KR0170816B1 - 가스공급 시스템에 있어서 가스 퍼지 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스공급 시스템에서의 가스퍼지장치 및 방법에 관한 것으로 특히 가스실린더의 유독가스를 챔버에 공급할 때 공급 배관의 청결을 유지하기 위하여 공급배관을 포함한 전 배관을 N2가스로 퍼지하고 그후 배관 전체에 진공을 형성하고, 이 퍼지 및 진공형성과정을 수십회 반복하여 퍼지함으로써 각 밸브, 압력조정기, 필터 등의 미세한 틈 사이에 있던 유독가스 또는 부식의 원인이 되는 산소 등을 완전히 제거할 수 있게 한 것이다.

Description

가스공급 시스템에 있어서 가스 퍼지 장치 및 방법
제1도는 종래의 가스 퍼지 장치를 보인 개략도.
제2도는 본 발명의 가스 퍼지 장치를 보인 개략도.
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 가스 퍼지 장치를 보인 구성도.
제4도는 본 발명의 타실시예에 의한 가스 퍼지 장치를 보인 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 가스실린더 12 : 공급 배관
13,13a14 : 유입배관
HAV1∼HAV5,LAV1∼LAV2 : 격막 밸브(air operateel valve)
RG1,RG2 : 압력 조정기 PA1∼PA3 : 압력 디지탈 표시기
ABV1, ABV2 : 블리드 밸브 CV1∼CV5 : 체크 밸브
VG : 진공 발생기 F1,F2 : 필터
EFS : 유량초과스위치 1 : 프로세스가스 도입부
PI : 퍼지가스 유입구
본 발명은 가스공급 시스템에 있어서 가스 퍼지 장치 및 방법에 관한 것으로 특히 특수한 가스를 사용하는 화학, 제약, 반도체 산업분야에 적용 되는 가스공급 시스템에서의 가스 퍼지 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로에서는 반도체의 주원료로 사용되는 실리콘(Si)은 단결정 형태의 웨이퍼로서 세척공정, 산화공정, 증착공정, 전기적 특성을 갖도록 하는 불순물 주입공정, 식각공정 등을 거치게 된다.
이러한 반도체 제조공정에서는 최근 셀의 크기가 0.25μm 단위로 고집적화 됨에 따라, 미세한 먼지입자나 오염된 공기가 극소량 침투된다 하더라도 누설접합이나 이상항복 등의 전기적 문제를 발생시켜 전체에 치명적인 악영향을 미칠 수 있으므로, 반도체 공정은 아주 미세한 먼지나 오염된 공기가 전혀 없는 곳에서 생산되어야 양질의 칩을 획득할 수 있게 된다.
이온 주입 공정시 사용되는 가스로는, 주로 P형으로는 AsH3, B2H6가스 등이며, N형으로는 PH3가스 등을 사용한다. 이러한 AsH3, B2H6, PH3는 매우 높은 독성을 지니고 있고 고압의 용기에 채워져 있게 된다. 따라서 이러한 유독 가스들을 안전하게 사용할 수 있고 고순도를 유지할 수 있는 기구장치가 필요하게 된다. 즉, 그 기구장치는 3500PSI 이상의 고압에서도 누설범위가 1×10-11cc/sec(0.0029cc/년) 이하이어야 하며, 먼지는 0.001μ 3EA 이하이어야 한다.
상기에 언급한 유독가스는 공기중의 산소화 폭발적으로 결합하는 성질로 인하여, 누설범위가 조금만 커져도 대단히 위험해진다. 이러한 이유때문에, 종래에는 이 유독가스의 사용후 배관으로 부터 외부로 가스를 배출(또는 퍼지(purge)) 시킬 경우 안전을 위하여 미리 배관 내에서 N2등과 반응시켜 폭발성이 없는 가스로 전환시켜 배출시킴으로써 배관내의 가스를 퍼지하였다.
이하에 제1도를 참조로 하여 종래의 가스퍼지 장치 및 방법을 설명하겠다.
