KR950012581A - 플라즈마로부터 이온 추출을 사용하는 물리적 기상 증착 - Google Patents

플라즈마로부터 이온 추출을 사용하는 물리적 기상 증착 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고 비율의 스퍼터 캐소드 재료를 이온화하는 캐소드 컨테이너내에서 강렬한 플라즈마를 생성하기 위한 스퍼터 마그네트론 이온 소스 및, 비임내에서 캐소드 재료의 이온을 추출하기 위한 수단에 관한 것이다. 이온 추출 수단은 캐소드 컨테이너의 개방 단부에 인접한 널 영역을 갖는 자장 거스프 형상으로 실현된다. 그렇게 생성된 이온은 효과적인 충진에 의해 피복되는 기판에 직각으로 안내된다.

Description

플라즈마로부터 이온 추출을 사용하는 물리적 기상 증착
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1C도는 플라즈마 성형 수단과 같은 고강도 마그네트론 스퍼터소스(sputter source)를 사용하는 본 발명의 일실시예의 단면도.

Claims (29)

  1. 고강도 플라즈마 도입수단과, 널 자장값 영역이 추출 수단의 일부를 구비하는 이온 추출 수단을 포함하며, 상기 고강도 플라즈마 도입 수단은 선택된 타게트 재료의 내부면을 갖는 벽과 컨테이너로부터 이온의 추출을 허용하는 한 개방 측면을 구비하는 입자 한정 컨테이너를 가지며 전압을 스퍼터 캐소드에 인가하는 수단을 구비하는 스퍼터 캐소드와, 상기 입자한정 컨테이너에 전자를 제공하고 유지하기 위한 수단 및 , 상기 스퍼터 캐소드 컨테이너의 개방 측면에 인접한 영역에 널 자장값을 제공하고, 힘을 제공하는 것에 의해 상기 스퍼터 캐소드 벽을 통해 루프되는 자장 라인을 제공하며, 작동시 상기 스퍼터 캐소드의 적어도 일부분에 인접한 전자를 유지하는 자장 생성 수단을 포함하고, 상기 이온 추출 수단은 상기 캐소드 컨테이너를 빠져나가고 상기 이온 추출 수단에 의해 결정된 경로를 따르는 상기 이온을 도입하기 위해 널값 영역 부근의 이온과 합체되는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  2. 제1하엥 있어서, 상기 이온추출 수단은 작동시 스퍼터 캐소드 내에 있는 플라즈마와, 상기 컨테이너로부터 떨어진 제1표면과 상기 플라즈마 사이에서 전기장 외장 전위를 달성하기 위한 수단을 포함하고, 상기 플라즈마는 정상 상태 조건을 달성하고, 상기 스퍼터 캐소드에 있는 플라즈마는 상기 플라즈마로부터 전자 누설로 초래되는 제1 양 플라즈마 전위를 가지며, 상기 전기장 외장 전위는 상기 플라즈마로부터 제1표면까지 양 이온을 끌어당기는 극성이고, 상기 컨테이너로부터 떨어진 제1표면 영역에 있는 플라즈마는 제1 양전위보다 더 적은 전위인 제1플라즈마 전위를 갖는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1표면은 상기 플라즈마로부터 금속 양이온으로 도금되는 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  4. 제3항에 있어서, 상기 플라즈마와 상기 반도체 기판사이의 상기 전기장 외장 전위는 제2플라즈마 전위보다 더 음전위인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  5. 제2항에 있어서, 상기 스퍼터 캐소드 컨테이너내에 있는 스퍼터 캐소드 재료의 이온 농도를 더 증가시키기 위한 수단을 포함하고, 상기 스퍼터 캐소드 컨테이너내에 있는 이온 농도를 더 증가시키기 위한 상기 수단은 중성자가 상기 플라즈마로부터의 이온 충격에 의해 상기 캐소드 표면과 충돌한 후에 상기 스퍼터 캐소드 재료중 중성자의 평균 자유 거리를 감소시키고 에너지를 상기 플라즈마에 제공하여 상기 플라즈마와 상호 작용하는 전자기파를 발생시키기 위한 수단인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전자기파 에너지를 상기 플라즈마의 공간에 도입하기 위한 전자기파 전달 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마의 부근의 널 영역을 에워싸는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  8. 제1항에 있어서, 상기 고강도 플라즈마는 1013입자/cc 또는 그 이상 정도인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  9. 제8항에 있어서, 상기 입자 한정 컨테이너는 2.54㎝ 이하 정도의 폭(W)을 갖는 홈인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  10. 제9항에 있어서, 상기 홈은 복수의 홈인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  11. 제10항에 있어서, 상기 홈은 하나의 동시 연속 플라즈마 루프만이 작동시에 존재하도록 상호 연결된 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  12. 제1항에 있어서, 상기 입자 한정 컨테이너는 2.54㎝ 이하 정도의 직경(W)을 갖는 컵형상인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  13. 제8항에 있어서, 상기 입자 한정 컨테이너는 2.54㎝ 이하 정도의 직경(W)을 갖는 컵형상인 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  14. 제12항에 있어서, 작동시 상기 고강도 플라즈마는 2.0%이상의 타케트 재료의 이온 비율을 함유하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  15. 제11항에 있어서, 작동시 상기 고강도 플라즈마는 2.0%이상의 타케트 재료의 이온 비율을 함유하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  16. 제14항에 있어서, 도금될 반도체 기판은 상기 널 지점부근으로부터 상기 캐소드 컨테이너를 빠져나가는 타케트 이온을 수용하기 위해 장착된 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  17. 제15항에 있어서, 도금될 반도체 기판은 상기 널 지점부근으로부터 상기 캐소드 컨테이너를 빠져나가는 타케트 이온을 수용하기 위해 장착된 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  18. 제12항에 있어서, 상기 스퍼터 캐소드 한정 컨테이너의 벽을 통과하는 구멍을 갖는 가스 포트 수단을 더 포함하고, 상기 구멍은 컨테이너 안에서 플라즈마 시작 가스의 통로용 개구 측면으로부터 멀리 떨어진 벽 부분에 있고 이에 의해 저장 작동압력을 허용하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  19. 제12항에 있어서, 상기 캐소드 한정 컨테이너와 열 교환 관계로 배열되어 있고 냉각 유체를 전도하기 위한 입구 및 출구 유체 도관을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  20. 제19항에 있어서, 상기 유체 도관은 난류 생성 열 교환기에 연결된 것을 특징으로 하는 스퍼터 마그네트론.
