KR100817748B1 - 기판 처리방법 및 기판 처리장치 - Google Patents

기판 처리방법 및 기판 처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 사전의 사고방지를 도모하여, 장치의 순간 정지나 처리물질의 누설에 대하여 안전을 도모할 수 있는 기판 처리장치 및 기판 처리방법을 제공한다.
처리용기(2)내에 수납된 웨이퍼(W)에 오존가스(5)를 공급하는 한편, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하여 오존 킬러(10)에 통하면서 웨이퍼(W)를 처리하는 방법에 있어서, 처리용기(2)내가 밀폐되고, 또한 오존 킬러(10)가 정상인 것을 조건으로, 오존가스(5)를 공급한다. 처리가 중단된 경우, 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제적으로 배기하고, 가스누설이 일어난 경우, 처리용기(2)의 내부·주위 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지한다.

Description

기판 처리방법 및 기판 처리장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 세정장치의 배관 계통도,
도 2는 처리용기를 확대하여 나타낸 단면설명도,
도 3은 용기커버를 열었을 때의 모양을 나타내는 설명도,
도 4는 웨이퍼 가이드의 사시도,
도 5는 수증기 발생수단의 배관 계통도,
도 6은 오존가스 공급수단의 배관 계통도,
도 7은 에어 공급수단의 배관 계통도,
도 8은 내부 배기관, 주위 배기수단 및 배액수단의 배관 계통도,
도 9는 제 2 내부 배기회로를 확대하여 나타낸 도면,
도 10은 미스트 트랩 및 제 2 배액회로를 확대하여 나타낸 도면,
도 11은 도 1의 세정장치로 행하여지는 처리를 설명하는 제 1 공정 설명도,
도 12는 도 1의 세정장치로 행하여지는 처리를 설명하는 제 2 공정 설명도,
도 13은 도 1의 세정장치로 행하여지는 처리를 설명하는 플로우챠트,
도 14는 오존을 이용한 처리후, 처리용기의 내부 분위기를 소정시간 배기하는 경우에 있어서의 플로우를 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 세정장치 2 : 처리용기
5 : 오존가스 6 : 오존가스 공급수단
7 : 내부 배기수단 8 : 주위 배기수단
9 : 에어 공급수단 10 : 오존 킬러
20a : 반출입구 21 : 용기커버
24 : 컨트롤러 27 : 중량센서
101 : 제 1 내부 배기회로 104 : 제 2 내부 배기회로
106 : 내부 이젝터 120 : 제 1 농도 센서
122 : 온도 센서 131 : 제 1 주위 배기회로
132 : 제 2 주위 배기회로 133 : 제 3 농도 센서
135 : 주위 이젝터 W : 웨이퍼
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리방법 및 기판 처리장치에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함)의 포토리소그래피처리에 있어서는, 웨이퍼에 대하여 레지스트를 도포하고, 이어서 패턴을 노광하며, 그 후 현상을 행하는 처리가 이루어진다. 그 후, 웨이퍼로부터 레지스트를 제거한다.
이러한 레지스트의 제거시에는 세정장치가 사용되고 있다. 종래의 세정장치에서는, SPM(H2SO4/H2O2의 혼합액)으로 불리는 약액이 충전된 세정탱크내에 웨이퍼를 침지시켜 레지스트의 박리를 행한다. 한편, 요즘에는, 환경 보전의 관점에서, 폐액처리가 쉬운 오존(03)이 용해된 용액을 사용하여 레지스트를 제거하는 것이 요구되고 있다. 이 경우, 오존이 용해된 용액이 충전된 세정탱크내에 웨이퍼를 침지시키는, 소위 딥 방식의 세정에 의해, 용액중의 산소원자 라디칼에 의해 레지스트를 산화반응시켜 이산화탄소나 물 등으로 분해한다.
그런데, 통상, 고농도의 오존가스를 순수한 물에 버블링하여 용해시킴으로써 상기 용액을 생성하여, 그 후, 이 용액을 세정탱크내에 충전하고 있기 때문에, 그 동안에, 용액속의 오존이 소멸하여 오존농도가 저하하여, 레지스트의 제거를 충분히 행할 수 없는 경우가 있었다. 또한 웨이퍼를 상기 용액에 침지시킨 상태에서는, 레지스트와 반응하여 오존이 차례로 소멸되는 한편, 레지스트 표면에의 오존공급이 불충분해져, 높은 반응속도를 얻을 수 없었다.
그래서, 웨이퍼를 용액에 침지시키는 딥 방식의 세정장치 대신에, 오존가스와 수증기를 사용하여 오존을 이용한 처리를 행하여, 웨이퍼로부터 레지스트를 제거하는 세정장치가 신규로 제안되어 있다. 이러한 세정장치는, 밀폐된 처리용기내 에 수납된 웨이퍼에, 오존가스를 공급한다. 여기서, 오존은 인체 등에 유해한 물질이기 때문에, 오존을 이용한 처리를 행함에 있어, 각종 사고방지책, 안전대책을 도모하는 것이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 사고방지를 사전에 도모할 수 있으며, 예를 들어, 정전(停電) 등에 의한 장치의 순간 정지나 처리가스의 누설이 있더라도, 안전을 도모할 수 있는 기판 처리방법 및 기판 처리장치를 제공하는 데에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의한 제 1 발명은, 처리용기내에 수납된 기판에 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 배기하여 이 배기된 내부 분위기를 후처리하면서 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 처리용기 내가 밀폐되고, 또한 상기 배기된 내부 분위기의 후처리가 정상적으로 행하여지는 것을 조건으로, 상기 처리가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법을 제공한다.
본 발명에 의한 제 1 기판 처리방법에서는, 처리가스로는 예를 들면 오존가스 등이 적절히 사용되고 있다. 이러한 본 발명에 의한 제 1 기판 처리방법에 의하면, 밀폐된 처리용기내에 수납된 기판에 처리가스를 공급하여, 처리용기내에서 처리가스를 사용하여, 기판을 알맞게 처리한다. 한편, 처리용기의 내부 분위기를 배기함으로써, 처리용기내에서 처리가스를 배기한다. 배기된 처리가스에 대하여 후처리를 실시한다. 후처리에서는, 예를 들어, 오존가스와 같이, 인체에 유해한 물질(오존)이 함유되어 있는 경우에는, 유해물질을 제거하고 처리가스를 무해화하여, 예를 들어, 공장의 배기계로 안전하게 배기할 수 있는 상태로 한다. 또, 처리가스에는, 오존가스 이외에, 예를 들면 염소가스, 불소가스, 수소가스, 미리 각종 반응종(라디칼)을 갖고 있는 염소가스, 불소가스, 수소가스 등이 있다.
여기서, 처리용기내가 밀폐되기 전에 처리가스를 공급해 버리면, 처리가스가 주위로 확산하여 버린다. 또한, 배기된 내부 분위기의 후처리에 이상이 있으면, 그대로 처리가스가 공장의 배기계로 방류될 우려가 있다. 그러나, 본 발명에 의하면, 처리용기내가 밀폐되고, 또한 상기 배기된 내부 분위기의 후처리가 정상적으로 행하여지는 것을 조건으로, 상기 처리가스를 공급하여, 이들 두 가지 조건 중에서 어느 한가지 조건이라도 만족시킬 수 없으면, 처리가스를 공급하지 않기 때문에, 처리가스의 확산이나 방류를 방지할 수 있다. 특히 오존가스와 같이 유해물질이 함유되어 있는 경우에는, 예를 들면 유해물질에 의한 인적사고를 사전에 방지할 수 있다.
본 발명에 의한 제 2 기판 처리방법은, 제 1 기판 처리방법에 있어서 상기 기판의 처리가 도중에 중단된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하여도 된다. 예를 들어, 정전이나 지진 등에 의해 처리가 도중에 중단된 경우에는, 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하여, 처리용기내에서 처리가스를 배기한다. 여기서, 그 후에 처리를 재개시킴에 있어서, 예를 들어, 공장의 작업자 등이, 처리용기내를 개방하여 속의 모양을 한번 확인하거나 조사하는 경우가 있다. 처리용기내에 처리가스가 남은 채로 처리용기내를 개방하여 버리면, 처리가스가 확산하게 되지만, 이렇게 강제적으로 배기하기 때문에, 처리가스의 확산을 미연에 방지할 수 있다. 특히 처리가스가 오존가스인 경우에는, 강제적으로 배기함으로써 사고를 방지하여 안전을 도모할 수 있다.
