JP5558020B2 - 成膜方法 - Google Patents
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- 真空排気自在なチャンバ内で処理すべき基板を保持し、
チャンバ内の圧力が、10〜30Paの圧力範囲である高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、
基板に対向近接配置された平面視円形のターゲットに直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタリングして基板に対して成膜を行う成膜方法であって、
ターゲットから基板に向かう方向を下方、基板からターゲットに向う方向を上方として、ターゲットの下方に、磁場の垂直成分が0となる位置が前記ターゲットの中心からオフセットした磁場を局所的に形成する磁石ユニットをターゲットの上方に配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動させ、
前記チャンバ内が前記高圧力領域よりも低い低圧力領域となるようにスパッタガスの導入を制御し、ターゲットの中央部をスパッタリングしてクリーニングするダミー処理を定期的に行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記低圧力領域が0.1〜10Paであることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記ターゲットがCu、Ti、Co、Ni、Al、WまたはTaの単体金属、またはこれらの中から選択された二種以上の合金から構成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009092411A JP5558020B2 (ja) | 2009-04-06 | 2009-04-06 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2010245296A JP2010245296A (ja) | 2010-10-28 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5558020B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5612830B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-10-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2020031572A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11152564A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | プリスパッタ方法および装置 |
US6228236B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Sputter magnetron having two rotation diameters |
JP4685228B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2011-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタリング装置および成膜方法 |
JP2002302767A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | スパッタリング装置とその方法 |
US7041201B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith |
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Publication number | Publication date |
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JP2010245296A (ja) | 2010-10-28 |
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