  21. 타게트 재료의 이온을 공작물로 안내하는 장치에 있어서, 2.0%보다 많은 타게트 재료의 이온 비율을 함유하는 1013입자/cc정도의 고강도 플라즈마를 생성하기 위한 수단과, 상기 공작물과 접촉하는 플라즈마를 생성하기 위한 수단 및, 대향한정 벽과 평행한 자속 라인을 제공하고 하나의 개방 측면 부근에 자기널 영역을 더 제공하는 자장 생성 수단을 포함하고, 상기 고강도 플라즈마 생성 수단은 상기 공작물상에 증착되는 재료를 구비하는 타게트 캐소드를 갖는 마그네트론 스퍼터 소수 수단을 포함하며, 상기 타게트 캐소드는 2.54㎝ 정도의 짧은 거리(W)에 의해 분리되는 대향 플라즈마 한정 벽과 하나의 개방 측면을 가지는 플라즈마 한정 컨테이너를 포함하고, 이에 의해 상기 플라즈마에 존재하는 증착될 타게트 재료의 이온은 상기 공작물의 표면에 직각인 각도에서 상기 공작물로 향하는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 플라즈마 한정 컨테이너는 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 홈은 환형을 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제22항에 있어서, 상기 홈은 미로를 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제21항에 있어서, 상기 마그네트론 스퍼터 소스를 냉각하기 위한 수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 박막을 진공 챔버내의 평면 기판상에 증착하기 위한 장치에 있어서, 타게트 캐소드 이온의 수보다 더 많이 포함하는 플라즈마를 생성하기 위해 증착될 재료로 만들어지는 타게트 캐소드를 구비하는 고강도 마그네트론 스퍼터 소스 수단과, 상기 캐소드와 기판 사이에서 자장을 생성하고 자기 널 영역을 갖는 자장 생성 수단을 포함하며, 이에 의해 상기 타게트 캐소드는 증착될 재료가 스퍼터되는 대향벽을 갖는 홈 부분과 평면을 가지며, 상기 플라즈마 밀도는 상기 홈 부분내에서 최대이고, 상기 홈 부분의 대향벽은 2.54㎝ 정도의 거리로 분리되고, 상기 평면 기판을 향하는 타게트 캐소드의 원자는 상기 타게트 캐소드의 적어도 10%의 이온화 원자를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 홈은 환형인 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 홈은 미로인 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제13항에 있어서, 절연수단에 의해 상기 스퍼터 캐소드로부터 이격되고 이로부터 전기적으로 절연되는 애노드와, 캐소드대 애노드를 단락시키는 것을 예방하기 위해 상기 스퍼터 캐소드로부터 상기 절연체까지 약간의 라인을 차단하기 위해 스퍼터된 캐소드 재료에 의해 도금되는 상기 절연 수단을 차폐하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705042A (en) * 1996-01-29 1998-01-06 Micron Technology, Inc. Electrically isolated collimator and method
US5985102A (en) * 1996-01-29 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Kit for electrically isolating collimator of PVD chamber, chamber so modified, and method of using
DE19609248A1 (de) * 1996-02-23 1997-08-28 Balzers Prozes Systeme Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Kathodenzerstäubung mit einem Hohltarget
DE19609249A1 (de) * 1996-02-23 1997-08-28 Balzers Prozes Systeme Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Kathodenzerstäubung mit einem Hohltarget
JPH09228038A (ja) * 1996-02-23 1997-09-02 Balzers Prozes Syst Gmbh 中空のターゲットを備えた、陰極スパッタによりサブストレートを被覆するための装置
US5716505A (en) * 1996-02-23 1998-02-10 Balzers Prozess-Systems Gmbh Apparatus for coating substrates by cathode sputtering with a hollow target
US5725739A (en) * 1996-07-08 1998-03-10 Micron Technology, Inc. Low angle, low energy physical vapor deposition of alloys
US5783282A (en) * 1996-10-07 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Resputtering to achieve better step coverage of contact holes
DE19722056A1 (de) * 1997-05-27 1998-12-03 Roland Dr Gesche Verfahren und Anordnung zum Herstellen dünner Schichten mittels Niederdruck-Gasentladung in einer Hohlkathode
DE19744060C2 (de) * 1997-10-06 1999-08-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten
AU9410498A (en) 1997-11-26 1999-06-17 Vapor Technologies, Inc. Apparatus for sputtering or arc evaporation
US6217716B1 (en) 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
US6287977B1 (en) * 1998-07-31 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming improved metal interconnects
JP2002531690A (ja) 1998-12-03 2002-09-24 トーソー エスエムディー,インク. インサートターゲットアセンブリとそれを製造する方法
US6497796B1 (en) 1999-01-05 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate
US6179973B1 (en) 1999-01-05 2001-01-30 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity across a substrate
US6193854B1 (en) * 1999-01-05 2001-02-27 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source
US5997705A (en) * 1999-04-14 1999-12-07 Vapor Technologies, Inc. Rectangular filtered arc plasma source
US6500321B1 (en) 1999-05-26 2002-12-31 Novellus Systems, Inc. Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target