본 발명에 의한 제 3 기판 처리방법은, 상기 처리용기의 주위로 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 상기 처리가스의 공급을 정지한다. 이러한 방법에 의하면, 가스누설이 일어난 시점에서, 즉시 내부 분위기의 강제 배기를 행하는 동시에, 처리가스의 공급을 정지하기 때문에, 가스의 누설이 더 이상 없도록 하여, 피해를 최소한으로 멈추게 할 수 있다.
본 발명에 의한 제 4 기판 처리방법은, 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 배기하여 이 배기된 내부 분위기를 후처리하면서 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 처리용기의 주위로 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 상기 처리가스의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법을 제공한다.
본 발명에 의한 제 4 기판 처리방법에 의하면, 제 1 기판 처리방법과 마찬가지로 처리가스로는 예를 들면 오존가스 등이 적절히 사용되고 있다. 이러한 본 발명의 제 4 기판 처리방법에 의하면, 제 1 기판 처리방법과 마찬가지로 처리용기내 에 처리가스를 공급하여, 기판을 알맞게 처리한다. 한편, 처리용기내에서 처리가스를 배기하여 후처리를 실시하여, 무해화한 후에 예를 들면 공장의 배기계로 안전하게 배기한다. 여기서, 예를 들어, 처리용기의 틈에서 처리가스가 누설된 경우에는, 가스누설이 일어난 시점에서, 즉시 내부 분위기의 강제 배기를 행하는 동시에, 처리가스의 공급을 정지하고, 이후, 처리용기내에서 처리가스가 누설되지 않도록 한다. 따라서, 처리가스의 누설을 최소한으로 멈추게 하여 안전을 도모할 수 있다.
본 발명에 의한 제 5 기판 처리방법에 의하면, 제 4 기판 처리방법에 있어서, 상기 처리용기의 주위에 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 주위 분위기를 배기하여 이 배기된 주위 분위기를 후처리하는 것이 바람직하다. 그렇게 하면, 처리용기의 주위로 처리가스가 누설하더라도, 주위 분위기를 무해화하여 예를 들면 공장의 배기계로 안전하게 배기할 수 있다.
본 발명의 제 6 기판 처리방법에 의하면, 처리가스가 누설된 경우, 처리용기의 주위 분위기를 강제적으로 배기하여도 좋다. 그렇게 하면, 처리용기의 주위를 넘어 광범위하게 처리가스가 확산하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 따라서, 처리가스가 누설된 경우에도, 사고를 발생시키는 일이 없고, 안전을 도모할 수 있다.
본 발명에 의한 제 7 기판 처리방법에 의하면, 상기 처리용기내의 처리가스농도를 검출하여, 해당 처리가스농도가 소정치 이하인 것을 확인하고 나서, 상기 처리용기내를 개방하는 것이 바람직하다. 이 경우, 소정치는, 인체 등에 위해를 가하지 않는 농도로 설정되어 있다. 이렇게 안전을 확보하고 나서 처리용기내를 개방하기 때문에, 사고를 방지할 수 있다.
본 발명의 제 8 기판 처리방법에 의하면, 상기 처리가스의 공급을 정지한 후, 적어도 소정시간, 상기 처리용기의 내부 분위기를 배기하고 나서, 상기 처리용기내를 개방하여도 좋다. 이러한 방법에 의하면, 소정시간, 처리용기의 내부 분위기를 배기함으로써, 처리용기내의 처리가스 농도를 소정치 이하로 한다. 이것에 의해서도, 안전을 확보하여 사고를 방지할 수가 있다.
본 발명의 제 9 기판 처리방법에 의하면, 상기 처리가스의 공급을 정지한 후, 상기 처리용기의 내부 분위기를 배기함에 있어서, 상기 처리용기내를 부압(負壓)분위기로 하는 것이 바람직하다. 이러한 방법에 의하면, 내부 분위기를 배기함에 있어서, 처리용기내가 정압(正壓)분위기이면, 주위로 처리가스가 누설될 우려가 있다. 그러나 처리용기내를 부압분위기로 하기 때문에, 처리가스의 누설을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 10 기판처리 방법에 의하면, 처리가스의 공급 중에 후처리가 정상으로 이루어지지 않는 경우에, 처리가스의 공급을 중지함과 동시에 처리 용기 내의 내부 분위기를 강제적으로 배기한다.
본 발명의 제 1 기판 처리장치는, 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 내부 배기관에 의해 배기하여, 이 배기된 내부 분위기를 후처리기구에 의해 후처리하면서 기판을 처리하는 장치에 있어서, 상기 처리용기의 반입출구를 개폐하는 개폐부재를 구비하고, 상기 개폐부재의 개폐를 검출하는 개폐 디텍터로부터의 검출신호와, 상 기 후처리기구의 가동상태를 검출하는 가동 디텍터로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치를 제공한다.
상기 본 발명의 제 1 기판 처리장치는, 처리가스로는 예를 들면 오존가스 등이 적절히 사용되고 있다. 이 기판 처리장치에 의하면, 개폐부재를 열어 처리용기내에 기판을 수납하고, 그 후에 개폐부재를 닫아 처리용기내를 밀폐한다. 이어서, 처리용기내에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하여, 기판을 알맞게 처리한다. 한편, 내부 배기관에 의해, 처리용기의 내부 분위기를 배기함으로써, 처리용기내에서 처리가스를 배기한다. 배기된 처리가스에 대하여 후처리기구에 의해 후처리를 실시한다. 예를 들어, 오존가스와 같이, 처리가스에 인체에 유해한 물질(오존)이 함유되어 있는 경우에는, 후처리기구에는, 예를 들면 오존 킬러와 같은 유해물질(오존)을 제거하는 기구를 사용한다. 그리고, 후처리에서는, 유해물질을 제거하여 처리가스를 무해화하여, 예를 들어, 공장의 배기계로 안전하게 배기할 수 있는 상태로 한다.
여기서, 컨트롤러는, 개폐 디텍터로부터의 검출신호에 기초하여 개폐부재가 닫혀 있다고 확인하고, 또한 가동 디텍터로부터의 검출신호에 기초하여 후처리기구가 정상적으로 가동이 가능한 상태에 있다고 판단한 단계에서, 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 실시하도록 제어한다. 한편, 개폐부재가 열려 있는 경우나, 후처리기구에 이상이 있는 경우에는, 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 정지시켜 둔다. 따라서, 본 발명의 제 1 기판 처리장치는, 본 발명의 제 1 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 2 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 1 기판 처리장치에 있어서, 상기 내부 배기관은, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 이젝터를 구비하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 이젝터는, 예를 들어, 기판의 처리가 도중에 중단된 경우에, 강제배기를 행한다. 따라서, 본 발명의 제 2 기판 처리장치는, 본 발명의 제 2 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 3 기판 처리장치에 의하면, 상기 처리용기의 주위 분위기중의 처리가스 농도를 검출하는 주위의 농도 검출 센서와, 상기 처리용기의 주위 분위기를 강제적으로 배기하는 제 2 이젝터를 구비하며, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 처리용기의 내부분위기를 강제적으로 배기하는 이젝터에 의한 강제배기와, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 컨트롤러는, 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 처리용기의 주위 분위기로 처리가스가 누설된 것을 감지하면, 이젝터를 가동시키는 동시에, 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 정지시킨다. 따라서, 본 발명의 제 3 기판 처리장치는, 본 발명의 제 3 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 4 기판 처리장치에 의하면, 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 제 2 이젝터에 의한 강제배기를 제어하는 컨트롤러를 설치하여도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 컨트롤러는, 주위의 농도 검출 센서로부터의 검 출신호에 기초하여, 처리용기의 주위 분위기로 처리가스가 누설된 것을 감지하면, 이젝터를 가동시킨다. 따라서, 본 발명의 제 4 기판 처리장치는, 본 발명의 제 6 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 5 기판 처리장치는, 밀폐된 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 내부 배기관에 의해 배기하고, 이 배기된 내부 분위기를 후처리기구에 의해 후처리하면서 기판을 처리하는 장치에 있어서, 상기 처리용기의 반입출구를 개폐하는 개폐부재와, 상기 처리용기의 주위 분위기중의 처리가스농도를 검출하는 주위의 농도 검출 센서와, 상기 처리용기의 주위 분위기를 배기하는 주위배기관이 접속된 케이스를 구비하고, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 내부 배기관에 의한 배기와, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치를 제공한다.