종래, 프로세서가스로 사용된 유독성 가스가 실린더(1)로 부터 격막밸브(V2), 압력조정기(RG1), 격막밸브(V3)를 차례로 통하여 공급되었다. 실린더에는 가스가 저장되어 실린더 연결구(CGA1)를 통하여 가스를 공급하게 되며 각 격막 밸브들은 가스의 흐름을 일시적 차단 또는 공급하게 된다. CV1,CV2는 가스의 역류를 방지하기 위한 체크밸브이며 기호()인 경우 오른쪽에서 왼쪽으로만 가스가 이동할 수 있다.
가스를 웨이퍼가 있는 챔버내로 공급하는 경우 격막밸브(V1 및 V4)는 닫히고 격막밸브(V2 및 V3)는 열리게 되어 열린 배관을 통하여 가스가 공급된다. 그후 배관내의 가스를 배출하는 경우, 실린더 연결구(CGA1)를 폐쇄하여 공급배관내로 프로세서 가스의 유입을 차단하고 격막밸브(V3)을 폐쇄하여 챔버내로 가스가 유입되지 못하도록 한 후 격막밸브(V1 및 V2)를 개방하여 N2가스를 역류방지용 체크밸브(CV1) 및 격막밸브(V1 및 V2)를 통하여 유입시킨다.
이리하여 가스공급배관 내의 유독가스는 N2가스와 반응하게 되고 그후 격막밸브(V4)를 열어 그 격막밸브(V4) 및 역류방지용 체크밸브(CV2)를 차례로 통하여 배관외부로 배출되게 된다.
상기와 같은 종래의 가스 퍼지(purge)방법에 의하면, 유독가스가 N2가스로 충분히 퍼지되었다 하더라도 배관내의 압력조정기, 격막밸브, 체크밸브등의 미세한 틈사이에는 미세먼지나 유입된 유독가스가 극소량 남아있게 되고 이러한 잔류가스가 이후 공기(산소포함) 입자가 내부로 유이되었을 경우 반응하여 인체에 매우 유독한 물질을 생성시켜 이 기계를 다루는 사람에게 매우 치명적인 영향을 미치기도 한다.
또한 이 경우 배관 자체에도 부식을 발생시켜, 고순도를 필요로 하는 반도체 집적회로에 심각한 오염문제를 발생시키게 된다. 이러한 부식 및 유해물질의 생성으로 인하여 배관 전체를 단기간 내(예를들면 2∼3년 내)에 다시 교환해야 하는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은, 퍼지과정 및 진공형성 과정을 교대로 수회 반복 실행함으로서 배관내의 잔류가스를 완벽하게 퍼지하는 사이클링 퍼지 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
이하에 제2도를 참조로 하여 본 발명의 실시예에 의한 사이클링 퍼지장치와 그 방법을 설명하겠다.
가스실린더(11)내의 프로세서 가스를 챔버에 공급해 주기 위한 공급배관(12)이 설치되고, 그 공급배관(12)에는 고압격막밸브(HAV3), 디지탈 압력표시기(PT2)가 구비된 압력조정기(RG2), 또다른 저압격막밸브(LAV1)가 차례로 포함되어 있고, 상기 고압격막밸브(HAV3)와 압력조정기(RG2)사이 및 저압격막밸브(LAV1)와 챔버사이에는 미세입자를 필터해 주는 필터(F1,F2)를 각각 설치하고, 상기 저압격막밸브(LAV1)와 필터(F2) 사이에는 규정된 일정량 이상의 프로세스가스가 흐를 때에 격막밸브(LAV1,HAV3)를 잠가주는 유량초과스위치(EFS)가 설치되고, 퍼지가스 유입배관(13,13a)이 공급배관(12)의 프로세스가스 도입부(I)에 통하도록 설치되고, 설치되어진 소정의 위치에 압력을 디지탈로 읽을 수 있는 신호기인 압력 디지탈 표시기(PT1)가 설치되며, 상기 가스유입배관(13)에는 격막밸브(HAV1) 및 체크밸브(CV1)가 설치되며 격막밸브(HAV1)가 잠긴 상태에서도 분당 2∼5ℓ정도의 N2등의 퍼지 가스가 흐를 수 있는 블리드밸브(ABV)와 압력조정기(RG1)가 설치되고, 상기 가스유입배관(13a)에는 격막밸브(HAV2) 및 체크밸브(CV2)가 설치되며, 배출배관(15)은, 상기의 공급배관(12)의 프로세서가스 도입부(I)에서 공급배관(12) 및 퍼지가스 유입배관(13)(13a)과 관통하도록 연결된 제1관과, 그리고 격막밸브(LAV1) 직전의 소정위치에서 공급배관(12)과 관통하도록 연결된 제2관과, 상기 제1관 및 제2관이 합류하여 배출구로 연결된 제3관으로 구성되며, 상기 제1관과 제2관 내에는 