JP2002531690A - インサートターゲットアセンブリとそれを製造する方法 - Google Patents
インサートターゲットアセンブリとそれを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】
二つの部分から成る中空カソードスパッターターゲットアセンブリを製造する方法とそれによって製造されるアセンブリ。このスパッターターゲットアセンブリは、実質的に円筒形の側壁を有する開放室（３３）を定める、割合に低純度の材料から成る外殻（１２）を有する。スパッターリングインサート（１４）は実質的に円筒形の側壁を有し、外殻（１２）内に同心に収容され、この外殻に接合されている。スパッターリング材料は、所望の基板上に薄層または薄膜を蒸着するのに使用されるような、割合に高純度の金属材料から成る。スパッターリングインサート（１４）の合せ表面（４８、５６）は、スパッターリング面を形成し、この面は開放室（５９）を定め、また外殻（１２）の合せ表面（２４、２８）と嵌め合されている。外表面（７０）を有するプラグ（６８）をこのアセンブリの製造時に使用し、外殻（１２）およびスパッターリングインサート（１４）の変形またはつぶれを防ぐようにする。このアセンブリの製造時に使用される上部閉鎖板（７２）は、あとで除去される。
Description
【０００１】 本発明は、スパッターターゲットアセンブリを製造する方法とそれらの方法に
よって製造されるスパッターターゲットアセンブリに関する。より詳しくは、本
発明は、ポット形または中空カソードスパッターターゲットアセンブリ、および
そのようなアセンブリを製造する方法に関する。
よって製造されるスパッターターゲットアセンブリに関する。より詳しくは、本
発明は、ポット形または中空カソードスパッターターゲットアセンブリ、および
そのようなアセンブリを製造する方法に関する。
【０００２】 カソードスパッターリングは、スパッターターゲットから所望の基板上に材料
の薄層または薄膜を蒸着させるために広く使用されている。基本的には、スパッ
ターターゲットを有するカソードアセンブリが、アノードとともに、不活性ガス
好ましくはアルゴンを充填した室内に配置される。所望の基板を前記室内におい
てアノードの近くに配置し、受け面を、カソードアセンブリとアノードとの間の
通路に垂直になるように配向する。高圧電場をカソードアセンブリとアノードと
の間に印加する。
の薄層または薄膜を蒸着させるために広く使用されている。基本的には、スパッ
ターターゲットを有するカソードアセンブリが、アノードとともに、不活性ガス
好ましくはアルゴンを充填した室内に配置される。所望の基板を前記室内におい
てアノードの近くに配置し、受け面を、カソードアセンブリとアノードとの間の
通路に垂直になるように配向する。高圧電場をカソードアセンブリとアノードと
の間に印加する。
【０００３】 カソードアセンブリから放出される電子は不活性ガスをイオン化する。すると
、電場により、不活性ガスの正帯電イオンがスパッターターゲットのスパッター
リング面に向かって駆動される。イオン衝撃によりスパッターターゲットから叩
き出された物質は室内を横断して、基板の受け面に付着して薄層または薄膜を形
成する。
、電場により、不活性ガスの正帯電イオンがスパッターターゲットのスパッター
リング面に向かって駆動される。イオン衝撃によりスパッターターゲットから叩
き出された物質は室内を横断して、基板の受け面に付着して薄層または薄膜を形
成する。
【０００４】 スパッターターゲットは、スパッターリング工程中、衝撃ガスイオンの熱エネ
ルギーによって加熱される。通常のカソードターゲットアセンブリの場合、ター
ゲットには、非磁性支持板が取りつけられる。通常、この支持板は水冷され、タ
ーゲットのイオン衝撃によって発生する熱が運び去られる。
ルギーによって加熱される。通常のカソードターゲットアセンブリの場合、ター
ゲットには、非磁性支持板が取りつけられる。通常、この支持板は水冷され、タ
ーゲットのイオン衝撃によって発生する熱が運び去られる。
【０００５】 カソードスパッターリングによる基板の被覆のための、一つのタイプの公知シ
ステムは、基板とアノードに対面する開放端を備えた中空本体を有するカソード
を有している。一連の磁石を、磁場によってイオン化を最適化するために、中空
カソード本体の回りに備えることができる。そのようにすれば、基板の被覆率と
被覆均一性とが改善される。そのような中空カソードアセンブリの例は、米国特
許第５，９８５，１１５号（Ｈａｒｔｓｏｕｇｈほか）、第４，９６６，６７７
号（Ａｉｃｈｅｒｔほか）、および第５，７２８，２８０号（Ｓｃｈｅｒｅｒ）
明細書に開示されている。これらの明細書を参照されたい。
ステムは、基板とアノードに対面する開放端を備えた中空本体を有するカソード
を有している。一連の磁石を、磁場によってイオン化を最適化するために、中空
カソード本体の回りに備えることができる。そのようにすれば、基板の被覆率と
被覆均一性とが改善される。そのような中空カソードアセンブリの例は、米国特
許第５，９８５，１１５号（Ｈａｒｔｓｏｕｇｈほか）、第４，９６６，６７７
号（Ａｉｃｈｅｒｔほか）、および第５，７２８，２８０号（Ｓｃｈｅｒｅｒ）
明細書に開示されている。これらの明細書を参照されたい。
【０００６】 商業グレードの材料として入手できるものよりも高純度で、一般に、チタン、
銅、タンタル、コバルト、タングステン、およびアルミニウムを含むグループか
ら選択される高純度金属および合金が、通常のターゲットカソードアセンブリの
スパッターリング材料として使用される。そのような高純度金属および合金は、
入手が容易でなく、かつ高価であることが多いということが理解されるであろう
。また、通常のターゲットカソードアセンブリスパッターリング材料は、割合に
大きな比重を有し、したがって重すぎるために取扱いにくい。
銅、タンタル、コバルト、タングステン、およびアルミニウムを含むグループか
ら選択される高純度金属および合金が、通常のターゲットカソードアセンブリの
スパッターリング材料として使用される。そのような高純度金属および合金は、
入手が容易でなく、かつ高価であることが多いということが理解されるであろう
。また、通常のターゲットカソードアセンブリスパッターリング材料は、割合に
大きな比重を有し、したがって重すぎるために取扱いにくい。
【０００７】 前記の従来の中空カソードターゲットアセンブリは一体構造であるため、全体
が、高価でまたしばしば割合に重い高純度金属および合金で製造される。さらに
、そのような中空カソードターゲットアセンブリは、一般に、交換が必要になっ
たときスパッターリング材料の大きな部分が未使用のままであるという意味で、
非効率的なものである。
が、高価でまたしばしば割合に重い高純度金属および合金で製造される。さらに
