JPH07228967A - 長尺円筒状スパッタリングターゲット - Google Patents
長尺円筒状スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH07228967A JPH07228967A JP4322194A JP4322194A JPH07228967A JP H07228967 A JPH07228967 A JP H07228967A JP 4322194 A JP4322194 A JP 4322194A JP 4322194 A JP4322194 A JP 4322194A JP H07228967 A JPH07228967 A JP H07228967A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング時に割れが発生することのな
い長尺円筒状スパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 金属製チューブ１の外側に複数個のリング状
ターゲット２を挿入してなる長尺円筒状スパッタリング
ターゲット。
い長尺円筒状スパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 金属製チューブ１の外側に複数個のリング状
ターゲット２を挿入してなる長尺円筒状スパッタリング
ターゲット。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング時に
割れが発生することがない高密度の長尺円筒状スパッタ
リングターゲットに関するものである。
割れが発生することがない高密度の長尺円筒状スパッタ
リングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、長尺円筒状スパッタリングターゲ
ットを製造する方法として、（１） 円筒状鋳型の中心
に金属製チューブを挿入載置し、円筒状鋳型と金属製チ
ューブで形成された隙間に溶融ターゲット材を鋳込むこ
とにより積層させる方法、（２） 金属製チューブの外
側にターゲット材を溶射し積層させる方法、などが知ら
れている。
ットを製造する方法として、（１） 円筒状鋳型の中心
に金属製チューブを挿入載置し、円筒状鋳型と金属製チ
ューブで形成された隙間に溶融ターゲット材を鋳込むこ
とにより積層させる方法、（２） 金属製チューブの外
側にターゲット材を溶射し積層させる方法、などが知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法による
と、いずれも長尺円筒状スパッタリングターゲットを得
ることができるが、金属製チューブの周囲に積層してい
るターゲット材は金属製チューブと熱膨脹係数が異な
り、しかもターゲット材が長尺一体であるためにスパッ
タリング中に金属製チューブとターゲット材の伸びの差
が大きくなり、靭性の低いターゲット材に割れが発生
し、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜に欠陥
が発生することがあるなどの課題があった。
と、いずれも長尺円筒状スパッタリングターゲットを得
ることができるが、金属製チューブの周囲に積層してい
るターゲット材は金属製チューブと熱膨脹係数が異な
り、しかもターゲット材が長尺一体であるためにスパッ
タリング中に金属製チューブとターゲット材の伸びの差
が大きくなり、靭性の低いターゲット材に割れが発生
し、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜に欠陥
が発生することがあるなどの課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等はこ
れら課題を解決すべく研究を行った結果、予め高密度で
寸法精度の優れたリング状ターゲット材を作製してお
き、このリング状ターゲット材を金属製チューブの外側
に複数個挿入することにより、スパッタリング時に割れ
が発生することのない長尺円筒状スパッタリングターゲ
ットを得ることができるという知見を得たのである。
れら課題を解決すべく研究を行った結果、予め高密度で
寸法精度の優れたリング状ターゲット材を作製してお
き、このリング状ターゲット材を金属製チューブの外側
に複数個挿入することにより、スパッタリング時に割れ
が発生することのない長尺円筒状スパッタリングターゲ
ットを得ることができるという知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、金属製チューブの外側にリング状ター
ゲット材を複数個挿入してなる長尺円筒状スパッタリン
グターゲットに特徴を有するものである。
たものであって、金属製チューブの外側にリング状ター
ゲット材を複数個挿入してなる長尺円筒状スパッタリン
グターゲットに特徴を有するものである。
【０００６】この発明の長尺円筒状スパッタリングター
ゲットの構造およびその製造方法を図面に基づいて説明
する。
ゲットの構造およびその製造方法を図面に基づいて説明
する。
【０００７】図１および図２は、この発明の割れ発生の
ない長尺円筒状スパッタリングターゲットの断面図であ
る。
ない長尺円筒状スパッタリングターゲットの断面図であ