격막밸브(HAV4,LAV2)와 체크밸브(CV3,CV4)가 각각 설치되며, 제3관내의 소정위치에는 진공발생기(CV3,CV4)가 각각 설치되며, 제3관내의 소정위치에는 진공발생기(VG:vacuum generator)가 설치되고, 상기 진공발생기(VG)에는 규정된 진공에 도달되는지를 알 수 있게 하는 디지탈 압력표시기(PT3)가 구비되며, 상기 진공발생기(VG)에 연결된 또 다른 퍼지가스 유입배관(14)에는 프로세스 가스를 공급 중 발생될지도 모르는 상기 격막밸브(HAV4,LAV2)의 열림 현상 또는 내부 누수 현상으로 인한 사고를 방지하기 위하여 격막밸브(HAV5)가 설치되고 그 가스유입배관(14)내에는 저압블리드 격막밸브(ABV2) 및 체크밸브(CV5)가 설치됨을 특징으로 한 구조를 가진다.
이와같이 된 본발명에 있어서, 블리드 격막밸브(ABV2)를 제외한 각 격막밸브는 제2도와 같이 각각 분리되게 설치될 수 있고, 제3도에 도시된 바와 같이 체크밸브(HAV1,HAV2)와 (HAV3,HAV4) 그리고 (LAV1,LAV2)를 각각 한 몸체로 제작하여 사용할 수도 있다. 또한 제4도에 도시된 바와 같이 4개의 체크밸브(HAV1,HAV2,HAV3,HAV4)를 한 몸체로 제작하여 사용할 수도 있다.
퍼지가 필요한 목적은 배관내의 보수유지 또는 실린더내의 프로세스 가스가 소진되었거나 장기간의 정지상태가 발생되었을 때 퍼지를 실시한다.
본 발명의 퍼지 방법은 다음과 같다.
프로세스가스를 챔버에 공급할 때에는 격막밸브(HAV1,HAV2,HAV4,ABV,ABV1,ABV2,LAV2)가 잠긴 상태이며 단지 격막밸브(HAV3, LAV1)만 열려진 상태이다. 실린더의 메인 밸브를 폐쇄하여 프로세스 가스유입을 차단하고 내부의 잔존 가스를 챔버 공급구를 통하여 가스를 배출시켜 압력 디지탈 표시기(PT1,PT2)가 3psi 이하를 가리키면 저압격막밸브(LAV1)를 폐쇄하고 배관내의 각 격막밸브(HAV3,HAV4,HAV5,LAV2,ABV2)들을 개방한 후 잔존하고 있을지 모르는 프로세스 가스를 배출배관(15)의 진공발생기(VG)를 통하여 배출시킨 후 고압격막밸브(HAV5)를 제외한 전 격막밸브를 다시 폐쇄한 후 디지탈 압력표시기(PT1,PT2)에서 압력이 영점을 가리키는지 재확인 후 퍼지가스 유입구(P1)로부터 N2가스를 압력조정기(RG1)와 격막밸브(ABV1,HAV1)를 통하여 공급하며 일정 압력의 N2가스가 디지탈표시기(PT1)에 가리키면 (60-100psi) 퍼지가스 유입배관(13)과 공급배관(12)과 배출배관(15)내의 부품에 잔류하고 있는 미세가스를 효과적으로 배출시키기 위하여 고압격막밸브(HAV3), 필터(F1), 압력조정기(RG2), 저압격막밸브(LAV2), 역류방지기(CV3), 진공발생기(VG)를 통하는 순서로 퍼지하며 고압격막밸브(HAV3)를 폐쇄한 후, 고압격막밸브(HAV4), 역류방지기(CV3), 진공발생기(VG) 순서로 1차 퍼지하고, 고압격막밸브(HAV4)를 잠그고 고·저압격막밸브(HAV4,LAV2)를 폐쇄하여 압력디지탈표시기(PT1)에서 설정된 압력만큼 퍼지가스의 압력이 도달하면, 고압격막밸브(HAV1)를 폐쇄하고 고·저압격막밸브(HAV4,LAV2)를 동시에 개방하여 퍼지가스를 진공발생기(VG)를 통하여 배출하는 1단계와 고·저압격막밸브(HAV1,LAV1)가 폐쇄된 상태에서 블리드 저압 격막밸브(ABV 2)를 개방한 후, 진공발생기(VG)를 동작시켜 디지탈 압력표시기(PT3)에 -24inHg의 진공이 형성되면 역류방지기(CV4), 저압격막밸브(LAV2), 압력조정기(RG2) 필타(F1), 고압격막밸브(HAV3)를 순차적으로 작동시켜 진공을 형성시킨 후 수초 후 고압격막밸브(HAV4)를 개방하여 진공으로 미세 잔류가스를 배출시키는 2단계를 교대로 수십회(예를들면 가스의 특성에 따라 20-60회 이상) 반복하여 실행하고 최종적으로 진공상태를 형성함으로써 본 발명의 사이클 퍼지방법을 완성하게 된다. 또한 효율적인 퍼지를 목적으로 고압격막밸브(HAV2)를 통한 고압퍼지 방법을 1단계에 도입할 수 있다.
퍼지 후 실린더를 교체하기 위하여 연결구(CGA)부분을 해체할 경우는 모든 격막밸브를 폐쇄한 후 퍼지가스 유입배관(13)에 설치된 고압격막밸브(HAV1)를 개방하면 분당 2.5ℓ의 N2가스가 블리드 저압격막밸브(ABV1)가 폐쇄되어 있어도 통과되므로 수초후 압력계를 확인 후 연결구(CGV) 부분을 해체하면 연결부를 통하여 N2가스가 유출되므로 외기의 오염원을 차단할 수 있고 N2가스의 소비량을 절감할 수 있다.(종전 블리드 밸브가 없을 경우 60ℓ 정도 유출됨)
추가로, 공급배관(12)에 설치된 필터(F1,F2)는 미세먼지 입자등을 걸러주는 역할을 하며, 바람직하게는 필터(F1)는 0.01-2μ정도의 필터로서 압력조정기(RG2) 전방부의 소정위치에 설치하여 압력조정기(RG2)의 보호용으로 사용하고, 필터(F2)는 0.01-0.1μ정도의 필터로서 챔버 전방부에 설치하여 미세먼지 입자를 걸러줄 수 있게 한다. 퍼지 가스유입배관(14)내에는 블리드 격막밸브(ABV2)만 설치하여 N2가스유입량을 일정량 게속적으로 공급할 수 있도록 하여 배출구를 통하여 유입될 수 있는 공기성분이 역류되지 않도록 하였다.
이러한 본발명의 사이클 퍼지방법에 의하면, 퍼지 가스를 이용한 퍼지방법 및 진공형성방법을 수십회 반복하여 실행함으로써, 필터, 밸브등의 미세한 틈사이에 숨어있던 잔류유독가스, 산소, 먼지 입자등을 거의 모두 제거해 줄 수 있게 되어, 그 미세한 틈사이에 형성되었던 인체에 유독한 맹독성 파우더등의 형성을 방지할 수 있게 되었다. 또한 유독가스와 공기의 결합으로 인한 배관의 부식현상이 급격히 감소하게 되어, 필요한 프로세스 가스를 챔버내로 고순도를 그대로 유지하며 공급할 수 있게 되었고, 배관의 부식방지로 인하여 공정설비비도 현격히 감소시킬 수 있게 되었다.
추가로 본 발명의 사이클 퍼지 장치에 헬륨 또는 고압의 질소 가스 유입배관을 퍼지가스유입배관(13a)에 설치하여 가스의 특성과 필요에 따라 고저압의 퍼지 역할과 미세한 누설체크 공정도 실행할 수 있게 된다. 미세 누설체크는 반드시 헬륨을 사용하고 퍼지할 경우는 질소를 사용한다.
유독성 가스의 퍼지시 주로 N2,He,Ar등의 불활성 가스가 사용되는데, N2는 공기중에 가장 많은 비율로 존재하며, -195.8℃에서 액체 상태로 추출해 낼 수 있다. 원소번호 7번에 존재하는 불활성계 원소는 아니지만 저온에서는 반응을 하지 않는 안전한 원소로서 또한 저렴한 비용으로 인하여 일반 퍼지용으로 많이 사용된다.