、そのような中空カソードターゲットアセンブリは、一般に、交換が必要になっ
たときスパッターリング材料の大きな部分が未使用のままであるという意味で、
非効率的なものである。
【０００８】 したがって、高価な高純度スパッターリング材料の使用効率を高め、またアセ
ンブリの総重量を全体的に低下させる中空カソードターゲットアセンブリに対す
る要求が依然として存在する。また、そのような中空カソードターゲットアセン
ブリを製造する方法に対する要求が存在する。
ンブリの総重量を全体的に低下させる中空カソードターゲットアセンブリに対す
る要求が依然として存在する。また、そのような中空カソードターゲットアセン
ブリを製造する方法に対する要求が存在する。
【０００９】 本発明は、二つの部分から成るポット形すなわち中空のカソードスパッタータ
ーゲットアセンブリを提供する。該アセンブリは、安価で低純度の、好ましくは
軽量の材料から成り外殻に同心に収容される、高純度スパッターリング材料から
成るスパッターリングインサートを有する。
ーゲットアセンブリを提供する。該アセンブリは、安価で低純度の、好ましくは
軽量の材料から成り外殻に同心に収容される、高純度スパッターリング材料から
成るスパッターリングインサートを有する。
【００１０】 より詳しくは、本発明は、内表面と外表面とを有し、軸線を定める実質的に円
筒形の側壁を有するスパッターリングインサートを有するスパッターターゲット
アセンブリを意図する。前記スパッターリングインサートの一端は、前記側壁の
前記内表面につながる内表面を有する、前記側壁につながる実質的に平坦な端壁
によって閉鎖されている。前記スパッターリングインサートの反対端は開放され
ており、前記側壁および端壁の内表面がカップ形のスパッターリング面を定める
ようになっている。
筒形の側壁を有するスパッターリングインサートを有するスパッターターゲット
アセンブリを意図する。前記スパッターリングインサートの一端は、前記側壁の
前記内表面につながる内表面を有する、前記側壁につながる実質的に平坦な端壁
によって閉鎖されている。前記スパッターリングインサートの反対端は開放され
ており、前記側壁および端壁の内表面がカップ形のスパッターリング面を定める
ようになっている。
【００１１】 スパッターリングインサートは外殻内に同心に収容される。この外殻は内表面
と外表面とを有する実質的に円筒形の側壁を有する。実質的に平坦な端壁がこの
外殻の一端で側壁につながっており、またこの端壁は内表面を有する。外殻の側
壁および端壁の内表面は、スパッターリングインサートと外殻との間にある界面
領域に沿って、スパッターリングインサートの側壁および端壁の外表面に嵌め合
せるのに適するようになっている。界面領域は、軸線と同軸に延びる実質的に円
筒形の部分を有する。
と外表面とを有する実質的に円筒形の側壁を有する。実質的に平坦な端壁がこの
外殻の一端で側壁につながっており、またこの端壁は内表面を有する。外殻の側
壁および端壁の内表面は、スパッターリングインサートと外殻との間にある界面
領域に沿って、スパッターリングインサートの側壁および端壁の外表面に嵌め合
せるのに適するようになっている。界面領域は、軸線と同軸に延びる実質的に円
筒形の部分を有する。
【００１２】 スパッターリングインサートは、好ましくは、高純度のチタン、銅、タンタル
、コバルト、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成るグルー
プから選択される第一の金属材料から成る。外殻は、好ましくは、低純度のアル
ミニウム、銅、鋼、チタン、およびこれらの合金から成るグループから選択され
る第二の金属材料から成る。第一の金属材料はそれぞれの第二の金属材料よりも
有意に高い純度を有する。
、コバルト、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成るグルー
プから選択される第一の金属材料から成る。外殻は、好ましくは、低純度のアル
ミニウム、銅、鋼、チタン、およびこれらの合金から成るグループから選択され
る第二の金属材料から成る。第一の金属材料はそれぞれの第二の金属材料よりも
有意に高い純度を有する。
【００１３】 前記の、二つの部分から成る中空カソードスパッターターゲットアセンブリを
製造する本発明の方法の一つの実施態様は、第一の金属材料のブランクを、実質
的に円筒形の側壁と端壁とを有するスパッターリングインサートに成形し、側壁
と端壁が合せ外表面とスパッターリング内表面とを定めるようにするステップを
含む。第二の金属材料のブランクは、実質的に円筒形の側壁と端壁とを有する外
殻に成形し、この側壁と端壁が合せ内表面を定めるようにする。
製造する本発明の方法の一つの実施態様は、第一の金属材料のブランクを、実質
的に円筒形の側壁と端壁とを有するスパッターリングインサートに成形し、側壁
と端壁が合せ外表面とスパッターリング内表面とを定めるようにするステップを
含む。第二の金属材料のブランクは、実質的に円筒形の側壁と端壁とを有する外
殻に成形し、この側壁と端壁が合せ内表面を定めるようにする。
【００１４】 スパッターリングインサートを外殻内に同心に配置し、そのあと、実質的に円
筒形のプラグをスパッターリングインサート内に同心に配置する。次に、このス
パッターリングインサートとプラグを高温静水圧圧縮缶内に配置する。それから
、閉鎖板をこの缶に取りつけて、空密の缶アセンブリを作る。このとき、残留空
気を缶アセンブリから排気する。次に、缶アセンブリを所定の圧力において所定
の時間にわたって所定の温度に加熱し、それによってスパッターリングインサー
トが外殻に拡散接合するようにすることができる。
筒形のプラグをスパッターリングインサート内に同心に配置する。次に、このス
パッターリングインサートとプラグを高温静水圧圧縮缶内に配置する。それから
、閉鎖板をこの缶に取りつけて、空密の缶アセンブリを作る。このとき、残留空
気を缶アセンブリから排気する。次に、缶アセンブリを所定の圧力において所定
の時間にわたって所定の温度に加熱し、それによってスパッターリングインサー
トが外殻に拡散接合するようにすることができる。
【００１５】 本発明の方法の第一の代替実施態様は、外殻とスパッターリングインサートを
前述のように成形するが、室温での締り嵌めを行うようなやり方で成形するステ
ップを含む。より詳しくは、周囲室温において、外殻の側壁の内径がスパッター
リングインサートの外径よりも小さくなるように前記内径を選択する。好ましく
は、スパッターリングインサートを周囲室温以下の第一の所定温度とし、外殻を
周囲室温よりも高い第二の所定温度に加熱する。次に、スパッターリングインサ
ートを外殻内に滑動自在に収容する。次に、必要であれば、スパッターリングイ