る。
【０００８】まず、図１および図２に示されるような金
属製チューブ１を用意し、さらに溶解法または焼結法に
より上記金属製チューブ１に嵌合しうるリング状ターゲ
ット材２を用意する。
属製チューブ１を用意し、さらに溶解法または焼結法に
より上記金属製チューブ１に嵌合しうるリング状ターゲ
ット材２を用意する。
【０００９】上記リング状ターゲット材２は長さが短い
ので通常の溶解法または焼結法により寸法精度よく金属
製チューブ１に嵌合しうるリング状ターゲット材を製造
することができる。さらに寸法精度を向上させるために
切削加工することもできる。金属製チューブに挿入して
一方のリング状ターゲット２と他方のリング状ターゲッ
ト２との接合部３に隙間が生じないように、リング状タ
ーゲット２の端部に図１に示されるように段部４または
図２に示されるようにテーパ部５を設けるとよい。
ので通常の溶解法または焼結法により寸法精度よく金属
製チューブ１に嵌合しうるリング状ターゲット材を製造
することができる。さらに寸法精度を向上させるために
切削加工することもできる。金属製チューブに挿入して
一方のリング状ターゲット２と他方のリング状ターゲッ
ト２との接合部３に隙間が生じないように、リング状タ
ーゲット２の端部に図１に示されるように段部４または
図２に示されるようにテーパ部５を設けるとよい。
【００１０】さらに、一方のリング状ターゲット２と他
方のリング状ターゲット２との接合を強化するために、
上記段部４またはテーパ部５にネジなどの接合手段を設
けておくとよい。
方のリング状ターゲット２との接合を強化するために、
上記段部４またはテーパ部５にネジなどの接合手段を設
けておくとよい。
【００１１】上記金属製チューブ１にリング状ターゲッ
ト材２を複数個挿入すると、長尺円筒状スパッタリング
ターゲットを作製することができる。この場合、リング
状ターゲット材を図２に示されるように２種類の異なっ
た材質のリング状ターゲット材２，２′を交互に複数個
挿入すると、複合スパッタ膜を形成することのできる長
尺円筒状スパッタリングターゲットを作製することがで
きる。
ト材２を複数個挿入すると、長尺円筒状スパッタリング
ターゲットを作製することができる。この場合、リング
状ターゲット材を図２に示されるように２種類の異なっ
た材質のリング状ターゲット材２，２′を交互に複数個
挿入すると、複合スパッタ膜を形成することのできる長
尺円筒状スパッタリングターゲットを作製することがで
きる。
【００１２】
実施例１ 通常のホットプレス法により、純度：９９．９９９％以
上のタングステンからなり、内径：１１０mm、外径：１
３０mm、長さ：１００mmの寸法を有し、図１に示される
段部を有するリング状ターゲット材を１０個作製した。
上のタングステンからなり、内径：１１０mm、外径：１
３０mm、長さ：１００mmの寸法を有し、図１に示される
段部を有するリング状ターゲット材を１０個作製した。
【００１３】一方、内径：１００mm、外径：１０９mm、
長さ：１０００mmのＳＵＳ３１６製円筒状チューブを用
意し、この円筒状チューブの外面にＳｎ：４０％含有の
Ｐｂはんだを溶射し積層させたのち、外径を１０９．５
mmに機械加工仕上げし、前記タングステンからなるリン
グ状ターゲット材を嵌合し、ついで温度：２００℃の真
空炉内に装入し、円筒状チューブの外面にタングステン
からなるターゲット材焼結体を積層し、図１に示される
構造の本発明長尺円筒状ターゲット１を作製した。
長さ：１０００mmのＳＵＳ３１６製円筒状チューブを用
意し、この円筒状チューブの外面にＳｎ：４０％含有の
Ｐｂはんだを溶射し積層させたのち、外径を１０９．５
mmに機械加工仕上げし、前記タングステンからなるリン
グ状ターゲット材を嵌合し、ついで温度：２００℃の真
空炉内に装入し、円筒状チューブの外面にタングステン
からなるターゲット材焼結体を積層し、図１に示される
構造の本発明長尺円筒状ターゲット１を作製した。
【００１４】比較のために、前記円筒状チューブの外周
にタングステン粉末を溶射法により積層させ同一寸法の
従来長尺円筒状ターゲット１を作製した。
にタングステン粉末を溶射法により積層させ同一寸法の
従来長尺円筒状ターゲット１を作製した。
【００１５】本発明長尺円筒状ターゲット１および従来
長尺円筒状ターゲット１を高周波マグネトロン装置に装
入し、Ａｒ分圧：１×１０-4Torr、出力：１０kwの条件
でスパッタリングを行ったところ、本発明長尺円筒状タ
ーゲット１には割れが発生しなかったが、従来長尺円筒
状ターゲット１には割れが発生していた。
長尺円筒状ターゲット１を高周波マグネトロン装置に装
入し、Ａｒ分圧：１×１０-4Torr、出力：１０kwの条件
でスパッタリングを行ったところ、本発明長尺円筒状タ
ーゲット１には割れが発生しなかったが、従来長尺円筒
状ターゲット１には割れが発生していた。
【００１６】実施例２ 純度：９９．９９％以上のＣｒからなり、内径：１１０
mm、外径：１３０mm、長さ：２５mmの寸法を有し、図２
に示されるテーパ部を有するＣｒリング状ターゲット材
を２０個作製し、さらに純度：９９．９９％以上のＳｉ
からなり、内径：１１０mm、外径：１３０mm、長さ：２
５mmの寸法を有し、図２に示されるテーパ部を有するＳ
ｉリング状ターゲット材を２０個作製した。
