感知すると，必要ならば内部排気手段の
稼働を上げて内部雰囲気の排気量を増加させると共に，
処理ガス供給手段による処理ガスの供給を停止させる。
従って，請求項１４に記載の基板処理装置は，請求項４
に記載の基板処理方法を好適に実施することができる。
【００２７】請求項１４に記載の基板処理装置におい
て，請求項１５に記載したように，前記周囲の濃度検出
手段からの検出信号に基づいて，前記周囲排気手段によ
る排気を制御する制御手段を設けることが好ましい。か
かる構成によれば，制御手段は，周囲の濃度検出手段か
らの検出信号に基づいて，処理容器の周囲雰囲気に処理
ガスが漏れたことを感知すると，必要ならば周囲排気手
段の稼働を上げて周囲雰囲気の排気量を増加させる。従
って，請求項１４に記載の基板処理装置は，請求項６に
記載の基板処理方法を好適に実施することができる。
【００２８】請求項１６に記載したように，前記処理容
器内の処理ガス濃度を検出する内部の濃度検出手段を設
け，前記内部の濃度検出手段からの検出信号に基づいて
前記開閉部材の開閉を制御する制御手段を設けることが
好ましい。かかる構成によれば，例えば処理ガスの供給
を停止した後に，制御手段は，内部の濃度検出手段から
の検出信号に基づいて，処理容器内の処理ガス濃度が人
体等に危害を加えない所定の値以下になったと判断する
と，開閉部材を開く。従って，請求項１６に記載の基板
処理装置は，請求項８に記載の基板処理方法を好適に実
施することができる。
【００２９】請求項１７に記載したように，前記処理容
器内にエアを供給するエア供給手段を備えていても良
い。かかる構成によれば，処理容器の内部雰囲気を排気
する際に，エア供給手段によりエアを供給することによ
り，処理容器内から処理ガスを押し流すことができる。
この場合，エア供給量は，内部雰囲気の排気量よりも少
なくなるように設定されている。内部雰囲気の排気量よ
りも多い流量でエアを供給してしまうと，処理容器内が
正圧雰囲気になる。正圧雰囲気では，処理容器内から外
部に処理ガスが漏れるおそれがあるが，このようにエア
供給量を少なくすることで，処理容器内を負圧雰囲気に
維持し，処理ガスの漏れを防止することができると共
に，速やかな排気を実現することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を添付図面を参照して，例えば５０枚のウェハを一括
して洗浄するように構成された洗浄装置に基づいて説明
する。この洗浄装置は，オゾンガスを利用してウェハＷ
からレジストを除去するものであり，図１は，本発明の
実施の形態にかかる洗浄装置１にかかる配管系統を示し
た説明図である。
【００３１】図１に示すように，洗浄装置１は，ウェハ
Ｗの処理が行われる処理容器２と，処理容器２内に水蒸
気３を供給する水蒸気供給手段４と，処理容器２内にオ
ゾンガス５を供給する処理ガス供給手段としてのオゾン
ガス供給手段６と，処理容器２の内部雰囲気を排気する
内部排気手段７と，処理容器２の周囲雰囲気を排気する
周囲排気手段８と，処理容器２内にホットエア及び常温
（例えば内部雰囲気温度と同じ温度）のエアを供給する
エア供給手段９と，処理容器２内から排気された内部雰
囲気中のオゾン（Ｏ３）を除去する後処理機構としての
オゾンキラー１０と，処理容器２内の液滴を排液する排
液手段１１とを備えている。
【００３２】図２に示すように，処理容器２は，５０枚
のウェハＷを十分に収納可能な大きさを有する容器本体
２０と，容器本体２０の上面に形成された搬入出口２０
ａを開閉する開閉部材としての容器カバー２１と，容器
本体２０の下面開口部を閉鎖する容器ボトム２２の３つ
に大別される。
【００３３】容器カバー２１は，例えば略半円球状に形
成され，昇降機構２３により昇降自在である。昇降機構
２３は制御手段としてのコントローラ２４に接続されて
いる。コントローラ２４から出力される操作信号によ
り，昇降機構２３の稼働は制御される。図３に示すよう
に，容器カバー２１が上昇した際には，搬入出口２０ａ
は開放され，容器本体２０に対してウェハＷを搬入出で
きる状態となる。容器本体２０にウェハＷを搬入して収
納した後，容器カバー２１が下降すれば，図２に示すよ
うに，搬入出口２０ａは塞がれる。容器本体２０と容器
カバー２１の間の空隙は，リップ式のＯリング２５によ
り密閉される。また，容器本体２０と容器ボトム２２の
間の空隙は，ガスケット２６により密閉されている。こ
うして，処理容器２内は密閉雰囲気となり，気体の漏れ
がない状態となる。
【００３４】容器本体２の上端部には，容器カバー２１
の開閉を検出する開閉検出手段としての重量センサ２７
が設けられている。この重量センサ２７は，容器カバー
２１が閉まって搬入出口２０ａを塞いだ際に，容器本体
２０の上端部にかかる荷重を検出する。コントローラ２
４は，重量センサ２７から入力される検出信号に基づい
て容器カバー２１の開閉を確認するように構成されてい
る。例えば所定の荷重が重量センサ２７により検出され
ると，容器カバー２１がしっかりと閉まった状態にある
と認識される。
【００３５】容器本体２０の外周面にはラバーヒータ２
８ａが，容器カバー２１の外周面にはラバーヒータ２８
ｂが，容器ボトム２２の外周面にはラバーヒータ２８ｃ
がそれぞれ取り付けられている。これらラバーヒータ２
８ａ〜ｃは，電力供給部（図示せず）からの給電により
発熱し，処理容器２の内部雰囲気を所定の温度（例えば
８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱する。
【００３６】図４に示すように，処理容器２に，ウェハ
ガイド３０が設けられている。ウェハガイド３０は，上
下方向（図４中のＺ方向）に昇降自在に構成されてい
る。ウェハガイド３０は，シャフト部３１と，ガイド部
３２と，ガイド部３２に水平姿勢で固着された３本の平
行な保持部材３３ａ，３３ｂ，３３ｃとを備えている。
各保持部材３３ａ〜ｃに，ウェハＷの周縁下部を保持す
る溝３４が等間隔で５０箇所形成されている。従って，