ンサートを加熱し、また外殻を周囲室温まで冷却し、外殻がスパッターリングイ
ンサートに接触して、スパッターリングインサートの側壁と外殻の側壁との間で
室温での締り嵌めが与えられるようにする。
前述のように成形するが、室温での締り嵌めを行うようなやり方で成形するステ
ップを含む。より詳しくは、周囲室温において、外殻の側壁の内径がスパッター
リングインサートの外径よりも小さくなるように前記内径を選択する。好ましく
は、スパッターリングインサートを周囲室温以下の第一の所定温度とし、外殻を
周囲室温よりも高い第二の所定温度に加熱する。次に、スパッターリングインサ
ートを外殻内に滑動自在に収容する。次に、必要であれば、スパッターリングイ
ンサートを加熱し、また外殻を周囲室温まで冷却し、外殻がスパッターリングイ
ンサートに接触して、スパッターリングインサートの側壁と外殻の側壁との間で
室温での締り嵌めが与えられるようにする。
【００１６】 本発明の方法の第二の代替実施態様においては、第一の金属材料から成り第一
の合せ表面を有する実質的に平坦なスパッターリングブランクが作られる。同様
に、第二の金属材料から成り第二の合せ表面を有する実質的に平坦な外殻ブラン
クが作られる。この外殻ブランクをスパッターリングブランクと接合して、ブラ
ンクアセンブリを成形する。
の合せ表面を有する実質的に平坦なスパッターリングブランクが作られる。同様
に、第二の金属材料から成り第二の合せ表面を有する実質的に平坦な外殻ブラン
クが作られる。この外殻ブランクをスパッターリングブランクと接合して、ブラ
ンクアセンブリを成形する。
【００１７】 接合は、好ましくは、第一および第二の金属材料の融点よりも低い所定の温度
で第一の合せ表面を第二の合せ表面に圧縮合体させ、第一および第二の合せ表面
に沿って拡散接合が形成されてブランクアセンブリが与えられるようにすること
によって実現される。次に、このブランクアセンブリを、通常の金属加工法によ
りカップ形のスパッターターゲットアセンブリに成形する。このスパッターター
ゲットアセンブリは、外殻ブランクから成る外殻とスパッターリングブランクか
ら成るスパッターリングインサートとを有し、このときスパッターリングインサ
ートは外殻内に同心に配置される。このスパッターターゲットアセンブリは、外
殻によって定められる円筒形の外壁とスパッターリングインサートによって定め
られる円筒形の内壁とを有し、ここで円筒形の内壁は円筒形の外壁に接合されて
いる。
で第一の合せ表面を第二の合せ表面に圧縮合体させ、第一および第二の合せ表面
に沿って拡散接合が形成されてブランクアセンブリが与えられるようにすること
によって実現される。次に、このブランクアセンブリを、通常の金属加工法によ
りカップ形のスパッターターゲットアセンブリに成形する。このスパッターター
ゲットアセンブリは、外殻ブランクから成る外殻とスパッターリングブランクか
ら成るスパッターリングインサートとを有し、このときスパッターリングインサ
ートは外殻内に同心に配置される。このスパッターターゲットアセンブリは、外
殻によって定められる円筒形の外壁とスパッターリングインサートによって定め
られる円筒形の内壁とを有し、ここで円筒形の内壁は円筒形の外壁に接合されて
いる。
【００１８】 以上のことからわかるように、本発明の一つの目的は、完全には処理されない
高価なスパッターリング材料の量を減少させることにより材料効率を高める中空
カソードターゲットアセンブリを提供することである。
高価なスパッターリング材料の量を減少させることにより材料効率を高める中空
カソードターゲットアセンブリを提供することである。
【００１９】 本発明のもう一つの目的は、軽量でしたがって取扱いの容易な中空カソードタ
ーゲットアセンブリを提供することである。
ーゲットアセンブリを提供することである。
【００２０】 本発明のもう一つの目的は、安価な中空カソードターゲットアセンブリを提供
することである。
することである。
【００２１】 本発明のもう一つの目的は、高純度のスパッターリングインサートを同心に収
容する割合に安価な外殻を備えることにより、前記中空カソードターゲットアセ
ンブリを製造する方法を提供することである。
容する割合に安価な外殻を備えることにより、前記中空カソードターゲットアセ
ンブリを製造する方法を提供することである。
【００２２】 本発明のもう一つの目的は、適当な接合強度を与える中空カソードターゲット
アセンブリを製造する前記のような方法を提供することである。
アセンブリを製造する前記のような方法を提供することである。
【００２３】 本発明のその他の目的および利点は、以下の説明、添付の図面、および特許請
求の範囲により、明らかになるであろう。
求の範囲により、明らかになるであろう。
【００２４】 まず、図１〜３を参照すると、本発明のスパッターターゲットアセンブリ１０
は、外殻１２を有し、外殻１２はスパッターリングインサート１４に接合されて
いる。スパッターリングインサート１４は、好ましくは、高純度のチタン、銅、
タンタル、コバルト、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成
るグループから選択される第一の金属材料から成る。第一の金属材料のこのグル
ープは、工業銘柄の材料として入手できるものよりも高い純度であるという意味
で割合に高純度を有する。スパッターリングインサート１４として使用する特定
材料は、いくつかの非限定的な基準、たとえばエッチング能力、製造の容易さ、
および抵抗率にもとづいて、前記グループから選択することができる。外殻１２
は、好ましくは、割合に低純度のアルミニウム、銅、鋼、チタン、およびこれら
の合金から成るグループから選択される第二の金属材料から成る。この第二の金
属材料は、一般に工業銘柄のものであり、第一の金属材料よりも有意に低い純度
を有する。
は、外殻１２を有し、外殻１２はスパッターリングインサート１４に接合されて
いる。スパッターリングインサート１４は、好ましくは、高純度のチタン、銅、
タンタル、コバルト、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成
るグループから選択される第一の金属材料から成る。第一の金属材料のこのグル
ープは、工業銘柄の材料として入手できるものよりも高い純度であるという意味
で割合に高純度を有する。スパッターリングインサート１４として使用する特定
材料は、いくつかの非限定的な基準、たとえばエッチング能力、製造の容易さ、
および抵抗率にもとづいて、前記グループから選択することができる。外殻１２
は、好ましくは、割合に低純度のアルミニウム、銅、鋼、チタン、およびこれら
の合金から成るグループから選択される第二の金属材料から成る。この第二の金
属材料は、一般に工業銘柄のものであり、第一の金属材料よりも有意に低い純度