He는 원소입자가 매우 작으므로 미세 핀홀에 침투하여 누설의 발견을 용이하게 하는 특성을 가지고 있다. 이런 이유로 인하여 He은 누설체크용으로도 퍼지용으로도 매우 좋은 효과를 가지나, 고가인 문제점이 있다.
상기에서 제안한 바와같이 He가스유입배관을 퍼지가스유입배관(13)에 연결시켜 사용하게 되면, N2를 하우스 N2(100psi미만)로 사용할 때, He-누설검출기에 의한 미세체크가 가능하다. 실린더 N2를 사용할 경우에는 고압누설체크가 가능하므로, He는 선택적으로 적용할 수 있고, He를 적용하게 되면 누설검출기에 의한 미세체크가 가능하게 된다.
참고로 누설체크 공정은 다음과 같다.
초기에 공급배관내에는 누설체크를 위하여 He이나 N2가 충전되어 있다. 누설체크가스(또는 퍼지 가스) 주입시 모든 밸브는 반드시 폐쇄되어 있어야 하며, 실린더 연결구(CGA) 상단에 달린 압력 트랜스듀서(PT)에 의해 누설여부를 확인하여야 한다. 일정시간(20분 이상) 체크후 실린더 연결구 부분의 누설발생이 없으면, 공급배관내의 충전된 퍼지가스(N2또는 He)를 밸브(V6)을 통해 배출함으로써 누설체크 공정을 완성한다.
이러한 누설체크 공정과 상술된 사이클 퍼지 공정을 교대로 수회 반복하고 최후에는 배관내를 진공상태로 마무리한 후, 가스 실린더의 프로세스가스를 공급배관을 통하여 챔버내로 유입시키게 되는 것이다.

Claims (7)

  1. 가스실린더(11)내의 프로세서 가스를 챔버에 공급해 주기 위한 공급배관(12)이 설치되고, 그 공급배관(12)에는 고압격막밸브(HAV3), 압력조정기(RG2), 또다른 저압격막밸브(LAV1)가 차례로 포함되어 있고, 상기 고압격막밸브(HAV3)와 압력조정기(RG2)사이 및 저압격막밸브(LAV1)와 챔버사이에는 미세입자를 필터해 주는 필터(F1,F2)를 각각 설치하고, 퍼지가스 유이배관(13a)이 공급배관(12)의 프로세스가스 도입부(I)에 통하도록 설치되고, 상기 가스유입배관(13a)에는 격막밸브(HAV2) 및 체크밸브(CV2)가 설치되며, 배출배관(15)은, 상기의 공급배관(12)의 프로세서가스 도입부(I)에서 공급배관(12) 및 퍼지가스 유입배관(13a)과 관통하도록 연결된 제1관과, 그리고 격막밸브(LAV1) 직전의 소정위치에서 공급배관(12)과 관통하도록 연결된 제2관과, 상기 제1관 및 제2관이 합류하여 배출구로 연결된 제3관으로 구성되며, 상기 제1관과 제2관 내에는 격막밸브(HAV4,LAV2)와 체크밸브(CV3,CV4)가 각각 설치되며, 제3관내의 소정위치에는 진공발생기(CV3,CV4)가 각각 설치되며, 제3관내의 소정위치에는 진공발생기(VG:vacuum generator)가 설치된 것에 있어서, 상기 압력조정기(RG2)에 가스압력을 디지탈로 읽을 수 있는 디지탈 압력표시기(PT2)가 설치되고, 상기 공급배관(12)의 저압격막밸브(LAV1)와 필터(F2) 사이에는 규정된 일정량 이상의 프로세스가스가 흐를 때에 격막밸브(LAV1,HAV3)를 잠가주는 유량초과스위치(EFS)가 설치되며, 퍼지가스 유입배관(13)이 공급배관(12)의 프로세스가스 도입부(I)에서 퍼지가스 유입구(PI)에 통하도록 설치되고, 상기 가스유입배관(13)에는 격막밸브(HAV1) 및 체크밸브(CV1)가 설치되며 격막밸브(HAV1)가 잠긴 상태에서도 분당 2∼5ℓ정도의 N2등의 퍼지 가스가 흐를 수 있는 블리드밸브(ABV1)와 압력조정기(RG1)가 설치되고, 소정의 위치에 압력을 디지탈로 읽을 수 있는 신호기인 프레셔 트랜듀스(PT1)가 설치되며, 상기 진공발생기(VG)에는 디지탈 압력표시기(PT3)가 설치되고, 상기 진공발생기(VG)에 연결된 또 다른 퍼지가스 유입배관(14)에는 저압블리드 격막밸브(ABV2) 및 체크밸브(CV5)가 설치됨을 특징으로 하는 가스공급시스템에서의 가스퍼지장치.