ウェハガイド３０は，５０枚のウェハＷを等間隔で配列
させた状態で保持する構成となっている。なお，シャフ
ト部３１は容器カバー２１を貫通して処理容器２の上方
に突き出ているため，この貫通部分には，エアグリップ
シール３５が設けられており，シャフト部３１と容器カ
バー２１の間の空隙が密閉される。
【００３７】図５に示すように，水蒸気供給手段４は，
純水（ＤＩＷ）を供給する純水供給回路４０と，純水供
給回路４０から供給された純水を気化して水蒸気３を発
生させる水蒸気発生器４１と，水蒸気発生器４１内の水
蒸気３を供給する水蒸気供給回路４２と，水蒸気供給回
路４２から供給された水蒸気３を処理容器２内に吐出す
る水蒸気ノズル４３とを備えている。
【００３８】純水供給回路４０の入口側には，純水供給
源（図示せず）が接続されている。純水供給回路４０に
は，開閉弁４４，流量コントローラ４５が介装されてい
る。開閉弁４４，流量コントローラ４５は，コントロー
ラ２４に接続されている。このため，純水の供給の正否
及び供給量は，コントローラ２４により制御される。水
蒸気発生器４１の内部には，ヒータ（図示せず）が設け
られている。水蒸気発生器４１内に供給された純水は，
ヒータの熱により気化して水蒸気３になる。水蒸気発生
器４１には，後述するミストトラップ１０３に通じる排
出回路５０が接続されている。この排出回路５０は，水
蒸気発生器４１内で気化できなかった純水をミストトラ
ップ１０３に排液したり，水蒸気発生器４１の温度と蒸
気吐出が安定するまで水蒸気３をミストトラップ１０３
に排気するように構成されている。
【００３９】図６に示すように，オゾンガス供給手段６
は，オゾンガス５を発生させるオゾナイザー６０と，オ
ゾナイザー６０で発生したオゾンガス５を供給するオゾ
ンガス供給回路６１と，オゾンガス供給回路６１から供
給されたオゾンガス５を処理容器２内に吐出するオゾン
ガスノズル６２とを備えている。オゾナイザー６０は，
例えばオゾン濃度が約１４１ｇ／ｍ３（ｎｏｒｍａｌ）
［６．６ｖｏｌ％（体積百分率）］程度有するオゾンガ
ス５を生成し，このオゾンガス５を流量，４０Ｌ／ｍｉ
ｎ程度でオゾンガス供給回路６１に流すように構成され
ている。また，オゾンガス供給回路６１に開閉弁６３が
介装されている。この開閉弁６３は，コントローラ２４
に接続されている。オゾンガス５の供給の正否は，コン
トローラ２４により制御される。
【００４０】図７に示すように，エア供給手段９は，エ
アを供給する第１のエア供給回路７０と，第１のエア供
給回路７０から供給されたエアを加熱してホットエア７
１を発生させるホットエアジェネレータ７２と，ホット
エアジェネレータ７２内のホットエア７１を供給するホ
ットエア供給回路７３と，ホットエア供給回路７３から
供給されたホットエア７１を吐出するエアノズル７４，
７４と，ホットエアジェネレータ７２を通さずにエアを
エアノズル７４，７４に直接供給する第２のエア供給回
路７５とを備えている。
【００４１】第１のエア供給回路７０の入口側には，エ
ア供給源（図示せず）が接続されている。エア供給源か
ら例えば５００Ｌ／ｍｉｎの流量で常温のエアが供給さ
れる。第１のエア供給回路７０には，開閉弁７７，流量
コントローラ７８が順次介装されている。ホットエアジ
ェネレータ７２の内部には，エアを加熱するヒータ（図
示せず）が設けられている。また，第２のエア供給回路
７５には，開閉弁７９，流量コントローラ８０が順次介
装されている。開閉弁７７，７９，流量コントローラ７
８，８０は，コントローラ２４に接続されている。第１
のエア供給回路７０におけるエアの供給の正否及び供給
量と，第２のエア供給回路７５におけるエアの供給の正
否及び供給量は，コントローラ２４により制御される。
さらに第２のエア供給回路７５には，エアを逃がして後
述する排気マニホールド１２１に導入するエア導入回路
９０が接続されている。エア導入回路９０には，開閉弁
９１が接続されている。
【００４２】図８に示すように，内部排気手段７は，処
理容器２内に設けられた排気部１００，１００と，処理
容器２の内部雰囲気を排気する第１の内部排気回路１０
１と，冷却部１０２と，ミストトラップ１０３と，ミス
トトラップ１０３の上部に接続された第２の内部排気回
路１０４とを備えている。
【００４３】排気部１００，１００は，処理容器２の内
部雰囲気を取り込むように構成されている。排気部１０
０，１００の外面には，微細な孔（図示せず）が複数形
成されている。各排気部１００には，前記第１の内部排
気回路１０１が接続されている。
【００４４】第１の内部排気回路１０１には，バイパス
回路１０５と，内部雰囲気の強制排気機構としての内部
エジェクタ（ｅｊｅｃｔｏｒ）１０６とが設けられてい
る。バイパス回路１０５は，第１の内部排気回路１０１
内の気体を内部エジェクタ１０６に通し，その後に再び
第１の内部排気回路１０１内に送出するように構成され
ている。
【００４５】内部エジェクタ１０６は，処理容器２の内
部雰囲気を急激な吸い込んでミストトラップ１０３側に
圧送することで，強制排気を行うように構成されてい
る。内部エジェクタ１０６は，前記コントローラ２４に
接続されている。コントローラ２４から出力される操作
信号により，内部エジェクタ１０６の稼働は制御され
る。コントローラ２４は，正常に処理が行われている
間，内部エジェクタ１０６に操作信号を出力せず，その
稼働を停止させておく。
【００４６】冷却部１０２は，前記水蒸気発生器４１か
ら排気された水蒸気３及び処理容器２内から排気された
水蒸気３を冷却して凝縮するように構成されている。即
ち，冷却部１０２内を，前記排出回路５０，第１の内部
排気回路１０１が通過している。冷却部１０２に，冷却
水を供給する冷却水供給回路１１０と，冷却水を排液す
る冷却水排液回路１１１とがそれぞれ接続されている。
冷却水供給回路１１０に流量調整弁１１２が，冷却水排
液回路１１１に流量調整弁１１３がそれぞれ介装されて
いる。冷却水供給回路１１０から冷却水を冷却部１０２
内に供給し続ける一方で，冷却水排液回路１１１により
排液を行い，冷却部１０２内を常時新鮮な冷却水で満す
ようにすると良い。
【００４７】ミストトラップ１０３は，気体と液体とを
個別に排出するように構成されている。即ち，各排気部
１００は，処理容器２内の水蒸気３及びオゾンガス５
を，第１の内部排気回路１０１を通じてミストトラップ
１０３に排気するようになっている。この場合，冷却部
１０２には，冷却水供給回路１１０により冷却水が冷却
部１０２に供給されているので，処理容器２内より排気
された水蒸気３は，冷却部１０２内を通っている間に冷
却されて凝縮される。水蒸気３が凝縮して液化した液滴
はミストトラップ１０３に滴下される。一方，オゾンガ
ス５は，そのままミストトラップ１０３内に導入され
る。こうして，処理容器２から排気された内部雰囲気
を，オゾンガス５と液滴に好適に分離し，ミストトラッ
プ１０３は，オゾンガス５を前記第２の内部排気回路１
０４に排気し，液滴を後述する第２の排液回路１４１に
排液するようになっている。また，水蒸気発生器４１か
ら排出された水蒸気３及び純水は，排出回路５０を通じ
てミストトラップ１０３に導入される。純水は，そのま
ま排出回路５０内を流れてミストトラップ１０３に滴下
される。水蒸気３は，冷却部１０２内を通っている間に
冷却されて凝縮され，液滴になってミストトラップ１０
３に滴下される。
【００４８】図９に示すように，第２の内部排気回路１
０４には，排気された内部雰囲気中のオゾン濃度を検出
する内部の濃度検出手段としての第１の濃度センサ１２
０と，前記オゾンキラー１０とが順次介装されている。
第２の内部排気回路１０４の出口は，排気マニホールド
１２１に接続されている。
【００４９】第２の内部排気回路１０４に設けられた第
１の濃度センサ１２０は，オゾンキラー１０より上流側
に設置されている。オゾンキラー１０内に流入する前の
排気された内部雰囲気中のオゾン濃度を検出すること
で，処理容器２内のオゾン濃度を検出するようになって
いる。第１の濃度センサ１２０は，コントローラ２４に
接続されており，第１の濃度センサ１２０からの検出信
号は，コントローラ２４に入力される。前述したように
コントローラ２４は，昇降機構２３に操作信号を出力す
るように構成されており，第１の濃度センサ１２０によ
り検出されたオゾン濃度に基づいて，容器カバー２１の
開閉を制御するようになっている。容器カバー２１の開
閉制御において，例えば処理容器２内のオゾン濃度が所
定の値（例えば０．１ｐｐｍ）以下でなければ，容器カ
バー２１を開けないように設定されている。オゾン濃度
が所定の値を越えた値である場合に，容器カバー２１を
開けてしまうと，許容値を越えたオゾン雰囲気が周囲に
拡散することになり，人的事故を発生させるおそれがあ
るからである。
【００５０】オゾンキラー１０は，加熱によりオゾンを
酸素（Ｏ２）に熱分解するように構成されている。オゾ
ンキラー１０の加熱温度は，例えば４００℃以上に設定
されている。このような加熱方式のオゾンキラー１０
は，製品寿命が長い。また，長期に渡って使用しても除
去能力が劣化することがなく，第２の内部排気回路１０
４内の気体中からオゾンを除去することができる。更に
オゾンキラー１０は，工場内の無停電電源装置（図示せ
ず）に接続され，停電時でも，無停電電源装置から安定
的に電力供給が行われるように構成されていることが好
ましい。そうすれば，停電時でも，オゾンキラー１０が
稼働し，オゾンを除去して安全を図ることができる。
【００５１】オゾンキラー１０には，オゾンキラー１０
の稼働状態を検出する稼働検出手段としての温度センサ
１２２が設けられている。この温度センサ１２２は，オ
ゾンキラー１０の加熱温度を検出するように構成されて
いる。温度センサ１２２は，コントローラ２４に接続さ
れており，温度センサ１２２からの検出信号は，コント
ローラ２４に入力される。コントローラ２４は，温度セ
ンサ１２２により検出されたオゾンキラー１０の加熱温
度に基づいて，オゾンを除去するのにオゾンキラー１０
に十分な準備が整っているか判断するようになってい
る。例えばオゾンキラー１０の加熱温度が４００℃未満
であれば，オゾンを熱分解するのに不十分であると判断
する。
【００５２】排気マニホールド１２１は，装置全体の排
気を集合して行うように構成されている。即ち，排気マ
ニホールド１２１には，前記第２の内部排気回路１０４
と，前記エア導入回路９０と，後述する第１の周囲排気
回路１３１とが接続されている。また，洗浄装置１背面
の雰囲気を取り込むための配管（図示せず）が複数設置
され，洗浄装置１からオゾンガス５が周囲に拡散するの
を防止している。さらに排気マニホールド１２１は，工
場内の酸専用の排気系（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）
に通じており，酸専用の排気系に流す前の各種排気の合
流場所として機能する。このように，オゾンガス５の拡
散を防止して排気管理を厳格に行っている。
【００５３】排気マニホールド１２１には，オゾン濃度
を検出する第２の濃度センサ１２３が設けられている。
排気マニホールド１２１に設けられた第２の濃度センサ
１２３は，コントローラ２４に接続されており，第２の
濃度センサ１２２からの検出信号は，コントローラ２４
に入力される。コントローラ２４は，第２の濃度センサ
１２２により検出されたオゾン濃度に基づいて，オゾン
キラー１０のオゾン除去能力を把握し，例えばオゾンキ
ラー１０の故障によるオゾンガス５の垂れ流しを監視す
るようになっている。
【００５４】図８に示すように，周囲排気手段８は，処
理容器２の周囲を囲むケース１３０と，ケース１３０の
下部に一端が接続され，他端が前述したように排気マニ
ホールド１２１に接続された第１の周囲排気回路１３１
と，ケース１３０の下部に一端が接続され，他端が前記
第１の内部排気回路１０１に接続された第２の周囲排気
回路１３２とを備えている。
【００５５】ケース１３０では，上方から清浄なエアの
ダウンフローが供給されており，このダウンフローによ