US8696875B2 (en) * 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6610184B2 (en) 2001-11-14 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Magnet array in conjunction with rotating magnetron for plasma sputtering
US6451177B1 (en) 2000-01-21 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes
US6277249B1 (en) 2000-01-21 2001-08-21 Applied Materials Inc. Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions
US6251242B1 (en) 2000-01-21 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor
US6444100B1 (en) 2000-02-11 2002-09-03 Seagate Technology Llc Hollow cathode sputter source
US6342133B2 (en) 2000-03-14 2002-01-29 Novellus Systems, Inc. PVD deposition of titanium and titanium nitride layers in the same chamber without use of a collimator or a shutter
DE60126779T2 (de) 2000-03-24 2007-12-13 Cymbet Corp., Elk River Herstellung bei niedriger temperatur von dünnschicht- energiespeichervorrichtungen
US6406599B1 (en) * 2000-11-01 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Magnetron with a rotating center magnet for a vault shaped sputtering target
US6964792B1 (en) 2000-11-03 2005-11-15 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlling electrolyte flow for uniform plating
US6787010B2 (en) * 2000-11-30 2004-09-07 North Carolina State University Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby
US6471831B2 (en) 2001-01-09 2002-10-29 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving film uniformity in a physical vapor deposition system
US6764940B1 (en) 2001-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications
US8043484B1 (en) 2001-03-13 2011-10-25 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for resputtering process that improves barrier coverage
US7781327B1 (en) 2001-03-13 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Resputtering process for eliminating dielectric damage
US7186648B1 (en) 2001-03-13 2007-03-06 Novellus Systems, Inc. Barrier first method for single damascene trench applications
US6607977B1 (en) 2001-03-13 2003-08-19 Novellus Systems, Inc. Method of depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications
US6642146B1 (en) 2001-03-13 2003-11-04 Novellus Systems, Inc. Method of depositing copper seed on semiconductor substrates
DE60204759T2 (de) * 2001-04-06 2006-04-27 Sherwood Services Ag Gegossenes und isolierendes scharnier für bipolare instrumente
US6800187B1 (en) 2001-05-31 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus for electrochemically treating wafers
US6551487B1 (en) 2001-05-31 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for controlled-angle wafer immersion
AU2002257299A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-02 Toky0 Electron Limited A closed-drift hall effect plasma vacuum pump for process reactors
US6613199B1 (en) 2001-10-25 2003-09-02 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for physical vapor deposition using an open top hollow cathode magnetron
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
US6755946B1 (en) 2001-11-30 2004-06-29 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with dynamic uniformity control
US7033465B1 (en) 2001-11-30 2006-04-25 Novellus Systems, Inc. Clamshell apparatus with crystal shielding and in-situ rinse-dry
US6683425B1 (en) 2002-02-05 2004-01-27 Novellus Systems, Inc. Null-field magnetron apparatus with essentially flat target
US20040055883A1 (en) * 2002-03-02 2004-03-25 Shinzo Onishi Magnetron sputtering target for non-magnetic materials
US6623610B1 (en) 2002-03-02 2003-09-23 Shinzo Onishi Magnetron sputtering target for magnetic materials
US6765216B2 (en) * 2002-03-04 2004-07-20 Atomic Hydrogen Technologies Ltd. Method and apparatus for producing atomic flows of molecular gases
US6743342B2 (en) * 2002-03-12 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering target with a partially enclosed vault
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6830664B2 (en) * 2002-08-05 2004-12-14 Tegal Corporation Cluster tool with a hollow cathode array
AU2003299015A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Applied Process Technologies, Inc. Beam plasma source
US7411352B2 (en) * 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
US7294209B2 (en) * 2003-01-02 2007-11-13 Cymbet Corporation Apparatus and method for depositing material onto a substrate using a roll-to-roll mask
US20040131760A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 Stuart Shakespeare Apparatus and method for depositing material onto multiple independently moving substrates in a chamber
US7603144B2 (en) * 2003-01-02 2009-10-13 Cymbet Corporation Active wireless tagging system on peel and stick substrate
US6906436B2 (en) * 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
US20040140196A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Applied Materials, Inc. Shaping features in sputter deposition
US8298933B2 (en) 2003-04-11 2012-10-30 Novellus Systems, Inc. Conformal films on semiconductor substrates
US7842605B1 (en) 2003-04-11 2010-11-30 Novellus Systems, Inc. Atomic layer profiling of diffusion barrier and metal seed layers
US7038389B2 (en) * 2003-05-02 2006-05-02 Applied Process Technologies, Inc. Magnetron plasma source
US6929720B2 (en) * 2003-06-09 2005-08-16 Tokyo Electron Limited Sputtering source for ionized physical vapor deposition of metals
KR100727243B1 (ko) * 2003-09-12 2007-06-11 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟트 및 이 타겟트의 표면 끝마무리 방법
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
US7179351B1 (en) 2003-12-15 2007-02-20 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for magnetron sputtering
EP1714333A2 (en) * 2004-01-06 2006-10-25 Cymbet Corporation Layered barrier structure having one or more definable layers and method
AT501143B1 (de) * 2004-05-14 2006-11-15 Hueck Folien Gmbh Sputterkathode zum einsatz im hochvakuum
US7569123B1 (en) 2004-05-25 2009-08-04 Novellus Systems, Inc. Optimizing target erosion using multiple erosion regions in a magnetron sputtering apparatus
US7776478B2 (en) * 2005-07-15 2010-08-17 Cymbet Corporation Thin-film batteries with polymer and LiPON electrolyte layers and method
EP1911118B1 (en) * 2005-07-15 2014-03-05 Cymbet Corporation Thin-film batteries with soft and hard electrolyte layers
US20070012244A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Cymbet Corporation Apparatus and method for making thin-film batteries with soft and hard electrolyte layers
US7498587B2 (en) * 2006-05-01 2009-03-03 Vapor Technologies, Inc. Bi-directional filtered arc plasma source
US7855147B1 (en) 2006-06-22 2010-12-21 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for engineering an interface between a diffusion barrier layer and a seed layer
US7645696B1 (en) 2006-06-22 2010-01-12 Novellus Systems, Inc. Deposition of thin continuous PVD seed layers having improved adhesion to the barrier layer
US7678248B2 (en) * 2006-08-09 2010-03-16 Atomic Energy Council Circulated cooled target
US7510634B1 (en) 2006-11-10 2009-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for deposition and/or etch selectivity
US7682966B1 (en) 2007-02-01 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Multistep method of depositing metal seed layers
FR2912864B1 (fr) * 2007-02-15 2009-07-31 H E F Soc Par Actions Simplifi Dispositif pour generer un plasma froid dans une enceinte sous vide et utilisation du dispositif pour des traitements thermochimiques
US20080285106A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Nikon Corporation Apparatus and Method For Nanoradian Metrology of Changes In Angular Orientation of A Vibrating Mirror Using Multi-Pass Optical Systems
US7897516B1 (en) 2007-05-24 2011-03-01 Novellus Systems, Inc. Use of ultra-high magnetic fields in resputter and plasma etching
US7922880B1 (en) 2007-05-24 2011-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for increasing local plasma density in magnetically confined plasma
US9194036B2 (en) * 2007-09-06 2015-11-24 Infineon Technologies Ag Plasma vapor deposition
US7659197B1 (en) 2007-09-21 2010-02-09 Novellus Systems, Inc. Selective resputtering of metal seed layers
US7985325B2 (en) * 2007-10-30 2011-07-26 Novellus Systems, Inc. Closed contact electroplating cup assembly
US7935231B2 (en) * 2007-10-31 2011-05-03 Novellus Systems, Inc. Rapidly cleanable electroplating cup assembly
US8017523B1 (en) 2008-05-16 2011-09-13 Novellus Systems, Inc. Deposition of doped copper seed layers having improved reliability
KR101560384B1 (ko) * 2008-06-26 2015-10-14 가부시키가이샤 알박 캐소드 유닛 및 이 캐소드 유닛을 구비한 스퍼터링 장치
US20100018857A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Seagate Technology Llc Sputter cathode apparatus allowing thick magnetic targets
US10011917B2 (en) 2008-11-07 2018-07-03 Lam Research Corporation Control of current density in an electroplating apparatus
US11225727B2 (en) 2008-11-07 2022-01-18 Lam Research Corporation Control of current density in an electroplating apparatus
US9512538B2 (en) 2008-12-10 2016-12-06 Novellus Systems, Inc. Plating cup with contoured cup bottom
US8172992B2 (en) * 2008-12-10 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Wafer electroplating apparatus for reducing edge defects
SG171398A1 (en) 2008-12-15 2011-07-28 Ulvac Inc Sputtering apparatus and sputtering method
US8475637B2 (en) * 2008-12-17 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus with vented electrolyte manifold
US20100290575A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Rosenthal Glenn B Particle beam isotope generator apparatus, system and method
US8962085B2 (en) * 2009-06-17 2015-02-24 Novellus Systems, Inc. Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling
US9455139B2 (en) 2009-06-17 2016-09-27 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US9677188B2 (en) 2009-06-17 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US9138784B1 (en) 2009-12-18 2015-09-22 Novellus Systems, Inc. Deionized water conditioning system and methods
US9251837B2 (en) 2012-04-25 2016-02-02 Seagate Technology Llc HAMR NFT materials with improved thermal stability
US9224416B2 (en) 2012-04-24 2015-12-29 Seagate Technology Llc Near field transducers including nitride materials
US8427925B2 (en) 2010-02-23 2013-04-23 Seagate Technology Llc HAMR NFT materials with improved thermal stability
US9385035B2 (en) 2010-05-24 2016-07-05 Novellus Systems, Inc. Current ramping and current pulsing entry of substrates for electroplating
DE102010030608B4 (de) * 2010-06-28 2012-04-05 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vorrichtung zur plasmagestützten Bearbeitung von Substraten
US20120181171A1 (en) * 2011-01-13 2012-07-19 Regents Of The University Of Minnesota Nanoparticle Deposition Systems
US9028666B2 (en) 2011-05-17 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. Wetting wave front control for reduced air entrapment during wafer entry into electroplating bath
US11527774B2 (en) 2011-06-29 2022-12-13 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US11996517B2 (en) 2011-06-29 2024-05-28 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US10601074B2 (en) 2011-06-29 2020-03-24 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US9853325B2 (en) 2011-06-29 2017-12-26 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
KR102112881B1 (ko) 2012-03-28 2020-05-19 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 전자도금 기판 홀더들을 세정하기 위한 방법들 및 장치들
TWI609100B (zh) 2012-03-30 2017-12-21 諾發系統有限公司 使用反向電流除鍍以清洗電鍍基板夾持具
GB201210994D0 (en) 2012-06-21 2012-08-01 Univ Surrey Ion accelerators
BR112015018598B1 (pt) * 2013-02-06 2020-11-03 Arcelormittal Investigación Y Desarrollo Sl fonte de plasma
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
CN105121068A (zh) 2013-02-15 2015-12-02 明尼苏达大学董事会 颗粒功能化
US9746427B2 (en) 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US9613833B2 (en) 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US8830800B1 (en) 2013-06-21 2014-09-09 Seagate Technology Llc Magnetic devices including film structures
US9280989B2 (en) 2013-06-21 2016-03-08 Seagate Technology Llc Magnetic devices including near field transducer
US9058824B2 (en) 2013-06-24 2015-06-16 Seagate Technology Llc Devices including a gas barrier layer
US9245573B2 (en) 2013-06-24 2016-01-26 Seagate Technology Llc Methods of forming materials for at least a portion of a NFT and NFTs formed using the same
US9286931B2 (en) 2013-06-24 2016-03-15 Seagate Technology Llc Materials for near field transducers and near field transducers containing same
JP6038843B2 (ja) 2013-06-24 2016-12-07 シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC 少なくとも1つの相互混合層を含む装置
US9435049B2 (en) 2013-11-20 2016-09-06 Lam Research Corporation Alkaline pretreatment for electroplating
US9697856B2 (en) 2013-12-06 2017-07-04 Seagate Techology LLC Methods of forming near field transducers and near field transducers formed thereby
US9570098B2 (en) 2013-12-06 2017-02-14 Seagate Technology Llc Methods of forming near field transducers and near field transducers formed thereby
DE102014105414A1 (de) 2014-04-16 2015-11-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas
US9305572B2 (en) 2014-05-01 2016-04-05 Seagate Technology Llc Methods of forming portions of near field transducers (NFTS) and articles formed thereby
US9822444B2 (en) 2014-11-11 2017-11-21 Seagate Technology Llc Near-field transducer having secondary atom higher concentration at bottom of the peg
US9620150B2 (en) 2014-11-11 2017-04-11 Seagate Technology Llc Devices including an amorphous gas barrier layer
US9552833B2 (en) 2014-11-11 2017-01-24 Seagate Technology Llc Devices including a multilayer gas barrier layer
US10510364B2 (en) 2014-11-12 2019-12-17 Seagate Technology Llc Devices including a near field transducer (NFT) with nanoparticles
US9481942B2 (en) 2015-02-03 2016-11-01 Lam Research Corporation Geometry and process optimization for ultra-high RPM plating
KR101652041B1 (ko) 2015-02-06 2016-08-29 유옥수 마찰계수 감소와 내경 보강용 디씨 이중벽 하수관
US9617648B2 (en) 2015-03-04 2017-04-11 Lam Research Corporation Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
US20160275972A1 (en) 2015-03-22 2016-09-22 Seagate Technology Llc Devices including metal layer
US9672848B2 (en) 2015-05-28 2017-06-06 Seagate Technology Llc Multipiece near field transducers (NFTS)
WO2016191666A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Seagate Technology Llc Near field transducers (nfts) including barrier layer and methods of forming
US10840105B2 (en) * 2015-06-15 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gate structure with insulating structure and method for manufacturing the same
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
US9852748B1 (en) 2015-12-08 2017-12-26 Seagate Technology Llc Devices including a NFT having at least one amorphous alloy layer
US11359274B2 (en) 2015-12-21 2022-06-14 IonQuestCorp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
US11823859B2 (en) 2016-09-09 2023-11-21 Ionquest Corp. Sputtering a layer on a substrate using a high-energy density plasma magnetron
US10957519B2 (en) 2015-12-21 2021-03-23 Ionquest Corp. Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films