mm、外径：１３０mm、長さ：２５mmの寸法を有し、図２
に示されるテーパ部を有するＣｒリング状ターゲット材
を２０個作製し、さらに純度：９９．９９％以上のＳｉ
からなり、内径：１１０mm、外径：１３０mm、長さ：２
５mmの寸法を有し、図２に示されるテーパ部を有するＳ
ｉリング状ターゲット材を２０個作製した。
【００１７】これらＣｒリング状ターゲット材およびＳ
ｉリング状ターゲット材を交互に、前記実施例１で用意
したＰｂはんだ溶射の円筒状チューブに挿入し、同様の
方法で接合し、Ｃｒ：Ｓｉ＝１：１の組成比を有する本
発明長尺円筒状ターゲット２を作製した。
ｉリング状ターゲット材を交互に、前記実施例１で用意
したＰｂはんだ溶射の円筒状チューブに挿入し、同様の
方法で接合し、Ｃｒ：Ｓｉ＝１：１の組成比を有する本
発明長尺円筒状ターゲット２を作製した。
【００１８】比較のために、Ｃｒ：Ｓｉ＝１：１の混合
比を有する粉末をプラズマアーク溶射法にて積層させ、
同一寸法の従来長尺円筒状ターゲット２を作製した。
比を有する粉末をプラズマアーク溶射法にて積層させ、
同一寸法の従来長尺円筒状ターゲット２を作製した。
【００１９】本発明長尺円筒状ターゲット２および従来
長尺円筒状ターゲット２を用い、実施例１と同じ条件で
高周波マグネトロンスパッタリングを行ったところ、従
来長尺円筒状ターゲット２には割れが発生したが、本発
明長尺円筒状ターゲット２には割れが発生しなかった。
長尺円筒状ターゲット２を用い、実施例１と同じ条件で
高周波マグネトロンスパッタリングを行ったところ、従
来長尺円筒状ターゲット２には割れが発生したが、本発
明長尺円筒状ターゲット２には割れが発生しなかった。
【００２０】
【発明の効果】上述のように、この発明の長尺円筒状ス
パッタリングターゲットは、 （１） ターゲット材が複数個に分割されているため
に、スパッタリング中に割れることがない。
パッタリングターゲットは、 （１） ターゲット材が複数個に分割されているため
に、スパッタリング中に割れることがない。
【００２１】（２） ターゲット材は短尺のリング状に
成形されるため、高純度で高密度のターゲット材を作製
することができる。
成形されるため、高純度で高密度のターゲット材を作製
することができる。
【００２２】（３） 組成の異なったリング状ターゲッ
ト材を組合せた長尺円筒状スパッタリングターゲットを
簡単に作製することができる、などの優れた効果を奏す
る。
ト材を組合せた長尺円筒状スパッタリングターゲットを
簡単に作製することができる、などの優れた効果を奏す
る。
【図１】この発明の長尺円筒状スパッタリングターゲッ
トの断面図である。
トの断面図である。
【図２】この発明の長尺円筒状スパッタリングターゲッ
トの断面図である。
トの断面図である。
１ 金属製チューブ ２ リング状ターゲット材 ２′ リング状ターゲット材 ３ 接合部 ４ 段部 ５ テーパ部
Claims (1)
- 【請求項１】 金属製チューブの外側に複数個のリング
状ターゲットを挿入してなることを特徴とする長尺円筒
状スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322194A JPH07228967A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 長尺円筒状スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4322194A JPH07228967A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 長尺円筒状スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07228967A true JPH07228967A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12657867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4322194A Withdrawn JPH07228967A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 長尺円筒状スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07228967A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745010A1 (fr) * | 1996-02-20 | 1997-08-22 | Serole Michelle Paparone | Cible de pulverisation cathodique de forme tubulaire ou derivee, faite de plusieurs plaques longitudinales et sa methode de fabrication |
| WO2002020866A1 (fr) * | 2000-09-08 | 2002-03-14 | Asahi Glass Company, Limited | Cible cylindrique et procede de fabrication de ladite cible |