  2. 제1항에 있어서, 진공발생기(VG) 앞에 고압격막밸브(HAV4)가 설치된 것을 특징으로 하는 가스공급시스템에서의 가스퍼지장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 체크밸브(HAV1,HAV2)와 (HAV3,HAV4) 그리고 (LAV1,LAV2)를 각각 한 몸체로 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 가스공급시스템에서의 가스퍼지장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 4개의 체크밸브(HAV1,HAV2,HAV3,HAV4)를 한 몸체로 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 가스공급시스템에서의 가스퍼지장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 퍼지용 가스 유입배관(13)에는 누설체크용 He 가스유입배관이 추가로 설치됨을 특징으로 하는 가스공급시스템에서의 가스퍼지장치.
  6. 제1항의 가스퍼지 장치 내에서, 실린더의 메인 밸브를 폐쇄하여 프로세스 가스유입을 차단하고 내부의 잔존 가스를 챔버 공급구를 통하여 가스를 배출시켜 압력 디지탈 표시기(PT1,PT2)가 3psi 이하를 가리키면 저압격막밸브(LAV1)를 폐쇄하고 배관내의 각 격막밸브(HAV3,HAV4,HAV5,LAV2,ABV2)들을 개방한 후 잔존하고 있을지 모르는 프로세스 가스를 배출배관(15)의 진공발생기(VG)를 통하여 배출시킨 후 고압격막밸브(HAV5)를 제외한 전 격막밸브를 다시 폐쇄한 후 디지탈 압력표시기(PT1,PT2)에서 압력이 영점을 가리키는지 재확인 후 퍼지가스 유입구(P1)로부터 N2가스를 압력조정기(RG1)와 격막밸브(ABV1, HAV1)를 통하여 공급하며 일정압력의 N2가스가 디지탈표시기(PT1)에 60-100psi를 가리키면 고압격막밸브(HAV3), 필터(F1), 압력조정기(RG2), 저압격막밸브(LAV2), 역류방지기(CV3), 진공발생기(VG)를 통하는 순서로 퍼지하며 고압격막밸브(HAV3)를 폐쇄한 후, 고압격막밸브(HAV4), 역류방지기(CV3), 진공발생기(VG) 순서로 1차 퍼지하고, 고압격막밸브(HAV4)를 잠그고 고·저압격막밸브(HAV4,LAV2)를 폐쇄하여 압력디지탈표시기(PT1)에서 설정된 압력만큼 퍼지가스의 압력이 도달하면, 고압격막밸브(HAV1)를 폐쇄하고 고·저압격막밸브(HAV4,LAV2)를 동시에 개방하여 퍼지가스를 진공발생기(VG)를 통하여 배출하는 1단계와; 고·저압격막밸브(HAV1,LAV1)가 폐쇄된 상태에서 블리드 저압격막밸브(ABV2)를 개방한 후, 진공발생기(VG)를 동작시켜 디지탈 압력표시기(PT3)에 -24inHg의 진공이 형성되면 역류방지기(CV4), 저압격막밸브(LAV2), 압력조정기(RG2) 필타(F1), 고압격막밸브(HAV3)를 순차적으로 작동시켜 진공을 형성시킨 후 수초 후 고압격막밸브(HAV4)를 개방하여 진공으로 미세 잔류가스를 배출시키는 2단계를; 교대로 수십회 반복하여 실행하고, 최종적으로 진공상태를 형성함을 특징으로 하는 가스공급 시스템에서의 가스 퍼지방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기의 퍼지 및 진공형성과정을 20회 이상 반복함을 특징으로 하는 가스공급 시스템에서의 가스퍼지방법.
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