US9951414B2 (en) 2015-12-21 2018-04-24 IonQuest LLC Magnetically enhanced high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond-like films
US11482404B2 (en) 2015-12-21 2022-10-25 Ionquest Corp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
WO2019173626A1 (en) 2018-03-07 2019-09-12 Space Charge, LLC Thin-film solid-state energy-storage devices

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3369990A (en) * 1964-12-31 1968-02-20 Ibm Cathodic sputtering apparatus including thermionic means for increasing sputtering efficiency
US3962988A (en) * 1973-03-05 1976-06-15 Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region
US4039416A (en) * 1975-04-21 1977-08-02 White Gerald W Gasless ion plating
US4046660A (en) * 1975-12-29 1977-09-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Sputter coating with charged particle flux control
US4655893A (en) * 1983-02-07 1987-04-07 Battelle Development Corporation Cubic boron nitride preparation utilizing a boron and nitrogen bearing gas
US4420386A (en) * 1983-04-22 1983-12-13 White Engineering Corporation Method for pure ion plating using magnetic fields
JPS6046368A (ja) * 1983-08-23 1985-03-13 Showa Denko Kk スパツタリングタ−ゲツト
CH659484A5 (de) * 1984-04-19 1987-01-30 Balzers Hochvakuum Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung.
DE3566194D1 (en) * 1984-08-31 1988-12-15 Hitachi Ltd Microwave assisting sputtering
JPS6188511A (ja) * 1984-10-05 1986-05-06 Nec Kansai Ltd 磁性体薄膜製作方法
JPH0697660B2 (ja) * 1985-03-23 1994-11-30 日本電信電話株式会社 薄膜形成方法
US4588490A (en) * 1985-05-22 1986-05-13 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced magnetron sputter device
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
EP0283519B1 (en) * 1986-09-29 1994-04-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Ion generation apparatus, thin film formation apparatus using the ion generation apparatus, and ion source
JPS6393881A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPS6396283A (ja) * 1986-10-11 1988-04-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> イオン源
US4824544A (en) * 1987-10-29 1989-04-25 International Business Machines Corporation Large area cathode lift-off sputter deposition device
US4915805A (en) * 1988-11-21 1990-04-10 At&T Bell Laboratories Hollow cathode type magnetron apparatus construction
US4925542A (en) * 1988-12-08 1990-05-15 Trw Inc. Plasma plating apparatus and method
DE3844064A1 (de) * 1988-12-28 1990-07-05 Leybold Ag Katodenzerstaeubungsvorrichtung nach dem magnetron-prinzip mit einer hohlkatode und einem zylindrischen target
US5178743A (en) * 1989-06-15 1993-01-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Cylindrical magnetron sputtering system
US5045166A (en) * 1990-05-21 1991-09-03 Mcnc Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge
US5073245A (en) * 1990-07-10 1991-12-17 Hedgcoth Virgle L Slotted cylindrical hollow cathode/magnetron sputtering device
US5069770A (en) * 1990-07-23 1991-12-03 Eastman Kodak Company Sputtering process employing an enclosed sputtering target
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
JP2634339B2 (ja) * 1991-10-11 1997-07-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スパッタ装置
JP3069180B2 (ja) * 1991-11-15 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 中空形状マグネトロンスパッタ電極
JPH062125A (ja) * 1992-06-16 1994-01-11 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JP3094050B2 (ja) * 1992-12-09 2000-10-03 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリングガン

Also Published As

Publication number Publication date
TW301839B (ko) 1997-04-01
DE69404597D1 (de) 1997-09-04
US5482611A (en) 1996-01-09
EP0647962B1 (en) 1997-07-30
JPH07183219A (ja) 1995-07-21
EP0647962A1 (en) 1995-04-12
JP3611132B2 (ja) 2005-01-19
KR100302818B1 (ko) 2001-12-01
DE69404597T2 (de) 1997-11-27

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