| JP2002155356A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 円筒状ターゲット及びその製造方法 |
| WO2003016584A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | N.V. Bekaert S.A. | A process for the manufacturing of a sputter target |
| JP2004162179A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Wc Heraeus Gmbh | Ｓｉベースの合金からなるスパッタターゲットの製造法、この種のスパッタターゲットおよびその使用 |
| EP1873274A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | PVD cylindrical target |
| JP2009046725A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2010100930A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2011225985A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Hitachi Metals Ltd | 円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法 |
| JP2012506489A (ja) * | 2008-10-24 | 2012-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 回転可能なスパッタターゲットベース、回転可能なスパッタターゲット、コーティング装置、回転可能なスパッタターゲットを作成する方法、ターゲットベース接続手段、及びスパッタリング装置のための回転可能なターゲットベース装置をターゲットベースに接続する方法 |
| JP2013241646A (ja) * | 2012-05-21 | 2013-12-05 | Panasonic Corp | スパッタリングターゲットとこれを使用したスパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
| WO2017073487A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN107829073A (zh) * | 2016-09-15 | 2018-03-23 | 三井金属矿业株式会社 | 圆筒形溅射靶 |
| WO2023041017A1 (zh) * | 2021-09-16 | 2023-03-23 | 攀时（上海）高性能材料有限公司 | 溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP4322194A patent/JPH07228967A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6787011B2 (en) | 2000-09-08 | 2004-09-07 | Asahi Glass Company, Limited | Cylindrical target and its production method |
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| US7563488B2 (en) | 2001-08-13 | 2009-07-21 | Nv Bekaert Sa | Process for the manufacturing of a sputter target |
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| EP1873274A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | PVD cylindrical target |
| EP1873274A3 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | PVD cylindrical target |
| JP2009046725A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2010100930A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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| WO2023041017A1 (zh) * | 2021-09-16 | 2023-03-23 | 攀时（上海）高性能材料有限公司 | 溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |