JPS59123770A - エツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はエツチング方法、詳しくはドライエツチングに
おいてエツチングを均一性をもたせて実施する方法に関
する。

（２）技術の背景 例えばウェハのシミ光に用いるマスクは、カラス基板全
面上にクロＬ（Ｃｒ）　豚を、次いで全面にレジスト膜
を塗布形成し、このレジスト膜をバターニングして得ら
れるパターンをマスクにしてＣｒ膜をエツチングしてク
ロムのパターンを形成することによって作られる。

上記したエツチング（リアクティブイオンエツチング）
は第１図に示されるカソードカップリング方式のトライ
エツチング装置内で、プラスマ化された反応カスを用い
て行うもので、同図において、１はエツチング室（チェ
ンバ）、２は円板状の平行平板型の対向電極（アノー日
、３は電極（カソード）、４は試料例えばマスク、５は
絶縁体、６は高周波電源、７はエツチングのための反応
カスをチェンバ１内に供給するリンク状に配置された反
応ガス導入管、８は反応ガス排気口を示す。マスク全面
上には前記したＣ　ｒｌｊ）が形成されており、それを
レジストパターンをマスクにしてリアクティブイオンエ
ツチングでパターニングするのである。クロムのエツチ
ングにおいては、例えは反応ガスとして四塩化炭素カス
（Ｃ＋：ｆｆ１４）を１２０３ＣＣＭ、酸素カス（０２
）を７０５ＣＣＭの導入量で供給する。

（３）従来技術と問題点 上記したエツチングは、リアクティブイオンエツチング
に■耐性をもったチエツク＼を用いてなされるのである
か、第１に、ガス導入管７がチェンバ１内で異常放電が
発生ずる原曲となって６）る問題かある。かかる異常放
電は、例えはレジスト膜ぐターンをマスクにしてクロム
をエツチングするときの選択比ずなわら（クロムのエツ
チング速度）／（レンストのエツチング速度）に悪影響
を及はし、１／シスト膜を厚く形成する必要か生し、レ
ジスト膜を厚くすると、レジスト膜の描ｒＬ！！Ｉ積度
か低下し、クロム膜のパターンか乱れる結果となる。

次に、前記したエツチングにおいては、工。

チンクの均一性（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）か要求される
。エツチング速度か試料の各場所毎に異なるものであれ
は、レシス日漠の１ｊ失に差異が生し、レジストパター
ンか細るとクロムのパターンが細くなり、最後に形成さ
れるクロムパターンが乱れて均一でなくなる。

エツチングに用いる反応カス、例えはクロムのエツチン
グの際に用いる（　ＣＣｅｑ　＋　０２　）カスは、チ
ェンバ１内を流れている間にプラズマ化される。このプ
ラズマ化にはそれぞれの場合に応して所定の時間を要す
るので、チェンバ１内での反応ガスの滞留時間の長短か
エツチングの均一性に重大な影響をもつ。従来の装置に
おいて、反応ガスの滞留時間は排気口８の近くにおいて
は短く、反対側においては長く、これを試料から見ると
、その上方の反応ガスの滞留時間か均一でないことにな
る。そこで、反応ガスの空間移動速度（ｓｐａｃｅνｅ
ｌｏｃｉｔｙ）を遅（し、試料上での反応ガスのｌ帛留
時間を均一に長くしたいのであるか、従来の装置ではそ
れの実現は容易てなかった。

（４）発明の目的 本発明は上記従来の問題点に泥み、リアクティブイオン
エツチングに耐性をもったエソチングチェンハを用いる
トライエツチングにおいて、反応カスの試料上の滞留時
間を均一に長くし、それによって均一性をもったりアク
ティフイオンエノチングを行いうるエツチング方法を提
供することを目１゛灼とする。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれは、チェンバ内に対向し
て設けられた１対の電極のうち一方の電極上にエツチン
グされる試料を載置し、かつ該一方の電極とほぼ間一平
面の位置で前記電極を囲んで配置された反応ガス導入管
から他力の電極の方向に反１＋ｅ＋ガスを噴出させ、該
反応カスを活性化してリアクティブイオンエツチングを
行うことを特徴とするエツチング方法を提供することに
よって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

本発明者はｒｉｉ＋記した問題を検討した結果、チェン
バ内に配置された試料の上に反応カスを可能なかきり長
く滞留させるために、排気口８による反応カスの排気の
影響を少なくする方法を考えついた。かかる方法を実施
するための装置は第２図に概略断面図に示され、同図に
おいて第１図に示した部分と同し部分は同−符号４−付
して示す。

第２図に示す装置においては、ガス導入管７を、従来の
装置における場合よりも排気口８から遠ざけて、マスク
４か配置される側の電極３とほぼ同一平面の位置に、電
極３を囲む如くに配置する。そのために、反応ガス導入
管７は、絶縁体５を囲んで設げられたフランジ９の内に
埋め込む。

しかも、反応ガス導入管は、マスク４の配置されたチェ
ンバの部分の平面図である第３図に示される如く、電極
３を載置した絶縁体５を囲む如くに配置し、反応ガスは
、第２図に見て上方に噴出する構成とする。

反応カスを上記の如き配置の導入管から噴出させると、
反応ガスのマスク上の滞留時間か長（なり、活性プラス
マか発生し易くなり、しかもプラズマ化した反応ガスは
排気口８による排気によってはとんと影響されないから
、マスク４上を均一の空間移動速度で動き、エツチング
はマスク４の全面にわたって均一に行われる。

（７）発明の効果 以上詳細に説明したように、本発明の方法によると、反
応カスの滞Ｗ１時間か長くなり、活性化ブラスマ力弓式
料上全体にわたって発生し易くなり、かつ、反応カスは
チェンバの排気口から最も遠いとごろで噴出されるため
、ｉｉＪ記したプラスマ化したカスは試料上を均一に流
れ、トライエノチンクが試料全面にわたって均一に行わ
れるので、例えはパターンかすべての場所で均一に形成
され、製造される半導体装置の信頼性向上に〃Ｊ果太で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のりアクティフイオンエノチンクのチェン
バの概略断面図、第２図は不発１男の方法を実施するチ
ェンバの概略断面図、第３図は第２図の装置の試料の載
置された部分の平面図である。 １−チェンバ、２一対向電極（アノード）、３−電極（
カソード）、４〜−ンスク、５−絶縁体、６−高周波電
源、７ 反応カス導入管、８−反応カス排気口、９−フラノン 第１図 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ナエンハ内に対向して設けられた１対の電極のうぢ−あ
   の電極上にエツチングされる６ｉ（料金載置し、かつ該
   −力の電極とほぼ同一平面の位置で前記電極を囲んで配
   置された反応ガス導入管から他力の電極の方向に反応ガ
   スを噴出させ、該反応ガスを活性化してリアクティブイ
   オンエツチングを行うことを特徴とするエツチング方法
   。