JPS62281426A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPS62281426A JPS62281426A JP12495486A JP12495486A JPS62281426A JP S62281426 A JPS62281426 A JP S62281426A JP 12495486 A JP12495486 A JP 12495486A JP 12495486 A JP12495486 A JP 12495486A JP S62281426 A JPS62281426 A JP S62281426A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、反応気体の流通下で半導体ウェハ等の被処理
基板に所望の処理を施すエツチング装置、ＣＶＤ装置等
の半導体処理装置に関する。
基板に所望の処理を施すエツチング装置、ＣＶＤ装置等
の半導体処理装置に関する。
（従来の技術）
一般に、反応気体流通下において半導体ウェハ等の被処
理基板に所望の処理を施すエツチング装置、ＣＶＤ装置
等の半導体処理装置では、この反応気体中にカスおよび
ダスト等が放出されると、彼処ｌ！１２塁板に損傷を与
える。
理基板に所望の処理を施すエツチング装置、ＣＶＤ装置
等の半導体処理装置では、この反応気体中にカスおよび
ダスト等が放出されると、彼処ｌ！１２塁板に損傷を与
える。
このため、従来の半導体処理装置では、反応気体と接触
する部位の電極等は、黒鉛または金属にコーティングを
施した物等から構成され、その他の反応気体と接触する
部位は、石英ガラス等で構成されることか多い。
する部位の電極等は、黒鉛または金属にコーティングを
施した物等から構成され、その他の反応気体と接触する
部位は、石英ガラス等で構成されることか多い。
（発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上述の従来の半導体処理装置では、例え
ば黒鉛または金属にコーティングを施した物からなる電
極等からもガスおよびダスト等が発生するため、半導体
ウェハ等の被処理基板が損傷を受けるという問題と、重
量の重い石英ガラスから構成される例えばウェハキャリ
ア等のため、装置全体の重量か増加するという問題があ
る。
ば黒鉛または金属にコーティングを施した物からなる電
極等からもガスおよびダスト等が発生するため、半導体
ウェハ等の被処理基板が損傷を受けるという問題と、重
量の重い石英ガラスから構成される例えばウェハキャリ
ア等のため、装置全体の重量か増加するという問題があ
る。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、ガスおよびダストの発生による被処理基板の損傷が少
なく、軽量化を図ることのできる半導体処理装置を提供
しようとするものである。
、ガスおよびダストの発生による被処理基板の損傷が少
なく、軽量化を図ることのできる半導体処理装置を提供
しようとするものである。
［発明の構成１
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、反応気体流通下で被処理基板に所望
の処理を施す半導体処理装置において、前記反応気体と
接触する部位の少なくとも一部に、ガラス状炭素からな
る部位を有する。
の処理を施す半導体処理装置において、前記反応気体と
接触する部位の少なくとも一部に、ガラス状炭素からな
る部位を有する。
（作用）
本発明の半導体処理装置では、反応気体との接触部の少
なくとも一部に、有機物の固相熱分解（炭化）によって
生成され、ガスおよびダストの発生が非常に少なく、軽
量なガラス状炭素からなる部位を有しているので、従来
に比べてガスおよびダストにより被処理基板に損傷を与
えることが少なく、また、軽量化を図ることができる。
なくとも一部に、有機物の固相熱分解（炭化）によって
生成され、ガスおよびダストの発生が非常に少なく、軽
量なガラス状炭素からなる部位を有しているので、従来
に比べてガスおよびダストにより被処理基板に損傷を与
えることが少なく、また、軽量化を図ることができる。
（実施例）
以下本発明装置の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明装置の一実施例のエツチング装置の要
部を示すもので、処理容器１内に配置され半導体ウェハ
２を載置される下部電極３と対向して配置され、この下
部電極３との間に高周波電圧を印加されプラズマを生起
する上部電４へ４は、ガラス状炭素により円盤上に構成
されており、この上部電極４には、反応気体導入口５か
ら導入され反応気体排出口６から排出される反応気体を
流通するための貫通孔４ａが配設されている。
部を示すもので、処理容器１内に配置され半導体ウェハ
２を載置される下部電極３と対向して配置され、この下
部電極３との間に高周波電圧を印加されプラズマを生起
する上部電４へ４は、ガラス状炭素により円盤上に構成
されており、この上部電極４には、反応気体導入口５か
ら導入され反応気体排出口６から排出される反応気体を
流通するための貫通孔４ａが配設されている。
上記構成のこの実施例のエツチング装置では、従来黒鉛
または金属にコーティングを施した物等により構成され
、反応気体と接触する上部電（〜４を、ガラス状炭素に
より構成したので、従来に比べてガスおよびダストの発
生が少なく、半導体ウェハ２に損傷を与えることが少な
い。
または金属にコーティングを施した物等により構成され
、反応気体と接触する上部電（〜４を、ガラス状炭素に
より構成したので、従来に比べてガスおよびダストの発
生が少なく、半導体ウェハ２に損傷を与えることが少な
い。
第２図は、本発明装置の他の実施例のＣＶＤ装置の要部
を示すもので、この実施例のＣＶＤＣ首では、反応気体
を流通されてＣＶＤが行なわれる処理室内に半導体ウェ
ハ１１を配置するためのウェハキャリア１２は、半導体
ウェハ１１を保持する円板状の保持板１３およびこの保
持板１３を多数支持する支持台１４がガラス状炭素によ
り構成されている。
を示すもので、この実施例のＣＶＤＣ首では、反応気体
を流通されてＣＶＤが行なわれる処理室内に半導体ウェ
ハ１１を配置するためのウェハキャリア１２は、半導体
ウェハ１１を保持する円板状の保持板１３およびこの保
持板１３を多数支持する支持台１４がガラス状炭素によ
り構成されている。
上記構成のこの実施例のＣＶＤ装置では、従来石英ガラ
ス等により構成されていたウェハキャリア１２を、ガス
およびダストの発生が非常に少なく軽量なガラス状炭素
で構成したので、石英ガラスで構成されたウェハキャリ
ア１２を備えた従来のＣＶＤ装置と同様にガスおよびダ
スト等により半導体ウェハ１１に損（ｎを与えることが
少なく、また、従来に比べてウェハキャリア１２を軽量
化することがでさ、これにより自動搬送装置その他の部
位の軽量化も行なうことかでき、ＣＶＤＨ置の軽量化を
図ることかできる。
ス等により構成されていたウェハキャリア１２を、ガス
およびダストの発生が非常に少なく軽量なガラス状炭素
で構成したので、石英ガラスで構成されたウェハキャリ
ア１２を備えた従来のＣＶＤ装置と同様にガスおよびダ
スト等により半導体ウェハ１１に損（ｎを与えることが
少なく、また、従来に比べてウェハキャリア１２を軽量
化することがでさ、これにより自動搬送装置その他の部
位の軽量化も行なうことかでき、ＣＶＤＨ置の軽量化を
図ることかできる。
なお、この実施例のＣＶＤ装置では、ウェハキャリアコ
２全体をガラス状炭素で構成したか、例えば、円板状の
保持板１３のみをガラス状炭素で構成するなど、ウェハ
キャリア１２の一部のみををガラス状炭素で構成しても
よい。
２全体をガラス状炭素で構成したか、例えば、円板状の
保持板１３のみをガラス状炭素で構成するなど、ウェハ
キャリア１２の一部のみををガラス状炭素で構成しても
よい。
［発明の効果］
上述のように本発明の半導体処理装置では、従来に比べ
てカスおよびダストの発生による被処理基板の損傷が少
なく、また軽量化を図ることがてきる。
てカスおよびダストの発生による被処理基板の損傷が少
なく、また軽量化を図ることがてきる。
第１図は本発明の一実施例のエツチング装置の要部を示
す縦断面図、第２図は他の実施例のＣＶＤ装置の要部を
示す側面図である。 ２・・・・・・半導体ウェハ、３・・・・・・下部電極
、４・・・・・・ノコラス状炭素からなる上部電極、４
ａ・・・・・・貫通孔、５・・・・・・反応気体導入口
、６・・・・・・反応気体排出口。
す縦断面図、第２図は他の実施例のＣＶＤ装置の要部を
示す側面図である。 ２・・・・・・半導体ウェハ、３・・・・・・下部電極
、４・・・・・・ノコラス状炭素からなる上部電極、４
ａ・・・・・・貫通孔、５・・・・・・反応気体導入口
、６・・・・・・反応気体排出口。
Claims (3)
- （１）反応気体流通下で被処理基板に所望の処理を施す
半導体処理装置において、前記反応気体と接触する部位
の少なくとも一部に、ガラス状炭素からなる部位を有す
ることを特徴とする半導体処理装置。 - （２）ガラス状炭素からなる部位は、プラズマ生起用電
極である特許請求の範囲第１項記載の半導体処理装置。 - （３）ガラス状炭素からなる部位は、ウェハキャリアま
たはウェハキャリアの一部である特許請求の範囲第１項
記載の半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495486A JPS62281426A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12495486A JPS62281426A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5012338A Division JP2750650B2 (ja) | 1993-01-28 | 1993-01-28 | Ｃｖｄ装置のウエハキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281426A true JPS62281426A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14898324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12495486A Pending JPS62281426A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281426A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277751A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-15 | Rikagaku Kenkyusho | 低ガス放出壁面を有する真空容器 |
| JPH05129241A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板 |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109317A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Anelva Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS62252942A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-11-04 | Tokai Carbon Co Ltd | プラズマエツチング用電極板 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12495486A patent/JPS62281426A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109317A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | Anelva Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS62252942A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-11-04 | Tokai Carbon Co Ltd | プラズマエツチング用電極板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277751A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-15 | Rikagaku Kenkyusho | 低ガス放出壁面を有する真空容器 |
| JPH0583631B2 (ja) * | 1987-05-11 | 1993-11-26 | Rikagaku Kenkyusho | |
| US5324411A (en) * | 1991-09-20 | 1994-06-28 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Electrode plate for plasma etching |
| JPH05129241A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板 |
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