を有する。
【００２５】 外殻１２は、カップ形であり、また中心軸線１８を定める実質的に円筒形の側
壁１６を有する。外殻１２の第一の端２０は、実質的に平坦な端壁２２によって
閉鎖されており、端壁２２は側壁１６につながっていて、また軸線１８と実質的
に直交するように広がっている。側壁１６は、合せ内表面または第一の合せ表面
２４および外表面２６を有する。同様に、端壁２２は、合せ内表面または第一の
合せ表面２８および外表面３０を有する。外殻１２の第二の端３２は、開放され
たままであり、開放室３３を定める。
壁１６を有する。外殻１２の第一の端２０は、実質的に平坦な端壁２２によって
閉鎖されており、端壁２２は側壁１６につながっていて、また軸線１８と実質的
に直交するように広がっている。側壁１６は、合せ内表面または第一の合せ表面
２４および外表面２６を有する。同様に、端壁２２は、合せ内表面または第一の
合せ表面２８および外表面３０を有する。外殻１２の第二の端３２は、開放され
たままであり、開放室３３を定める。
【００２６】 開放されている第二の端３２に近い側壁１６は、側壁１６から半径方向外側に
延びる環状フランジ３４から成る取りつけ要素を支持している。複数の取りつけ
孔３６が、取りつけフランジ３４の外円周に沿って等間隔に配置してある。環状
溝３８が、開放されている第二の端３２の近くから閉鎖されている第一の端２０
に向って取りつけフランジ３４内を延びている。シール部材好ましくはＯリング
４０が、環状溝３８内に収容されており、外殻１２とスパッターリングシステム
の壁（図示せず）との間のシールを与えるようになっている。
延びる環状フランジ３４から成る取りつけ要素を支持している。複数の取りつけ
孔３６が、取りつけフランジ３４の外円周に沿って等間隔に配置してある。環状
溝３８が、開放されている第二の端３２の近くから閉鎖されている第一の端２０
に向って取りつけフランジ３４内を延びている。シール部材好ましくはＯリング
４０が、環状溝３８内に収容されており、外殻１２とスパッターリングシステム
の壁（図示せず）との間のシールを与えるようになっている。
【００２７】 同様に、環状くぼみ４２が、取りつけフランジ３４内に成形してあり、環状溝
３８と連絡している。環状くぼみ４２は、外殻１２とスパッターリングシステム
の壁との間の絶縁を行うための絶縁部材（図示せず）を収容するのに適するよう
になっている。側壁１６は、開放されている第二の端３２の近くにあって軸線１
８から半径方向外側に延びる収容ノッチ４４を有している。
３８と連絡している。環状くぼみ４２は、外殻１２とスパッターリングシステム
の壁との間の絶縁を行うための絶縁部材（図示せず）を収容するのに適するよう
になっている。側壁１６は、開放されている第二の端３２の近くにあって軸線１
８から半径方向外側に延びる収容ノッチ４４を有している。
【００２８】 スパッターリングインサート１４は、カップ形であって、外殻１２内に同心に
収容されている。スパッターリングインサート１４は、実質的に円筒形の側壁４
６を有し、側壁４６は、内表面４８および合せ外表面または第二の合せ表面５０
を有する。スパッターリングインサート１４の第一の端５２は、実質的に平坦な
端壁５４によって閉鎖されており、端壁５４は、側壁４６につながっており、ま
た軸線１８と実質的に直交して広がっている。端壁５４は、内表面５６と合せ外
表面または第二の合せ表面５８を有する。側壁４６および端壁５４の内表面４８
および５６は、開放室５９を定めるスパッターリング面を形成する。スパッター
リングインサート１４の開放端６０に近い側壁４６は、外殻１２の収容ノッチ４
４と係合するための半径方向外側に延びるリップ６２を有する。容易に理解でき
るように、リップ６２は、スパッターターゲットアセンブリ１０の末端を与え、
スパッターリングインサート１４の高純度の第一の金属材料のみから成る。
収容されている。スパッターリングインサート１４は、実質的に円筒形の側壁４
６を有し、側壁４６は、内表面４８および合せ外表面または第二の合せ表面５０
を有する。スパッターリングインサート１４の第一の端５２は、実質的に平坦な
端壁５４によって閉鎖されており、端壁５４は、側壁４６につながっており、ま
た軸線１８と実質的に直交して広がっている。端壁５４は、内表面５６と合せ外
表面または第二の合せ表面５８を有する。側壁４６および端壁５４の内表面４８
および５６は、開放室５９を定めるスパッターリング面を形成する。スパッター
リングインサート１４の開放端６０に近い側壁４６は、外殻１２の収容ノッチ４
４と係合するための半径方向外側に延びるリップ６２を有する。容易に理解でき
るように、リップ６２は、スパッターターゲットアセンブリ１０の末端を与え、
スパッターリングインサート１４の高純度の第一の金属材料のみから成る。
【００２９】 外殻１２の合せ内表面または第一の合せ表面２４および２８は、スパッターリ
ングインサート１４と外殻１２との間の界面領域６４に沿ってスパッターリング
インサート１４の合せ内表面または第二の合せ表面４８および５６と嵌め合せる
のに適するようになっている。界面領域６４は、軸線１８と同軸に延びる実質的
に円筒形の部分６６を有している（図２）。
ングインサート１４と外殻１２との間の界面領域６４に沿ってスパッターリング
インサート１４の合せ内表面または第二の合せ表面４８および５６と嵌め合せる
のに適するようになっている。界面領域６４は、軸線１８と同軸に延びる実質的
に円筒形の部分６６を有している（図２）。
【００３０】 次に、図４と５を参照すると、本発明のスパッターターゲットアセンブリ１０
の製造の第一の好ましい実施形態が示してある。最初に、スパッターリングイン
サート１４が通常の金属加工法によって第一の金属材料のブランクから成形され
る。同様に、第二の金属材料のブランクが通常の金属加工法により外殻１２に成
形される。これらの通常の金属加工法は好ましくはスピニングまたは深絞り作業
から成る。外殻１２およびスパッターリングインサート１４をこのように成形し
たら、必要に応じて適当な寸法に機械加工することができる。実験によって明ら
かになった注意すべきことは、最終的な接合ターゲットアセンブリ１０は拡散接
合時に収縮することがあり、したがってスパッターリングインサート１４の寸法
をそのような収縮を見越して調節すべきである、ということである。
の製造の第一の好ましい実施形態が示してある。最初に、スパッターリングイン
サート１４が通常の金属加工法によって第一の金属材料のブランクから成形され
る。同様に、第二の金属材料のブランクが通常の金属加工法により外殻１２に成
形される。これらの通常の金属加工法は好ましくはスピニングまたは深絞り作業
から成る。外殻１２およびスパッターリングインサート１４をこのように成形し