り，ケース１３０の内部雰囲気，即ち処理容器２の周囲
雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共に，下方に押し
流して第１の周囲排気回路１３１，第２の周囲排気回路
１３２に流入し易いようにしている。また，ケース１３
０には，処理容器２の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出
する周囲の濃度検出手段としての第３の濃度センサ１３
３が設けられている。第３の濃度センサ１３３は，コン
トローラ２４に接続されており，第３の濃度センサ１３
３からの検出信号は，コントローラ２４に入力される。
コントローラ２４は，第３の濃度センサ１３３により検
出されたオゾン濃度に基づいて，オゾンガス５の漏れを
感知するようになっている。
【００５６】第１の周囲排気回路１３１には，開閉弁１
３４が設けられている。開閉弁１３４は，コントローラ
２４に接続されている。正常に処理が進行している間，
コントローラ２４は，開閉弁１３４を開かせる。この
間，第１の周囲排気回路１３１は，処理容器２の周囲雰
囲気を排気マニホールド１２１に排気するようになって
いる。
【００５７】第２の周囲排気回路１３２には，周囲エジ
ェクタ１３５が設けられている。周囲エジェクタ１３５
は，処理容器２の周囲雰囲気を急激な吸い込んでミスト
トラップ１０３側に圧送することで，強制排気を行うよ
うに構成されている。周囲エジェクタ１３５は，前記コ
ントローラ２４に接続されている。コントローラ２４か
ら出力される操作信号により，周囲エジェクタ１３５の
稼働は制御される。コントローラ２４は，正常に処理が
行われている間，周囲エジェクタ１３５に操作信号を出
力せず，その稼働を停止させておく。
【００５８】ここで，オゾンは人体等に有害な物質であ
ることから，洗浄装置１では，様々の安全対策を図って
いる。即ち，前述したようにコントローラ２４に対して
重量センサ２７（図２中に示す）及び温度センサ１２２
（図９中に示す）が接続され，さらにオゾン供給手段６
の開閉弁６３（図６中に示す）は，コントローラ２４に
接続されている。重量センサ２７から入力される検出信
号と，温度センサ１２２から入力される検出信号に基づ
いて，コントローラ２４は，オゾンガス供給手段６の開
閉弁６３を開閉制御するように構成されている。コント
ローラ２４は，容器カバー２１がしっかりと閉まった状
態にあると確認し，かつオゾンキラー１０の加熱温度が
４００℃以上にある判断した段階で，開閉弁６３を開
く。これにより，オゾンガス供給手段６は，オゾンガス
５を供給することが可能となり，処理を開始することが
できる。一方，容器カバー２１が開いている場合や，オ
ゾンキラー１０の加熱温度が４００℃未満である場合に
は，オゾンを拡散させたり，オゾンを十分に酸素に分解
できないまま排気してしまうおそれがあるため，開閉弁
６３を閉める。これにより，オゾンガス供給手段６は，
オゾンガス５を供給することが不可能となる。これら二
つの条件が整うまで，処理そのものを開始させない。
【００５９】停電や地震等の偶発的な事故により洗浄装
置１が瞬停し，処理が途中で中断した場合には，内部エ
ジェクタ１０６は，強制排気を行うように構成されてい
る。即ち，図８で前述したように内部エジェクタ１０６
は，コントローラ２４に接続されている。例えば事故が
発生した場合，直ちにコントローラ２４が操作信号を内
部エジェクタ１０６に出力する。これにより，内部排気
手段７では，強制排気を行い処理容器２内に残ったオゾ
ンを排出する。瞬停した洗浄装置１を立ち上げる際に，
工場内の作業者が容器カバー２１を開けて中の様子を一
度確認したり調べる場合があるが，このように強制排気
を行うことで，処理容器２内を開放した際に事故が起こ
るのを防止するようになっている。なお，内部エジェク
タ１０６及びコントローラ２４を，オゾンキラー１０と
同様に無停電電源装置に接続し，停電中でも強制排気を
行える構成にすると良い。
【００６０】図８で前述したようにコントローラ２４に
対して第３の濃度センサ１３３が接続されている。第３
の濃度センサ１３３からの検出信号に基づいて，コント
ローラ２４は，内部エジェクタ１０６による強制排気
と，オゾンガス供給手段６によるオゾンガス５の供給を
制御するように構成されている。即ち，コントローラ２
４は，第３の濃度センサ１３３から入力された検出信号
によりオゾンガス５の漏れを感知した場合には，直ちに
内部エジェクタ１０６に操作信号を出力すると共に，オ
ゾンガス供給手段６の開閉弁６３を閉める。これによ
り，内部エジェクタ１０６が稼働し，通常よりも高い排
気量で処理容器２の内部雰囲気を強制排気すると共に，
オゾンガス５の供給を停止し，以後，処理容器２内から
オゾンガス５が漏れ無いようにする。また，周囲エジェ
クタ１３５も，コントローラ２４に接続されている。第
３の濃度センサ１３３からの検出信号に基づいて，コン
トローラ２４は，周囲エジェクタ１３５よる強制排気も
制御するように構成されている。即ち，コントローラ２
４は，周囲エジェクタ１３５に操作信号を出力すると共
に，第１の周囲排気回路１３１の開閉弁１３４を閉め
る。これにより，周囲エジェクタ１３５が稼働し，通常
よりも高い排気量で第２の周囲排気回路１３２を通して
処理容器２の周囲雰囲気を強制排気し，ガス漏れが周囲
に拡大するのを防止するようになっている。排気された
周囲雰囲気は，第２の周囲排気回路１３２から第１の内
部排気回路１０１，ミストトラップ１０３に流れ，第２
の内部排気回路１０４に排気される。第２の内部排気回
路１０４では，オゾンキラー１によりオゾンを除去し，
無害化された周囲雰囲気を工場の酸専用の排気系に安全
に排気するようになっている。なお，例えばケース１３
０の容量や上方からのダウンフロー等の関係により，通
常の排気量でも，漏れたオゾンガス５の拡散を防げるよ
うであれば，オゾンガス５の供給を停止する一方で，通
常の排気で済ましても良い。
【００６１】図７で前述したように，第２のエア供給回
路７５中の流量コントローラ８０はコントローラ２４に
接続されている。オゾンガス５の供給を停止した後に処
理容器２の内部雰囲気を排気するに際し，コントローラ
２４は，エア供給手段９によるエアの供給を制御するよ
うに構成されている。即ち，排気する際には，コントロ
ーラ２４は，開閉弁７７を閉じる一方で開閉弁７９を開
け，エア供給量が内部雰囲気の排気量よりも少なくなる
ように流量コントローラ８０を絞る。このため，排気中
に，処理容器２内に常温のエアを供給しても，処理容器
２内は負圧雰囲気になる。排気中に，常温のエアを多量
に供給して処理容器２内を正圧雰囲気にしてまうと，周
囲にオゾンガス５が漏れるおそれがある。このようにエ
ア供給量を調整して処理容器２内を負圧雰囲気にするこ
とで，オゾンガス５の漏れを防止すると共に，処理容器
２内からオゾンガス５を押し流すことができる。
【００６２】図８及び図１０に示すように，排液手段１
１は，前記処理容器２の底部に接続された第１の排液回
路１４０と，ミストトラップ１０３の底部に接続された
第２の排液回路１４１とを備えている。第１の排液回路
１４０には，開閉弁１４２が介装されている。第１の排
液回路１４０は，前記第１の内部排気回路１０１に接続
され，処理容器２内の液滴を第１の内部排気回路１０１
に流す。第２の排液回路１４１には，開閉弁１４３が介
装されている。液体中にオゾンが残存することもあるの
で，第２の排液回路１４１は，工場内の酸専用の排液系
（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に通じている。さらに排液手
段１１は， ミストトラップ１０３に下から順次設置さ
れた空防止センサ１４５，排液開始センサ１４６，液オ
ーバーセンサ１４７を備えている。開閉弁１４３，空防
止センサ１４５，排液開始センサ１４６，液オーバーセ
ンサ１４７は，コントローラ２４に接続されている。
【００６３】この場合，処理容器２内の液滴，水蒸気発
生器４１から排液された純水，水蒸気３が液化した液滴
がミストトラップ１０３内に導入される。液滴が，ミス
トトラップ１０３内にある程度溜められ，液面が排液開
始センサ１４６に達すると，排液開始センサ１４６から
到達信号がコントローラ２４に入力される。コントロー
ラ２４は，開閉弁１４３を開放させて排液を開始するよ
うになっている。また，液面の高さが，液オーバーセン
サ１４７までオーバーすると，液オーバーセンサ１４７
から警告信号がコントローラ２４に入力される。一方，
液面が空防止センサ１４５を下回っている場合には，空
防止センサ１４５から禁止信号がコントローラ２４に入
力され，コントローラ２４は，開閉弁１４３を閉じるよ
うに構成されている。空防止センサ１４５は，液滴が全
て流れてミストトラップ１０３内が空になり，オゾンガ
ス５が工場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止す
るようになっている。
【００６４】次に，以上のように構成された洗浄装置１
で行われる本発明の実施の形態にかかる洗浄方法につい
て， 図１１，１２に示す第１，第２の工程説明図，図
１３に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００６５】先ず容器カバー２１を開けて容器本体２０
内を開放する。一方，図１１に示すようにレジスト膜２
００が形成されたウェハＷ５０枚を図示しない搬送機に
より洗浄装置１に搬送し，容器本体２０内に収納する。
その後，容器カバー２１を閉めて容器本体２内を密閉す
る（処理開始）。次いで，ラバーヒータ２８ａ〜ｃで処
理容器２を加熱すると共に，エア供給手段９が，ホット
エア７１を処理容器２内に供給し，ウェハＷ及び処理容
器２の内部雰囲気を所定の温度（例えば８０℃〜１２０
℃）に加熱する。
【００６６】図１３中のＳ１において，コントローラ２
４は，重量センサ２７の検出信号と，温度センサ１２２
の検出信号とにより，処理容器２内が密閉され，かつオ
ゾンキラー１０の加熱温度が４００℃以上であってオゾ
ンキラー１０がオゾンを十分に除去できる状態にあるこ
とを確認する。これら二つの条件を満たしていると判断
すると，オゾンガス供給手段６の開閉弁６３を開く。そ
して，オゾン供給手段６は，オゾンガス５を処理容器２
内に供給する（図１３中のＳ２）。これら二つの条件の
内でどちらか一方の条件でも満たすことができなけれ
ば，開閉弁６３を閉め，オゾンガス５の供給が行われな
いようにする。（図１３中のＳ３）。また，水蒸気供給
手段４は，水蒸気３を処理容器２内に供給する。
【００６７】水蒸気３とオゾンガス５を用い，ウェハＷ
に対してオゾンを利用した処理を施す（図１３中のＳ
４）。図１２に示すように，ウェハＷの表面に，水分子
２０１とオゾン分子２０２とが混合した混合層を形成す
る。この混合層中で水分子２０１とオゾン分子２０２同
士が反応し，ウェハＷの表面に例えば酸素原子ラジカル
（Ｏ・ Ｏｘｙｇｅｎ ｒａｄｉｃａｌ）や水酸基ラジ
カル（ＯＨ・ Ｈｙｄｒｏｘｙ ｒａｄｉｃａｌ）等の
反応物質が多量に発生する。ウェハＷの表面で発生した
水酸基ラジカルは，消滅することなく，直ちに酸化反応
を起こし，レジストをカルボン酸，二酸化炭素や水等に
分解する。図１２に示すように，レジスト膜２００を十
分に酸化分解して水溶性の膜２００ａに変質させる。こ
の水溶性の膜２００ａは，その後の純水によるリンス洗
浄で容易に除去することができる。
【００６８】処理中，内部排気手段７では，排気部１０
０，１００により処理容器２の内部雰囲気を取り取り込
み，第１の内部排気回路１０１，ミストトラップ１０
３，第２の内部排気回路１０４に順次流してオゾンキラ
ー１０に通し，オゾンを除去してから工場の酸専用の排
気系に排気する。一方，周囲排気手段８では，ケース１
３０により処理容器２の周囲雰囲気を取り込み，第１の
周囲排気回路１３１により排気マニホールド１２１に導
入して工場の酸専用の排気系に排気する。このように，