본 발명의 제 5 기판 처리장치에서는, 본 발명의 제 1 기판 처리장치와 마찬가지로 처리가스로는 예를 들면 오존가스 등이 적절히 사용되고 있다. 이러한 본 발명의 제 5 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 1 기판 처리장치와 마찬가지로 처리용기내에 기판을 수납한 후, 처리용기내에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하여, 기판을 알맞게 처리한다. 한편, 내부 배기관에 의해, 처리용기내에서 처리가스를 배기한다. 배기된 처리가스에 대하여 후처리기구에 의해 후처리를 실시하여 무해화하여, 예를 들어, 공장의 배기계로 안전하게 배기한다. 여기서, 컨트롤러는, 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 처리용기의 주위 분위기에 처리가스가 누설된 것을 감지하면, 필요하면 내부 배기관의 가동을 올려 내부 분위기의 배기량을 증가시킴과 동시에, 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 정지시킨다. 따라서, 본 발명의 제 5 기판 처리장치는, 본 발명의 제 4 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 6 기판 처리장치에 의하면, 농도 검출 센서에 이상이 발생한 경우, 컨트롤러가 처리가스의 공급을 정지함과 동시에 이젝터가 작동되도록 제어한다.
본 발명의 제 7 기판 처리장치는, 본 발명의 제 5 기판 처리장치에 있어서, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 주위배기관과 그것에 접속된 케이스에 의한 배기를 제어하는 컨트롤러를 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 컨트롤러는, 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 처리용기의 주위 분위기로 처리가스가 누설된 것을 감지하면, 필요하면 주위배기수단의 가동을 올려 주위 분위기의 배기량을 증가시킨다. 따라서, 본 발명의 제 7 기판 처리장치는, 본 발명의 제 6 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 8 기판 처리장치에 의하면, 상기 처리용기내의 처리가스농도를 검출하는 내부의 농도 검출 센서를 설치하고, 상기 내부의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여 상기 개폐부재의 개폐를 제어하는 컨트롤러를 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 예를 들어, 처리가스의 공급을 정지한 후에, 컨트롤러는, 내부의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 처리용기내의 처리가스농도가 인체 등에 위해를 가하지 않는 소정치 이하가 되었다고 판단하면, 개폐부재를 연다. 따라서, 본 발명의 제 8 기판 처리장치는, 본 발명의 제 7 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다.
본 발명의 제 9 처리장치에 의하면, 상기 처리용기내에 에어를 공급하는 에어 공급노즐을 구비하고 있어도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 처리용기의 내부 분위기를 배기할 때에, 에어 공급노즐에 의해 에어를 공급함으로써, 처리용기내에서 처리가스를 흘러가게 할 수 있다. 이 경우, 에어 공급량은, 내부 분위기의 배기량보다도 적어지도록 설정되어 있다. 내부 분위기의 배기량보다도 많은 유량으로 에어를 공급하여 버리면, 처리용기내가 정압분위기가 된다. 정압분위기에서는, 처리용기내에서 외부로 처리가스가 누설될 우려가 있으나, 이렇게 에어 공급량을 적게 함으로써, 처리용기내를 부압분위기로 유지하여, 처리가스의 누설을 방지할 수 있는 동시에, 신속한 배기를 실현할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부도면을 참조하여, 예를 들면 50매의 웨이퍼를 일괄적으로 세정하도록 구성된 세정장치에 기초하여 설명한다.
이 세정장치는, 오존가스를 이용하여 웨이퍼(W)에서 레지스트를 제거하는 것으로, 도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 세정장치(1)에 관한 배관계통을 나타낸 설명도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 세정장치(1)는, 웨이퍼(W)의 처리가 이루어지는 처리용기(2)와, 처리용기(2)내에 수증기(3)를 공급하는 수증기 공급수단(4)과, 처 리용기(2)내에 오존가스(5)를 공급하는 처리가스 공급수단(예를 들어, 처리가스 공급노즐)으로서의 오존가스 공급수단(6)과, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하는 내부 배기수단(예를 들어, 내부 배기관)(7)과, 처리용기(2)의 주위 분위기를 배기하는 주위 배기수단(8)과, 처리용기(2)내에 핫 에어 및 상온(예를 들어, 내부 분위기 온도와 같은 온도)의 에어를 공급하는 에어 공급수단(에어 공급노즐)(9)과, 처리용기(2)내에서 배기된 내부 분위기중의 오존(O3)을 제거하는 후처리 기구로서의 오존 킬러(10)와, 처리용기(2)내의 액체 방울을 배액하는 배액수단(11)을 구비하고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 처리용기(2)는, 50매의 웨이퍼(W)를 충분히 수납할 수 있는 크기를 가진 용기본체(20)와, 용기본체(20)의 윗면에 형성된 반입출구 (20a)를 개폐하는 개폐부재로서의 용기커버(21)와, 용기본체(20)의 아랫면 개구부를 폐쇄하는 용기바닥(22)의 3가지로 크게 구별된다.
용기 커버(21)는, 예를 들면 대략 반원구 형상으로 형성되고, 승강기구(23)에 의해 승강이 자유롭다. 승강기구(23)는 제어수단으로서의 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 컨트롤러(24)로부터 출력되는 조작신호에 의해, 승강기구(23)의 가동은 제어된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 용기커버(21)가 상승했을 때에는, 반입출구(20a)는 개방되고, 용기본체(20)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출입시킬 수 있는 상태가 된다. 용기본체(20)에 웨이퍼(W)를 반입하여 수납한 후, 용기커버(21)가 하강하면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 반입출구(20a)는 막혀진다. 용기본체(20)와 용기 커버(21)의 사이의 틈은, 립(lip) 식의 0 링(25)에 의해 밀폐된다. 또한, 용기본체(20)와 용기바닥(22)의 사이의 틈은, 가스켓(26)에 의해 밀폐되어 있다. 이렇게 해서, 처리용기(2)내는 밀폐분위기가 되어, 기체의 누설이 없는 상태가 된다.
용기본체(20)의 상단부에는, 용기커버(21)의 개폐를 검출하는 개폐검출수단(예를 들어, 개폐검출 디텍터)으로서의 중량센서(27)가 설치되어 있다. 이 중량센서(27)는, 용기커버(21)가 닫혀 반입출구(20a)를 막았을 때에, 용기본체(20)의 상단부에 걸리는 하중을 검출한다. 컨트롤러(24)는, 중량센서(27)로부터 입력되는 검출신호에 기초하여 용기커버(21)의 개폐를 확인하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 소정의 하중이 중량센서(27)에 의해 검출되면, 용기커버(21)가 확실하게 닫힌 상태에 있다고 인식된다.
용기본체(20)의 바깥둘레면에는 러버 히터(28a)가, 용기커버(21)의 바깥둘레면에는 러버 히터(28b)가, 용기 바닥(22)의 바깥둘레면에는 러버 히터(28c)가 각각 부착되어 있다. 이들 러버 히터(28a∼28c)는, 전력공급부(도시하지 않음)로부터의 전류공급에 의해 발열하여, 처리용기(2)의 내부 분위기를 소정의 온도(예를 들어, 80℃∼120℃의 범위내)로 가열한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 처리용기(2)에, 웨이퍼 가이드(30)가 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드(30)는, 상하방향(도 4중의 Z방향)으로 승강이 자유롭도록 구성되어 있다. 웨이퍼 가이드(30)는, 샤프트부(31)와, 가이드부(32)와, 가이드부(32)에 수평자세로 고정부착된 3개의 평행한 유지부재(33a,33b,33c)를 구비하고 있다. 각 유지부재(33a∼33c)에, 웨이퍼(W)의 둘레가장자리 하부를 유지하는 홈(34)이 같 은 간격으로 50개소 형성되어 있다. 따라서, 웨이퍼 가이드(30)는, 50매의 웨이퍼(W)를 같은 간격으로 배열시킨 상태로 유지하는 구성으로 되어 있다. 또, 샤프트부(31)는 용기커버(21)를 관통하여 처리용기(2)의 위쪽으로 돌출하고 있기 때문에, 이 관통부분에는, 에어 그립 시일(35)이 설치되어 있으며, 샤프트부(31)와 용기커버(21)의 사이의 틈이 밀폐된다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 수증기 공급수단(4)은, 순수한 물(DIW)을 공급하는 순수한 물 공급회로(40)와, 순수한 물 공급회로(40)로부터 공급된 순수한 물을 기화하여 수증기(3)를 발생시키는 수증기 발생기(41)와, 수증기 발생기(41)내의 수증기(3)를 공급하는 수증기 공급회로(42)와, 수증기 공급회로(42)로부터 공급된 수증기(3)를 처리용기(2)내에 토출하는 수증기노즐(43)을 구비하고 있다.
순수한 물 공급회로(40)의 입구쪽에는, 순수한 물공급원(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 순수한 물공급회로(40)에는, 개폐밸브(44), 유량 컨트롤러(45)가 끼워 장착되어 있다. 개폐밸브(44), 유량 컨트롤러(45)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 이 때문에, 순수한 물의 공급의 정부(正否) 및 공급량은, 컨트롤러(24)에 의해 제어된다. 수증기 발생기(41)의 내부에는, 히터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 수증기 발생기(41)내에 공급된 순수한 물은, 히터의 열에 의해 기화하여 수증기(3)가 된다. 수증기 발생기(41)에는, 후술하는 미스트 트랩(103)으로 통하는 배출회로(50)가 접속되어 있다. 이 배출회로(50)는, 수증기 발생기(41)내에서 기화할 수 없었던 순수한 물을 미스트 트랩(103)으로 배액하거나, 수증기 발생기 (41)의 온도와 증기토출이 안정될 때까지 수증기(3)를 미스트 트랩(103)으로 배기 하도록 구성되어 있다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 오존가스 공급수단(6)은, 오존가스(5)를 발생시키는 오조나이져(60)와, 오조나이져(60)에서 발생한 오존가스(5)를 공급하는 오존가스 공급회로(61)와, 오존가스 공급회로(61)로부터 공급된 오존가스(5)를 처리용기 (2)내에 토출하는 오존가스 노즐(62)을 구비하고 있다. 오조나이져(60)는, 예를 들면 오존농도가 약 141g/m3(normal)[6.6vol%(부피백분율)]정도 가진 오존가스(5)를 생성하여, 이 오존가스(5)를 유량, 40L/분 정도로 오존가스 공급회로(61)로 흐르도록 구성되어 있다. 또한, 오존가스 공급회로(61)에 개폐밸브(63)가 끼워 장착되어 있다. 이 개폐밸브(63)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 오존가스(5)의 공급의 정부는, 컨트롤러(24)에 의해 제어된다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 에어 공급수단(9)은, 에어를 공급하는 제 1 에어 공급회로(70)와, 제 1 에어 공급회로(70)로부터 공급된 에어를 가열하여 핫 에어(71)를 발생시키는 핫 에어 제너레이터(72)와, 핫 에어 제너레이터(72)내의 핫 에어(71)를 공급하는 핫 에어 공급회로(73)와, 핫 에어 공급회로(73)로부터 공급된 핫 에어(71)를 토출하는 에어노즐(74,74)과, 핫 에어 제너레이터(72)를 통하지 않고 에어를 에어노즐(74,74)에 직접 공급하는 제 2 에어 공급회로(75)를 구비하고 있다.
제 1 에어 공급회로(70)의 입구쪽에는, 에어 공급원(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 에어 공급원으로부터 예를 들면 500L/분의 유량으로 상온의 에어가 공 급된다. 제 1 에어 공급회로(70)에는, 개폐밸브(77), 유량 컨트롤러(78)가 차례로 끼워 장착되어 있다. 핫 에어 제너레이터(72)의 내부에는, 에어를 가열하는 히터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 제 2 에어 공급회로(75)에는, 개폐밸브 (79), 유량 컨트롤러(80)가 차례로 끼워 장착되어 있다. 개폐밸브(77,79), 유량 컨트롤러(78,80)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 제 1 에어 공급회로(70)에 있어서의 에어의 공급의 정부 및 공급량과, 제 2 에어 공급회로(75)에 있어서의 에어의 공급의 정부 및 공급량은, 컨트롤러(24)에 의해 제어된다. 또한 제 2 에어 공급회로(75)에는, 에어를 풀어 후술하는 배기 매니폴드(121)로 도입하는 에어 도입회로 (90)가 접속되어 있다. 에어 도입회로(90)에는, 개폐밸브(91)가 접속되어 있다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 내부 배기수단(7)은, 처리용기(2)내에 설치된 배기부(100,100)와, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하는 제 1 내부 배기회로(101)와, 냉각부(102)와, 미스트 트랩(103)과, 미스트 트랩(103)의 상부에 접속된 제 2 내부 배기회로(104)를 구비하고 있다.
배기부(100,100)는, 처리용기(2)의 내부 분위기를 취입하도록 구성되어 있다. 배기부(100,100)의 바깥면에는, 미세한 구멍(도시하지 않음)이 복수 형성되어 있다. 각 배기부(100)에는, 상기 제 1 내부 배기회로(101)가 접속되어 있다.
제 1 내부 배기회로(101)에는, 바이패스회로(105)와, 내부 분위기의 강제 배기기구로서의 내부 이젝터(ejector)(106)가 설치되어 있다. 바이패스회로(105)는, 제 1 내부 배기회로(101)내의 기체를 내부 이젝터(106)로 통과시키고, 그 후에 다시 제 1 내부 배기회로(101)내로 송출하도록 구성되어 있다.
내부 이젝터(106)는, 처리용기(2)의 내부 분위기를 급격히 빨아 들여 미스트 트랩(103)쪽으로 압송함으로써, 처리용기(2) 내를 약간의 감압상태로함과 동시에 강제 배기를 행하도록 구성되어 있다. 내부 이젝터(106)는, 상기 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 컨트롤러(24)로부터 출력되는 조작신호에 의해, 내부 이젝터(106)의 가동은 제어된다. 컨트롤러(24)는, 정상적으로 처리가 행하여지고 있는 동안에는, 내부 이젝터(106)에 조작신호를 출력하지 않고, 그 가동을 정지시켜 놓는다.
냉각부(102)는, 상기 수증기 발생기(41)로부터 배기된 수증기(3) 및 처리용기(2)내로부터 배기된 수증기(3)를 냉각하여 응축하도록 구성되어 있다. 즉, 냉각부(102)내를, 상기 배출회로(50), 제 1 내부 배기회로(101)가 통과하고 있다. 냉각부(102)에, 냉각수를 공급하는 냉각수 공급회로(110)와, 냉각수를 배액하는 냉각수 배액회로(111)가 각각 접속되어 있다. 냉각수 공급회로(110)에 유량 조정밸브 (112)가, 냉각수 배액회로(111)에 유량 조정밸브(113)가 각각 끼워 장착되어 있다. 냉각수 공급회로(110)로부터 냉각수를 냉각부(102)내에 계속 공급하는 한편, 냉각수 배액회로(111)에 의해 배액을 하여, 냉각부(102)내를 항상 신선한 냉각수로 채우도록 하면 좋다.
미스트 트랩(103)은, 기체와 액체를 개별로 배출하도록 구성되어 있다. 즉, 각 배기부(100)는, 처리용기(2)내의 수증기(3) 및 오존가스(5)를, 제 1 내부 배기회로(101)를 통하여 미스트 트랩(103)으로 배기하도록 되어 있다. 이 경우, 냉각부(102)에는, 냉각수 공급회로(110)에 의해 냉각수가 냉각부(102)에 공급되고 있기 때문에, 처리용기(2)내로부터 배기된 수증기(3)는, 냉각부(102)내를 통과하고 있는 사이에 냉각되어 응축된다. 수증기(3)가 응축하여 액화한 액체방울은 미스트 트랩 (103)으로 떨어진다. 한편, 오존가스(5)는, 그대로 미스트 트랩(103)내에 도입된다. 이렇게 해서, 처리용기(2)로부터 배기된 내부 분위기를, 오존가스(5)와 액체방울로 적절하게 분리하고, 미스트 트랩(103)은, 오존가스(5)를 상기 제 2 내부 배기회로(104)로 배기하고, 액체방울을 후술하는 제 2 배액회로(141)로 배액하도록 되어 있다. 또한, 수증기 발생기(41)로부터 배출된 수증기(3) 및 순수한 물은, 배출회로(50)를 통하여 미스트 트랩(103)으로 도입된다. 순수한 물은, 그대로 배출회로(50)내를 흘러 미스트 트랩(103)으로 떨어진다. 수증기(3)는, 냉각부(102)내를 통과하고 있는 사이에 냉각되어 응축되어, 액체방울이 되어 미스트 트랩(103)으로 떨어진다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 제 2 내부 배기회로(104)에는, 배기된 내부 분위기중의 오존농도를 검출하는 내부의 농도 검출수단으로서의 제 1 농도 검출 센서 (120)와, 상기 오존 킬러(10)가 차례로 끼워 장착되어 있다. 제 2 내부 배기회로 (104)의 출구는, 배기 매니폴드(121)에 접속되어 있다.
제 2 내부 배기회로(104)에 설치된 제 1 농도 검출 센서(120)는, 오존 킬러 (10)보다 상류쪽에 설치되어 있다. 오존 킬러(10)내에 유입하기 전의 배기된 내부 분위기중의 오존농도를 검출함으로써, 처리용기(2)내의 오존농도를 검출하도록 되어 있다. 제 1 농도 검출 센서(120)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있어, 제 1 농도 검출 센서(120)로부터의 검출신호는, 컨트롤러(24)에 입력된다. 상술한 바와 같이 컨트롤러(24)는, 승강기구(23)에 조작신호를 출력하도록 구성되어 있으며, 제 1 농 도 검출 센서(120)에 의해 검출된 오존농도에 기초하여, 용기커버(21)의 개폐를 제어하도록 되어 있다. 용기커버(21)의 개폐제어에 있어서, 예를 들면 처리용기(2)내의 오존농도가 소정치(예를 들어, 0.1ppm) 이하가 아니면, 용기커버(21)를 열지 않도록 설정되어 있다. 오존농도가 소정치를 넘은 값인 경우에, 용기커버(21)를 열어 버리면, 허용치를 넘은 오존분위기가 주위로 확산하게 되어, 인적사고를 발생시킬 우려가 있기 때문이다.
오존 킬러(10)는, 가열에 의해 오존을 산소(02)로 열분해하도록 구성되어 있다. 오존 킬러(10)의 가열온도는, 예를 들면 400℃ 이상으로 설정되어 있다. 이러한 가열방식의 오존 킬러(10)는, 제품수명이 길다. 또한, 장기간에 걸쳐 사용하여도 제거능력이 열화하지 않고, 제 2 내부 배기회로(104)내의 기체 중에서 오존을 제거할 수 있다. 더욱이 오존 킬러(10)는, 공장내의 무정전 전원장치(도시하지 않음)에 접속되어, 정전시에도, 무정전 전원장치로부터 안정적으로 전력공급이 행하여지도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 그렇게 하면, 정전시에도, 오존 킬러 (10)가 가동하여, 오존을 제거하여 안전을 도모할 수 있다.
오존 킬러(10)에는, 오존 킬러(10)의 가동상태를 검출하는 가동검출수단(예를 들어, 가동 디텍터)으로서의 온도센서(122)가 설치되어 있다. 이 온도센서 (122)는, 오존 킬러(10)의 가열온도를 검출하도록 구성되어 있다. 온도센서(122)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있어, 온도센서(122)로부터의 검출신호는, 컨트롤러 (24)에 입력된다. 컨트롤러(24)는, 온도센서(122)에 의해 검출된 오존 킬러(10)의 가열온도에 기초하여, 오존을 제거하는 데에 오존 킬러(10)에 충분한 준비가 되어 있는 지를 판단하도록 되어 있다. 예를 들어, 오존 킬러(10)의 가열온도가 400℃ 미만이면, 오존을 열분해하기에 불충분하다고 판단한다.
배기 매니폴드(121)는, 장치 전체의 배기를 집합하여 행하도록 구성되어 있다. 즉, 배기 매니폴드(121)에는, 상기 제 2 내부 배기회로(104)와, 상기 에어 도입회로(90)와, 후술하는 제 1 주위 배기회로(131)가 접속되어 있다. 또한, 세정장치(1) 배면의 분위기를 취입하기 위한 배관(도시하지 않음)이 복수 설치되어, 세정장치(1)로부터 오존가스(5)가 주위로 확산하는 것을 방지하고 있다. 또한 배기 매니폴드(121)는, 공장내의 산(酸)전용의 배기계(ACID EXHAUST)에 통하고 있으며, 산 전용의 배기계로 흐르기 전의 각종 배기의 합류장소로서 기능한다. 이와 같이, 오존가스(5)의 확산을 방지하여 배기 관리를 엄격하게 행하고 있다.
배기 매니폴드(121)에는, 오존농도를 검출하는 제 2 농도 검출 센서(123)가 설치되어 있다. 배기 매니폴드(121)에 설치된 제 2 농도 검출 센서(123)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있어, 제 2 농도 검출 센서(122)로부터의 검출신호는, 컨트롤러(24)에 입력된다. 컨트롤러(24)는, 제 2 농도 검출 센서(123)에 의해 검출된 오존농도에 기초하여, 오존 킬러(10)의 오존제거능력을 파악하여, 예를 들어, 오존 킬러(10)의 고장에 의한 오존가스(5)의 방류를 감시하도록 되어 있다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 주위 배기수단(8)은, 처리용기(2)의 주위를 둘러싸는 케이스(130)와, 케이스(130)의 하부에 한 끝단이 접속되고, 다른 끝단이 상술한 바와 같이 배기 매니폴드(121)에 접속된 제 1 주위 배기회로(131)와, 케이스 (130)의 하부에 한 끝단이 접속되고, 다른 끝단이 상기 제 1 내부 배기회로(101)에 접속된 제 2 주위 배기회로(132)를 구비하고 있다.
케이스(130)에서는, 위쪽으로부터 청정한 에어의 다운플로우가 공급되고 있으며, 이 다운플로우에 의해, 케이스(130)의 내부 분위기, 즉 처리용기(2)의 주위 분위기가 외부로 누설되는 것을 방지하는 동시에, 아래쪽으로 흘러가게 하여 제 1 주위 배기회로(131), 제 2 주위 배기회로(132)로 유입하기 쉽도록 하고 있다. 또한, 케이스(130)에는, 처리용기(2)의 주위 분위기중의 오존농도를 검출하는 농도 검출수단으로서의 제 3 농도 검출 센서(133)가 설치되어 있다. 제 3 농도 검출 센서(133)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있어, 제 3 농도 검출 센서(133)로부터의 검출신호는, 컨트롤러(24)에 입력된다. 컨트롤러(24)는, 제 3 농도 검출 센서(133)에 의해 검출된 오존농도에 기초하여, 오존가스(5)의 누설을 감지하도록 되어 있다.
제 1 주위 배기회로(131)에는, 개폐밸브(134)가 설치되어 있다. 개폐밸브 (134)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 정상적으로 처리가 진행하고 있는 동안, 컨트롤러(24)는, 개폐밸브(134)를 열리게 한다. 그 동안, 제 1 주위 배기회로 (131)는, 처리용기(2)의 주위 분위기를 배기 매니폴드(121)로 배기하도록 되어 있다.
제 2 주위 배기회로(132)에는, 주위 이젝터(135)가 설치되어 있다. 주위 이젝터(135)는, 처리용기(2)의 주위 분위기를 급격히 빨아 들여 미스트 트랩(103)측에 압송함으로써, 강제 배기를 행하도록 구성되어 있다. 주위 이젝터(135)는, 상 기 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 컨트롤러(24)로부터 출력되는 조작신호에 의해, 주위 이젝터(135)의 가동은 제어된다. 컨트롤러(24)는, 정상적으로 처리가 행하여지고 있는 동안, 주위 이젝터(135)로 조작신호를 출력하지 않고, 그 가동을 정지시켜 놓는다.
여기서, 오존은 인체 등에 유해한 물질이기 때문에, 세정장치(1)에서는, 각종 안전대책을 도모하고 있다. 즉, 상술한 바와 같이 컨트롤러(24)에 대하여 중량센서(27)(도 2중에 나타냄) 및 온도센서(122)(도 9중에 나타냄)가 접속되고, 또한 오존가스 공급수단(6)의 개폐밸브(63)(도 6중에 나타냄)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 중량센서(27)로부터 입력되는 검출신호와, 온도센서(122)로부터 입력되는 검출신호에 기초하여, 컨트롤러(24)는, 오존가스 공급수단(6)의 개폐밸브(63)를 개폐제어하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(24)는, 용기커버(21)가 확실하게 닫힌 상태에 있다고 확인하고, 또한 오존 킬러(10)의 가열온도가 400℃ 이상이라고 판단한 단계에서, 개폐밸브(63)를 연다. 이에 따라, 오존가스 공급수단(6)은, 오존가스(5)를 공급하는 것이 가능해져, 처리를 시작할 수 있다. 한편, 용기커버(21)가 열려 있는 경우나, 오존 킬러(10)의 가열온도가 400℃미만인 경우에는, 오존을 확산시키거나, 오존을 충분히 산소로 분해할 수 없는 채로 배기해 버릴 우려가 있기 때문에, 개폐밸브(63)를 닫는다. 이에 따라, 오존가스 공급수단(6)은, 오존가스 (5)를 공급하는 것이 불가능해진다. 이들 두개의 조건이 준비될 때까지, 처리 그 자체를 시작시키지 않는다.