たら、必要に応じて適当な寸法に機械加工することができる。実験によって明ら
かになった注意すべきことは、最終的な接合ターゲットアセンブリ１０は拡散接
合時に収縮することがあり、したがってスパッターリングインサート１４の寸法
をそのような収縮を見越して調節すべきである、ということである。
【００３１】 次に、実質的に円筒形の中実プラグ６８がスパッターリングインサート１４に
挿入される。プラグ６８は、外殻１２およびスパッターリングインサート１４が
後続の接合作業時に変形またはつぶれを起すのを防ぐために使用する。プラグ６
８は好ましくはアルミニウム、鋼、またはグラファイトから成るが、熱的性質、
機械加工の容易さ、および価格の点から、アルミニウムが好ましい材料である。
また、プラグ６８は好ましくは窒化ホウ素で被覆し、後続の接合作業後の取りは
ずしが容易になるようにする。好ましくは、外殻１２の側壁１６とスパッターリ
ングインサート１４の側壁４６との間に、０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）
の間隙を与えるようにする。同様に、好ましくは、スパッターリングインサート
１４の側壁４６とプラグ６８の外表面７０との間に、０．１２７ｍｍ（０．００
５インチ）の間隙を与えるようにする。
挿入される。プラグ６８は、外殻１２およびスパッターリングインサート１４が
後続の接合作業時に変形またはつぶれを起すのを防ぐために使用する。プラグ６
８は好ましくはアルミニウム、鋼、またはグラファイトから成るが、熱的性質、
機械加工の容易さ、および価格の点から、アルミニウムが好ましい材料である。
また、プラグ６８は好ましくは窒化ホウ素で被覆し、後続の接合作業後の取りは
ずしが容易になるようにする。好ましくは、外殻１２の側壁１６とスパッターリ
ングインサート１４の側壁４６との間に、０．１２７ｍｍ（０．００５インチ）
の間隙を与えるようにする。同様に、好ましくは、スパッターリングインサート
１４の側壁４６とプラグ６８の外表面７０との間に、０．１２７ｍｍ（０．００
５インチ）の間隙を与えるようにする。
【００３２】 外殻１２、スパッターリングインサート１４、およびプラグ６８をすべて同心
に配置したあと、上部閉鎖板７２を外殻１２に溶接して、図５に示すような、空
密閉鎖状態を与える缶アセンブリ７４を作る。閉鎖板７２は、好ましくは、真空
雰囲気中での電子ビーム溶接によって外殻１２に溶接する。この真空中での電子
ビーム溶接の方法は当業者に周知であり、また前記目的のために使用できるいろ
いろな電子ビーム溶接機が市販されている。
に配置したあと、上部閉鎖板７２を外殻１２に溶接して、図５に示すような、空
密閉鎖状態を与える缶アセンブリ７４を作る。閉鎖板７２は、好ましくは、真空
雰囲気中での電子ビーム溶接によって外殻１２に溶接する。この真空中での電子
ビーム溶接の方法は当業者に周知であり、また前記目的のために使用できるいろ
いろな電子ビーム溶接機が市販されている。
【００３３】 次に、缶アセンブリ７４を高温静水圧圧縮（ＨＩＰ）室７６内に配置し、所定
の温度と圧力において所定の時間にわたってＨＩＰプロセスを実施する。一般に
、缶アセンブリ７４は、加圧ガス通常アルゴンにより、すべての側面から等しい
圧力を受ける。このＨＩＰプロセスのために使用する特定条件は、外殻１２とス
パッターリングインサート１４との間に強固な接合を形成させるのに必要な条件
を満たすように選択する。
の温度と圧力において所定の時間にわたってＨＩＰプロセスを実施する。一般に
、缶アセンブリ７４は、加圧ガス通常アルゴンにより、すべての側面から等しい
圧力を受ける。このＨＩＰプロセスのために使用する特定条件は、外殻１２とス
パッターリングインサート１４との間に強固な接合を形成させるのに必要な条件
を満たすように選択する。
【００３４】 好ましいＨＩＰプロセスの場合、スパッターリングインサート１４はタンタル
から成り、低純度外殻１２はアルミニウムから成る。缶アセンブリ７４は、１０
．１７〜１０．３５メガパスカル（ＭＰａ）の範囲の圧力で、約５６５（±４）
℃の温度にさらすことができる。好ましくは、これらのパラメータを、３±１時
間維持する。高温静水圧圧縮法は、米国特許第５，２３４，４８７号（Ｗｉｃｋ
ｅｒｓｈａｍほか）および第５，２３０，４５９号（Ｍｕｅｌｌｅｒほか）明細
書に詳しく述べてある。これらの明細書を参照されたい。
から成り、低純度外殻１２はアルミニウムから成る。缶アセンブリ７４は、１０
．１７〜１０．３５メガパスカル（ＭＰａ）の範囲の圧力で、約５６５（±４）
℃の温度にさらすことができる。好ましくは、これらのパラメータを、３±１時
間維持する。高温静水圧圧縮法は、米国特許第５，２３４，４８７号（Ｗｉｃｋ
ｅｒｓｈａｍほか）および第５，２３０，４５９号（Ｍｕｅｌｌｅｒほか）明細
書に詳しく述べてある。これらの明細書を参照されたい。
【００３５】 ＨＩＰプロセスが完了したら、閉鎖板７２を機械加工により除去し、プラグ６
８をスパッターリングインサート１４内から取り出す。必要であれば、そのあと
このアセンブリを通常の手段により機械加工して所定の寸法とし、最終スパッタ
ーゲットアセンブリ１０とすることができる。
８をスパッターリングインサート１４内から取り出す。必要であれば、そのあと
このアセンブリを通常の手段により機械加工して所定の寸法とし、最終スパッタ
ーゲットアセンブリ１０とすることができる。
【００３６】 外殻１２内にスパッターリングインサート１４を接合する第二の好ましい方法
は、室温において、外殻１２の側壁１６とスパッターリングインサート１４の側
壁４６との間に締めしろが与えられる焼嵌め接合法から成る。より詳しくは、こ
の焼嵌め接合を与えるステップは、スパッターリングインサート１４を周囲室温
以下の第一の所定温度とすることを含む。スパッターリングインサート１４は室
温よりも低い温度に冷却することができる。外殻１２は周囲室温よりも高い第二
の所定温度に加熱することができる。次に、第一の温度のスパッターリングイン
サート１４を、高い第二の温度の外殻１２内に同心に配置する。次に、スパッタ
ーリングインサート１４と外殻１２を、必要に応じて加熱および冷却することに
より、周囲室温に戻す。そうすると、外殻１２は収縮して、室温における、外殻
１２の側壁１６とスパッターリングインサート１４の側壁４６との間の締り嵌め
を与える。スパッターリングインサート１４が周囲室温よりも低い第一の温度か
ら加熱されると、膨張し、したがって側壁１６と４６との間のさらなる締めしろ
が与えられる。
は、室温において、外殻１２の側壁１６とスパッターリングインサート１４の側
壁４６との間に締めしろが与えられる焼嵌め接合法から成る。より詳しくは、こ
の焼嵌め接合を与えるステップは、スパッターリングインサート１４を周囲室温
以下の第一の所定温度とすることを含む。スパッターリングインサート１４は室
温よりも低い温度に冷却することができる。外殻１２は周囲室温よりも高い第二
の所定温度に加熱することができる。次に、第一の温度のスパッターリングイン
サート１４を、高い第二の温度の外殻１２内に同心に配置する。次に、スパッタ
ーリングインサート１４と外殻１２を、必要に応じて加熱および冷却することに
より、周囲室温に戻す。そうすると、外殻１２は収縮して、室温における、外殻
１２の側壁１６とスパッターリングインサート１４の側壁４６との間の締り嵌め
を与える。スパッターリングインサート１４が周囲室温よりも低い第一の温度か
ら加熱されると、膨張し、したがって側壁１６と４６との間のさらなる締めしろ
が与えられる。
【００３７】 一つの好ましい焼嵌め接合法において、スパッターリングインサート１４はタ
ンタルから成り、外殻１２は低純度アルミニウムから成る。スパッターリングイ
ンサート１４と外殻１２は、周囲室温において、側壁４６の外径と側壁１６の内
径との間に約１．５２ｍｍ（約０．０６０インチ）の締めしろが与えられるよう
に成形される。スパッターリングインサート１４は周囲室温約２４℃のままとし
、一方このとき外殻１２は約１時間約４８２℃に加熱する。次に、スパッターリ
ングインサート１４を加熱された外殻１２内に滑動自在に収容する。それから、
このアセンブリを周囲室温まで空冷する。
ンタルから成り、外殻１２は低純度アルミニウムから成る。スパッターリングイ
ンサート１４と外殻１２は、周囲室温において、側壁４６の外径と側壁１６の内
径との間に約１．５２ｍｍ（約０．０６０インチ）の締めしろが与えられるよう
に成形される。スパッターリングインサート１４は周囲室温約２４℃のままとし
、一方このとき外殻１２は約１時間約４８２℃に加熱する。次に、スパッターリ
ングインサート１４を加熱された外殻１２内に滑動自在に収容する。それから、
このアセンブリを周囲室温まで空冷する。
【００３８】 次に、図６を参照する。本発明の方法の第三の好ましい実施形態は、第一の合
せ表面８０を有し第一の金属材料から成る実質的に平坦なスパッターリングブラ
ンク７８と、第二の合せ表面８４を有し第二の金属材料から成る実質的に平坦な
外殻ブランク８２とを作ることを含む。平坦な外殻ブランク８２と平坦なスパッ
ターリングブランク７８は接合され、ブランクアセンブリ８６を形成する。
せ表面８０を有し第一の金属材料から成る実質的に平坦なスパッターリングブラ
ンク７８と、第二の合せ表面８４を有し第二の金属材料から成る実質的に平坦な
外殻ブランク８２とを作ることを含む。平坦な外殻ブランク８２と平坦なスパッ
ターリングブランク７８は接合され、ブランクアセンブリ８６を形成する。
【００３９】 拡散接合法の場合、第一の合せ表面８０と第二の合せ表面８４とは、第一およ
び第二の金属材料の融点よりも低い所定の温度で圧縮合体され、、第一の合せ表
面８０と第二の合せ表面８４に沿って拡散接合が形成されるようにされる。この
通常の拡散接合法は当業者に周知である。
び第二の金属材料の融点よりも低い所定の温度で圧縮合体され、、第一の合せ表
面８０と第二の合せ表面８４に沿って拡散接合が形成されるようにされる。この
通常の拡散接合法は当業者に周知である。
【００４０】 溶接接合法の場合、真空状態下で、外殻ブランク８２およびスパッターリング
ブランク７８のへりに沿って溶接部が形成される。この溶接部は第一の合せ表面
８０と第二の合せ表面８４との間の真空をシールし、ブランク７８と８２とを接
合する。重要なことは、第一と第二の金属材料に溶接適合性があること、すなわ
ち類似の材料特性を示すということである。したがって、好ましい組合せは、第
二の金属材料の低純度（約４Ｎの純度）銅に接合された第一の金属材料の高純度
（約５〜６Ｎの純度）銅から成るものであると考えられる。
ブランク７８のへりに沿って溶接部が形成される。この溶接部は第一の合せ表面
８０と第二の合せ表面８４との間の真空をシールし、ブランク７８と８２とを接
合する。重要なことは、第一と第二の金属材料に溶接適合性があること、すなわ
ち類似の材料特性を示すということである。したがって、好ましい組合せは、第
二の金属材料の低純度（約４Ｎの純度）銅に接合された第一の金属材料の高純度
（約５〜６Ｎの純度）銅から成るものであると考えられる。
【００４１】 前記のように接合されたブランクアセンブリ８６は、次に、通常の金属加工法
により、ポット形の成形ブランクアセンブリ８８に加工される。この加工法はス
ピニングおよび／または深絞りから成るものとすることができる。このようにし
て、スパッターリングインサート１４は外殻１２内に同心配置され、このとき成
形ブランクアセンブリ８８は、外殻１２によって定められる円筒形外壁１６とス
パッターリングインサート１４によって定められる円筒形内壁４６とを有し、か
つ内壁４６と外壁１６とが接合されている、ということになる。
により、ポット形の成形ブランクアセンブリ８８に加工される。この加工法はス
ピニングおよび／または深絞りから成るものとすることができる。このようにし
て、スパッターリングインサート１４は外殻１２内に同心配置され、このとき成
形ブランクアセンブリ８８は、外殻１２によって定められる円筒形外壁１６とス
パッターリングインサート１４によって定められる円筒形内壁４６とを有し、か
つ内壁４６と外壁１６とが接合されている、ということになる。
【００４２】 次に、取りつけフランジ３４となるリングが外殻１２の回りに同心配置される
。それから、取りつけフランジ３４は側壁１６の突出部分９０の所定位置に溶接
される。
。それから、取りつけフランジ３４は側壁１６の突出部分９０の所定位置に溶接
される。
【００４３】 本発明の方法のこの代替実施形態の場合、好ましくは、成形作業時に外殻ブラ
ンク８２とスパッターリングブランク７８との間の接合の維持を容易にするため
に、第一の金属材料と第二の金属材料とが類似の金属成形特性特に加工硬化特性
を有するようにする。
ンク８２とスパッターリングブランク７８との間の接合の維持を容易にするため
に、第一の金属材料と第二の金属材料とが類似の金属成形特性特に加工硬化特性
を有するようにする。
【００４４】 以上で説明した方法およびそれらの方法によって製造される製品が本発明の好
ましい実施形態を構成するが、本発明はこれらの方法と製品の細部にまで限定さ
れるものではなく、方法と製品のどちらにおいても、特許請求の範囲に定める本
発明の範囲を逸脱することなく、変更を加えることが可能である、と理解すべき
である。
ましい実施形態を構成するが、本発明はこれらの方法と製品の細部にまで限定さ
れるものではなく、方法と製品のどちらにおいても、特許請求の範囲に定める本
発明の範囲を逸脱することなく、変更を加えることが可能である、と理解すべき
である。
【図１】 本発明によって製造したスパッターリングターゲットアセンブリの斜視図であ
る。
る。
【図２】 図１のスパッターリングターゲットアセンブリの断面図である。
【図３】 図１のスパッターリングターゲットアセンブリの分解斜視図である。
【図４】 本発明の方法の第一の好ましい実施形態により実施される一連のステップを示
す略図である。
す略図である。
【図５】 高温静水圧室内に配置された高温静水圧圧縮缶の略図である。
【図６】 本発明の方法の第二の好ましい実施形態により実施される一連のステップを示
す略図である。
す略図である。
１０ スパッターターゲットアセンブリ １２ 外殻 １４ スパッターリングインサート １６ 側壁 １８ 軸線 ２０ 第一の端 ２２ 端壁 ２４ 合せ内表面（第一の合せ表面） ２６ 外表面 ２８ 合せ内表面（第一の合せ表面） ３０ 外表面 ３２ 第二の端 ３３ 開放室 ３４ 環状フランジ ３６ 取りつけ孔 ３８ 環状溝 ４０ シール部材（Ｏリング） ４２ 環状くぼみ ４４ 収容ノッチ ４６ 側壁 ４８ 合せ内表面（第二の合せ表面） ５０ 合せ外表面（第二の合せ表面） ５２ 第一の端 ５４ 端壁 ５６ 合せ内表面（第二の合せ表面） ５８ 合せ外表面（第二の合せ表面） ５９ 開放室 ６０ 開放端 ６２ リップ ６４ 界面領域 ６６ 円筒形の部分 ６８ 中実プラグ ７０ 外表面 ７２ 上部閉鎖板 ７４ 缶アセンブリ ７６ 高温静水圧圧縮室 ７８ スパッターリングブランク ８０ 第一の合せ表面 ８２ 外殻ブランク ８４ 第二の合せ表面 ８６ ブランクアセンブリ ８８ 成形ブランクアセンブリ ９０ 突出部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バーダス，スティーヴン，エル． アメリカ合衆国 オハイオ 43113 サー クルヴィル ダービー ロード 7838 Ｆターム(参考） 4E067 AA02 AA05 AA07 AA10 AA12 BA06 DA13 DA17 DC06 EB00 EC00 EC03 4K029 BA03 BA06 BA08 BA16 BA17 CA05 DC03 DC04 DC22
Claims (23)
- 【請求項１】 スパッターターゲットアセンブリであって、 実質的に円筒形の側壁と端壁とを有し、該側壁が内表面と外表面とを有するス
パッターリングインサートと、 内表面と外表面とを有する実質的に円筒形の側壁を有する外殻と、 を有し、 前記スパッターリングインサートが前記外殻に同心に収容され、前記外殻の前
記内表面が前記スパッターリングインサートの前記外表面に接合される、 ことを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項２】 前記スパッターリングインサートが、チタン、銅、タンタル
、コバルト、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成るグルー
プから選択される第一の金属材料から成ることを特徴とする請求項１に記載のス
パッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項３】 前記外殻が、アルミニウム、銅、鋼、チタン、およびこれら
の合金から成るグループから選択される第二の金属材料から成ることを特徴とす
る請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項４】 前記外殻と前記スパッターリングインサートとが、所定の温
度と所定の圧力とにおいて所定の時間にわたって前記外殻を前記スパッターリン
グインサートに高温静水圧圧縮合体させることにより拡散接合されることを特徴
とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項５】 前記外殻と前記スパッターリングインサートとが、前記外円
筒壁と内円筒壁との間の締り嵌めによって接合され、該締り嵌めが室温で形成さ
れることを特徴とする請求項１に記載のスパツターターゲットアセンブリ。 - 【請求項６】 スパッターターゲットアセンブリであって、 第一の金属材料から成るスパッターリングインサートであって、軸線を定め、
かつ内表面と外表面を有する実質的に円筒形の壁を有し、前記内表面がスパッタ
ーリング面を定めるスパツターリングインサート、 第二の金属材料から成る外殻であって、前記スパッターリングインサートと前
記外殻との間の界面領域に沿って前記スパッターリングインサート外表面と嵌め
合わせるのに適した内表面を有する実質的に円筒形の壁を有し、前記界面領域が
、前記軸線と同軸に延びる実質的に円筒形の部分を有する外殻、 から成ることを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項７】 前記第一の金属材料が、チタン、銅、タンタル、コバルト、
タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成るグループから選択さ
れることを特徴とする請求項６に記載のスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項８】 前記第二の金属材料が、アルミニウム、銅、鋼、チタン、お
よびこれらの合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項６に
記載のスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項９】 前記外殻と前記スパッターリングインサートとが、所定の温
度と所定の圧力とにおいて所定の時間にわたって前記外殻を前記スパッターリン
グインサートに高温静水圧圧縮合体させることにより拡散接合されることを特徴
とする請求項６に記載のスパッターターゲットアセンブリ。 - 【請求項１０】 前記スパッターリングインサートが前記外殻内に同心に収
容されることを特徴とする請求項６に記載のスパッターリングターゲットアセン
ブリ。 - 【請求項１１】 基板上に薄膜を形成させるために使用するスパッターター
ゲットアセンブリを製造する方法であって、 第一の金属材料のブランクを成形して、合せ外表面とスパッターリング内表面
とを有する実質的に円筒形の側壁を有するスパッターリングインサートとし、 第二の金属材料のブランクを成形して、合せ内表面を有する実質的に円筒形の
側壁を有する外殻とし、 前記スパッターリングインサートを前記外殻内に同心に配置し、 前記外殻の前記合せ内表面を、前記スパッターリングインサートの前記合せ外
表面に接合する、 各ステップから成ることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 前記接合のステップが、前記第一および第二の金属材料の
融点よりも低い所定の温度で、前記合せ内表面と合せ外表面とに沿って前記外殻
と前記スパッターリングインサートとを圧縮合体させて、前記合せ内表面と合せ
外表面とに沿って拡散接合が形成されるようにすることを含むことを特徴とする
請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 前記接合のステップが、 前記スパッターリングインサートを、第一の所定温度とし、 前記外殻を、前記スパッターリングインサートを前記外殻内に配置する前記ス
テップに先立って、第二の所定温度に加熱し、 前記スパッターリングインサートと前記外殻とを、前記スパッターリングイン
サートを前記外殻内に配置する前記ステップのあと、室温に戻し、それによって
、室温において、前記スパッターリングインサートの前記側壁と前記外殻の前記
側壁との間の締り嵌めを与える、 ことを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１４】 スパッターターゲットアセンブリを製造する方法であって
、 実質的に円筒形の側壁と端壁とを有し、前記側壁が合せ外表面とスパッターリ
ング内表面とを有する、第一の金属材料から成るスパツターリングインサートを
作り、 合せ内表面を有する実質的に円筒形の側壁を有し、第二の金属材料から成る外
殻を作り、 前記スパッターリングインサートを前記外殻内に同心に配置し、 前記第一および第二の金属材料の融点よりも低い所定の温度で、前記合せ内表
面と合せ外表面とに沿って前記外殻と前記スパッターリングインサートとを圧縮
合体させて、前記合せ内表面と合せ外表面とに沿って拡散接合が形成されるよう
にする、 ことから成ることを特徴とする方法。 - 【請求項１５】 前記圧縮のステップが、 プラグを前記スパッターリングインサート内に同心に配置し、 前記スパッターリングインサートとプラグとを高温静水圧圧縮缶内に配置し、 前記缶に閉鎖板を取りつけて空密缶アセンブリを作り、 前記缶アセンブリから残留空気を排気し、 前記缶アセンブリを、所定の温度と所定の圧力とに所定の時間にわたってさら
す、 各ステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記所定の温度が約５６５℃であり、前記所定の圧力が約
１０．１７ＭＰａであり、前記所定の時間が約３時間であることを特徴とする請
求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記第一の金属材料が、チタン、銅、タンタル、コバルト
、タングステン、アルミニウム、およびこれらの合金から成るグループから選択
されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記第二の金属材料が、アルミニウム、銅、鋼、チタン、
およびこれらの合金から成るグループから選択されることを特徴とする請求項１
４に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記プラグが、アルミニウム、鋼、グラファイト、および
これらの合金から成るグループから選択される材料から成ることを特徴とする請
求項１５に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記外殻が前記静水圧圧縮缶を形成することを特徴とする
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項２１】 スパッターリングターゲットアセンブリを製造する方法で
あって、 第一の合せ表面を有する第一の金属材料から成る実質的に平坦なスパッターリ
ングブランクを作り、 第二の合せ表面を有する第二の金属材料から成る実質的に平坦な外殻ブランク
を作り、 前記外殻ブランクを前記スパッターリングブランクに接合することによってブ
ランクアセンブリを作り、 前記ブランクアセンブリを成形して、前記外殻ブランクから成る外殻と前記ス
パッターリングブランクから成るスパッターリングインサートとを有するカップ
形のスパッターターゲットアセンブリとする、 各ステップから成り、 このとき、前記スパッターリングインサートが前記外殻内に同心に配置されて
、前記スパッターリングターゲットアセンブリが、前記外殻によって定められる
実質的に円筒形の外壁と前記スパッターリングインサートによって定められる実
質的に円筒形の内壁とを有するようにされ、前記内壁が前記外壁に接合される、
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 前記接合のステップが、前記第一および第二の金属材料の
融点よりも低い所定の温度で、前記第一の合せ表面を前記第二の合せ表面に圧縮
合体させて、前記第一および第二の合せ表面に沿って拡散接合が形成されるよう
にすることから成ることを特徴とする請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記接合のステップが、前記第一の合せ表面と第二の合せ
表面との間に真空を形成し、また前記外殻ブランクを前記スパッターリングブラ
ンクに溶接することから成ることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11076598P | 1998-12-03 | 1998-12-03 | |
| US60/110,765 | 1998-12-03 | ||
| PCT/US1999/028723 WO2000032347A1 (en) | 1998-12-03 | 1999-12-03 | Insert target assembly and method of making same |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002531690A true JP2002531690A (ja) | 2002-09-24 |
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|---|---|---|---|
| JP2000585023A Pending JP2002531690A (ja) | 1998-12-03 | 1999-12-03 | インサートターゲットアセンブリとそれを製造する方法 |
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|---|---|
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| WO (1) | WO2000032347A1 (ja) |
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