密閉された処理容器２内に収納されたウェハＷに水蒸気
３及びオゾンガス５を供給する一方で，処理容器２の内
部雰囲気を排気してオゾンキラー１０に通して無害化し
ながらオゾンを利用した処理を行っている。
【００６９】ここで，図１３中のＳ５において，停電や
地震等により洗浄装置１が瞬停して，オゾンを利用した
処理が途中で中断した場合には，内部排気手段７の内部
エジェクタ１０６により，処理容器２の内部雰囲気を強
制排気する（図１３中のＳ６）。また，図１３中のＳ７
において，コントローラ２４が，第３の濃度センサ１３
３の検出信号により，処理容器２の周囲雰囲気にオゾン
ガス５が漏れていると感知すると，内部エジェクタ１０
６に操作信号を出力すると共に，オゾンガス供給手段６
の開閉弁６３を閉める。処理容器の２内部雰囲気を強制
的に排気すると共に，オゾンガス５の供給を停止する。
また，周囲エジェクタ１３５にも操作信号を出力すると
共に，第１の周囲排気回路１０１の開閉弁１３４を閉
じ，第２の周囲排気回路１３２を通して処理容器２の周
囲雰囲気を強制的に排気する（図１３中のＳ８）。
【００７０】オゾンを利用した処理が終了し，水蒸気５
及びオゾンガス５の供給を停止する（図１３中のＳ
９）。そして，引き続き処理容器２の内部雰囲気を排気
すると共に，エア供給手段９に常温のエアを供給し，オ
ゾン排出を行う（図１３中のＳ１０）。ここで，コント
ローラ２４は，第２のエア供給回路７５の流量コントロ
ーラ８０の流量を絞り，内部雰囲気の排気量よりもエア
供給量を少なくする。
【００７１】図１３中のＳ１１において，コントローラ
２４は，第１の濃度センサ１２０により処理容器２内の
オゾン濃度を検出し，オゾン濃度が，人体に危害を加え
ない所定の値（例えば０．１ｐｐｍ）以下であることを
確認する。オゾン濃度が所定の値以下であると判断すれ
ば，容器カバー２１を開けて処理容器２内を開放する。
その後，ウェハＷを搬出する（処理終了）。一方，オゾ
ン濃度が所定の値を越えていると判断すれば，引き続き
オゾン排出を行う。このように安全を確保してから処理
容器２内を開放するので，事故を防止することができ
る。
【００７２】搬出したウェハＷを搬送機によりリンス洗
浄装置に搬送し，純水によるリンス洗浄を施す。前述し
たようにレジスト膜２００を水溶性に変質させているの
で，リンス洗浄装置では，ウェハＷからレジストを容易
に除去することができる。最後に，ウェハＷを，リンス
洗浄装置から乾燥装置に搬送して乾燥処理する。
【００７３】かかる洗浄装置１において，処理容器２内
が密閉される前にオゾンガス５を供給してしまうと，オ
ゾンガス５が周囲に拡散してしまう。また，排気された
内部雰囲気からオゾンを除去することができなければ，
そのままオゾンガス５を工場酸専用の排気系に垂れ流す
おそれがある。しかしながら，本発明にかかる洗浄装置
１によれば，処理容器２内を密閉し，かつ排気された内
部雰囲気に対するオゾン除去が正常に行われることを条
件に，オゾンガス５を処理容器２内に供給しているの
で，オゾンガス５の拡散や垂れ流しを防ぐことができ
る。従って，オゾンによる人的事故を事前に防止するこ
とができる。
【００７４】停電や地震等によりオゾンを利用した処理
が途中で中断した場合には，処理容器２の内部雰囲気を
強制的に排気し，処理容器２からオゾンを排出する。こ
こで，その後にオゾンを利用する処理を再開させるにあ
たって，例えば工場の作業者等が，処理容器２内を開放
して中の様子を一度確認したり調査する場合がある。処
理容器２内にオゾンが残ったままで処理容器２内を開放
してしまうと，オゾンが拡散することになるが，このよ
うに強制的に排気するので，オゾンの拡散を未然に防止
することができ，人的事故を防いで安全を図ることがで
きる。
【００７５】オゾンを利用した処理中に，例えば処理容
器２の空隙からオゾンガス５が周囲雰囲気に漏れた場合
には，ガス漏れが起こった時点で，直ちに内部雰囲気の
強制排気を行うと共に，オゾンガス５の供給を停止する
ので，ガス漏れがこれ以上無いようにし，被害を最小限
度に留めることができる。さらに処理容器２の周囲雰囲
気を強制的に排気するので，処理容器２の周囲を越えて
広範囲にオゾンガス５が拡散するのを防ぐことができ
る。従って，オゾンガス５が漏れた場合でも，事故を発
生させることが無く，安全を図ることができる。また，
例えば強制排気後に，工場内の作業者がメンテナンスを
行い，処理容器２の空隙部分を補修し，次の処理からは
ガス漏れを無くすと良い。
【００７６】また，オゾン排出時に常温のエアを供給し
ているので，処理容器２内からオゾンガス５を押し流す
ことができる。さらにエア供給量が，内部雰囲気の排気
量よりも少ないので，処理容器２内を負圧雰囲気に維持
することができる。従って，オゾンガス５の漏れを防止
することができると共に，速やかな排気を実現すること
ができる。
【００７７】なお，本発明の実施の形態の一例ついて説
明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を取りう
るものである。処理後に，容器カバー２１を開けるタイ
ミングを，第１の濃度センサ１２０の検出に基づいて行
っていたが，処理後の排出時間に基づいて容器カバー２
１を開けるタイミングを図るようにしても良い。即ち，
図１４に示すように，洗浄装置１の全処理時間中，ウェ
ハＷの搬入後，オゾンを利用した処理を行い，その後，
オゾンの排出を所定の時間行い，その後，ウェハＷを搬
出する。この場合，所定の時間は，処理容器２内のオゾ
ン濃度が所定の値以下にするのに必要な時間に設定され
ている。これによっても，安全を確保して事故を防止す
ることができる。
【００７８】また，オゾンガス５を利用してレジスト膜
２００を除去した場合について説明したが，他の処理ガ
スを利用してウェハＷ上に付着した様々な付着物を除去
するようにしても良い。例えば，塩素（Ｃｌ２）ガスと
水蒸気を供給し，ウェハＷ上から金属付着物，パーティ
クルを除去することが可能である。また，水素（Ｈ２）
ガスと水蒸気を供給し，ウェハＷ上から金属付着物，パ
ーティクルを除去することも可能である。また，フッ素
（Ｆ２）ガスと水蒸気を供給し，ウェハＷ上から自然酸
化膜，パーティクルを除去することが可能である。ま
た，この場合には，それぞれの状況に対応して，第２の
内部排気回路１０４に各種の後処理機構を設けると良
い。また，酸素原子ラジカルを有するオゾンガス，塩素
原子ラジカルを有する塩素ガス，水素原子ラジカルを有
する水素ガス，フッ素原子ラジカルを有するフッ素ガス
を供給して各種処理を行うようにしても良い。
【００７９】本発明は，複数枚の基板を一括して処理す
るバッチ式の処理だけでなく，一枚ずつ基板を処理する
枚葉式の処理の場合にも適用することができる。また，
基板が，上記ウェハＷに限定されずにＬＣＤ基板，ＣＤ
基板，プリント基板，セラミック基板等であってもよ
い。
【００８０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば，処理ガ
スの拡散や垂れ流しを防止することができる。特に処理
ガスがオゾンガスのように人体に有害な物質が含有され
ている場合には，有害物質による人的事故を事前に防止
することができるようになる。請求項２に記載の発明に
よれば，例えば偶発的な事故により装置が瞬停した後に
装置を立ち上げる際に，事故が発生するのを防止するこ
とができる。請求項３，６に記載の発明によれば，処理
ガスが漏れることがあっても，被害を最小限度に留め，
事故を発生させることが無く，安全を図ることができ
る。
【００８１】請求項４〜６に記載の発明によれば，請求
項３と同様の作用・効果を得ることができる。特に請求
項５に記載の発明によれば，周囲雰囲気を無害化して例
えば工場の排気系に安全に排気することができ，請求項
６に記載の発明によれば，処理容器の周囲を越えて広範
囲に処理ガスが拡散するのを確実に防ぐことができる。
【００８２】請求項７，８に記載の発明によれば，安全
を確保してから処理容器内を開放するので，事故を防止
することができる。また，請求項９に記載の発明によれ
ば，処理ガスを排気する際に，処理ガスの漏れを防止す
ることができる。
【００８３】請求項１０に記載の発明によれば，請求項
１に記載の基板処理方法を好適に実施することができ
る。請求項１１に記載の発明によれば，請求項２に記載
の基板処理方法を好適に実施することができる。請求項
１２に記載の発明によれば，請求項３に記載の基板処理
方法を好適に実施することができ，請求項１３に記載の
発明によれば，請求項６に記載の基板処理方法を好適に
実施することができる。
【００８４】請求項１４に記載の発明によれば，請求項
４に記載の基板処理方法を好適に実施することができ
る。請求項１５に記載の発明によれば，請求項６に記載
の基板処理方法を好適に実施することができる。
【００８５】請求項１６に記載の発明によれば，請求項
８に記載の基板処理方法を好適に実施することができ，
請求項１７に記載の発明によれば，処理ガスを排気する
に際し，処理容器内を負圧雰囲気に維持し，処理ガスの
漏れを防止することができると共に，速やかな排気を実
現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる洗浄装置の配管系
統図である。
【図２】処理容器を拡大して示した断面説明図である。
【図３】容器カバーを開けた際の様子を示す説明図であ
る。
【図４】ウェハガイドの斜視図である。
【図５】水蒸気発生手段の配管系統図である。
【図６】オゾンガス供給手段の配管系統図である。
【図７】エア供給手段の配管系統図である。
【図８】内部排気手段，周囲排気手段及び排液手段の配
管系統図である。
【図９】第２の内部排気回路を拡大して示した図であ
る。
【図１０】ミストトラップ及び第２の排液回路を拡大し
て示した図である。
【図１１】図１の洗浄装置で行われる処理を説明する第
１の工程説明図である。
【図１２】図１の洗浄装置で行われる処理を説明する第
２の工程説明図である。
【図１３】図１の洗浄装置で行われる処理を説明するフ
ローチャートである。
【図１４】オゾンを利用した処理後，処理容器の内部雰
囲気を所定の時間排気する場合におけるフローを説明す
るための図である。
【符号の説明】
１ 洗浄装置 ２ 処理容器 ５ オゾンガス ６ オゾンガス供給手段 ７ 内部排気手段 ８ 周囲排気手段 ９ エア供給手段 １０ オゾンキラー ２０ａ 搬入出口 ２１ 容器カバー ２４ コントローラ ２７ 重量センサ １０１ 第１の内部排気回路 １０４ 第２の内部排気回路 １０６ 内部エジェクタ １２０ 第１の濃度センサ １２２ 温度センサ １３１ 第１の周囲排気回路 １３２ 第２の周囲排気回路 １３３ 第３の濃度センサ １３５ 周囲エジェクタ Ｗ ウェハ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA02 LA03 3B201 AA03 AB44 BB05 BB92 CB12 CD11 CD22 CD41 5F004 AA14 AA16 BC07 BC08 BD01 CA02 DA00 DA04 DA24 DB26 5F046 MA05 MA06 MA10

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 密閉された処理容器内に収納された基板
    に処理ガスを供給する一方で，該処理容器の内部雰囲気
    を排気して該排気された内部雰囲気を後処理しながら基
    板を処理する方法において，前記処理容器内が密閉さ
    れ，かつ前記排気された内部雰囲気の後処理が正常に行
    われることを条件に，前記処理ガスを供給することを特
    徴とする，基板処理方法。
  2. 【請求項２】 前記基板の処理が途中で中断した場合に
    は，前記処理容器の内部雰囲気を強制的に排気すること
    を特徴とする，請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 【請求項３】 前記処理容器の周囲に処理ガスが漏れた
    場合には，前記処理容器の内部雰囲気を強制的に排気す
    ると共に，前記処理ガスの供給を停止することを特徴と
    する，請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  4. 【請求項４】 密閉された処理容器内に収納された基板
    に，処理ガスを供給する一方で，該処理容器の内部雰囲
    気を排気して該排気された内部雰囲気を後処理しながら
    基板を処理する方法であって，前記処理容器の周囲に処
    理ガスが漏れた場合には，前記処理容器の内部雰囲気を
    強制的に排気すると共に，前記処理ガスの供給を停止す
    ることを特徴とする，基板処理方法。
  5. 【請求項５】 前記処理容器の周囲に処理ガスが漏れた
    場合には，前記処理容器の周囲雰囲気を排気して該排気
    された周囲雰囲気を後処理することを特徴とする，請求
    項４に記載の基板処理方法。
  6. 【請求項６】 前記処理容器の周囲雰囲気を強制的に排
    気することを特徴とする，請求項３又は５に記載の基板
    処理方法。
  7. 【請求項７】 前記処理容器内の処理ガス濃度を検出
    し，該処理ガス濃度が所定の値以下であることを確認し
    てから，前記処理容器内を開放することを特徴とする，
    請求項１，２，３，４，５又は６に記載の基板処理方
    法。
  8. 【請求項８】 前記処理ガスの供給を停止した後，少な
    くとも所定の時間，前記処理容器の内部雰囲気を排気し
    てから，前記処理容器内を開放することを特徴とする，
    請求項１，２，３，４，５又は６に記載の基板処理方
    法。
  9. 【請求項９】 前記処理ガスの供給を停止した後，前記
    処理容器の内部雰囲気を排気するに際し，前記処理容器
    内を負圧雰囲気にすることを特徴とする，請求項１，
    ２，３，４，５，６，７又は８に記載の基板処理方法。
  10. 【請求項１０】 密閉された処理容器内に収納された基
    板に，処理ガス供給手段により処理ガスを供給する一方
    で，該処理容器の内部雰囲気を内部排気手段により排気
    し，該排気された内部雰囲気を後処理機構により後処理
    しながら基板を処理する装置において，前記処理容器の
    搬入出口を開閉する開閉部材を備え，前記開閉部材の開
    閉を検出する開閉検出手段からの検出信号と，前記後処
    理機構の稼働状態を検出する稼働検出手段からの検出信
    号とに基づいて，前記処理ガス供給手段による処理ガス
    の供給を制御する制御手段を設けたことを特徴とする，
    基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記内部排気手段は，前記処理容器の
    内部雰囲気を強制的に排気する内部雰囲気の強制排気機
    構を備えていることを特徴とする，請求項１０に記載の
    基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記処理容器の周囲雰囲気中の処理ガ
    ス濃度を検出する周囲の濃度検出手段と，前記処理容器
    の周囲雰囲気を強制的に排気する周囲雰囲気の強制排気
    機構とを備え，前記周囲の濃度検出手段からの検出信号
    に基づいて，前記内部雰囲気の強制排気機構による強制
    排気と，前記処理ガス供給手段による処理ガスの供給を
    制御する制御手段を設けたことを特徴とする，請求項１
    ０又は１１に記載の基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記周囲の濃度検出手段からの検出信
    号に基づいて，前記周囲雰囲気の強制排気機構による強
    制排気を制御する制御手段を設けたことを特徴とする，
    請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 【請求項１４】 密閉された処理容器内に収納された基
    板に，処理ガス供給手段により処理ガスを供給する一方
    で，該処理容器の内部雰囲気を内部排気手段により排気
    し，該排気された内部雰囲気を後処理機構により後処理
    しながら基板を処理する装置において，前記処理容器の
    搬入出口を開閉する開閉部材と，前記処理容器の周囲雰
    囲気中の処理ガス濃度を検出する周囲の濃度検出手段
    と， 前記処理容器の周囲雰囲気を排気する周囲排気手
    段とを備え，前記周囲の濃度検出手段からの検出信号に
    基づいて，前記内部排気手段による排気と，前記処理ガ
    ス供給手段による処理ガスの供給を制御する制御手段を
    設けたことを特徴とする，基板処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記周囲の濃度検出手段からの検出信
    号に基づいて，前記周囲排気手段による排気を制御する
    制御手段を設けたことを特徴とする，請求項１４に記載
    の基板処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記処理容器内の処理ガス濃度を検出
    する内部の濃度検出手段を設け，前記内部の濃度検出手
    段からの検出信号に基づいて前記開閉部材の開閉を制御
    する制御手段を設けたことを特徴とする，請求項１０，
    １１，１２，１３，１４又は１５に記載の基板処理装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記処理容器内にエアを供給するエア
    供給手段を備えていることを特徴とする，請求項１０，
    １１，１２，１３，１４，１５又は１６に記載の基板処
    理装置。
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