정전이나 지진 등의 우발적인 사고에 의해 세정장치(1)가 순간 정지하여, 처 리가 도중에 중단된 경우에는, 내부 이젝터(106)는, 강제 배기를 행하도록 구성되어 있다. 즉, 도 8에서 상술한 바와 같이 내부 이젝터(106)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 예를 들어, 사고가 발생한 경우, 즉시 컨트롤러(24)가 조작신호를 내부 이젝터(106)로 출력한다. 이에 따라, 내부 배기수단(7)에서는, 강제 배기를 행하여 처리용기(2)내에 남은 오존을 배출한다. 순간 정지한 세정장치(1)를 기동시킬 때에, 공장내의 작업자가 용기커버(21)를 열어 속의 모양을 한번 확인하거나 조사하는 경우가 있지만, 이렇게 강제 배기를 행함으로써, 처리용기(2)내를 개방하였을 때에 사고가 일어나는 것을 방지하도록 되어 있다. 또, 내부 이젝터(106) 및 컨트롤러(24)를, 오존 킬러(10)와 같이 무정전 전원장치에 접속하여, 정전중에도 강제 배기를 행할 수 있는 구성으로 하면 좋다.
도 8에서 상술한 바와 같이 컨트롤러(24)에 대하여 제 3 농도 검출 센서 (133)가 접속되어 있다. 제 3 농도 검출 센서(133)로부터의 검출신호에 기초하여, 컨트롤러(24)는, 내부 이젝터(106)에 의한 강제 배기와, 오존가스 공급수단(6)에 의한 오존가스(5)의 공급을 제어하도록 구성되어 있다. 즉, 컨트롤러(24)는, 제 3 농도 검출 센서(133)로부터 입력된 검출신호에 의해 오존가스(5)의 누설을 감지한 경우에는, 즉시 내부 이젝터(106)에 조작신호를 출력하는 동시에, 오존가스 공급수단(6)의 개폐밸브(63)를 닫는다. 이에 따라, 내부 이젝터(106)가 가동하여, 통상보다도 높은 배기량으로 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지하여, 이후, 처리용기(2)내에서 오존가스(5)가 누설되지 않도록 한다. 또한, 주위 이젝터(135)도, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 제 3 농 도 검출 센서(133)로부터의 검출신호에 기초하여, 컨트롤러(24)는, 주위 이젝터 (135)에 의한 강제 배기도 제어하도록 구성되어 있다. 즉 컨트롤러(24)는, 주위 이젝터(135)에 조작신호를 출력하는 동시에, 제 1 주위 배기회로(131)의 개폐밸브 (134)를 닫는다. 이에 따라, 주위 이젝터(135)가 가동하여, 통상보다도 높은 배기량으로 제 2 주위 배기회로(132)를 통하여 처리용기(2)의 주위 분위기를 강제 배기하여, 가스누설이 주위로 확대하는 것을 방지하도록 되어 있다. 배기된 주위 분위기는, 제 2 주위 배기회로(132)로부터 제 1 내부 배기회로(101), 미스트 트랩(103)으로 흘러, 제 2 내부 배기회로(104)로 배기된다. 제 2 내부 배기회로(104)에서는, 오존 킬러(10)에 의해 오존을 제거하여, 무해화된 주위 분위기를 공장의 산 전용의 배기계로 안전하게 배기하도록 되어 있다. 또, 예를 들어, 케이스(130)의 용량이나 위쪽으로부터의 다운플로우 등의 관계에 의해, 통상의 배기량으로도, 누설된 오존가스(5)의 확산을 방지할 수 있도록 하면, 오존가스(5)의 공급을 정지하는 한편, 통상의 배기로 끝내도 된다.
도 7에서 상술한 바와 같이, 제 2 에어 공급회로(75)중의 유량 컨트롤러(80)는 컨트롤러(24)에 접속되어 있다. 오존가스(5)의 공급을 정지한 후에 처리용기 (2)의 내부 분위기를 배기함에 있어서, 컨트롤러(24)는, 에어 공급수단(9)에 의한 에어의 공급을 제어하도록 구성되어 있다. 즉, 배기할 때는, 컨트롤러(24)는, 개폐밸브(77)를 닫는 한편 개폐밸브(79)를 열어, 에어 공급량이 내부 분위기의 배기량보다도 적어지도록 유량 컨트롤러(80)를 조른다. 이 때문에, 배기중에, 처리용기(2)내에 상온의 에어를 공급하여도, 처리용기(2)내는 부압분위기가 된다. 배기 중에, 상온의 에어를 다량으로 공급하여 처리용기(2)내를 정압분위기로 해 버리면, 주위로 오존가스(5)가 누설할 우려가 있다. 이와 같이 에어 공급량을 조정하여 처리용기(2)내를 부압분위기로 함으로써, 오존가스(5)의 누설을 방지하는 동시에, 처리용기(2)내에서 오존가스(5)를 흐르게 할 수 있다.
도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 배액수단(11)은, 상기 처리용기(2)의 바닥부에 접속된 제 1 배액회로(140)와, 미스트 트랩(103)의 바닥부에 접속된 제 2 배액회로(141)를 구비하고 있다. 제 1 배액회로(140)에는, 개폐밸브(142)가 끼워 장착되어 있다. 제 1 배액회로(140)는, 상기 제 1 내부 배기회로(101)에 접속되어, 처리용기(2)내의 액체방울을 제 1 내부 배기회로(101)로 흐르게 한다. 제 2 배액회로(141)에는, 개폐밸브(143)가 끼워 장착되어 있다. 액체중에 오존이 잔존하는 경우도 있기 때문에, 제 2 배액회로(141)는, 공장내의 산 전용의 배액계(ACID DRAIN)로 통하고 있다. 또한 배액수단(11)은, 미스트 트랩(103)에 아래에서 차례로 설치된 공방지(空防止) 센서(145), 배액개시 센서(146), 액오버 센서(147)를 구비하고 있다. 개폐밸브(143), 공방지 센서(145), 배액개시 센서(146), 액오버 센서(147)는, 컨트롤러(24)에 접속되어 있다.
이 경우, 처리용기(2)내의 액체방울, 수증기 발생기(41)로부터 배액된 순수한 물, 수증기(3)가 액화한 액체방울이 미스트 트랩(103)내에 도입된다. 액체방울이, 미스트 트랩(103)내에 어느 정도 모여, 액면이 배액개시센서(146)에 이르면, 배액개시센서(146)로부터 도달신호가 컨트롤러(24)에 입력된다. 컨트롤러(24)는, 개폐밸브(143)를 개방시켜 배액을 시작하도록 되어 있다. 또한, 액면의 높이가, 액오버 센서(147)까지 오버하면, 액오버 센서(147)로부터 경고신호가 컨트롤러(24)에 입력된다. 한편, 액면이 공방지 센서(145)를 밑돌고 있는 경우에는, 공방지 센서(145)로부터 금지신호가 컨트롤러(24)에 입력되어, 컨트롤러(24)는, 개폐밸브 (143)를 닫도록 구성되어 있다. 공방지 센서(145)는, 액체방울이 모두 흘러 미스트 트랩(103)내가 비게 되어, 오존가스(5)가 공장내의 산 전용의 배액계로 누출하는 사태를 방지하도록 되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 세정장치(1)로 행하여지는 본 발명의 실시형태에 따른 세정 방법에 대하여, 도 11, 12에 나타내는 제 1, 제 2 공정설명도, 도 13에 나타내는 플로우챠트에 기초하여 설명한다.
먼저 용기커버(21)를 열어 용기본체(20)내를 개방한다. 한편, 도 11에 나타낸 바와 같이 레지스트막(200)이 형성된 웨이퍼(W) 50매를 도시하지 않은 반송기에 의해 세정장치(1)로 반송하여, 용기본체(20)내에 수납한다. 그 후, 용기커버(21)를 닫아 용기본체(20)내를 밀폐한다(처리개시). 이어서, 러버 히터(28a∼28c)로 처리용기(2)를 가열하는 동시에, 에어 공급수단(9)이, 핫 에어(71)를 처리용기(2)내에 공급하여, 웨이퍼(W) 및 처리용기(2)의 내부 분위기를 소정의 온도(예를 들어, 80℃∼120℃)로 가열한다.
도 13중의 단계(Sl)에서, 컨트롤러(24)는, 중량센서(27)의 검출신호와, 온도센서(122)의 검출신호에 의해, 처리용기(2)내가 밀폐되고, 또한 오존 킬러(10)의 가열온도가 400℃ 이상으로서 오존 킬러(10)가 오존을 충분히 제거할 수 있는 상태에 있는 것을 확인한다. 이들 두 가지 조건을 만족하고 있다고 판단되면, 오존가 스 공급수단(6)의 개폐밸브(63)를 연다. 그리고, 오존가스 공급수단(6)은, 오존가스(5)를 처리용기(2)내로 공급한다[도 13중의 단계(S2)]. 이들 두 가지 조건 중에서 어느 쪽이든 한쪽의 조건이라도 만족할 수 없으면, 개폐밸브(63)를 닫아, 오존가스(5)의 공급이 행하여지지 않도록 한다[도 13중의 단계(S3)]. 또한, 수증기 공급수단(4)은, 수증기(3)를 처리용기(2)내에 공급한다.
수증기(3)와 오존가스(5)를 사용하여, 웨이퍼(W)에 대하여 오존을 이용한 처리를 실시한다[도 13중의 단계(S4)]. 도 12에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에, 물분자(201)와 오존분자(202)가 혼합된 혼합층을 형성한다. 이 혼합층속에서 물분자(201)와 오존분자(202)끼리가 반응하여, 웨이퍼(W)의 표면에 예를 들면 산소원자 라디칼(O·Oxygen radical)이나 수산기 라디칼(OH·Hydroxy radical)등의 반응물질이 다량으로 발생한다. 웨이퍼(W)의 표면에서 발생한 수산기 라디칼은, 소멸하지 않고, 즉시 산화반응을 일으켜, 레지스트를 카르본산, 이산화탄소나 물 등으로 분해한다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 레지스트막(200)을 충분히 산화분해하여 수용성의 막(200a)으로 변질시킨다. 이 수용성의 막(200a)은, 그 후의 순수한 물에 의한 린스세정으로 용이하게 제거할 수 있다.
처리중에, 내부 배기수단(7)에서는, 배기부(100,100)에 의해 처리용기(2)의 내부 분위기를 취입, 제 1 내부 배기회로(101), 미스트 트랩(103), 제 2 내부 배기회로(104)로 차례로 흘러 오존 킬러(10)를 지나, 오존을 제거하고 나서 공장의 산 전용의 배기계로 배기한다. 한편, 주위 배기수단(8)에서는, 케이스(130)에 의해 처리용기(2)의 주위 분위기를 취입, 제 1 주위 배기회로(131)에 의해 배기 매니폴 드(121)로 도입하여 공장의 산 전용의 배기계로 배기한다. 이와 같이, 밀폐된 처리용기(2)내에 수납된 웨이퍼(W)에 수증기(3) 및 오존가스(5)를 공급하는 한편, 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하여 오존 킬러(10)를 거쳐 무해화하면서 오존을 이용한 처리를 행하고 있다.
여기서, 도 13중의 단계(S5)에 있어서, 정전이나 지진 등에 의해 세정장치 (1)가 순간 정지하여, 오존을 이용한 처리가 도중에 중단된 경우에는, 내부 배기수단(7)의 내부이젝터(106)에 의해, 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제로 배기한다[도 13중의 단계(S6)]. 또한, 도 13중의 단계(S7)에 있어서, 컨트롤러(24)가, 제 3 농도 검출 센서(133)의 검출신호에 의해, 처리용기(2)의 주위 분위기로 오존가스 (5)가 누설되고 있다고 감지하면, 내부이젝터(106)에 조작신호를 출력하는 동시에, 오존가스 공급수단(6)의 개폐밸브(63)를 닫는다. 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지한다. 또한, 주위 이젝터 (135)에도 조작신호를 출력하는 동시에, 제 1 주위 배기회로(101)의 개폐밸브(134)를 닫고, 제 2 주위 배기회로(132)를 통해서 처리용기(2)의 주위 분위기를 강제적으로 배기한다[도 13중의 단계(S8)].
오존을 이용한 처리가 종료하여, 수증기(3) 및 오존가스(5)의 공급을 정지한다[도 13중의 단계(S9)]. 그리고, 계속해서 처리용기(2)의 내부 분위기를 배기하는 동시에, 에어 공급수단(9)에 상온의 에어를 공급하여, 오존을 배출한다[도 13중의 단계(S10)]. 여기서, 컨트롤러(24)는, 제 2 에어 공급회로(75)의 유량 컨트롤러(80)의 유량을 줄여, 내부 분위기의 배기량보다도 에어 공급량을 적게 한다.
도 13중의 단계(S11)에 있어서, 컨트롤러(24)는, 제 1 농도 검출 센서(120)에 의해 처리용기(2)내의 오존농도를 검출하여, 오존농도가, 인체에 위해를 가하지 않는 소정치(예를 들어, 0.1ppm)이하인 것을 확인한다. 오존농도가 소정치 이하라고 판단되면, 용기커버(21)를 열어 처리용기(2)내를 개방한다. 그 후, 웨이퍼(W)를 반출한다(처리종료). 한편, 오존농도가 소정치를 넘는다고 판단되면, 계속해서 오존을 배출한다. 이와 같이 안전을 확보하고 나서 처리용기(2)내를 개방하기 때문에, 사고를 방지할 수 있다.
반출된 웨이퍼(W)를 반송기에 의해 린스세정장치로 반송하여, 순수한 물에 의한 린스세정을 실시한다. 상술한 바와 같이 레지스트막(200)을 수용성으로 변질시키고 있기 때문에, 린스세정장치에서는, 웨이퍼(W)로부터 레지스트를 용이하게 제거할 수 있다. 마지막으로, 웨이퍼(W)를, 린스세정장치로부터 건조장치로 반송하여 건조처리한다.
이러한 세정장치(1)에 있어서, 처리용기(2)내가 밀폐되기 전에 오존가스(5)를 공급해 버리면, 오존가스(5)가 주위로 확산하여 버린다. 또한, 배기된 내부 분위기로부터 오존을 제거할 수 없으면, 그대로 오존가스(5)를 공장의 산전용의 배기계로 방류할 우려가 있다. 그러나, 본 발명에 따른 세정장치(1)에 의하면, 처리용기(2)내를 밀폐하고, 또한 배기된 내부 분위기에 대한 오존제거가 정상적으로 행하여지는 것을 조건으로, 오존가스(5)를 처리용기(2)내에 공급하고 있기 때문에, 오존가스(5)의 확산이나 방류를 방지할 수 있다. 따라서, 오존에 의한 인적사고를 사전에 방지할 수 있다.
정전이나 지진 등에 의해 오존을 이용한 처리가 도중에 중단된 경우에는, 처리용기(2)의 내부 분위기를 강제적으로 배기하여, 처리용기(2)로부터 오존을 배출한다. 여기서, 그 후에 오존을 이용하는 처리를 재개시킴에 있어서, 예를 들어, 공장의 작업자 등이, 처리용기(2)내를 개방하여 속의 모양을 한번 확인하거나 조사하는 경우가 있다. 처리용기(2)내에 오존이 남은 채로 처리용기(2)내를 개방해 버리면, 오존이 확산하게 되지만, 이렇게 강제적으로 배기하기 때문에, 오존의 확산을 미연에 방지할 수 있어, 인적사고를 막아 안전을 도모할 수 있다.
오존을 이용한 처리중에, 예를 들어, 처리용기(2)의 틈으로부터 오존가스(5)가 주위 분위기로 누설된 경우에는, 가스누설이 일어난 시점에서, 즉시 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 오존가스(5)의 공급을 정지하기 때문에, 가스누설이 더 이상 없도록 하여, 피해를 최소한으로 멈추게 할 수 있다. 또한 처리용기 (2)의 주위 분위기를 강제적으로 배기하기 때문에, 처리용기(2)의 주위를 넘어 광범위하게 오존가스(5)가 확산하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 오존가스(5)가 누설된 경우에도, 사고를 발생시키지 않고, 안전을 도모할 수 있다. 또한, 예를 들면 강제로 배기한 후에, 공장내의 작업자가 유지관리를 하여, 처리용기(2)의 틈 부분을 보수하여, 다음 처리부터는 가스의 누설을 없애면 좋다.
또한, 오존 배출시에 상온의 에어를 공급하고 있기 때문에, 처리용기(2)내에서 오존가스(5)를 흐르게 할 수 있다. 또한 에어 공급량이, 내부 분위기의 배기량보다도 적기 때문에, 처리용기(2)내를 부압분위기로 유지할 수 있다. 따라서, 오존가스(5)의 누설을 방지할 수 있는 동시에, 신속한 배기를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시형태의 일례에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이 예에 한정되지 않고 각종 형태를 취할 수 있는 것이다. 처리후에, 용기커버(21)를 여는 타이밍을, 제 1 농도 검출 센서(120)의 검출에 기초하여 행하고 있으나, 처리후의 배출시간에 기초하여 용기커버(21)를 여는 타이밍을 계획할 수 있도록 하여도 좋다. 즉, 도 14에 나타낸 바와 같이, 세정장치(1)의 전처리시간 중에, 웨이퍼(W)의 반입후, 오존을 이용한 처리를 행하고, 그 후, 오존의 배출을 소정시간 행하여, 그 후, 웨이퍼(W)를 반출한다. 이 경우, 소정시간은, 처리용기(2)내의 오존농도를 소정치 이하로 하는 데에 필요한 시간으로 설정되어 있다. 이에 따라서도, 안전을 확보하여 사고를 방지할 수 있다.
또한, 오존가스(5)를 이용하여 레지스트막(200)을 제거한 경우에 대하여 설명하였으나, 다른 처리가스를 이용하여 웨이퍼(W)상에 부착한 여러 가지 부착물을 제거하도록 하여도 좋다. 예를 들어, 염소(Cl2)가스와 수증기를 공급하여, 웨이퍼 (W) 상에서 금속부착물, 파티클을 제거하는 것이 가능하다. 또한, 수소(H2)가스와 수증기를 공급하여, 웨이퍼(W) 상에서 금속부착물, 파티클을 제거하는 것도 가능하다. 또한, 불소(F2)가스와 수증기를 공급하여, 웨이퍼(W) 상에서 자연산화막, 파티클을 제거하는 것이 가능하다. 또한, 이 경우에는, 각각의 상황에 대응하여, 제 2 내부 배기회로(104)에 각종의 후처리기구를 설치하면 좋다. 또한, 산소원자 라디칼을 가진 오존가스, 염소원자 라디칼을 가진 염소가스, 수소원자 라디칼을 가진 수소가스, 불소원자 라디칼을 가진 불소가스를 공급하여 각종처리를 행하도록 하여 도 좋다.
본 발명은, 복수 매의 기판을 일괄적으로 처리하는 배치식의 처리뿐만 아니라, 한 장씩 기판을 처리하는 낱장식의 처리의 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 기판은, 상기 웨이퍼(W)에 한정되지 않고 LCD기판, CD기판, 프린트기판, 세라믹기판 등이어도 좋다.
본 발명의 제 1 기판 처리방법에 의하면, 처리가스의 확산이나 방류를 방지할 수 있다. 특히 처리가스에 오존가스와 같이 인체에 유해한 물질이 함유되어 있는 경우에는, 유해물질에 의한 인적사고를 사전에 방지할 수 있게 된다. 본 발명의 제 2 기판 처리방법에 의하면, 예를 들면 우발적인 사고에 의해 장치가 순간 정지한 후에 장치를 기동시킬 때에, 사고가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 제 3, 제 6 기판 처리방법에 의하면, 처리가스가 누설되는 경우가 있어도, 피해를 최소한으로 멈추게 하여, 사고를 발생시키지 않고, 안전을 도모할 수 있다.
본 발명의 제 4 내지 제 6 기판 처리방법에 의하면, 본 발명의 제 3 기판 처리방법과 같은 작용·효과를 얻을 수 있다. 특히 본 발명의 제 5 기판 처리방법에 의하면, 주위 분위기를 무해화하여 예를 들어, 공장의 배기계로 안전하게 배기할 수 있으며, 본 발명의 제 6 기판 처리방법에 의하면, 처리용기의 주위를 넘어 광범위하게 처리가스가 확산하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명의 제 7, 제 8 기판 처리방법에 의하면, 안전을 확보하고 나서 처리 용기내를 개방하기 때문에, 사고를 방지할 수가 있다. 또한, 본 발명의 제 9 기판 처리방법에 의하면, 처리가스를 배기할 때에, 처리가스의 누설을 방지할 수가 있다.
본 발명의 제 1 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 1 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있다. 본 발명의 제 2 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 2 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수가 있다. 본 발명의 제 3 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 3 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있으며, 본 발명의 제 4 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 6 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수가 있다.
본 발명의 제 5 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 4 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수가 있다. 본 발명의 제 6 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 6 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수가 있다.
본 발명의 제 7 기판 처리장치에 의하면, 본 발명의 제 7 기판 처리방법을 바람직하게 실시할 수 있으며, 본 발명의 제 8 기판 처리장치에 의하면, 처리가스를 배기함에 있어서, 처리용기내를 부압분위기로 유지하여, 처리가스의 누설을 방지할 수 있는 동시에, 신속한 배기를 실현할 수 있다.

Claims (19)

  1. 처리용기내에 수납된 기판에 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 배기하여 이 배기된 내부 분위기를 후처리하면서 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 처리용기 내의 밀폐여부 및 상기 배기된 내부 분위기의 후처리가 정상적으로 수행되는지 여부를 확인하는 단계와,
    상기 확인된 결과에 따라 상기 처리용기로의 처리가스의 공급여부를 판단하는 단계를 포함하여 구성되며,
    상기 판단단계에서는, 상기 처리용기 내가 밀폐되고, 또한 상기 배기된 내부 분위기의 후처리가 정상적으로 수행되는 경우에 처리가스를 공급하여 기판의 처리를 진행하고, 상기 처리용기 내의 밀폐 및 상기 배기된 내부 분위기의 후처리의 정상적인 수행 중 하나라도 만족하지 않는 경우에는 상기 처리가스를 공급하지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 처리가 도중에 중단된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 처리용기의 주위로 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 상기 처리가스의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  4. 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 배기하여 이 배기된 내부 분위기를 후처리하면서 기판을 처리하는 방법으로서,
    상기 처리용기의 주위로 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 동시에, 상기 처리가스의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 처리용기의 주위로 처리가스가 누설된 경우에는, 상기 처리용기의 주위 분위기를 배기하여 이 배기된 주위 분위기를 후처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 처리용기의 주위 분위기를 강제적으로 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 처리용기내의 처리가스 농도를 검출하여, 이 처리가스 농도가 소정치 이하인 것을 확인하고 나서, 상기 처리용기내를 개방하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 처리가스의 공급을 정지한 후, 적어도 소정시간, 상기 처리용기의 내부 분위기를 배기하고 나서, 상기 처리용기내를 개방하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 처리가스의 공급을 정지한 후, 상기 처리용기의 내부 분위기를 배기할 때에, 상기 처리용기 내를 부압분위기로 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 처리가스 공급 중에 후처리가 정상적으로 행하여지지 않게 된 경우에, 처리가스의 공급을 정지함과 동시에 상기 처리용기내의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리방법.
  11. 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하는 한편, 이 처리용기의 내부 분위기를 내부 배기관에 의해 배기하여, 이 배기된 내부 분위기를 후처리기구에 의해 후처리하면서 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 처리용기의 반출입구를 개폐하는 개폐부재를 구비하며,
    상기 개폐부재의 개폐를 검출하는 개폐 디텍터로부터의 검출신호와, 상기 후처리기구의 가동상태를 검출하는 가동 디텍터로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 내부 배기관은, 상기 처리용기의 내부 분위기를 강제적으로 배기하는 이젝터를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 처리용기의 주위 분위기중의 처리가스 농도를 검출하는 주위의 농도 검출 센서와, 상기 처리용기의 주위 분위기를 강제적으로 배기하 는 제 2 이젝터를 구비하고, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 내부 분위기를 강제로 배기하는 이젝터에 의한 강제배기와, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 제 2 이젝터에 의한 강제배기를 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  15. 처리용기내에 수납된 기판에, 처리가스 공급노즐에 의해 처리가스를 공급하는 한편, 해당 처리용기의 내부 분위기를 내부 배기관에 의해 배기하고, 이 배기된 내부 분위기를 후처리기구에 의해 후처리하면서 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 처리용기의 반입출구를 개폐하는 개폐부재와,
    상기 처리용기의 주위 분위기중의 처리가스 농도를 검출하는 주위의 농도 검출 센서와,
    상기 처리용기의 주위 분위기를 배기하는 주위배기관이 접속된 케이스를 구비하고,
    상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 내부 배기관에 의한 배기와, 상기 처리가스 공급노즐에 의한 처리가스의 공급을 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 농도 검출 센서에 이상이 발생한 경우에, 처리가스의 공급을 정지함과 동시에 상기 이젝터를 작동하도록 제어하는 컨트롤러를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 주위의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여, 상기 주위배기관과 그에 접속된 케이스에 의한 배기를 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 처리용기내의 처리가스농도를 검출하는 내부의 농도 검출 센서를 설치하고, 상기 내부의 농도 검출 센서로부터의 검출신호에 기초하여 상기 개폐부재의 개폐를 제어하는 컨트롤러를 설치한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 처리용기내에 에어를 공급하는 에어 공급노즐을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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